CN112802799A - 显示面板的制备方法、显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示面板的制备方法、显示面板和显示装置，包括：首先在阵列基板上依次形成第一电极层、牺牲层及像素定义层，像素定义层具有多个开口，部分的牺牲层通过开口暴露，第一电极层包括金属层及覆盖金属层的保护层；然后利用刻蚀介质蚀刻去除通过开口暴露的部分牺牲层，其中第一保护层与刻蚀介质的作用相对于牺牲层与刻蚀介质的作用呈惰性。该显示面板的制备方法中制备的第一电极层不与用于刻蚀牺牲层的刻蚀介质反应，从而可以保护第一电极层中的金属层，防止第一电极层产生暗点导致显示不良，有助于提升产品良率，保证显示面板的显示效果。
Description
技术领域
本申请属于显示设备技术领域，尤其涉及一种显示面板的制备方法、显示面板和显示装置。
背景技术
在HIAA(Hole In Active Area，显示区开孔)技术中，在形成阳极后在阳极上形成有用于保护阳极的牺牲层，后续工艺中需要对牺牲层进行去除，常用手段为采用湿法刻蚀工艺去除牺牲层，但是采用现有手段去除牺牲层时阳极会出现暗点，从而导致产品良率下降。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示面板的制备方法、显示面板和显示装置，该显示面板的制备方法中制备的第一电极层不与用于刻蚀牺牲层的刻蚀介质反应，从而可以保护第一电极层中的金属层，从而防止阳极产生暗点导致显示不良，有助于提升产品良率，保证显示面板的显示效果。
本申请实施例一方面提供了一种显示面板的制备方法，包括：
在阵列基板上依次形成第一电极层、牺牲层及像素定义层，所述像素定义层具有多个开口，部分的牺牲层通过所述开口暴露，所述第一电极层包括金属层及覆盖所述金属层的第一保护层；
利用刻蚀介质蚀刻去除通过所述开口暴露的部分牺牲层，其中所述第一保护层与所述刻蚀介质的作用相对于所述牺牲层与所述刻蚀介质的作用呈惰性。
优选地，还包括形成于所述金属层朝向所述阵列基板一侧的第二保护层，所述第一保护层和所述第二保护层均为金属氧化物导电层。
优选地，所述第一保护层的材质为氧化铝锌，所述牺牲层的材质为氧化铟锌。
优选地，采用磁控溅射的方式形成所述第一保护层，其中用于形成所述第一保护层的靶材包含氧化锌和氧化铝。
优选地，所述靶材中还包括氧化钙或碳酸钙。
优选地，在采用磁控溅射的方式形成所述第一保护层的过程中还通入有百分之二十至百分之三十的氧气。
优选地，所述第二保护层的材质为氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锌中的一种。
优选地，所述金属层的材质为银。
优选地，所述刻蚀介质包括硝酸、磷酸和醋酸。
本申请还提供了一种显示面板，所述显示面板包括：
阵列基板；
第一电极层，形成于所述阵列基板上，包括金属层及覆盖所述金属层的第一保护层，所述第一保护层的材质为氧化铝锌；
牺牲层，形成于所述第一电极层背离所述阵列基板的一侧，所述牺牲层具有多个开孔，部分所述第一电极层通过所述开孔暴露，所述牺牲层的材质为氧化铟锌；
像素定义层，形成于所述牺牲层背离所述第一电极层的一侧，所述像素定义层具有多个开口，所述开口与所述开孔一一对应，且每一对一一对应的所述开口与所述开孔中，所述开口靠近所述阵列基板一侧的边沿与所述开孔背离所述阵列基板一侧的边沿重合。
本申请还提供了一种显示装置，包括上述技术方案中提供的显示面板。
与现有技术相比，本申请实施例提供的显示面板的制备方法中，在阵列基板上形成第一电极层之后，在第一电极层背离阵列基板的一侧还形成有牺牲层，牺牲层用以保护第一电极层，然后再在牺牲层背离第一电极层的一侧形成像素定义层，像素定义层具有多个开口，开口的位置与每个第一电极层相对应，位于第一电极层上的部分牺牲层经开口暴露，通过湿法刻蚀工艺去除经开口暴露的部分牺牲层，以暴露与开口对应的第一电极层，便于后续在第一电极层上形成发光材料层，在通过湿法刻蚀工艺去除开口内的牺牲层时，第一电极层中的第一保护层与刻蚀介质的作用相对于牺牲层与刻蚀介质的作用呈惰性，从而可以有效防止刻蚀介质损伤第一电极层中的金属层，有助于保证第一电极层的导电效果，防止第一电极中金属层的性质发生变化，从而防止第一电极层产生暗点而导致显示不良，有助于提升产品良率，保证显示面板的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图；
图2是本申请实施例提供的一种显示面板的制备过程结构示意图；
图3是本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图。
附图中：
1-阵列基板；2-第一电极层；21-第二保护层；22-金属层；23-第一保护层；3-牺牲层；4-像素定义层；41-开口。
具体实施方式
下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本申请的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请的更好的理解。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
随着显示技术的发展，对全面屏显示的要求越来越高，一种实现方式为打孔屏，通过在显示区进行开孔，并将摄像头模组置于显示模组下且与开孔正对设置，以提高与摄像头模组正对区域的透光率，从而提升摄像头模组的摄像效果，在应用HIAA(Hole In ActiveArea，显示区开孔)技术制备打孔屏的过程中，首先在驱动电路层上制备阳极，然后再在形成阳极后在阳极上形成有用于保护阳极的牺牲层3，后续工艺中需要对牺牲层3进行去除，去除牺牲层3的方式由干刻和湿刻两种方式，干刻的精度要求高因此成本高，因此现有的常用手段为采用湿刻工艺去除牺牲层3，采用湿刻工艺去除牺牲层3会使得阳极出现暗点，从而影响显示效果、降低产品良率。
发明人经解析上述问题，发现导致阳极出现暗点的原因在于：阳极中与牺牲层3接触的一层的化学性质与牺牲层相近，从而在采用刻蚀介质对牺牲层3进行湿法刻蚀去除时，刻蚀介质会在去除牺牲层3的同时误将阳极中与牺牲层3接触的一层中的部分去除，从而暴露出阳极中与牺牲层3接触的一层下面的膜层，使得该膜层性质发生变化，从而产生阳极暗点不良，影响产品良率，申请人基于对上述问题的解析，提出了一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置。
为了更好地理解本申请，下面结合图1至图3根据本申请实施例的显示面板的制备方法、显示面板及显示装置进行详细描述。
请参阅图1至图3，本申请实施例提供了一种显示面板的制备方法，包括：
S101：在阵列基板1上依次形成第一电极层2、牺牲层3及像素定义层4，像素定义层4具有多个开口41，部分的牺牲层3通过开口41暴露，第一电极层2包括金属层22及覆盖金属层22的第一保护层，如图2所示；
S102：利用刻蚀介质蚀刻去除通过开口41暴露的部分牺牲层3，其中第一保护层与所述刻蚀介质的作用相对于所述牺牲层与所述刻蚀介质的作用呈惰性，如图3所示。
上述显示面板的制备方法中，在阵列基板1上形成第一电极层2之后，在第一电极层2背离阵列基板1的一侧还形成有牺牲层3，牺牲层3用以保护第一电极层2，然后再在牺牲层3背离第一电极层2的一侧形成像素定义层4，像素定义层4具有多个开口41，开口41的位置与每个第一电极层2相对应，位于第一电极层2上的部分牺牲层3经开口41暴露，通过湿法刻蚀工艺去除经开口41暴露的部分牺牲层3，以暴露与开口41对应的第一电极层2，便于后续在第一电极层2上形成发光材料层，在通过湿法刻蚀工艺去除开口41内的牺牲层3时，第一电极层2中的第一保护层与刻蚀介质的作用相对于牺牲层与刻蚀介质的作用呈惰性，从而可以有效防止刻蚀介质损伤第一电极层2中的金属层22，有助于保证第一电极层2的导电效果，防止第一电极中金属层22的性质发生变化，从而防止第一电极层2产生暗点而导致显示不良，有助于提升产品良率，保证显示面板的显示效果。
在一种可行的实施方式中，还包括形成于金属层22朝向阵列基板1一侧的第二保护层21，第一保护层23和第二保护层21均为金属氧化物导电层。
在上述实施方式中，第二保护层21和第一保护层23均为金属氧化物导电层，从而可防止第一电极层2中的金属层22被氧化或硫化，金属氧化物导电层可对金属层22进行保护、防止其性质发生变化，保证其性能，同时采用金属氧化物材质使得第一电极层2具有优秀的电荷注入特性，从而可提高第一电极层2的导电效率，降低显示面板的功耗。
在一种可行的实施方式中，第一保护层23的材质为氧化铝锌，牺牲层3的材质为氧化铟锌。
在上述实施方式中，第一保护层23采用氧化铝锌、牺牲层3采用氧化铟锌，一方面由于氧化铝锌材质对可见光的透过率高、导电性强、热稳定性好，同时氧化铝锌材质与其他膜层的粘附力强，因此适合用作第一电极层2中的第一保护层23的材料，另一方面，由于氧化铝锌和氧化铟锌化学性质不相近，因此可以在对牺牲层3采用刻蚀介质进行湿刻的时候，采用与氧化铝锌反应相较于与氧化铟锌反应呈惰性的刻蚀介质，从而可通过第一保护层23阻隔刻蚀介质与金属层22接触，以对金属层22进行保护，同时由于氧化铝锌和氧化铟锌化学性质不相近，刻蚀介质的选择更多，可以选择成本更低的刻蚀介质以节省工艺成本。
在一种可行的实施方式中，刻蚀介质包括硝酸、磷酸和醋酸。
上述实施方式中，刻蚀介质的材质包括硝酸、磷酸和醋酸，且第一保护层23的材质为氧化铝锌，牺牲层3的材质为氧化铟锌，该刻蚀介质与氧化铝锌反应相较于与氧化铟锌反应呈惰性，从而第一保护层23可对金属层22进行保护，防止过刻后使第一电极层形成暗点，从而有助于提升产品良率。
在一种可行的实施方式中，采用磁控溅射的方式形成第一保护层23，其中用于形成第一保护层23的靶材包含氧化锌和氧化铝。在上述实施方式中，首先，包含氧化锌和氧化铝的靶材价格便宜，可以大幅节省生产成本；其次，包含氧化锌和氧化铝的靶材形成的氧化铝锌材质的第一保护层23在满足作为第一保护层23的透光率、导电性及热稳定性要求的同时，还能够对第一电极层2中的金属层22进行保护，防止刻蚀介质在对氧化铟锌材质的牺牲层3进行刻蚀的同时，对第一保护层23造成过刻而暴露金属层22。在一种可行的实施方式中，用于形成第一保护层23的靶材中氧化锌和氧化铝的质量百分比为98：2，可以使得第一电极层2具有优秀的电荷注入特性，从而可提高第一电极层2的导电效率，降低显示面板的功耗。
本申请提供的上述实施方式中，靶材中氧化锌和氧化铝的质量百分比为不限于98：2，还可以选用其他的比例的靶材，本申请不做特别限定。
在上述实施方式中，第一保护层23的厚度可以选用100埃，从而可以在保证第一电极层2电性效果的同时，减小显示面板的整体厚度，以实现显示面板的轻薄化。
在一种可行的实施方式中，用于形成第一保护层23的靶材中还包括氧化钙或碳酸钙。
在上述实施方式中，靶材中还包括氧化钙或碳酸钙，从而可以减弱靶材的结瘤现象、延长氧化物靶材的使用寿命，减少成膜后的异物数量，使得由上述靶材溅射形成的第一保护层23更为平坦，使得第一保护层23产生突起减少，降低第一电极层2的不良；同时防止靶材使用中后期产生的较多的颗粒，使得靶材可长时间存放及使用。
在一种可行的实施方式中，在采用磁控溅射的方式形成第一保护层23的过程中还通入有百分之二十至百分之三十的氧气。
在上述实施方式中，在磁控溅射工艺进行中，通过通入百分之二十至百分之三十的氧气来进一步提升第一保护层23的致密性，使第一保护层23与金属层22及上下膜层具有更好的黏附性，同时也降低了第一保护层23与金属层22分离的概率，可提高第一电极层2的良率和性能，并延长第一电极层2的使用寿命。
在一种可行的实施方式中，第二保护层21的材质为氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锌中的一种。
在上述实施方式中，第一保护层21的材质不限于以上几种，第一保护层21不与刻蚀介质接触，从而在材料选择方面多于第二一保护层23，同时第一保护层21采用氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铝锌材质使得第一电极层2具有优秀的电荷注入特性，从而可提高第一电极层2的导电效率，降低显示面板的功耗。
在一种可行的实施方式中，金属层22的材质为银。
在上述实施方式中，金属层22的材质为银，银的导电率好，从而可以提高第一电极层2的导电性能，提高显示效果，同时通过第一保护层23和第二保护层21的保护，使得银金属层22不易被氧化或硫化，同时不易被刻蚀介质刻蚀第一保护层23后暴露，从而可以大大降低第一电极层2暗点发生的概率，提升产品良率。
本申请还提供了一种显示面板，如图3所示，该显示面板包括阵列基板1、第一电极层2、牺牲层3和像素定义层4，其中，第一电极层2形成于阵列基板1上，包括金属层22及覆盖金属层22的第一保护层23，第一保护层23的材质为氧化铝锌；牺牲层3形成于第一电极层2背离阵列基板1的一侧，牺牲层3具有多个开孔，部分第一电极层2通过开孔暴露，牺牲层3的材质为氧化铟锌；像素定义层4形成于牺牲层3背离第一电极层2的一侧，像素定义层4具有多个开口41，开口41与开孔一一对应，且每一对一一对应的开口41与开孔中，开口41靠近阵列基板1一侧的边沿与开孔背离阵列基板1一侧的边沿重合。
本申请提供的显示面板中，第一电极层2包括第一保护层23、金属层22以及第二保护层21，其中第一保护层23位于金属层22与牺牲层3之间，防止用于刻蚀牺牲层3的刻蚀介质与金属层22作用，同时第一保护层23采用与刻蚀介质的反应相较于牺牲层与刻蚀介质的反应呈惰性的材料，以防止刻蚀介质对第一保护层23发生过刻而暴露出金属层22，避免监护层发生氧化或硫化，防止产生第一电极层2暗点发生率，从而提升显示面板的显示效果。
本申请提供的显示面板中，还包括形成于第一电极层2上且位于像素定义层4的开口41内的发光材料层，以及形成于发光材料层背离第一电极层2一侧的第二电极层，其中，第一电极层2可以为用于注入空穴的阳极，第二电极层为用于注入电子的阴极。
发光材料层从第一电极层2开始顺序包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。由于电子注入层往往由除有机材料或其复合材料以外的金属元素制成，因此电子注入层不在有机层中，并且可以被划分为单独层或可以包含在阴极中。
本申请提供的显示面板中，第一电极层2为阳极，该阳极采用第一保护层23、金属层22以及第二保护层21三层式设计，第一保护层23和第二保护层21用于保护金属层22，同时采用三层式设计使得电荷能够被很好地注入，从而能够提高发光材料层的发光效率。
本申请还提供了一种显示装置，包括本申请提供的显示面板。
上述显示装置可以为手机、平板电脑、笔记本电脑等移动终端，也可以为电视、显示器等终端设备，上述显示装置采用本申请提供的显示面板，由于该显示面板中的第一电极层2中包括第一保护层23、第二保护层21以及位于第一保护层23与第二保护层21之间的金属层22，且第一保护层23背离金属层22的一侧设置有牺牲层3，第一保护层23与用于刻蚀牺牲层3的刻蚀介质的反应相较于牺牲层3与刻蚀介质的反应呈惰性，从而可以更好地保护金属层22，避免对第一保护层23发生过刻而暴露金属层22，使得金属层22不会因被暴露而发生氧化或硫化，从而防止第一电极层2产生暗点不良，提高产品良率，进而提高显示效果；同时，第一电极层2采用第一保护层23、第二保护层21以及位于第一保护层23与第二保护层21之间的金属层22的结构，其中第一保护层23和第二保护层231为金属氧化物导电层，使得第一电极层2具有优秀的电荷注入特性，从而可提高第一电极层2的导电效率，降低显示面板及显示装置的功耗。
以上，仅为本申请的具体实施方式，所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，上述描述的系统、模块和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。应理解，本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本申请的保护范围之内。
还需要说明的是，本申请中提及的示例性实施例，基于一系列的步骤或者装置描述一些方法或系统。但是，本申请不局限于上述步骤的顺序，也就是说，可以按照实施例中提及的顺序执行步骤，也可以不同于实施例中的顺序，或者若干步骤同时执行。
Claims (10)
1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
在阵列基板上依次形成第一电极层、牺牲层及像素定义层，所述像素定义层具有多个开口，部分的牺牲层通过所述开口暴露，所述第一电极层包括金属层及覆盖所述金属层的第一保护层；
利用刻蚀介质蚀刻去除通过所述开口暴露的部分牺牲层，其中所述第一保护层与所述刻蚀介质的作用相对于所述牺牲层与所述刻蚀介质的作用呈惰性。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括形成于所述金属层朝向所述阵列基板一侧的第二保护层，所述第一保护层和所述第二保护层均为金属氧化物导电层。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一保护层的材质为氧化铝锌，所述牺牲层的材质为氧化铟锌。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射的方式形成所述第一保护层，其中用于形成所述第一保护层的靶材包含氧化锌和氧化铝；
优选地，所述靶材中还包括氧化钙或碳酸钙。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在采用磁控溅射的方式形成所述第一保护层的过程中还通入有百分之二十至百分之三十的氧气。
6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第二保护层的材质为氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锌中的一种。
7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述金属层的材质为银。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀介质包括硝酸、磷酸和醋酸。
9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
阵列基板；
第一电极层，形成于所述阵列基板上，包括金属层及覆盖所述金属层的第一保护层，所述第一保护层的材质为氧化铝锌；
牺牲层，形成于所述第一电极层背离所述阵列基板的一侧，所述牺牲层具有多个开孔，部分所述第一电极层通过所述开孔暴露，所述牺牲层的材质为氧化铟锌；
像素定义层，形成于所述牺牲层背离所述第一电极层的一侧，所述像素定义层具有多个开口，所述开口与所述开孔一一对应，且每一对一一对应的所述开口与所述开孔中，所述开口靠近所述阵列基板一侧的边沿与所述开孔背离所述阵列基板一侧的边沿重合。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示面板。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022162494A1 (ja) * | 2021-01-28 | 2022-08-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、及び表示装置の作製方法 |
| CN115132749A (zh) * | 2022-06-28 | 2022-09-30 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050007016A1 (en) * | 2003-07-10 | 2005-01-13 | Toshitaka Mori | Organic electroluminescent element |
| CN1584955A (zh) * | 2003-08-18 | 2005-02-23 | 铼宝科技股份有限公司 | 显示面板及其电极基板与电极面板 |
| CN101807671A (zh) * | 2009-02-17 | 2010-08-18 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光二极管及其制造方法 |
| CN108493230A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示面板 |
| CN110890323A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-03-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 源漏层引线结构及其制备方法、阵列基板和显示面板 |
-
2021
- 2021-01-14 CN CN202110049391.6A patent/CN112802799B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050007016A1 (en) * | 2003-07-10 | 2005-01-13 | Toshitaka Mori | Organic electroluminescent element |
| CN1584955A (zh) * | 2003-08-18 | 2005-02-23 | 铼宝科技股份有限公司 | 显示面板及其电极基板与电极面板 |
| CN101807671A (zh) * | 2009-02-17 | 2010-08-18 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光二极管及其制造方法 |
| CN108493230A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示面板 |
| CN110890323A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-03-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 源漏层引线结构及其制备方法、阵列基板和显示面板 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022162494A1 (ja) * | 2021-01-28 | 2022-08-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、及び表示装置の作製方法 |
| CN115132749A (zh) * | 2022-06-28 | 2022-09-30 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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