CN108987430B - 一种有机电致发光二极管、阵列基板及制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种有机电致发光二极管、阵列基板及制作方法。该有机电致发光二极管包括：阳极、有机发光层和复合阴极，所述复合阴极在从靠近所述有机发光层至远离所述有机发光层的方向上包括依次设置的阴极层、保护层和导电层，所述阴极层通过所述保护层与所述导电层电连接。本发明中，形成降低阴极电阻的导电层，同时可避免在形成导电层时对阴极和有机发光层造成损伤。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光技术领域，尤其涉及一种有机电致发光二极管、阵列基板及制作方法。
背景技术
AMOLED(Active-Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机电致发光二极管)面板顶发射技术因有效提升开口率而倍受青睐，AMOLED透明技术因透明及双面显示而倍受推崇，这两项关键技术都与透明阴极相关。当前，顶发射小尺寸AMOLED面板绝大部分采用超薄阴极，厚度约
以满足透过率需求。但是随着面板尺寸的增大，超薄阴极也因电阻较大而造成电压降(IR drop)现象明显，会导致面板亮度显示不均。
如图1所示，相关技术中，有通过在阴极15上方溅射导电层16，来降低阴极15的电阻，导电层16通常采用透明金属氧化物材料制成。但是溅射工艺容易对阴极15及有机发光层14造成损伤，引起OLED器件性能劣化，导致漏电流增大。另外，溅射过程游离出来的氧可能会使阴极15发生氧化，使电阻率增大。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种有机电致发光二极管、阵列基板及制作方法，用于形成降低阴极电阻的导电层，同时可避免在形成导电层时对阴极和有机发光层造成损伤。
为解决上述技术问题，本发明提供一种有机电致发光二极管，包括：阳极、有机发光层和复合阴极，所述复合阴极在从靠近所述有机发光层至远离所述有机发光层的方向上包括依次设置的阴极层、保护层和导电层，所述阴极层通过所述保护层与所述导电层电连接。
优选地，所述保护层为导电保护层，所述导电保护层包括绝缘保护层以及掺杂于所述绝缘保护层中的导电粒子，所述阴极层通过所述导电保护层中的导电粒子与所述导电层电连接。
优选地，所述保护层为绝缘保护层，所述绝缘保护层上设置有通孔，所述阴极层通过所述通孔与所述导电层电连接。
优选地，所述通孔设置于所述有机电致发光二极管的非发光区。
优选地，所述绝缘保护层为聚合物保护层，所述聚合物保护层中包含具有不饱和碳碳双键官能团和/或不饱和碳链的有机物。
优选地，所述有机物的体积比为5％～15％。
优选地，所述阴极层为金属阴极层。
优选地，所述金属阴极层的厚度范围为
优选地，所述导电层包括多层导电膜层，其中，最靠近所述保护层的导电膜层的透过率大于其他导电膜层的透过率，所述最靠近所述保护层的导电膜层的应力小于其他导电膜层的应力；或者
所述导电层为单层导电膜层，且单层导电膜层在从靠近所述保护层至远离所述保护层的方向上，透过率逐渐减低，应力逐渐增大。
本发明还提供一种有机电致发光二极管阵列基板，包括上述有机电致发光二极管。
本发明还提供一种有机电致发光二极管的制作方法，用于制作上述有机电致发光二极管，包括：
形成阳极；
形成有机发光层；
在从靠近所述有机发光层至远离所述有机发光层的方向上，依次形成阴极层、保护层和导电层，所述阴极层通过所述保护层与所述导电层电连接。
优选地，所述形成保护层的步骤包括：
提供聚合物材料，所述聚合物材料中包含具有不饱和碳碳双键官能团和/或不饱和碳链的有机物；
在所述阴极层的一侧设置一掩膜版；
加热所述聚合物材料，使经加热的聚合物材料通过所述掩膜版沉积至所述阴极层上；
对沉积在所述阴极层上的聚合物材料进行固化，得到保护层。
优选地，所述聚合物材料为体积比为10％聚异戊二烯共混于丙烯酸脂单体中的材料，所述聚合物材料的沉积时间为120s，固化时间为40s，所述保护层的厚度为2um。
优选地，通过溅射工艺形成所述导电层。
优选地，所述导电层包括多层导电膜层，所述通过溅射工艺形成所述导电层的步骤包括：
采用溅射工艺形成所述导电层的第一层导电膜层，形成所述第一层导电膜层时，采用的溅射功率为第一功率，采用的溅射速率为第一速率；
采用溅射工艺形成所述导电层的其他层导电膜层，形成所述其他层导电膜层时，采用的溅射功率大于所述第一功率，采用的溅射速率大于所述第一速率；
或者；
所述导电层为单层导电膜层，所述通过溅射工艺形成所述导电层的步骤包括：
采用溅射工艺形成所述单层导电膜层，在形成所述单层导电膜层的过程中，逐渐增大所述溅射工艺所使用的溅射功率和溅射速率。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
复合阴极包括阴极层和用于降低阴极层电阻的导电层，并且，在阴极层和导电层之间设置保护层，阴极层通过保护层与导电层电连接，在形成导电层的过程中，保护层可对阴极层和有机发光层进行保护，避免在形成导电层时对阴极层或有机发光层造成损伤，从而减小了有机发光二极管的漏电流，提高了有机电致发光二极管的性能。
附图说明
图1为现有技术中的有机电致发光二极管的结构示意图；
图2为本发明实施例一的有机电致发光二极管的结构示意图；
图3为本发明实施例二的有机电致发光二极管的结构示意图；
图4为本发明实施例三的有机电致发光二极管阵列基板的结构示意图。
附图标记说明：
现有技术：11衬底基板；12像素定义层；13阳极；14有机发光层；15阴极；16导电层；
本发明实施例：21衬底基板；22像素定义层；23阳极；24有机发光层；25复合阴极；251阴极层；252保护层；253导电层；26薄膜晶体管阵列层。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种有机电致发光二极管，包括：阳极、有机发光层和复合阴极，所述复合阴极在从靠近所述有机发光层至远离所述有机发光层的方向上包括依次设置的阴极层、保护层和导电层，所述阴极层通过所述保护层与所述导电层电连接。
本发明实施例中，复合阴极包括阴极层和用于降低阴极层电阻的导电层，并且，在阴极层和导电层之间设置保护层，阴极层通过保护层与导电层电连接，在形成导电层的过程中，保护层可对阴极层和有机发光层进行保护，避免在形成导电层时对阴极层或有机发光层造成损伤，从而减小了有机发光二极管的漏电流，提高了有机电致发光二极管的性能。
本发明实施例中的阴极层可以采用透明材料制成，例如透明金属材料，或者透明金属氧化物导电材料，从而可用于顶发射型的有机电致发光二极管，或者，用于双面发光的有机电致发光二极管。所述金属材料可以是低功函数的金属材料，例如Al/Ag、Ag、Mg:Ag、镧系金属及其组合，以降低阴极层的电阻率。为了提高有机电致发光二极管的透过率，优选地，所述阴极层可以为超薄的金属阴极层，例如厚度范围可以为
厚度范围在
的金属阴极层透过率的较高，例如，透过率大于80％。
本发明实施例中的导电层可以采用透明材料制成，例如透明金属氧化物导电材料，从而可用于顶发射型的有机电致发光二极管，或者，双面发光的有机电致发光二极管。透明金属氧化物导电材料可以是高透过率低电阻率的材料，例如ITO、IZO、AZO等。透明金属氧化物导电层的厚度范围是
所述透明金属氧化物导电层可以采用溅射工艺沉积形成，在采用溅射工艺形成时，由于阴极层和导电层之间设置了保护层，因此可极大地降低溅射工艺对阴极层或有机发光层造成的损伤，此外，当阴极层为金属阴极层时，通过在阴极层和导电层之间设置保护层，还可以避免溅射过程中游离出来的氧使金属阴极层发生氧化。
本发明的一些实施例中，导电层可以包括多层导电膜层，在溅射过程中，可以采用分层溅射沉积的方法形成该多层导电膜层，在溅射第一层导电膜层时，可以采用低功率低速率沉积，从而降低溅射工艺对阴极层和有机发光层的损伤，后面的导电膜层可采用高功率高速率沉积，以提升生产效率。通常情况下，低功率低速率沉积形成的导电膜层的透过率要大于高功率高速率沉积形成的导电膜层的透过率，而，低功率低速率沉积形成的导电膜层的应力要小于高功率高速率沉积形成的导电膜层的应力，也就是说，采用上述分层溅射沉积方法形成的包括多层导电膜层的导电层中，最靠近所述保护层的导电膜层的透过率大于其他导电膜层的透过率，所述最靠近所述保护层的导电膜层的应力小于其他导电膜层的应力。
此外，当导电层可以包括多层导电膜层时，每一层采用的材料可以相同也可以不同。
本发明的另外一些实施例中，所述导电层也可以为单层导电膜层，一次溅射成型，在溅射过程中，可以首先采用低功率低速率进行溅射沉积，以降低溅射工艺对阴极层和有机发光层的损伤，然后，逐渐提高溅射的功率和速率，以提升生产效率。采用上述方法形成的单层导电膜层的导电层，在从靠近所述保护层至远离所述保护层的方向上，透过率逐渐减低，应力逐渐增大。
下面对本发明实施例中的保护层进行详细说明。
在本发明的一些实施例中，所述保护层可以是绝缘保护层，所述绝缘保护层上设置有通孔，所述阴极层通过所述通孔与所述导电层电连接。
由于通孔所在位置没有保护层的保护，当采用溅射工艺形成导电层时，容易对阴极层和有机发光层造成损伤，因而，优选地，可以将所述通孔设置于所述有机电致发光二极管的非发光区，从而可降低对发光区的阴极层和有机发光层的损伤。
本发明实施例中，保护层可以采用多种类型的绝缘材料制成。
在本发明的一些优选实施例中，所述绝缘保护层可以采用聚合物材料制成，即绝缘保护层为聚合物保护层，聚合物保护层中包含具有不饱和碳碳双键官能团和/或不饱和碳链的有机物。
优选地，所述聚合物材料为透明聚合物材料。本发明实施例中所说的透明聚合物材料是指透过率大于一定阈值的聚合物材料，例如透过率大于80％的聚合物材料。
不饱和材料的通式为CmHn，优选地，不饱和度的范围是8000≤2m-n≤11000，其中20000≤m≤27500，易于被氧化。
优选地，所述有机物的体积比为5％～15％。因有机物含有不饱和键，化学反应能力相对较强，光、热、辐射都有可能引发该物质发生变化，抗老化能力相对降低，5％～15％的体积比共掺，既可保证聚合物的抗老化能力，也可以有效去除游离出来的氧。
聚合物保护层的厚度范围可以是1μm～5μm。
由于聚合物保护层中包含具有不饱和碳碳双键官能团和/或不饱和碳链的有机物，当采用溅射工艺形成导电层时，溅射过程中产生的游离氧，能够与不饱和碳碳双键官能团或不饱和碳链发生反应，从而可降低溅射过程中游离氧的浓度，减小金属材料的阴极层被氧化的几率。
所述聚合物保护层例如可以为不饱和碳链聚异戊二烯混合于聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚对二甲苯基、聚丙烯酸酯或丙烯酸脂单体中的一种或多种。其中，不饱和碳链聚异戊二烯易于与溅射工艺游离出来的氧发生反应，减少游离氧与金属阴极层发生反应的几率。
所述聚合物保护层可以利用掩膜以印刷、打印或热蒸镀的方式实现。
请参考图2，图2为本发明实施例一的有机电致发光二极管的结构示意图，该有机电致发光二极管包括：衬底基板21，以及设置于衬底基板21上的像素定义层22、阳极23、有机发光层24和复合阴极25，复合阴极25在从靠近所述有机发光层24至远离所述有机发光层24的方向上包括依次设置的阴极层251、保护层252和导电层253，所述保护层252为绝缘保护层，所述保护层252上设置有通孔，所述阴极层251通过所述通孔与所述导电层253电连接。通孔设置于所述有机电致发光二极管的非发光区，即像素定义层22的上方区域，从而在通过溅射工艺形成导电层253时，可降低溅射工艺对发光区的阴极层251和有机发光层24的损伤。
在本发明的另外一些实施例中，所述保护层也可以为导电保护层，所述导电保护层包括绝缘保护层以及掺杂于所述绝缘保护层中的导电粒子，所述阴极层通过所述导电保护层中的导电粒子与所述导电层电连接。该实施例中，无需在保护层上制作通孔，保护层是一整层结构，从而可有效保护位于其下方的阴极层和有机发光层。
同样的，在本发明的一些优选实施例中，所述绝缘保护层可以为聚合物保护层，聚合物保护层中包含具有不饱和碳碳双键官能团和/或不饱和碳链的有机物。
优选地，所述聚合物材料为透明聚合物材料。本发明实施例中所说的透明聚合物材料是指透过率大于一定阈值的聚合物材料，例如透过率大于80％的聚合物材料。
不饱和材料的通式为CmHn，优选地，不饱和度的范围是8000≤2m-n≤11000，其中20000≤m≤27500，易于被氧化。
优选地，所述有机物的体积比为5％～15％。因有机物含有不饱和键，化学反应能力相对较强，光、热、辐射都有可能引发该物质发生变化，抗老化能力相对降低，5％～15％的体积比共掺，既可保证聚合物的抗老化能力，也可以有效去除游离出来的氧。
聚合物保护层的厚度范围可以是1μm～5μm。
由于聚合物保护层中包含具有不饱和碳碳双键官能团和/或不饱和碳链的有机物，当采用溅射工艺形成导电层时，溅射过程中产生的游离氧，能够与不饱和碳碳双键官能团或不饱和碳链发生反应，从而可降低溅射过程中游离氧的浓度，减小金属材料的阴极层被氧化的几率。
请参考图3，图3为本发明实施例二的有机电致发光二极管的结构示意图，该有机电致发光二极管包括：衬底基板21，以及设置于衬底基板21上的像素定义层22、阳极23、有机发光层24和复合阴极25，复合阴极25在从靠近所述有机发光层24至远离所述有机发光层24的方向上包括依次设置的阴极层251、保护层252和导电层253，所述保护层252为导电保护层，所述导电保护层包括绝缘保护层以及掺杂于所述绝缘保护层中的导电粒子，所述阴极层251通过所述导电保护层中的导电粒子与所述导电层253电连接。
本发明实施例还提供一种有机电致发光二极管阵列基板，包括上述任一实施例中的有机电致发光二极管。
请参考图4，图4为本发明实施例三的有机电致发光二极管阵列基板的结构示意图，该有机电致发光二极管阵列基板包括：衬底基板21，以及设置于衬底基板21上的薄膜晶体管阵列层26、像素定义层22、阳极23、有机发光层24和复合阴极25，复合阴极25在从靠近所述有机发光层24至远离所述有机发光层24的方向上包括依次设置的阴极层251、保护层252和导电层253，所述保护层252为绝缘保护层，所述保护层252上设置有通孔，所述阴极层251通过所述通孔与所述导电层253电连接。
本发明实施例中，复合阴极25包括阴极层251和用于降低阴极层251电阻的导电层253，并且，在阴极层251和导电层253间设置保护层252，阴极层251通过保护层252与导电层253电连接，在形成导电层253的过程中，保护层252可对阴极层251和有机发光层24进行保护，避免在形成导电层253时对阴极层251或有机发光层24造成损伤，从而可提高有机电致发光二极管阵列基板的性能。
此外，本发明实施例中，保护层252上的通孔设置于所述有机电致发光二极管的非发光区，即像素定义层22的上方区域，从而在通过溅射工艺形成导电层253时，可降低溅射工艺对发光区的阴极层251和有机发光层24的损伤。
本发明实施例中的有机发光层除了包括发光层之外，还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的一种或多种。有机发光层可以通过热蒸镀、喷墨打印、激光转印等一种或多种组合方式形成。
本发明实施例中的薄膜晶体管阵列层26通常包括栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极，其中，漏电极与阳极23连接。
本发明实施例还提供一种有机电致发光二极管显示装置，包括上述有机电致发光二极管阵列基板。所述显示装置可以是显示面板，或者，包括显示面板和驱动电路的显示装置。
本发明实施例还提供一种有机电致发光二极管的制作方法，用于制作上述有机电致发光二极管，包括：
步骤101：形成阳极；
步骤102：形成有机发光层；
步骤103：在从靠近所述有机发光层至远离所述有机发光层的方向上，依次形成阴极层、保护层和导电层，所述阴极层通过所述保护层与所述导电层电连接。
本发明实施例形成的有机电致发光二极管中，复合阴极包括阴极层和用于降低阴极层电阻的导电层，并且，在阴极层和导电层之间设置保护层，阴极层通过保护层与导电层电连接，在形成导电层的过程中，保护层可对阴极层和有机发光层进行保护，避免在形成导电层时对阴极层或有机发光层造成损伤，从而减小了有机发光二极管的漏电流，提高了有机电致发光二极管的性能。
本发明实施例中的有机发光层除了包括发光层之外，还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的一种或多种。有机发光层可以通过热蒸镀、喷墨打印、激光转印等一种或多种组合方式形成。
本发明实施例中的阴极层可以采用透明材料制成，例如透明金属材料，或者透明金属氧化物导电材料，从而可用于顶发射型的有机电致发光二极管，或者，双面发光的有机电致发光二极管。所述金属材料可以是低功函数的金属材料，例如Al/Ag、Ag、Mg:Ag、镧系金属及其组合，以降低阴极层的电阻率。为了提高有机电致发光二极管的透过率，优选地，所述阴极层可以为超薄的金属阴极层，例如厚度范围可以为
厚度范围在
的金属阴极层透过率的较高，例如，透过率大于80％。
本发明实施例中的导电层可以采用透明材料制成，例如透明金属氧化物导电材料，从而可用于顶发射型的有机电致发光二极管，或者，双面发光的有机电致发光二极管。所述透明金属氧化物导电层可以采用溅射工艺沉积形成，在采用溅射工艺形成时，由于阴极层和导电层之间设置了保护层，因此可极大地降低溅射工艺对阴极层或有机发光层造成的损伤，此外，当阴极层为金属阴极层时，通过在阴极层和导电层之间设置保护层，还可以避免溅射过程中游离出来的氧使金属阴极层发生氧化。
本发明的一些实施例中，当导电层为透明金属氧化物导电层时，透明金属氧化物导电层可以包括多层导电膜层，在溅射过程中，可以采用分层溅射沉积的方法形成该多层导电膜层，在溅射第一层导电膜层时，可以采用低功率低速率沉积，从而降低溅射工艺对阴极层和有机发光层的损伤，后面的导电膜层可采用高功率高速率沉积，以提升生产效率。
即，当导电层保护多层导电膜层时，通过溅射工艺形成所述导电层的步骤可以包括：
步骤201：采用溅射工艺形成所述导电层的第一层导电膜层，形成所述第一层导电膜层时，采用的溅射功率为第一功率，采用的溅射速率为第一速率；
步骤202：采用溅射工艺形成所述导电层的其他层导电膜层，形成所述其他层导电膜层时，采用的溅射功率大于所述第一功率，采用的溅射速率大于所述第一速率。
通常情况下，低功率低速率沉积形成的导电膜层的透过率要大于高功率高速率沉积形成的导电膜层的透过率，而，低功率低速率沉积形成的导电膜层的应力要小于高功率高速率沉积形成的导电膜层的应力，也就是说，采用上述分层溅射沉积方法形成的包括多层导电膜层的透明金属氧化物导电层中，最靠近所述保护层的导电膜层的透过率大于其他导电膜层的透过率，所述最靠近所述保护层的导电膜层的应力小于其他导电膜层的应力。
本发明的另外一些实施例中，所述透明金属氧化物导电层也可以为单层导电膜层，在溅射过程中，首先采用低功率低速率进行溅射沉积，以降低溅射工艺对阴极层和有机发光层的损伤，然后，逐渐提高溅射的功率和速率，以提升生产效率。
即，当导电层保护为单层导电膜层时，通过溅射工艺形成所述导电层的步骤可以包括：
步骤201’：采用溅射工艺形成所述单层导电膜层，在形成所述单层导电膜层的过程中，逐渐增大所述溅射工艺所使用的溅射功率和溅射速率。
采用上述方法形成的单层导电膜层的透明金属氧化物导电层，在从靠近所述保护层至远离所述保护层的方向上，透过率逐渐减低，应力逐渐增大。
在本发明的一些实施例中，所述保护层可以是绝缘保护层，所述绝缘保护层上设置有通孔，所述阴极层通过所述通孔与所述导电层电连接。
由于通孔所在位置没有保护层的保护，当采用溅射工艺形成导电层时，容易对阴极层和有机发光层造成损伤，因而，优选地，可以将所述通孔设置于所述有机电致发光二极管的非发光区，从而可降低对发光区的阴极层和有机发光层的损伤。
本发明实施例中，保护层可以采用多种类型的绝缘材料制成。
在本发明的一些优选实施例中，所述绝缘保护层可以采用聚合物材料制成，即绝缘保护层为聚合物保护层，聚合物保护层中包含具有不饱和碳碳双键官能团和/或不饱和碳链的有机物。
优选地，所述聚合物材料为透明聚合物材料。本发明实施例中所说的透明聚合物材料是指透过率大于一定阈值的聚合物材料，例如透过率大于80％的聚合物材料。
不饱和材料的通式为CmHn，优选地，不饱和度的范围是8000≤2m-n≤11000，其中20000≤m≤27500，易于被氧化。
优选地，所述有机物的体积比为5％～15％。
聚合物保护层的厚度范围可以是1μm～5μm。
由于聚合物保护层中包含具有不饱和碳碳双键官能团和/或不饱和碳链的有机物，当采用溅射工艺形成导电层时，溅射过程中产生的游离氧，能够与不饱和碳碳双键官能团或不饱和碳链发生反应，从而可降低溅射过程中游离氧的浓度，减小金属材料的阴极层被氧化的几率。
该些实施例中，所述形成保护层的步骤可以包括：
步骤301：提供聚合物材料，所述聚合物材料中包含具有不饱和碳碳双键官能团和/或不饱和碳链的有机物；
步骤302：在所述阴极层的一侧设置一掩膜版，所述掩膜版包括具有用于形成保护层的透光图形以及用于在所述保护层上形成通孔的不透光图形；
步骤303：加热所述聚合物材料，使经加热的聚合物材料通过所述掩膜版沉积至所述阴极层上；
步骤304：对沉积在所述阴极层上的聚合物材料进行固化，得到保护层。
上述实施例中，采用热蒸镀的方式制作保护层的方法，实现简单，成本较低。
当然，在本发明的其他一些实施例中，也不排除采用其他方法形成保护层。例如利用掩膜以印刷或打印的方式实现。
本发明实施例中，优选地，所述聚合物材料为体积比为10％的聚异戊二烯共混于丙烯酸脂单体中的材料，所述聚合物材料的沉积时间为120s，固化时间为40s，所述保护层的厚度为2um。
在本发明的另外一些实施例中，所述保护层也可以为导电保护层，所述导电保护层包括绝缘保护层以及掺杂于所述绝缘保护层中的导电粒子，所述阴极层通过所述导电保护层中的导电粒子与所述导电层电连接。该实施例中，无需在保护层上制作通孔，保护层是一整层结构，从而可有效保护位于其下方的阴极层和有机发光层。
同样的，在本发明的一些优选实施例中，所述绝缘保护层可以为聚合物保护层，聚合物保护层中包含具有不饱和碳碳双键官能团和/或不饱和碳链的有机物。
不饱和材料的通式为CmHn，优选地，不饱和度的范围是8000≤2m-n≤11000，其中20000≤m≤27500，易于被氧化。
优选地，所述聚合物材料为透明聚合物材料。本发明实施例中所说的透明聚合物材料是指透过率大于一定阈值的聚合物材料，例如透过率大于80％的聚合物材料。
优选地，所述有机物的体积比为5％～15％。
聚合物保护层的厚度范围可以是1μm～5μm。
由于聚合物保护层中包含具有不饱和碳碳双键官能团和/或不饱和碳链的有机物，当采用溅射工艺形成导电层时，溅射过程中产生的游离氧，能够与不饱和碳碳双键官能团或不饱和碳链发生反应，从而可降低溅射过程中游离氧的浓度，减小金属材料的阴极层被氧化的几率。
该些实施例中，所述形成保护层的步骤可以包括：
步骤401：提供聚合物材料，所述聚合物材料中包含具有不饱和碳碳双键官能团和/或不饱和碳链的有机物；
步骤402：在所述阴极层的一侧设置一掩膜版，所述掩膜版包括具有用于形成保护层的透光图形；
步骤403：加热所述聚合物材料，使经加热的聚合物材料通过所述掩膜版沉积至所述阴极层上；
步骤404：对沉积在所述阴极层上的聚合物材料掺杂导电粒子；
步骤405：对掺杂导电粒子的聚合物材料进行固化，得到保护层。
上述实施例中，采用热蒸镀的方式制作保护层的方法，实现简单，成本较低。
当然，在本发明的其他一些实施例中，也不排除采用其他方法形成导电保护层。例如直接将掺杂有导电粒子的聚合物材料利用掩膜以印刷或打印的方式沉积至阴极层上方。
本发明实施例还提供一种有机电致发光二极管阵列基板的制作方法，包括形成有机电致发光二极管的步骤，所述有机电致发光二极管采用上述有机电致发光二极管的制作方法形成。
下面对本发明一实施例的有机电致发光二极管阵列基板的制作方法进行详细说明，该有机电致发光二极管阵列基板的制作方法包括：
步骤501：提供一衬底基板；
步骤502：在衬底基板上形成薄膜晶体管阵列层，以及覆盖薄膜晶体管阵列层的平坦层；
步骤503：在平坦层上形成阳极；
步骤504：形成有机发光层；
本发明实施例中，可以在真空度达到5×10-5Pa真空腔室内，通过线源加热蒸发有机材料，速率不超过
以图形化掩膜遮挡形成有阳极的衬底基板，在阳极表面沉积有机发光层，有机发光层的总厚度可以为
步骤505：形成金属阴极层；
本发明实施例中，可以在真空条件下，以多点源共蒸镀Mg、Ag金属与有机发光层上，Mg蒸镀速率约为
Ag蒸镀速率约为
形成的金属阴极层的总膜厚为
当然，在本发明的其他一些实施例中，金属材料也可以选择Al/Ag、Ag、Mg:Ag和镧系金属中的任意一个或多个的组合，金属阴极层的厚度范围可以是
在一具体实施例中，
步骤506：形成聚合物保护层；
本发明实施例中，可以在真空条件下，加热以10％体积比的聚异戊二烯共混于丙烯酸脂单体的材料，通过掩膜凝聚在金属阴极层上，然后通过UV固化或热烘固化，形成具有图形化聚合物保护层，沉积时间为120s，固化时间40s，聚合物保护层的厚度约为2um。
在本发明的其他一些实施例中，也可以利用掩膜以打印的方式在金属阴极层上制作具有图形化通孔的聚合物保护层。聚合物保护层中的有机物的体积比可以为5％～15％。聚合物保护层的厚度范围可以是1μm～5μm。
步骤507：形成透明金属氧化物导电层。
本发明实施例中，可以在真空5×10-5条件下，以Ar为溅射气体溅射IZO靶材，溅射气压为0.7Pa，溅射功率为5Kw，溅射时间为700s，形成的透明金属氧化物导电层的膜层厚度约为
在本发明的其他一些实施例中，透明金属氧化物还可以是ITO、IZO、AZO中的任意一种或多种的组合，透明金属氧化物导电层的厚度范围可以是
下面是经过上述方式形成的有机电致发光二极管阵列基板与现有技术中不包含保护层的有机电致发光二极管阵列基板的性能比对表：
| 编号 | 阴极方块电阻(Ω/□) | 器件漏电流(mA/cm2)@-5V |
| 现有技术 | 4.4 | 3.5×10<sup>-3</sup> |
| 本发明实施例 | 2.8 | 5.2×10<sup>-4</sup> |
从上述表格中可以看出，本发明实施例有机电致发光二极管阵列基板与现有技术中不包含保护层的有机电致发光二极管阵列基板相比，方块电阻下降了44％，器件的漏电流减少了1个数量级，性能大幅提升。
除非另作定义，本发明中使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (13)
1.一种有机电致发光二极管，其特征在于，包括：阳极、有机发光层和复合阴极，所述复合阴极在从靠近所述有机发光层至远离所述有机发光层的方向上包括依次设置的阴极层、保护层和导电层，所述阴极层通过所述保护层与所述导电层电连接；
所述导电层包括多层导电膜层，其中，最靠近所述保护层的导电膜层的透过率大于其他导电膜层的透过率，所述最靠近所述保护层的导电膜层的应力小于其他导电膜层的应力；或者
所述导电层为单层导电膜层，且单层导电膜层在从靠近所述保护层至远离所述保护层的方向上，透过率逐渐减低，应力逐渐增大。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光二极管，其特征在于，所述保护层为导电保护层，所述导电保护层包括绝缘保护层以及掺杂于所述绝缘保护层中的导电粒子，所述阴极层通过所述导电保护层中的导电粒子与所述导电层电连接。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光二极管，其特征在于，所述保护层为绝缘保护层，所述绝缘保护层上设置有通孔，所述阴极层通过所述通孔与所述导电层电连接。
4.根据权利要求3所述的有机电致发光二极管，其特征在于，所述通孔设置于所述有机电致发光二极管的非发光区。
5.根据权利要求2或3所述的有机电致发光二极管，其特征在于，所述绝缘保护层为聚合物保护层，所述聚合物保护层中包含具有不饱和碳碳双键官能团和/或不饱和碳链的有机物。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光二极管，其特征在于，所述有机物的体积比为5％～15％。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光二极管，其特征在于，所述阴极层为金属阴极层。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光二极管，其特征在于，所述金属阴极层的厚度范围为
9.一种有机电致发光二极管阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的有机电致发光二极管。
10.一种有机电致发光二极管的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1-8任一项所述的有机电致发光二极管，包括：
形成阳极；
形成有机发光层；
在从靠近所述有机发光层至远离所述有机发光层的方向上，依次形成阴极层、保护层和导电层，所述阴极层通过所述保护层与所述导电层电连接；
所述导电层包括多层导电膜层，所述通过溅射工艺形成所述导电层的步骤包括：
采用溅射工艺形成所述导电层的第一层导电膜层，形成所述第一层导电膜层时，采用的溅射功率为第一功率，采用的溅射速率为第一速率；
采用溅射工艺形成所述导电层的其他层导电膜层，形成所述其他层导电膜层时，采用的溅射功率大于所述第一功率，采用的溅射速率大于所述第一速率；
或者；
所述导电层为单层导电膜层，所述通过溅射工艺形成所述导电层的步骤包括：
采用溅射工艺形成所述单层导电膜层，在形成所述单层导电膜层的过程中，逐渐增大所述溅射工艺所使用的溅射功率和溅射速率。
11.根据权利要求10所述的有机电致发光二极管的制作方法，其特征在于，形成保护层的步骤包括：
提供聚合物材料，所述聚合物材料中包含具有不饱和碳碳双键官能团和/或不饱和碳链的有机物；
在所述阴极层的一侧设置一掩膜版；
加热所述聚合物材料，使经加热的聚合物材料通过所述掩膜版沉积至所述阴极层上；
对沉积在所述阴极层上的聚合物材料进行固化，得到保护层。
12.根据权利要求11所述的有机电致发光二极管的制作方法，其特征在于，所述聚合物材料为体积比为10％的聚异戊二烯共混于丙烯酸脂单体中的材料，所述聚合物材料的沉积时间为120s，固化时间为40s，所述保护层的厚度为2um。
13.根据权利要求10所述的有机电致发光二极管的制作方法，其特征在于，通过溅射工艺形成所述导电层。
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2017
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