CN108964626B - 模拟带通滤波器 - Google Patents

Abstract

本发明的多个实施例涉及在抑制寄生通带方面具有改进性能的高性能模拟带通滤波器(BPF)。该BPF包括连接至第一RF端口的第一低通滤波器(LPF)、连接至第二RF端口的第二低通滤波器、以及连接在第一低通滤波器和第二低通滤波器之间的至少一个高通模块以用于通带调谐。谐振电路由低通滤波器中的并联电容、高通模块中的并联电感、以及连接在两者之间的低通滤波器的串联电感构成。这种布局使得低通滤波器具有三重功能：用作低通滤波器、参与谐振电路以调谐带通滤波器的中心频率、以及抑制寄生通带。低通滤波器的这三重功能改善了BPF的性能，使其具有紧凑且有效的拓扑结构。

Description

模拟带通滤波器

技术领域

本发明涉及模拟带通滤波器，具体涉及具有低通带插入损耗和高阻带抑制水平的模拟带通滤波器。

背景技术

带通滤波器(BPF)是一种通过特定范围内的频率并抑制(或者衰减)该范围之外的频率的设备。BPF可以是模拟滤波器或者数字滤波器。当需求最短时延和最小能耗时，模拟数字器可能更受青睐。

理想的模拟BPF具有平坦的通带响应，并且通带外的所有频率将被完全衰减。另外，通带外的过渡将具有陡降特征。在实际情况下，BPF不会完全地衰减频率在所需频率范围之外的信号。有时，在理想通带之外存在某些通过区域，当理想通带外的信号通过该区域时并没有被明显衰减。例如，BPF可以由多个串联的谐振电路组成，BPF中的一个或多个谐振电路的非理想寄生谐振效应可能会导致与理想通带距离不远的“寄生通带”。对于许多应用来说，这种“寄生通带”是不希望存在的。抑制寄生通带可能具有挑战性，并可能为通带内的信号带来更多的插入损耗。

因此，需要一种可以使寄生通带最小化而不恶化理想通带插入损耗的高性能带通滤波器。

发明内容

本发明涉及一种可以使寄生通带最小化而不增加通带插入损耗的模拟带通滤波器。

在部分实施例中，本发明的特点在于：模拟带通滤波器(BPF)包括连接至第一射频端口(RF1)的第一低通滤波器、连接至第二射频端口(RF2)的第二低通滤波器、以及至少一个串联连接在第一低通滤波器和第二低通滤波器之间的高通模块，所述高通模块用于带通调谐。各高通模块包括耦合电容和谐振电路。所述第一射频端口、第一低通滤波器、各高通模块中的耦合电容、第二低通滤波器和第二射频端口构成射频信号传输的主(串联)路径，而各高通模块中的谐振电路经由相应的耦合电容连接至主路径以作为并联路径。在一个或多个实施例中，至少一个谐振电路的谐振频率是可调的，以使得BPF的中心频率可以被调整。在一个或多个实施例中，至少一个耦合电容可调以使BPF的带宽可调。在一个或多个实施例中，第一低通滤波器和第二低通滤波器被配置为，两个低通滤波器的截止频率分别至少高于BPF的上截止频率。

在一个或多个实施例中，第一低通滤波器和第二低通滤波器设置在紧靠各自对应的射频端口处以改善端口回波损耗。此外，至少一个低通滤波器可调谐从而使该低通滤波器的抑制区域可以被调整，进而可以跟踪寄生通带以保持整体良好的阻带抑制水平。在一个或多个实施例中，至少一个低通滤波器被配置为与高通模块中的并联电感一同构成谐振电路。这种配置确保了低通滤波器不仅作为低通滤波器以抑制或阻止不需要的高频信号，而且还作为谐振电路的一部分以调谐BPF的中心频率。低通滤波器的这种双重功能为低通滤波器带来的优势是低通滤波器的抑制区域可以跟随BPF的中心频率调整，以实现整体良好的阻带抑制水平。

在一个或多个实施例中，BPF具有对称的拓扑结构以确保BPF可以具备拥有对称S11/S22(反射系数)的散射矩阵，以便于设计和额外的使用方便性。例如，射频输入信号既可以通过RF1端口也可以通过RF2端口馈入BPF。相应地，射频输出信号既可以通过RF2端口也可以通过RF1端口从BPF输出。

在部分实施例中，BPF具有至少一个谐振电路，所述谐振电路在主射频路径上引入串联电感以分隔并联变容二级管和高通模块中的并联电感。低通滤波器包含所述并联变容二极管和主射频路径上的串联电感。这种分离式布局有助于内部匹配，并且限制了并联电感内的，而非整个谐振电路的，寄生谐振。此外，由于电感主要在更高的频率下具有更高的感应阻抗以抑制频率更高的信号，且寄生谐振频率通常高于谐振电路的谐振频率，因此各谐振电路中主路径上的串联电感进一步抑制了主路径上的任何泄漏的寄生谐振。分离式布局(串联电感在并联变容二极管和并联电感之间)使得低通滤波器拥有用作低通滤波器、参与用于调谐BPF中心频率的谐振电路、以及抑制寄生谐振三重功能。低通滤波器的这三重功能显著地改善了BPF的带通性能，使BPF具有紧凑且有效的拓扑结构。

在部分实施例中，BPF可以引入与偏压电阻Rbias串联的扼流电感Lc以在偏置电压源VDC和变容二极管之间提供增强的直流-射频(DC-RF)隔离。这种隔离为VDC提供了对射频干扰的额外保护。BPF可以包括多个偏置电压源以使得一个或多个变容二极管的偏置电压可以被单独地、独立地、各不相同地调整。在一个或多个实施例中，多个偏置电压可以被设置为不同的电压值以改善整体的IP3(三阶交调点)。在一个或多个实施例中，扼流电感Lc和偏置电阻可以被配置为使每个VDC节点具有不同的值以提供优化的直流-射频隔离性能，但实施这种方式时应当保持BPF的电路对称性。进一步地，BPF的LPF可以包含引线键合电感Lw作为LPF的一部分以促进输入/输出匹配从而提高性能。

附图说明

附图中示出了本发明的示例性实施例以供参考，附图的作用在于说明而非限制本发明。虽然本发明大致记载于实施例中，但如此做的目的不是将本发明的保护范围限制为所描述实施例的具体技术特征。

图1描述了现有技术中的模拟带通滤波器；

图2图示了可调谐带通滤波器的通带和寄生通带；

图3描述了现有技术中另一种包括了串联电阻以抑制寄生通带的模拟带通滤波器；

图4为本发明实施例1中模拟带通滤波器的框图；

图5为本发明实施例2中另一种模拟带通滤波器的框图；

图6为本发明实施例3中模拟带通滤波器的电路原理图；

图7为本发明实施例4中另一种模拟带通滤波器的电路原理图；

图8描述了本发明实施例3中模拟带通滤波器的频率响应的仿真结果。

本领域技术人员将认识到，根据说明书能够实施本发明的多种实施方式和实施例。所有这些实施方式和实施例均应包含在本发明的保护范围之内。

具体实施方式

在下文的描述中，为了解释本发明，将陈述本发明的具体细节以方便理解，但本发明可能不通过部分或者全部所述的具体细节亦可实施。下文所述的本发明的实施例可能被包含在许多不同的电气组件、电路、设备和系统中。附图的电路框图中所示的系统和设备用以说明本发明的示例性实施例，并且不作为用于模糊本发明宽泛指导的托辞。附图中所示的元件之间的连接关系不限于直接连接，而是能够被修改、重构或者通过中间组件来改变的。

当在说明书中提到“一个实施例”或者“某个实施例”时，所表达的含义是与该实施例有关的具体特性、结构、特征或功能包含在本发明的至少一个所预期的实施例中。因此，说明书中不同位置所出现的短语“在一个实施例中”不构成对本发明单个实施例的多次引用。

图1描述了现有技术中的模拟带通滤波器(BPF)。专利号为6,882,246的美国专利中公开的BPF由限定模拟带通滤波器中心频率的一个或多个并联的可调谐振电路110a-e、以及限定了模拟带通滤波器带宽的一个或多个带宽控制电路120a-e组成。所示的各谐振电路110a-e由电感元件、以及允许中心频率调节的可变电容元件组成。各带宽控制电路120a-e由电感122和可变电容元件121组成。

由于谐振电路的非理想寄生效应，例如螺旋电感的寄生电容，在某些较高频率下的寄生谐振可能导致带通滤波器带阻区域处的“寄生通带”。图2图示了Analog Devices公司的可调谐带通滤波器HMC892的通带和寄生通带。如图2所示，所述寄生通带具有与通带距离不远的频率范围(约2Fc～3Fc，Fc：通带的中心频率)且能够与通带一起调谐。

图3描述了现有技术中另一种模拟BPF，该模拟BPF包括串联电阻以抑制寄生通带。专利号为9,166,564的美国专利中公开的模拟BPF包括一对设置在射频输入-射频输出路径上的串联电阻R1以试图抑制寄生通带。但是，电感L1、电感L2、电感L3的寄生效应依然存在。变容二极管D5、变容二极管D6、变容二极管D7还可能引入寄生电感效应，最终导致寄生通带问题可能无法有效地解决。此外，在RF路径上串联设置R1不可避免地增加了通带中信号的插入损耗。

为了解决上述问题，平衡低通带插入损耗和高带外抑制水平，本发明公开了模拟BPF的一个或多个实施例以实现低通带插入损耗并使寄生通带效应最小化，例如存在寄生通带时对寄生通带具有高抑制水平，和/或推动寄生通带远离通带中心频率(例如，4Fc或者更远)。

【实施例1】：

图4为本发明实施例1中模拟带通滤波器BPF 400的框图。所述BPF 400包括连接至第一射频端口(RF1)的第一低通滤波器410、连接至第二射频端口(RF2)的第二低通滤波器440、以及至少一个串联连接在第一低通滤波器410和第二低通滤波器440之间的模块，本实施例中所述模块包括第一模块420和第二模块430，所述模块用于带通调谐。每个模块包括耦合电容和谐振电路。本实施例中耦合电容包括第一耦合电容422和第二耦合电容432，谐振电路包括第一谐振电路424和第二谐振电路434。所述第一射频端口、第一低通滤波器410、各模块的耦合电容、第二低通滤波器440以及第二射频端口构成射频信号传输的主(串联)路径，而各模块的谐振电路经由相应的耦合电容连接至主路径以作为并联路径。

BPF 400运行在位于上截止频率和下截止频率之间的通带内，所述上截止频率和下截止频率均是指信号以低于通带内最大增益的3dB通过BPF时的频率点。BPF 400的阻带是指通带外的频率。在一个或多个实施例中，至少一个谐振电路的谐振频率是可调的以使得BPF 400的中心频率可以被调整。在一个或多个实施例中，至少一个耦合电容是可调的以使得BPF 400的带宽可以被调整。在一个或多个实施例中，第一低通滤波器410和第二低通滤波器440被配置为，两个低通滤波器的截止频率分别至少高于BPF的上截止频率。低通滤波器通常具有同传输线类似的拓扑结构，即具有非常好的高频抑制响应的串联电感L和并联电容C。因此，引入了低通滤波器的结构使得在通带内插入损耗增量最小的情况下，阻带抑制最大化且寄生通带效应最小化。另外，低通滤波器部分设置在紧靠各自RF端口处也会改善端口回波损耗。在部分实施例中，至少一个低通滤波器(例如第一滤波器410和/或第二滤波器440)可调谐从而使该低通滤波器的抑制区域可以被调整，进而可以跟踪寄生通带以保持整体良好的阻带抑制水平。

在一个或多个实施例中，所述BPF 400具有沿虚拟对称线450对称的对称拓扑结构。这种配置确保BPF 400可以具备拥有对称的S11/S22参数的散射矩阵(BPF 400被视作具有RF1端口和RF2端口的双端口网络)，以便于设计和额外的使用方便性，例如射频输入信号既可以通过RF1端口也可以通过RF2端口被馈送至BPF 400。相应地，射频输出信号既可以通过RF2端口也可以通过RF1端口从BPF 400中输出。

【实施例2】：

图5为本发明实施例2中另一种模拟带通滤波器BPF 500的框图。与图4所示的BPF400相似，BPF 500包括连接至第一射频端口(RF1)的第一低通滤波器500、连接至第二射频端口(RF2)的第二低通滤波器540、以及至少一个串联连接在第一低通滤波器500和第二低通滤波器540之间的模块以进行带通调谐，本实施例中，所述模块包括第一模块520和第二模块530。每个模块包括耦合电容和谐振电路。上述关于BPF 400的一个或多个实施例同样适用于BPF 500。与图4中的BPF 400相比，BPF 500还包括串联连接在两个耦合电容之间的第三低通滤波器550，所述第三低通滤波器550进一步提升阻带抑制并抑制寄生通带效应。在一个或多个实施例中，第三低通滤波器550具有对称结构以使得BPF 500也保持对称的拓扑结构以具备对称的S11/S22，例如射频输入信号既可以通过RF1端口也可以通过RF2端口被馈送至BPF 500。

【实施例3】：

图6为本发明实施例3中模拟带通滤波器BPF 600的电路原理图。如图6所示，BPF600包括第一模块610、第二模块620、连接至第一射频端口RF1的第一低通滤波器630、连接至第二射频端口RF2的第二低通滤波器640、以及串联连接在第一模块610和第二模块620之间的第三低通滤波器650。优选地，第一低通滤波器630经由电容Cb连接至第一RF端口RF1以实现直流隔离，优选地，第二低通滤波器640经由电容Cb连接至第二RF端口RF2以实现直流隔离。在一个或多个实施例中，各模块为包括级联调谐段的高阶电路。每个调谐段可以包括两个串联的电容、以及连接在两个电容之间的并联电感。在一个或多个实施例中，电容为可调电容器，例如背靠背连接的变容二极管通过负极经由偏置电阻Rbias接收控制电压VDC以调整电容。例如，第一模块610包括串联连接的第一调谐段(变容二极管D2a-变容二极管D3a-并联电感L2a)和第二调谐段(变容二极管D4a-变容二极管D5a-并联电感L3a)。第二模块620包括第三调谐段(变容二极管D2b-变容二极管D3b-并联电感L2b)和第四调谐段(变容二极管D4b-变容二极管D5b-并联电感L3b)。第一模块610和第二模块620作为高通滤波器以滤除频率低于BPF 500通带的下截止频率的信号。第一模块610和第二模块620中所有调谐段的电容构成第一射频端口RF1和第二射频端口RF2之间的射频信号传输的主(串联)路径，而各模块并联电感(并联电感L2a、并联电感L3a、并联电感L2b、并联电感L3b)连接至主路径以作为并联路径。

在一个或多个实施例中，第一低通滤波器630和第二低通滤波器640均是包括了并联电容和位于主路径上的串联电感(串联电感L1a或者串联电感L1b)的二阶低通滤波器。第三低通滤波器650为具有对称拓扑结构的三阶低通滤波器，其包括一对串联连接在主路径上的串联电感(串联电感L4a和串联电感L4b)、以及连接在一对串联电感之间的并联电容。在一个或多个实施例中，所有低通滤波器的并联电容均为可调电容器，例如变容二极管。各变容二极管的电容值可以通过连接在变容二极管负极的偏置电压进行调整。在一个或多个实施例中，变容二极管(变容二极管D1a、变容二极管D1b和变容二极管D6)通过偏置电阻分别连接至相同的偏置电压VDC。偏置电压VDC也可以通过偏置电阻连接主(串联)路径上的变容二极管(变容二极管D2a、变容二极管D2b、变容二极管D3a、变容二极管D3b、变容二极管D4a、变容二极管D4b、变容二极管D5a和变容二极管D5b)。

在一个或多个实施例中，第一低通滤波器630、第二低通滤波器640和/或第三低通滤波器650、以及两个模块中的并联电感(并联电感L2a、并联电感L2b、并联电感L3a和/或并联电感L3b)构成一个或多个谐振路径(或者谐振电路)，所述谐振路径可以被用于调谐BPF600的中心频率，而主(串联)路径上的变容二极管(变容二极管D2a、变容二极管D2b、变容二极管D3a、变容二极管D3b、变容二极管D4a、变容二极管D4b、变容二极管D5a和变容二极管D5b)可以被用作调整BPF 600的带宽。例如，第一谐振路径632可由变容二极管D1a、第一低通滤波器630的串联电感L1a、变容二极管D2a和并联电感L2a构成。可以通过偏置电压VDC调整变容二极管D1a和/或变容二极管D2a的电容值进而调整第一谐振路径632的谐振频率。同样地，第二谐振路径642可以由变容二极管D1b、第二低通滤波器640的串联电感L1b、变容二极管D2b和并联电感L2b构成。可以通过偏置电压VDC调整变容二极管D1b和/或变容二极管D2b的电容值进而调整第二谐振路径642的谐振频率。第三谐振路径652可以由变容二极管D6、第三低通滤波器650的串联电感L4a、变容二极管D5a和并联电感L3a。可以通过偏置电压VDC调整变容二极管D5a和/或变容二极管D6的电容值进而调整第三谐振路径652的谐振频率。第四谐振路径654可以由变容二极管D6、第三低通滤波器650的串联电感L4b、变容二极管D5b和并联电感L3b构成。可以通过偏置电压VDC调整变容二极管D5b和/或变容二极管D6的电容值进而调整第四谐振路径654的谐振频率。这种配置确保了第一低通滤波器630、第二低通滤波器640和/或第三低通滤波器650不仅可以作为低通滤波器以抑制或者阻止不需要的高频信号，还可以作为谐振电路的一部分以调谐BPF 600的中心频率。低通滤波器的这种双重功能为低通滤波器带来的优势是低通滤波器的抑制区域可以被调整为跟随BPF中心频率的调谐，以实现整体良好的阻带抑制水平。

在一个或多个实施例中，主(串联)路径上的串联变容二极管(变容二极管D2a、变容二极管D2b、变容二极管D3a、变容二极管D3b、变容二极管D4a、变容二极管D4b、变容二极管D5a和变容二极管D5b)的电容值远大于并联变容二极管(变容二极管D1a、变容二极管D1b和变容二极管D6)。例如，对于同一谐振电路中的串联变容二极管和并联电容二极管，串联电容二极管至少比并联变容二极管大一个数量级。这种配置确保谐振电路的谐振频率主要取决于并联变容二极管。

在一个或多个实施例中，BPF 600具有对称的拓扑结构以确保BPF 600可以具备拥有对称S11/S22的散射矩阵，以便于设计和额外的使用方便性。例如，射频输入信号既可以通过RF1端口也可以通过RF2端口被馈送至BPF 600。相应地，射频输出信号既可以通过RF2端口也可以通过RF1端口从BPF 600输出。

由于谐振电路的非理想寄生效应，例如各谐振路径(第一谐振路径632、第二谐振路径642、第三谐振路径652和第四谐振路径654)的寄生电容(寄生电容Cp2a、寄生电容Cp2b、寄生电容Cp3a和寄生电容Cp3b)，某些较高频率处可能会形成寄生谐振。寄生电容具有一个或多个来源，例如寄生电容Cp2a可以是并联电感L2a的寄生电容、或者来自变容二极管D2a的寄生接地电容和/或变容二极管D3a的寄生接地电容。寄生电容Cp2a的存在可能引起至少沿并联电感L2a的寄生谐振路径。该寄生谐振路径中形成的寄生谐振可能反射至主(串联)路径以引起不希望产生的“寄生通带”。除了图6所示的BPF 600的实施例中低通滤波器的双重功能外，低通滤波器的配置还有利于进一步抑制寄生谐振。如图6所示，各谐振路径(第一谐振路径632、第二谐振路径642、第三谐振路径652和第四谐振路径654)包括位于主路径上的串联电感(相应的串联电感L1a、串联电感L1b、串联电感L4a或串联电感L4b)，所述串联电感用于分隔变容二极管(变容二极管D1a、变容二极管D1b和变容二极管D6)和并联电感(相应的并联电感L2a、并联电感L2b、并联电感L3a或并联电感L3b)。这种分离式布局将寄生谐振限制在并联电感自身中(几乎完全限制)而非整个谐振电路中。此外，考虑到电感主要在更高的频率下具有更高的感应阻抗以抑制频率更高的信号，由于寄生谐振频率通常高于谐振电路的谐振频率，因此各谐振电路中主路径上的串联电感进一步抑制了任何泄漏到主路径上的寄生谐振。同时，低通滤波器中的并联变容二极管通过在寄生谐振频率附近提供接地的旁路路径以进一步抑制寄生谐振。由于在主路径中使用一个或多个串联电感而非电阻来抑制寄生谐振，使得通带内的射频信号的插入损耗最小化。因此，分离式布局(串联电感位于并联电感和并联变容二级管之间)使得第一低通滤波器630、第二低通滤波器640和/或第三低通滤波器650拥有用作低通滤波器、参与用于调谐BPF中心频率的谐振电路、以及抑制寄生谐振的三重功能。低通滤波器的这三重功能显著地改善了BPF的带通性能，使BPF具有紧凑且有效的拓扑结构。

本领域技术人员应当理解对图6所示的各实施例的多种修改方式也同样能够得到所需的BPF。例如，用作高通滤波器的模块可以被配置为仅具有一个调谐段或者具有多于两个的串联连接的调谐段。进一步地，尽管图6示出的是变容二极管，本领域技术人员应当理解其他类型的可调变容器例如开关电容，开关电容和变容二极管的组合等也可以用于电容调整以调谐BPF的中心频率或带宽。这些类型的变化仍落入本发明的保护范围中。

图8图示了实施例3中在不同偏置电压下BPF 600的频率响应810、频率响应820和频率响应830的仿真结果。如图8所示，在不同的偏置电压下，不需要的寄生通带不仅被抑制到非常低的dB值水平，而且还被推至更加远离通带处。例如，6.5V偏置电压下的频率响应820的寄生通带甚至被推到40GHz以上，这是通带上限频率的4倍以上，并且寄生通带被抑制到低于-60dB的水平。

【实施例4】：

图7为本发明实施例4中另一种模拟带通滤波器BPF 700的电路原理图。相比于图6所示的BPF 600，BPF 700与其非常相似，例如BPF 700也包括连接至第一RF端口RF1的第一低通滤波器730、连接至第二RF端口RF2的第二低通滤波器740。与图6中第一低通滤波器630和第二低通滤波器640一样，图7中的第一低通滤波器730和第二低通滤波器740拥有用作低通滤波器、参与用于调谐BPF 700中心频率的谐振电路、以及抑制寄生谐振的三重功能，BPF600的上述一个或多个特征也同样适用于BPF 700。与BPF 600在结构上的差异使得BPF 700在另外的实施例中拥有不同的特征。首先，各偏置电阻Rbias上增加有串联的扼流电感Lc增强偏置电压源VDC和各变容二极管(包括沿RF1和RF2之间的串联信号路径上的变容二极管以及各并联变容二极管)之间的直流-射频隔离。这种隔离为VDC提供了对射频干扰的额外保护。其次，BPF 700采用多个偏置电压源，例如偏置电压源VDC1、偏置电压源VDC2和偏置电压源VDC3，以代替通过单个电压来同时控制所有变容二极管的偏置电压，使得一个或多个变容二极管的偏置电压可以被单独地、独立地、各不相同地调整。在一个或多个实施例中，偏置电压源VDC1、偏置电压源VDC2和偏置电压源VDC3可以被设置为不同的电压值以改善整体的IP3(三阶交调点)，三阶交调点是公知的用于测量射频功能和元件的线性度的参数。在一个或多个实施例中，扼流电感Lc和偏置电阻可以被配置为对于每个VDC节点具有不同的值以优化直流-射频隔离性能，但实施这种方式应当保持BPF的电路对称性。例如，偏置电压源VDC1-扼流电感Lc1a-偏置电阻Rbias1a构成的偏置电路的参数可以与偏置电压源VDC1-扼流电感Lc1b-偏置电阻Rbias1b构成的偏置电路的参数相同，但是不同于偏置电压源VDC2-扼流电感Lc2a-偏置电阻Rbias2a构成的偏置电路的参数。偏置电压源VDC2-扼流电感Lc2a-偏置电阻Rbias2a构成的偏置电路可以与偏置电压源VDC2-扼流电感Lc2b-偏置电阻Rbias2b构成的偏置电路相同，但是不同于偏置电压源VDC3-扼流电感Lc3-偏置电阻Rbias3构成的偏置电路。进一步地，不同于第一低通滤波器630和第二低通滤波器640，第一低通滤波器730和第二低通滤波器740包含引线键合电感Lw作为低通滤波器的一部分以促进输入/输出匹配。最终第一低通滤波器730和第二低通滤波器740成为三阶低通滤波器。

本领域技术人员应当理解，对图7所示的各实施例的多种修改方式也同样能够得到所需的BPF。例如，为了实现通带插入损耗和阻带抑制水平的多样化平衡方式，低通滤波器的阶数可以减少或者增加。谐振电路和耦合电容的级数可以增加以获得更陡峭的通带与阻带间的转换，但通带插入损耗相应增加。上述修改方式仍落入本发明的保护范围中。

本发明的上述描述用于清楚和理解本发明，而不是用于将本发明限制在所公开的精确形式中，在所公开的内容上做出的各种修改也同样有可能落入本发明权力要求书的保护范围中。

本领域技术人员应当理解的是前文所述的示例和实施例是示例性的，而不是用于限制本发明的保护范围的。所有根据阅读本发明说明书及研究本发明附图后所作出的对于本领域技术人员来说显而易见的置换、增强、等同、结合和改进都应落入本发明的精神和保护范围中。

还应当注意的是，各权利要求中所提及的元件之间可以进行不同的布置，包括具有多种依赖关系、结构及组合。例如，在某些实施例中，各权利要求的主要内容可以相互结合。

Claims (10)

1.模拟带通滤波器，包括：

连接至第一射频端口的第一低通滤波器，所述第一低通滤波器包括串联电感和并联电容；

连接至第一低通滤波器的第一高通模块，所述第一高通模块包括并联电感和串联电容，所述串联电容、第一低通滤波器中的串联电感和第一射频端口串联连接以构成射频信号传输的主路径；

其特征在于，至少第一高通模块的并联电感和第一低通滤波器的并联电容形成一个谐振电路；

所述谐振电路还包括第一低通滤波器中的串联电感和第一高通模块的串联电容，所述串联电感和串联电容均连接在并联电感和并联电容之间；

所述串联电容的电容值大于第一低通滤波器的并联电容的电容值以使得谐振电路的谐振频率主要取决于并联电容。

2.根据权利要求1所述的模拟带通滤波器，其特征在于，所述第一低通滤波器的并联电容的电容值可调以调谐谐振电路的谐振频率。

3.根据权利要求2所述的模拟带通滤波器，其特征在于，所述并联电容和串联电容为电容值可调的变容二极管。

4.根据权利要求1~3任一所述的模拟带通滤波器，其特征在于，还包括连接至第二射频端口的第二低通滤波器，所述第一射频端口和第二射频端口之间为主串联路径。

5.根据权利要求4所述的模拟带通滤波器，其特征在于，所述模拟带通滤波器具有对称拓扑结构以使得模拟带通滤波器具有拥有对称S11和S22的散射矩阵。

6.根据权利要求4所述的模拟带通滤波器，其特征在于，所述第一高通模块串联在第一低通滤波器和第二低通滤波器之间。

7.根据权利要求4所述的模拟带通滤波器，其特征在于，所述主串联路径至少包括第一低通滤波器的一部分、第二低通滤波器的一部分和第一高通模块的一部分。

8.根据权利要求4所述的模拟带通滤波器，其特征在于，所述第二低通滤波器包括并联电容和串联电感，所述串联电感位于主串联路径上。

9.根据权利要求4所述的模拟带通滤波器，其特征在于，所述模拟带通滤波器的通带介于上截止频率和下截止频率之间，第一低通滤波器的截止频率大于模拟带通滤波器的上截止频率。

10.根据权利要求9所述的模拟带通滤波器，其特征在于，所述第二低通滤波器的截止频率大于模拟带通滤波器的上截止频率。

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