CN108963110A - 电致发光器件及其制备方法和应用 - Google Patents

电致发光器件及其制备方法和应用 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种电致发光器件及其制备方法，制备方法包括如下步骤：提供基板，所述基板包括显示区域以及围绕所述显示区域的周边区域，所述显示区域设置有墨水沉积区，所述周边区域设置有打印dummy区；于所述墨水沉积区打印沉积功能层墨水；于所述打印dummy区打印所述功能层墨水的溶剂。上述电致发光器件的制备方法通过在周边区域设置打印dummy区，在墨水沉积区打印功能层材料墨水，在打印dummy区打印所述功能层材料墨水的溶剂，可以防止基板中间和边缘的墨水干燥速率不一样带来不均匀的问题，从而克服发光区边缘的mura问题。

Description

电致发光器件及其制备方法和应用
技术领域
本发明涉及发光器件技术领域，特别是涉及一种电致发光器件及其制备方法和应用。
背景技术
电致发光二极管由于其具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，其潜在的市场前景被业界看好。电致发光二极管作为下一代的显示技术，其核心竞争力是低成本(器件结构简单)，但在大尺寸电致发光二极管领域，传统的真空蒸镀工艺，无法克服效率、良品率等一系列问题，难以低成本化。因此，新型显示产业亟需一种适用于大尺寸电致发光二极管的崭新工艺路线。
目前，溶液法制备工艺，尤其是喷墨印刷，能够大幅提高材料利用率，同时可实现大面积生产，因此成为低成本、大尺寸电子发光器件面板生产工艺的研究热点。但目前印刷工艺仍存在一些问题有待解决，如在打印干燥过程中，如有打印区的边缘溶剂挥发相对中间区域更快，导致打印区边缘的薄膜均匀性较差，影响显示效果。
因此，现有技术有待改进和发展。
发明内容
基于此，本发明的目的是提供一种能有效提高发光器件显示区域面积的电致发光器件的制备方法。
具体的技术方案如下：
一种电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
提供基板，所述基板包括显示区域以及围绕所述显示区域的周边区域，所述显示区域设置有墨水沉积区，所述周边区域设置有打印dummy区；
于所述墨水沉积区打印沉积功能层墨水；于所述打印dummy区打印所述功能层墨水的溶剂。
在其中一些实施例中，所述周边区域设置有阴极过孔区，所述阴极过孔区为所述打印dummy区。
在其中一些实施例中，所述功能层墨水选自发光层材料墨水、电子传输材料墨水或空穴传输材料墨水。
在其中一些实施例中，所述发光层材料墨水为量子点材料墨水或有机发光材料墨水。
在其中一些实施例中，所述基板包括衬底和设置在所述衬底上的平坦层，通过在所述平坦化层上设置像素界定层界定所述墨水沉积区和所述打印dummy区，所述像素界定层选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或含氟的有机聚合物光阻材料。
在其中一些实施例中，所述平坦层，所述平坦层的材料选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、丙烯酸有机化合物、聚酰胺或聚酰亚胺。
在其中一些实施例中，所述基板选自刚性玻璃基板或柔性PI基板。
本发明的另一目的是提供上述制备方法制备得到的电致发光器件。
在其中一些实施例中，所述电致发光器件为OLED或QLED。
本发明的另一目的是提供一种显示装置，包括上述电致发光器件。
本发明的原理及优点如下：
本发明电致发光器件的制备方法，通过在周边区域设置打印dummy区(或称伪打印区)，在墨水沉积区打印功能层材料墨水，在打印dummy区打印所述功能层材料墨水的溶剂，可以防止基板中间和边缘的墨水干燥速率不一样带来不均匀的问题，从而克服发光区边缘的mura问题。
进一步的，由于打印dummy区的设置会减小有效显示区的面积，对于现在的窄边框显示屏的设计尤其不利。上述电致发光器件的制备方法将阴极过孔区作为打印dummy区，由于打印dummy区只打印溶剂，溶剂挥发后，在打印dummy区内不会残留任何物质，保证了阴极过孔区不被堵塞，后期蒸镀阴极时阴极能与阴极引线有效连接。
附图说明
图1为实施例电致发光器件基本显示区域与周边区域分布图；
图2为实施例电致发光器件局部截面结构示意图。
附图标记说明：
10、显示区域；20、周边区域；101、衬底；102、平坦层；103、阴极过孔；104、TFT阵列；105、阴极引线；106、第一像素界定层；107、墨水沉积区；108、第二像素界定层；109、打印dummy区。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
参考图1和图2，一种电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
提供基板(包括显示区域10和周边区域20)，所述基板具有TFT阵列104。
所述基板包括衬底101和设置在所述衬底上的平坦层102，按常规方法于所述衬底101上形成平坦层102；
可以理解的，所述衬底选自刚性玻璃衬底或柔性PI衬底，驱动TFT阵列用于驱动显示面板的发光像素。
所述平坦层102将前期制作驱动TFT阵列造成的表面凹凸不平平坦化；可以理解的，所述平坦层的材料选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、丙烯酸有机化合物、聚酰胺或聚酰亚胺。。
所述基板包括显示区域以及围绕所述显示区域的周边区域，按常规方法于所述显示区域形成像素电极，采用蚀刻方法于所述周边区域形成阴极过孔103并露出阴极引线105。
于所述平坦层上形成像素界定层，所述显示区域上形成第一像素界定层106，所述第一像素界定层具有墨水沉积区107；于所述周边区域上形成第二像素界定层108，所述第二像素界定层具有打印dummy区109；
可以理解的，所述像素界定层的材质选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或含氟的有机聚合物光阻材料。
于所述墨水沉积区107喷墨打印沉积功能层墨水；于所述打印dummy区喷墨打印所述功能层墨水的溶剂；
可以理解的，所述功能层墨水选自发光层材料墨水、电子传输材料墨水或空穴传输材料墨水；
对于QLED器件：
发光层材料可选自：II-VI族半导体的纳米晶、III-V族半导体的纳米晶、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物和IV族单质，其中，所述II-VI族半导体的纳米晶具体包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe和其他二元、三元、四元的II-VI族元素化合物；所述III-V族半导体的纳米晶具体包括GaP、GaAs、InP、InAs和其他二元、三元、四元的III-V族元素化合物。
电子传输材料包括但不限于富勒烯及其衍生物、F8BT、PDBPyBT、P(NDIOD-T2)、有机-无机杂化材料、无机n型半导体材料。进一步的，所述富勒烯及其衍生物包括但不限于PC61BM、PC71BM、ICBA，所述有机-无机杂化材料包括但不限于钙钛矿结构材料。应当理解，上述列举的电子传输材料只是本发明实施例所述电子传输材料的一部分，由于举例不能穷尽。
空穴传输材料包括但不限于PPV类材料、噻吩类材料、有机-无机杂化材料、无机p型半导体材料。进一步的，所述PPV类材料包括但不限于聚(2-甲氧基-5(2’-乙基己氧基)-1,4-苯撑乙烯撑)、聚[2-甲氧基-5-(3’,7’二甲基-辛氧基)]-对苯撑乙撑，所述噻吩类材料包括但不限于聚3-己基噻吩，所述有机-无机杂化材料包括但不限于钙钛矿结构材料。应当理解，上述列举的空穴传输材料只是本发明实施例所述空穴传输材料的一部分，由于举例不能穷尽。
溶剂可以为正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、环戊烷、环己烷、氯仿、溴乙烷、四氯化碳、苯、甲苯及其组合。
对于OLED器件：
有机发光材料可以是有机化合物或几个有机化合物的混合物，当电荷在其中结合时应具有发旋光性能；发光成分可以是荧光材料或磷光材料。
对蓝色荧光材料来讲，优先选择的例子包括但不仅限于4，4’-二(2，2’-二苯基乙烯基)-1，1，-联苯(DPVBi)，4，4’-二([2-[4-(N，N-二苯胺基)-苯基-1-基]-乙烯基-1-基]-1，1，-联苯(DPAVBi)，4，4’-二(9-乙基-3-咔唑亚乙烯基)-1，1’-联苯(BcaVBi)，4，4’-二[4-二-对-苯甲胺基)苯乙烯基]联苯(IDE102)，9，10-二萘基-蒽(DNA)，B-Blue和二(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基-苯酚)铝(III)(Balq)。
对绿色荧光材料来讲，优先选择的例子包括但不仅限于三(8-羟基喹啉)铝(III)(Alq3)，二(8-羟基喹啉)锌(II)(ZnQ)，三(3-甲基-1-苯基-4-三甲基乙酰基-5-吡唑啉)铽(III)，香豆素系列(C545T)，(C545TB，C545MT，C545P)，喹丫啶，苝和红荧烯类化合物。
可供选择的红色荧光材料包括但不仅限于4-(二氰基甲烯基)-2-甲基-6-(对二甲基胺基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)，4-(二氰基甲烯基)-2-甲基-6-(久洛尼定-4-基-乙烯基)-4H-吡喃(DCM2)，4-(二氰基甲烯基)-2-叔丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定基-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)，(NPAFN)，(BSN)，方酸类染料和铕金属有机化合物如(Eu(DBM)2(HPBM)，Eu(DBM)3(TPPO))。
荧光材料也可以是高分子化合物，包括但不仅限于聚芴(PF)，聚苯撑乙烯(PPV)，聚噻吩(PT)和聚对苯撑(PPP)。
磷光材料可优先选择铱的配合物类如三(2-苯基吡啶)铱(III)(Ir(ppy)3)，三(1-苯基异喹啉-C2，N)铱(III)Ir(Piq)3，三(1-苯基异喹啉-C2，N)乙酰丙酮铱(III)(Ir(piq)2acac)，双(2-(4，6-二氟苯基)吡啶-N，C2’)吡啶甲酰合铱(III)(Firpic)，二(2-(2’-苯并噻吩基)吡啶-N，C3)乙酰丙酮铱(III)(btp)2Ir(acac)和八乙基卟啉铂(PEOTP)。
电子传输材料包括但不限于4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉、4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的任意一种或几种。
空穴传输材料包括但不限于N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺或1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷中的任意一种或几种。
溶剂包括但不限于乙二醇苯醚(JS-EPH)、六甲基亚膦酰三胺(HMPT)、HEPT、CHB。
按常规步骤进行后工序制作，即得所述电致发光器件。
以OLED为例，具体说明如下：
提供基板(包括显示区域和周边区域)，所述基板具有TFT阵列；
所述基板包括衬底和设置在所述衬底上的平坦层，按常规方法于所述衬底上形成平坦层；
所述衬底为刚性玻璃衬底，驱动TFT阵列用于驱动显示面板的发光像素；
所述平坦层将前期制作驱动TFT阵列造成的凹凸不平表面平坦化；所述平坦层的材料为聚酰亚胺；
所述基板包括显示区域以及围绕所述显示区域的周边区域，按常规方法于所述显示区域形成像素电极，采用蚀刻方法于所述周边区域形成阴极过孔并露出阴极引线。
于所述平坦层上形成像素界定层，所述显示区域上形成第一像素界定层，所述第一像素界定层具有墨水沉积区；于所述周边区域上形成第二像素界定层，所述第二像素界定层具有打印dummy区；
所述像素界定层的材质选自氧化硅；
于所述墨水沉积区喷墨打印沉积功能层墨水；于所述打印dummy区喷墨打印所述功能层墨水的溶剂；
所述功能层墨水包括发光层材料墨水(4，4’-二(2，2’-二苯基乙烯基)-1，1，-联苯(DPVBi)以及溶剂HEPT)；
按常规步骤进行后工序制作，即得所述OLED器件。
本实施例电致发光器件的制备方法，通过在周边区域设置打印dummy区，在墨水沉积区打印功能层材料墨水，在打印dummy区打印所述功能层材料墨水的溶剂，可以防止基板中间和边缘的墨水干燥速率不一样带来不均匀的问题，从而克服发光区边缘的mura问题。
进一步的，由于打印dummy区的设置会减小有效显示区的面积，对于现在的窄边框显示屏的设计尤其不利。上述电致发光器件的制备方法将阴极过孔区作为打印dummy区，由于打印dummy区只打印溶剂，溶剂挥发后，在打印dummy区内不会残留任何物质，保证了阴极过孔区不被堵塞，后期蒸镀阴极时阴极能与阴极引线有效连接。
本实施例还提供一种显示装置，包括上述电致发光器件。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基板，所述基板包括显示区域以及围绕所述显示区域的周边区域，所述显示区域设置有墨水沉积区，所述周边区域设置有打印dummy区；
于所述墨水沉积区打印沉积功能层墨水；于所述打印dummy区打印所述功能层墨水的溶剂。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述周边区域设置有阴极过孔区，所述阴极过孔区为所述打印dummy区。
3.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述功能层墨水选自发光层材料墨水、电子传输材料墨水或空穴传输材料墨水。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述发光层材料墨水为量子点材料墨水或有机发光材料墨水。
5.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述基板包括衬底和设置在所述衬底上的平坦层，通过在所述平坦化层上设置像素界定层界定所述墨水沉积区和所述打印dummy区，所述像素界定层的材料选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或含氟的有机聚合物光阻材料。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述平坦层，所述平坦层的材料选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、丙烯酸有机化合物、聚酰胺或聚酰亚胺。
7.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述基板选自刚性玻璃基板或柔性PI基板。
8.权利要求1-7任一项所述的制备方法制备得到的电致发光器件。
9.根据权利要求8所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件为OLED或QLED。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8或9所述的电致发光器件。
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