CN108899295A - 蚀刻腔室以及蚀刻腔室加工方法 - Google Patents

蚀刻腔室以及蚀刻腔室加工方法 Download PDF

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王学泽
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Abstract

本发明实施例提供的一种蚀刻腔室以及蚀刻腔室加工方法，当高频电场发生装置发出的高能粒子轰击半导体晶圆时，半导体晶圆表面的蚀刻胶受到高能粒子的攻击会发生飞溅。由于电场的作用，飞溅物主要堆积在第三内壁以及所述第四内壁上。又由于第三内壁以及所述第四内壁上设置有多个齿状突起，可以增加腔室壁内壁的粗糙度，提供更加的抓持力，提高了蚀刻胶与第三内壁以及所述第四内壁的结合强度，从而以提升腔室壁表面与溅射蚀刻胶间的粘附结合力，使之不易脱落，避免其轻易掉落影响产品质量，保证生产安全和产品质量，同时也避免较高频次更换部件带来的生产效率降低的问题。

Description

蚀刻腔室以及蚀刻腔室加工方法
技术领域
本发明涉及半导体加工领域，具体而言，涉及一种蚀刻腔室以及蚀刻腔室加工方法。
背景技术
在半导体芯片生产的蚀刻腔室中，由于高能粒子轰击晶圆片表面会造成大面积的蚀刻胶材料飞溅，溅出的蚀刻胶会逐渐粘附到机台内腔的四周，且逐渐累积。当材料积累到一定程度时，重力超出与腔体内壁件间的附着力，最终掉落到生产中的晶圆上造成损伤。
传统的解决方法中，若是保证产品安全，则需要经常性停产，对整个腔室部件拆除清洁，影响生产效率。总体上来讲，保证了芯片正常生产就会增加更多的额外费用，也不利于大规模连续生产。
发明内容
本发明的目的在于提供一种蚀刻腔室以及蚀刻腔室加工方法，其能够在保证生产效率的基础上，减小生产中对晶圆上造成损伤，也减小清洗频率。
本发明的实施例是这样实现的：
第一方面，本发明提供一种蚀刻腔室，其包括：围成腔室的腔室壁、设置在所述腔室内的带磁平台；所述带磁平台用于放置待加工晶圆，所述腔室壁的内壁上等间距地设置有多个齿状突起。
在本发明较佳的实施例中，上述腔室壁包括相对设置的第一内壁、第二内壁、以及相对设置的第三内壁以及第四内壁，所述设置在所述第一内壁上，所述带磁平台设置在所述第二内壁上，所述多个齿状突起设置在所述第三内壁以及所述第四内壁上。
在本发明较佳的实施例中，上述带磁平台包括第一侧壁以及第二侧壁，所述第一侧壁与所述第三内壁相对设置，所述第二侧壁与所述第四内壁相对设置，所述第一侧壁以及所述第二侧壁上等间距地设置有多个齿状突起。
在本发明较佳的实施例中，上述第一侧壁上设置有朝向所述第三内壁的凸起，所述第二侧壁上设置有朝向所述第四内壁的凸起，每个所述凸起的外表面上也等间距地设置有多个齿状突起。
在本发明较佳的实施例中，以设置在所述第一侧壁上的凸起为界线，所述第三内壁被划分为靠近所述第一内壁的第一段以及远离所述第一内壁的第二段，以设置在所述第二侧壁上的凸起为界线，所述第四内壁被划分为靠近所述第一内壁的第一段以及远离所述第一内壁的第二段，设置在所述第三内壁以及所述第四内壁上的所述多个齿状突起均设置在所述第一段内。
在本发明较佳的实施例中，所述第一侧壁被所述凸起划分为靠近所述第一内壁的第三段以及远离所述第一内壁的第四段，所述第二侧壁被所述凸起划分为靠近所述第一内壁的第三段以及远离所述第一内壁的第四段，所述第三段上等间距地设置有多个齿状突起。
在本发明较佳的实施例中，所有齿状突起的形状与规格一致。
在本发明较佳的实施例中，所述齿状突起的深度为0.5mm。
在本发明较佳的实施例中，所述腔室壁上还开设有窗口以及与所述窗口活动连接的窗口挡片，所述窗口挡片朝向所述蚀刻腔室内的一面设置有所述齿状突起。
第二方面，本发明实施例提供一种蚀刻腔室的加工方法，所述方法应用于加工第一方面中任一所述的蚀刻腔室，所述方法包括：
获取加工程序以及夹具；
基于所述加工程序以及所述夹具，对蚀刻腔室进行加工，使得所述蚀刻腔室的内壁上等间距地设置有多个齿状凸起；
对所述内壁进行阳极氧化处理。
本发明实施例的有益效果是：本发明实施例提供了一种蚀刻腔室以及蚀刻腔室加工方法，当高频电场发生装置发出的高能粒子轰击半导体晶圆时，半导体晶圆表面的蚀刻胶受到高能粒子的攻击会发生飞溅。由于电场的作用，飞溅物主要堆积在第三内壁以及所述第四内壁上。又由于第三内壁以及所述第四内壁上设置有多个齿状突起，可以增加腔室壁内壁的粗糙度，提供更加的抓持力，提高了蚀刻胶与第三内壁以及所述第四内壁的结合强度，从而以提升腔室壁表面与溅射蚀刻胶间的粘附结合力，使之不易脱落，避免其轻易掉落影响产品质量，保证生产安全和产品质量，同时也避免较高频次更换部件带来的生产效率降低的问题。
本发明的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明实施例而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1是本发明第一实施例提供的一种蚀刻腔室的结构示意图；
图2是本发明第一实施例提供的另一种蚀刻腔室的结构示意图；
图3是本发明第一实施例提供的另一种蚀刻腔室的结构示意图；
图4是本发明第一实施例提供的另一种蚀刻腔室的结构示意图；
图5是本发明第一实施例提供的另一种蚀刻腔室的结构示意图；
图6是本发明第二实施例提供的一种蚀刻腔室的一种蚀刻腔室加工方法的流程图；
图7是本发明第二实施例提供的一种蚀刻腔室的另一种蚀刻腔室加工方法的流程图。
图标：100－蚀刻腔室；1－第一段；2－第二段；3－第三段；4－第四段；100－蚀刻腔室；110－腔室壁；111－第一内壁；112－第二内壁；113－第三内壁；114－第四内壁；120－带磁平台；121－第一侧壁；122－第二侧壁；123－凸起；140－齿状突起。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
此外，术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
第一实施例
请参照图1，本实施例提供一种蚀刻腔室100，其包括围成腔室的腔室壁110、设置在所述腔室内的带磁平台120。
其中，所述腔室壁110呈倒扣碗状，所述带磁平台120设置在所述腔室壁110内，且带磁平台120的内部形成空腔。
所述腔室壁110的内壁上等间距地设置有多个齿状突起140。
带磁平台120用于放置待加工的半导体晶圆。
其中，所述腔室壁110包括相对设置的第一内壁111、第二内壁112、以及相对设置的第三内壁113以及第四内壁114。
作为一种可选的实施方式，所述带磁平台120可以设置在所述第二内壁112上，所述多个齿状突起140可以设置在所述第三内壁113以及所述第四内壁114上。
当高频电场发生装置发出的高能粒子轰击半导体晶圆时，半导体晶圆表面的蚀刻胶受到高能粒子的攻击会发生飞溅。由于电场的作用，飞溅物主要堆积在第三内壁113以及所述第四内壁114上。又由于第三内壁113以及所述第四内壁114上设置有多个齿状突起140，可以增加腔室壁110内壁的粗糙度，提供更加的抓持力，提高了蚀刻胶与第三内壁113以及所述第四内壁114的结合强度，从而以提升腔室壁110表面与溅射蚀刻胶间的粘附结合力，使之不易脱落，避免其轻易掉落影响产品质量，保证生产安全和产品质量，同时也避免较高频次更换部件带来的生产效率降低的问题。
为了更大范围地提升溅射蚀刻胶与蚀刻腔室100的结合，作为一种可选的实施方式，请参看图2，所述带磁平台120可以包括第一侧壁121以及第二侧壁122，所述第一侧壁121与所述第三内壁113相对设置，所述第二侧壁122与所述第四内壁114相对设置，所述第一侧壁121以及所述第二侧壁122上也等间距地设置有多个齿状突起140，从而可以吸附更多地吸附溅射蚀刻胶，减小第三内壁113以及所述第四内壁114的吸附压力。
为了更大范围地提升溅射蚀刻胶与蚀刻腔室100的结合，作为一种可选的实施方式，请参看图3，所述第一侧壁121上设置有朝向所述第三内壁113的凸起123，所述第二侧壁122上设置有朝向所述第四内壁114的凸起123，每个所述凸起123的外表面上也等间距地设置有多个齿状突起140。当然，凸起123的下表面可以不设置齿状突起140。
为了更大范围地提升溅射蚀刻胶与蚀刻腔室100的结合，作为一种可选的实施方式，请参看图4，以设置在所述第一侧壁121上的凸起123为界线，所述第三内壁113被划分为靠近所述第一内壁111的第一段1以及远离所述第一内壁111的第二段2，以设置在所述第二侧壁122上的凸起123为界线，所述第四内壁114被划分为靠近所述第一内壁111的第一段1以及远离所述第一内壁111的第二段2，设置在所述第三内壁113以及所述第四内壁114上的所述多个齿状突起140均设置在所述第一段内1。
为了更大范围地提升溅射蚀刻胶与蚀刻腔室100的结合，作为一种可选的实施方式，请参看图5，所述第一侧壁121被所述凸起123划分为靠近所述第一内壁111的第三段3以及远离所述第一内壁111的第四段4，所述第二侧壁122被所述凸起123划分为靠近所述第一内壁111的第三段3以及远离所述第一内壁111的第四段4，所述第三段3上等间距地设置有多个齿状突起140。
值得指出的是，上述所有齿状突起140的形状与规格均一致。若齿状突起140的形状与规格不一致，齿状突起140在电场的作用下，可能会造成尖端放电，从而会对蚀刻腔室100内的环境造成破坏，导致平衡被打破，使得高能粒子毫无规则的四处轰击晶圆。
作为一种可选的实施方式，所述齿状突起130的深度可以设置为0.5毫米。
作为一种可选的实施方式，所述齿状突起130的突出角度范围可以为30度－150度之间。
作为一种可选的实施方式，所述腔室壁110上还开设有窗口以及与所述窗口活动连接的窗口挡片，所述窗口挡片朝向所述蚀刻腔室100内的一面设置有所述齿状突起140。
本发明第一实施例提供的一种蚀刻腔室100的工作原理是：当高频电场发生装置发出的高能粒子轰击半导体晶圆时，半导体晶圆表面的蚀刻胶受到高能粒子的攻击会发生飞溅。由于电场的作用，飞溅物主要堆积在第三内壁113以及所述第四内壁114上。又由于第三内壁113以及所述第四内壁114上设置有多个齿状突起140，可以增加腔室壁110内壁的粗糙度，提供更加的抓持力，提高了蚀刻胶与第三内壁113以及所述第四内壁114的结合强度，从而以提升腔室壁110表面与溅射蚀刻胶间的粘附结合力，使之不易脱落，避免其轻易掉落影响产品质量，保证生产安全和产品质量，同时也避免较高频次更换部件带来的生产效率降低的问题。
第二实施例
请参照图6，本实施例提供一种蚀刻腔室加工方法，所述方法应用于加工第一实施例中任一实施方式所述的蚀刻腔室100。
其中，所述方法包括：
步骤S110：获取加工程序以及夹具；
步骤S120：基于所述加工程序以及所述夹具，对蚀刻腔室进行加工，使得所述蚀刻腔室的内壁上等间距地设置有多个齿状凸起；
步骤S130：对所述内壁进行阳极氧化处理，得到蚀刻腔室。
作为一种可选的实施方式，请参看图7，在步骤S130之后，所述方法还可以包括：
步骤S140：对所述蚀刻腔室进行清洗后进行检测。
综上所述，本发明实施例提供了一种蚀刻腔室以及蚀刻腔室加工方法，当高频电场发生装置发出的高能粒子轰击半导体晶圆时，半导体晶圆表面的蚀刻胶受到高能粒子的攻击会发生飞溅。由于电场的作用，飞溅物主要堆积在第三内壁以及所述第四内壁上。又由于第三内壁以及所述第四内壁上设置有多个齿状突起，可以增加腔室壁内壁的粗糙度，提供更加的抓持力，提高了蚀刻胶与第三内壁以及所述第四内壁的结合强度，从而以提升腔室壁表面与溅射蚀刻胶间的粘附结合力，使之不易脱落，避免其轻易掉落影响产品质量，保证生产安全和产品质量，同时也避免较高频次更换部件带来的生产效率降低的问题。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种蚀刻腔室，其特征在于，包括：围成腔室的腔室壁、设置在所述腔室内的带磁平台；所述带磁平台用于放置待加工晶圆，所述腔室壁的内壁上等间距地设置有多个齿状突起。
2.根据权利要求1所述的蚀刻腔室，其特征在于，所述腔室壁包括相对设置的第一内壁、第二内壁、以及相对设置的第三内壁以及第四内壁，所述带磁平台设置在所述第二内壁上，所述多个齿状突起设置在所述第三内壁以及所述第四内壁上。
3.根据权利要求2所述的蚀刻腔室，其特征在于，所述带磁平台包括第一侧壁以及第二侧壁，所述第一侧壁与所述第三内壁相对设置，所述第二侧壁与所述第四内壁相对设置，所述第一侧壁以及所述第二侧壁上等间距地设置有多个齿状突起。
4.根据权利要求3所述的蚀刻腔室，其特征在于，所述第一侧壁上设置有朝向所述第三内壁的凸起，所述第二侧壁上设置有朝向所述第四内壁的凸起，每个所述凸起的外表面上也等间距地设置有多个齿状突起。
5.根据权利要求4所述的蚀刻腔室，其特征在于，以设置在所述第一侧壁上的凸起为界线，所述第三内壁被划分为靠近所述第一内壁的第一段以及远离所述第一内壁的第二段，以设置在所述第二侧壁上的凸起为界线，所述第四内壁被划分为靠近所述第一内壁的第一段以及远离所述第一内壁的第二段，设置在所述第三内壁以及所述第四内壁上的所述多个齿状突起均设置在所述第一段内。
6.根据权利要求4或5所述的蚀刻腔室，其特征在于，所述第一侧壁被所述凸起划分为靠近所述第一内壁的第三段以及远离所述第一内壁的第四段，所述第二侧壁被所述凸起划分为靠近所述第一内壁的第三段以及远离所述第一内壁的第四段，所述第三段上等间距地设置有多个齿状突起。
7.根据权利要求1－5任一所述的蚀刻腔室，其特征在于，所有齿状突起的形状与规格一致。
8.根据权利要求7任一所述的蚀刻腔室，其特征在于，所述齿状突起的深度为0.5mm。
9.根据权利要求8任一所述的蚀刻腔室，其特征在于，所述腔室壁上还开设有窗口以及与所述窗口活动连接的窗口挡片，所述窗口挡片朝向所述蚀刻腔室内的一面设置有所述齿状突起。
10.一种蚀刻腔室的加工方法，其特征在于，所述方法应用于用于加工权利要求1－9中任一所述的蚀刻腔室，所述方法包括：
获取加工程序以及夹具；
基于所述加工程序以及所述夹具，对蚀刻腔室进行加工，使得所述蚀刻腔室的内壁上等间距地设置有多个齿状凸起；
对所述内壁进行阳极氧化处理。
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