CN108899285A - 一种封装装置和t/r组件 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例中提供了一种封装装置和T/R组件，其中，该封装装置包括：用于进行T/R组件激光封装焊接的封装腔体；所述封装腔体1的上表面的一侧设有至少一个辅助导热区。本申请所述技术方案将激光焊接产生的一部分热应力从腔体转移到导热区中的导热板上，并在焊接过程中通过导热区中的沟槽和导热板配合施加反向应力，以保证腔体底面的平面度，有利于组件的装配及散热。
Description
技术领域
本申请涉及T/R组件封装焊接领域，特别涉及一种用于T/R组件封装过程中减少激光封装焊接时焊接应力的封装装置和T/R组件。
背景技术
在接收/发射(T/R)组件中常用的气密封装中，常用可焊性好，且线膨胀系数接近的材料作为封装载体和盖板，以减小封接过程中产生的封接应力，从而获得平整度焊接表面以保证良好的气密性。但在高频段T/R组件中，由于通道单元间距的限制，导致T/R组件尺寸相比常规组件要小，因此封装盒体通常为薄壁腔体，而通常需要一次性封装多个通道，导致在封装面积要比常规组件大，因此形成了大面积薄壁腔体结构。
在封装面积较小组件时，因组件盒体体积小，受热均匀，在激光封焊过程中受热均匀，所以受到的热应力也小，不足以导致组件结构件变形；或在封装厚度较大组件时，因组件背板厚，热应力不足以使组件发生形变，此时热应力可忽略不计。但是在封装大面积薄壁腔体时，封装盖板温度上升更快，而封装腔体温度上升慢，在结构件上产生温度差，从而产生热应力。加之腔体本身结构较薄弱，不足以抵抗热应力，在激光封焊完成后往往出现组件向外弯曲成鼓形等严重形变，影响T/R组件装配及散热。
发明内容
为解决上述问题之一，本申请提供了一种用于T/R组件封装过程中减少激光封装焊接时焊接应力的封装装置和T/R组件。
根据本申请实施例的第一个方面，提供了一种封装装置，该装置包括：用于进行T/R组件激光封装焊接的封装腔体1；所述封装腔体1的上表面的一侧设有至少一个辅助导热区。
根据本申请实施例的第二个方面，提供了一种T/R组件,所述T/R组件基于上述的封装装置，通过激光封装焊接的方式制成。
本申请所述技术方案将激光焊接产生的一部分热应力从腔体转移到导热区中的导热板上，并在焊接过程中通过导热区中的沟槽和导热板配合施加反向应力，以保证腔体底面的平面度，有利于组件的装配及散热。
与不使用该装置相比，本方案有利于改善激光封焊后，薄壁组件产生的弯曲，翘边等热应力引起的形变，保证了T/R组件在封装完成后依然保持原有尺寸，从而达到利于T/R组件装配和散热的目的。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1示出本申请所述封装装置的俯视图；
图2示出本申请所述封装装置的侧视图；
图3示出本申请所述封装装置的仰视图；
图4示出本申请所述导热板置于沟槽内的示意图；
图5示出本申请所述封装装置的立体图。
附图标号
1、封装腔体，2、导热板，3、第一预紧块，4、第二预紧块，5、连接件， 6、沟槽。
具体实施方式
为了使本申请实施例中的技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图对本申请的示例性实施例进行进一步详细的说明，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是所有实施例的穷举。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
本方案的核心思路是在T/R组件的激光封装焊接过程中产生的一部分热应力从封装腔体1转移到其它对装置散热影响小的部分上，并通过该部分在焊接过程中施加反向应力，以保证腔体底面的平面度，有利于组件的装配及散热。
实施例一
如图1至图3所示，本实施例提供了一种封装装置，该装置可用于T/R组件的激光焊接封装。所述封装装置包括：封装腔体1。本实施例中，所述封装腔体1为长方形结构，该封装腔体1可以由封装上板和封装下板组装而成，也可以通过一体结构加工成具有镂空结构的腔体结构。利用该封装腔体1在焊接前将T/R组件相关的器件布置在封装腔体1内。本实施例中，所述封装腔体1 的上表面的一侧设有至少一个辅助导热区。在激光封装焊接时，产生的高温会通过导热区不断传递并衰减，同时，导热区还会产生反向应力来克服焊接过程中的焊接应力。
本实施例中，所述辅助导热区包括：开设在所述封装腔体1的上表面的沟槽6和置于所述沟槽6内的导热板2。在激光封装焊接过程中，激光束照射处温度最高，热量将沿导热板2和封装腔体1不断传递并逐渐衰减，形成温度差，由于热量的不均匀导致导热板2和封装腔体1的膨胀量不一致，必然导致形变，而此时，由于沟槽6是开设在封装腔体1的一侧，因此，封装腔体1上的沟槽 6的部分壁厚较薄。在产生热应力时，导热板2处最先产生形变，沟槽6内侧在受热膨胀后，向导热板2两侧延伸，而沟槽6的存在使得沟槽6外侧与封装腔体1接触的一侧不受热应力影响。所以，导热板2将热应力从封装腔体1转移至导热板2上，从而，去除了封装腔体1上的大部分热应力。
本实施例中，该装置进一步设有用于对置于所述沟槽6内的导热板2进行预紧的预紧结构，从而对导热板2在沟槽6内进行预紧。其中，所述所述预紧结构包括：第一预紧块3和第二预紧块4；当导热板2置于所述沟槽6内时，第一预紧块3压住所述导热板2，所述第一预紧块3通过连接件5与第二预紧块4连接。所述连接件5通过螺接或卡接的方式固定连接所述第一预紧块3和第二预紧块4。
基于上述封装装置，本实施例进一步提供了一种T/R组件，所述T/R组件的相关器件置于上述封装装置中，通过激光封装焊接制成T/R组件。
本实施例所述技术方案将激光焊接产生的一部分热应力从腔体转移到导热区中的导热板2上，并在焊接过程中通过导热区中的沟槽6和导热板2配合施加反向应力，以保证腔体底面的平面度，有利于组件的装配及散热。
实施例二
本实施例中，基于实施例一所述技术方案的基础上，所述封装腔体1的上表面的一侧设置有一个辅助导热区；该辅助导热区为长方形，该导热区的长度小于封装腔体1的宽度，该导热区的宽度不大于封装腔体1总长度的三分之一。
所述封装腔体1的上表面的一侧也可以设置有两个辅助导热区，两个导热区对称设置在封装腔体1的上表面。该辅助导热区为长方形，该辅助导热区的长度不大于封装腔体1总长度的三分之一；该辅助导热区的宽度小于封装腔体 1宽度的二分之一。
本领域技术人员应该了解，辅助导热区的设置数量不仅限于上述举例，上述举例仅仅为本方案的优选实施例，本领域技术人员可以根据上述设计原则进一步调整辅助导热区的数量。
实施例三：
本实施例中，基于上述任一实施例所述技术方案的基础上，该装置中所述预紧结构可以包括：一个“L”型第一预紧块3和一个第二预紧块4。利用“L”型第一预紧块3将导热板2压盖在沟槽6内；利用连接件5将第一预紧块3与第二预紧块4连接固定，从而给与导热板2一定的预紧力。
该装置中所述预紧结构也可以包括：多个“L”型第一预紧块3和一个第二预紧块4。第一预紧块3的数量与导热板2的数量相同。利用“L”型第一预紧块3将导热板2压盖在沟槽6内；利用连接件5将第一预紧块3与第二预紧块4连接固定，从而给与导热板2一定的预紧力。
本实施例中优选地，所述第一预紧块3设有螺孔；所述第二预紧块4设有通孔；所述第一预紧块3通过螺栓穿过第二预紧块4的通孔与所述第一预紧块 3上的螺孔螺接固定，并对所述导热板2预紧。
本领域技术人员应该了解，对于第一预紧块3的数量不仅限于上述举例，上述举例仅仅为本方案的优选实施例，本领域技术人员可以根据上述设计原则进一步调整第一预紧块3和第二预紧块4的使用数量。
实施例四：
如图4所示，本实施例中公开了一种减小激光封装焊接变形量的封装装置及T/R组件，能够有效减小了大面积激光封装焊接时引起的模块盒体变形。
具体的，该封装装置包括：用于进行T/R组件激光封装焊接的封装腔体1；封装腔体1上加工带有消除热应力功能的沟槽6，并在该沟槽6内安装能够消除热应力的导热板2，利用2个第一预紧块3紧贴封装腔体1的侧边将导热板 2紧压在沟槽6内，然后，将第二预紧块4放置在封装的下表面，利用螺栓穿过第二预紧块4上设置的通孔，拧紧在第一预紧块3的螺孔上，到此，装置安装完毕。
在激光封装焊接过程中，激光束照射处温度最高，热量沿导热板2和封装腔体1不断传递并逐渐衰减，形成温度差，由于热量的不均匀导致导热板2和封装腔体1的膨胀量不一致，必然导致形变，而此时，由于沟槽6是开设在封装腔体1的一侧，因此，封装腔体1上的沟槽6的部分壁厚较薄。在产生热应力时，导热板2处最先产生形变，沟槽6内侧在受热膨胀后，向导热板2两侧延伸，而沟槽6的存在使得沟槽6外侧与封装腔体1接触的一侧不受热应力影响。所以，导热板2将热应力从封装腔体1转移至导热板2上，从而，去除了封装腔体1上的大部分热应力。
激光封装焊接完成后，通过预紧结构事先增加的反向预紧力能够消除温度降低过程中的另一部分热应力，待温度完成恢复到室温后，T/R组件的封装腔体1可基本不受热应力影响，保证了腔体的平整度，更有利于T/R组件装配和散热。
与不使用该装置相比，本发明有利于改善激光封焊后，薄壁组件产生的弯曲，翘边等热应力引起的形变，保证了T/R组件在封装完成后依然保持原有尺寸，从而达到利于T/R组件装配和散热的目的。
尽管已描述了本申请的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本申请范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种封装装置，其特征在于，该装置包括：用于进行T/R组件激光封装焊接的封装腔体(1)；
所述封装腔体(1)的上表面的一侧设有至少一个辅助导热区。
2.根据权利要求1所述的封装装置，其特征在于，所述封装腔体(1)的上表面的一侧设有两个辅助导热区。
3.根据权利要求1或2所述的封装装置，其特征在于，所述辅助导热区包括：开设在所述封装腔体(1)的上表面的沟槽(6)和置于所述沟槽(6)内的导热板(2)。
4.根据权利要求3所述的封装装置，其特征在于，该装置进一步包括：用于对置于所述沟槽(6)内的导热板(2)进行预紧的预紧结构。
5.根据权利要求4所述的封装装置，其特征在于，所述预紧结构包括：第一预紧块(3)和第二预紧块(4)；
当导热板(2)置于所述沟槽(6)内时，第一预紧块(3)压住所述导热板(2)，所述第一预紧块(3)通过连接件(5)与第二预紧块(4)连接。
6.根据权利要求5所述的封装装置，其特征在于，每个导热板(2)至少通过一个第一预紧块(3)预紧。
7.根据权利要求5所述的封装装置，其特征在于，所述连接件(5)通过螺接或卡接的方式固定连接所述第一预紧块(3)和第二预紧块(4)。
8.根据权利要求5所述的封装装置，其特征在于，所述预紧结构包括：两个“L”型第一预紧块(3)和一个第二预紧块(4)；
所述两个“L”型第一预紧块(3)分别将两个导热板(2)压固在所述沟槽(6)内；
所述两个“L”型第一预紧块(3)通过连接件(5)与第二预紧块(4)连接固定。
9.根据权利要求8所述的封装装置，其特征在于，所述第一预紧块(3)设有螺孔；所述第二预紧块(4)设有通孔；所述第一预紧块(3)通过螺栓穿过第二预紧块(4)的通孔与所述第一预紧块(3)上的螺孔螺接固定，并对所述导热板(2)预紧。
10.一种T/R组件，其特征在于，所述T/R组件基于如权利要求1至9任意一项所述的封装装置，通过激光封装焊接的方式制成。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109921199A (zh) * | 2019-03-05 | 2019-06-21 | 成都雷电微力科技有限公司 | 一种双面组装收发芯片的气密型tr模块 |
| CN112846498A (zh) * | 2020-12-14 | 2021-05-28 | 北京无线电测量研究所 | 一种封焊工装 |
| CN113628846A (zh) * | 2021-08-20 | 2021-11-09 | 安徽信息工程学院 | 一种主动散热的电力变压器 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201830573U (zh) * | 2010-10-15 | 2011-05-11 | 天津市欣乐电子有限公司 | 一种创新结构外壳 |
| JP2011167946A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Munekata Industrial Machinery Co Ltd | 樹脂製ケースの熱溶着装置 |
| CN103281884A (zh) * | 2013-05-30 | 2013-09-04 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种抗形变的封装盒 |
| CN107509365A (zh) * | 2017-08-25 | 2017-12-22 | 北京无线电测量研究所 | 一种超薄微波组件及热管散热装置 |
-
2018
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011167946A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Munekata Industrial Machinery Co Ltd | 樹脂製ケースの熱溶着装置 |
| CN201830573U (zh) * | 2010-10-15 | 2011-05-11 | 天津市欣乐电子有限公司 | 一种创新结构外壳 |
| CN103281884A (zh) * | 2013-05-30 | 2013-09-04 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种抗形变的封装盒 |
| CN107509365A (zh) * | 2017-08-25 | 2017-12-22 | 北京无线电测量研究所 | 一种超薄微波组件及热管散热装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109921199A (zh) * | 2019-03-05 | 2019-06-21 | 成都雷电微力科技有限公司 | 一种双面组装收发芯片的气密型tr模块 |
| CN112846498A (zh) * | 2020-12-14 | 2021-05-28 | 北京无线电测量研究所 | 一种封焊工装 |
| CN113628846A (zh) * | 2021-08-20 | 2021-11-09 | 安徽信息工程学院 | 一种主动散热的电力变压器 |
| CN113628846B (zh) * | 2021-08-20 | 2023-02-28 | 安徽信息工程学院 | 一种主动散热的电力变压器 |
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