CN108893722B - 蒸镀设备中晶振片位置的检测方法、蒸镀方法及相关装置 - Google Patents

蒸镀设备中晶振片位置的检测方法、蒸镀方法及相关装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种蒸镀设备中晶振片位置的检测方法、蒸镀方法及相关装置，采用至少两个互不平行的金属电极板，与位于检测孔中心的晶振片形成电容器；在晶振片工作时，实时检测电容器的电容值；根据检测到的电容器的电容值，确定晶振片相对于检测孔中心的位置是否发生异常；在确定发生异常时，更换异常的晶振片。在进行材料蒸镀的过程中，通过检测由晶振片和金属电极板形成的电容器的电容值，可以实时监测晶振片的位置信息，从而可以及时更换位置异常的晶振片，避免由于晶振片偏离检测孔中心而引起蒸镀速率异常波动，可以提高产能和产品良率。

Description

蒸镀设备中晶振片位置的检测方法、蒸镀方法及相关装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种蒸镀设备中晶振片位置的检测方法、蒸镀方法及相关装置。
背景技术
在有机电致发光显示面板(OLED，Organic Light-Emitting Diode)的生产线中，蒸镀设备中的晶振片用来实时监控蒸镀速率，从而保证各有机层的膜厚控制在误差范围(Spec)内。在晶振片工作过程中，由于晶振片本身振动或电机转动异常，导致晶振片偏离检测孔中心，引起蒸镀速率异常波动时有发生，不仅影响到了产能，严重时降低了产品的良率。
因此，如何在晶振片的工作过程中监控晶振片的位置，是本领域亟需解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种蒸镀设备中晶振片位置的检测方法、蒸镀方法及相关装置，用以监测晶振片工作时位置是否发生异常。
因此，本发明实施例提供了一种蒸镀设备中晶振片位置的检测方法，包括：
采用至少两个互不平行的金属电极板，与位于检测孔中心的晶振片形成电容器；
在所述晶振片工作时，实时检测所述电容器的电容值；
根据检测到的所述电容器的电容值，确定所述晶振片相对于所述检测孔中心的位置是否发生异常；
在确定发生异常时，更换异常的所述晶振片。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述检测方法中，所述采用至少两个互不平行的金属电极板，与位于检测孔中心的晶振片形成电容器，具体包括：
采用四个相同的金属电极板分别放置于所述晶振片的四周，与所述晶振片形成四个电容器。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述检测方法中，所述实时检测所述电容器的电容值，具体包括：
将形成各所述电容器的金属电极板与晶振片分别通过导线与对应的传感器连接；
通过所述传感器检测所述电容器的电容值。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述检测方法中，所述导线连接至所述晶振片的中心处。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述检测方法中，在实时检测所述电容器的电容值之前，还包括：检测各所述电容器的初始电容值；
所述根据检测到的所述电容器的电容值，确定所述晶振片相对于所述检测孔中心的位置是否发生异常，具体包括：
确定本次检测到的所述电容器的电容值与所述初始电容值之间的差值是否超出设定范围；
若是，则确定所述晶振片相对于所述检测孔中心的位置发生异常；
若否，则确定所述晶振片相对于所述检测孔中心的位置正常。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述检测方法中，所述根据检测到的所述电容器的电容值，确定所述晶振片相对于所述检测孔中心的位置是否发生异常，具体包括：
确定位置相对的两个金属电极板与所述晶振片形成的电容器的电容值之间的差值是否超出设定范围；
若是，则确定所述晶振片相对于所述检测孔中心的位置发生异常；
若否，则确定所述晶振片相对于所述检测孔中心的位置正常。
另一方面，本发明实施例还提供了一种蒸镀设备中晶振片位置的检测装置，包括：
至少两个互不平行的金属电极板，所述金属电极板与位于检测孔中心的晶振片形成电容器；
与各所述电容器一一对应的传感器，所述传感器通过导线分别与形成所述电容器的晶振片和金属电极板连接；
以及与各所述传感器连接的处理器，用于根据所述传感器检测到的所述电容器的电容值，确定所述晶振片相对于所述检测孔中心的位置是否发生异常；在确定发生异常时，更换异常的所述晶振片。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述检测装置中，四个相同的金属电极板分别位于所述晶振片的四周，且与所述晶振片形成四个电容器。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述检测装置中，所述导线连接至所述晶振片的中心处。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述检测装置中，所述处理器，具体用于检测各所述电容器的初始电容值；确定所述传感器本次检测到的所述电容器的电容值与所述初始电容值之间的差值是否超出设定范围；若是，则确定所述晶振片相对于所述检测孔中心的位置发生异常；若否，则确定所述晶振片相对于所述检测孔中心的位置正常。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述检测装置中，所述处理器，具体用于确定位置相对的两个金属电极板与所述晶振片形成的电容器的电容值之间的差值是否超出设定范围；若是，则确定所述晶振片相对于所述检测孔中心的位置发生异常；若否，则确定所述晶振片相对于所述检测孔中心的位置正常。
另一方面，本发明实施例还提供了一种蒸镀设备，包括本发明实施例提供的上述检测装置。
另一方面，本发明实施例还提供了一种蒸镀方法，包括：
在进行材料蒸镀的过程中，采用本发明实施例提供的上述晶振片位置的检测方法。
本发明实施例的有益效果包括：
本发明实施例提供的一种蒸镀设备中晶振片位置的检测方法、蒸镀方法及相关装置，采用至少两个互不平行的金属电极板，与位于检测孔中心的晶振片形成电容器；在晶振片工作时，实时检测电容器的电容值；根据检测到的电容器的电容值，确定晶振片相对于检测孔中心的位置是否发生异常；在确定发生异常时，更换异常的晶振片。在进行材料蒸镀的过程中，通过检测由晶振片和金属电极板形成的电容器的电容值，可以实时监测晶振片的位置信息，从而可以及时更换位置异常的晶振片，避免由于晶振片偏离检测孔中心而引起蒸镀速率异常波动，可以提高产能和产品良率。
附图说明
图1为本发明实施例提供的蒸镀设备中晶振片位置的检测方法的流程图；
图2为本发明实施例提供的蒸镀设备中晶振片位置的检测装置的一种结构示意图；
图3为本发明实施例提供的蒸镀设备中晶振片位置的检测装置的另一种结构示意图；
图4为本发明实施例提供的蒸镀设备中的晶振片的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供的一种蒸镀设备中晶振片位置的检测方法，如图1所示，可以包括以下步骤：
S101、采用至少两个互不平行的金属电极板，与位于检测孔中心的晶振片形成电容器；
S102、在晶振片工作时，实时检测电容器的电容值；
S103、根据检测到的电容器的电容值，确定晶振片相对于检测孔中心的位置是否发生异常；在确定发生异常时，执行步骤S104；
S104、更换异常的晶振片。
具体地，在本发明实施例提供的上述蒸镀设备中晶振片位置的检测方法中，通过检测由晶振片和金属电极板形成的电容器的电容值，可以实时监测晶振片的位置信息，从而可以及时更换位置异常的晶振片，避免由于晶振片偏离检测孔中心而引起蒸镀速率异常波动，可以提高产能和产品良率。
具体地，在本发明实施例提供的上述检测方法中，在蒸镀设备中一般会设置有多个晶振片，在蒸镀过程中仅有一个晶振片位于检测孔中心，位于检测孔中心的晶振片作为工作的晶振片，其与检测孔中心的位置关系会影响到检测的蒸镀速率，其他晶振片作为备用晶振片。因此，在每次开腔更换晶振片后，或者，在蒸镀完成或蒸镀之前，更换位于检测孔中心的晶振片后，一般会检查位于检测孔中心的晶振片和检测孔中心之间的位置关系是否合格，即晶振片工作前是否位于检测孔中心，在确定晶振片初始位置合格后，可以执行本发明实施例提供的上述检测方法。
可选地，在本发明实施例提供的上述检测方法中，步骤S101采用至少两个互不平行的金属电极板，与位于检测孔中心的晶振片形成电容器，具体可以采用以下方式实现：
采用四个相同的金属电极板分别放置于晶振片的四周，与晶振片形成四个电容器。
具体地，如图2所示，可以将四个相同的金属电极板100分成两组，每组包含相互平行的两个金属电极板100，分别将两组放置于前后左右四个方向，在x方向与晶振片200形成两个电容器C1和C2，在y方向形成两个电容器C3和C4，x方向和y方向相互垂直。通过形成在x方向和y方向形成的四个电容器C，可以检测晶振片200相对于检测孔A中心在x方向和y方向的偏移即位置异常，在两个方向任意一个方向的位置发生异常，即确认晶振片200的位置发生异常需及时更换。
并且，还可以调整每组金属电极板100与晶振片200的位置，使其形成电容值相同的电容器C，便于后续步骤S103根据检测到的电容器C的电容值，可以快速准确的判断晶振片200的位置是否发生异常，做出快速响应。
或者，可选地，在本发明实施例提供的上述检测方法中，步骤S101采用至少两个互不平行的金属电极板，与位于检测孔中心的晶振片形成电容器，也可以采用以下方式实现：
采用两个互不平行的金属电极板，与位于检测孔中心的晶振片形成电容器；例如，如图3所示，可以采用两个互不平行的金属电极板100在x方向和y方向与晶振片200分别形成电容器C1和C3，x方向和y方向可以相互垂直，也可以不垂直，只要x方向和y方向不平行即可。通过在两个不同方向形成的电容器C1和C3可以监测晶振片200在这两个方向的位移，而判断其位置是否异常需要更换。当然，可以采用多于两个金属电极板100与晶振片200形成多个电容器C，从而监测晶振片200在多个方向的位移，在此不做限定。
可选地，在本发明实施例提供的上述检测方法中，步骤S102实时检测电容器的电容值，具体可以采用以下方式实现：
将形成各电容器的金属电极板与晶振片分别通过导线与对应的传感器连接；
通过传感器检测电容器的电容值。
具体地，如图2和图3所示，金属电极板100和传感器S一一对应，可以在各金属电极板100上固定连接一个导线300的一端，导线300的另一端连接一传感器S。晶振片200一般由层叠的多个膜层结构组成，如图4所示，从上至下依次为镀金(银)电极01、第一铬的粘合层02、石英晶体03、第二铬的粘合层04和镀金(银)图案电极05。可以看出镀金(银)电极01和镀金(银)图案电极05均为导电电极，因此，导线300的一端可以和其中之一连接，导线300的另一端连接传感器S。
可选地，在本发明实施例提供的上述检测方法中，可以采用导线连接至晶振片的中心处。如图4所示，可以看出，晶振片200一般为圆形，因此如图2和图3所示，可以采用导线300连接至晶振片200的圆心处，以便可以和各金属电极板100形成电容值相同的电容器。
可选地，在本发明实施例提供的上述检测方法中，步骤S103根据检测到的电容器的电容值，确定晶振片相对于检测孔中心的位置是否发生异常，可以采用多种方式根据电容器的电容值判断晶振片的位置是否发生异常。
例如，在步骤S102实时检测电容器的电容值之前，还可以包括：检测各电容器的初始电容值；即在晶振片工作之前，其位置未发生异常时，记录各电容器的电容值作为初始电容值。
对应地，步骤S103根据检测到的电容器的电容值，确定晶振片相对于检测孔中心的位置是否发生异常，可以具体包括：
确定本次检测到的电容器的电容值与初始电容值之间的差值是否超出设定范围；
若是，则确定晶振片相对于检测孔中心的位置发生异常；
若否，则确定晶振片相对于检测孔中心的位置正常。
具体地，通过实时计算检测到的各电容值与对应的初始电容值之间的差值，并与预设范围进行比较，至少确定任意一个差值超过预设范围，则认为晶振片的位置发生异常，通过上述方式可以快速检测到晶振片的位置异常并做出反馈。
或者，可选地，在本发明实施例提供的上述检测方法中，在步骤S101采用四个相同的金属电极板分别放置于晶振片的四周，与晶振片形成四个电容器时，对应地，步骤S103根据检测到的电容器的电容值，确定晶振片相对于检测孔中心的位置是否发生异常，可以具体包括：
确定位置相对的两个金属电极板与晶振片形成的电容器的电容值之间的差值是否超出设定范围；
若是，则确定晶振片相对于检测孔中心的位置发生异常；
若否，则确定晶振片相对于检测孔中心的位置正常。
具体地，采用位置相对的两个金属电极板与晶振片形成的电容器的电容值之间的差值，与预设范围进行比较，至少确定任意一个差值超过预设范围，则认为晶振片的位置发生异常，通过上述方式可以快速检测到晶振片的位置异常并做出反馈。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种蒸镀设备中晶振片位置的检测装置，由于该检测装置解决问题的原理与前述一种蒸镀设备中晶振片位置的检测方法相似，因此该检测装置的实施可以参见检测方法的实施，重复之处不再赘述。
具体地，本发明实施例提供的一种蒸镀设备中晶振片位置的检测装置，如图2和图3所示，具体包括：
至少两个互不平行的金属电极板100，金属电极板100与位于检测孔A中心的晶振片200形成电容器C(1、2、3或4)；
与各电容器C一一对应的传感器S，传感器S通过导线300分别与形成电容器C(1、2、3或4)的晶振片200和金属电极板100连接；
以及，与各传感器S连接的处理器(图中未示出)，用于根据传感器S检测到的电容器C(1、2、3或4)的电容值，确定晶振片200相对于检测孔A中心的位置是否发生异常；在确定发生异常时，更换异常的晶振片200。
具体地，如图2和图3所示，金属电极板100和传感器S一一对应，可以在各金属电极板100上固定连接一个导线300的一端，导线300的另一端连接一传感器S。晶振片200一般由层叠的多个膜层结构组成，如图4所示，从上至下依次为镀金(银)电极01、第一铬的粘合层02、石英晶体03、第二铬的粘合层04和镀金(银)图案电极05。可以看出镀金(银)电极01和镀金(银)图案电极05均为导电电极，因此，导线300的一端可以和其中之一连接，导线300的另一端连接传感器S。
可选地，在本发明实施例提供的上述检测装置中，如图2所示，可以采用四个相同的金属电极板100分别位于晶振片200的四周，且与晶振片200形成四个电容器C(1、2、3或4)。例如可以将四个相同的金属电极板100分成两组，每组包含相互平行的两个金属电极板100，如图2所示，分别将两组放置于前后左右四个方向，在x方向与晶振片200形成两个电容器C1和C2，在y方向形成两个电容器C3和C4，x方向和y方向相互垂直。通过形成在x方向和y方向形成的四个电容器C，可以检测晶振片200相对于检测孔A中心在x方向和y方向的偏移即位置异常，在两个方向任意一个方向的位置发生异常，即确认晶振片200的位置发生异常需及时更换。
并且，还可以调整每组金属电极板100与晶振片200的位置，使其形成电容值相同的电容器C(1、2、3或4)，便于后续步骤S103根据检测到的电容器C(1、2、3或4)的电容值，可以快速准确的判断晶振片200的位置是否发生异常，做出快速响应。
或者，可选地，在本发明实施例提供的上述检测装置中，如图3所示，采用两个互不平行的金属电极板100，与位于检测孔A中心的晶振片200形成电容器；例如，可以采用两个互不平行的金属电极板100在x方向和y方向与晶振片200分别形成电容器C1和C3，x方向和y方向可以相互垂直，也可以不垂直，只要x方向和y方向不平行即可。通过在两个不同方向形成的电容器C1和C2可以监测晶振片200在这两个方向的位移，而判断其位置是否异常需要更换。当然，可以采用多于两个金属电极板100与晶振片200形成多个电容器C1、C2……，从而监测晶振片200在多个方向的位移，在此不做限定。
可选地，在本发明实施例提供的上述检测装置中，如图2和图3所示，导线300可以连接至晶振片200的中心处。如图4所示，可以看出，晶振片200一般为圆形，因此如图2和图3所示，可以采用导线300连接至晶振片200的圆心处，以便可以和各金属电极板100形成电容值相同的电容器。
可选地，在本发明实施例提供的上述检测装置中，还包括处理器，可以具体用于检测各电容器C(1、2、3或4)的初始电容值；确定传感器S本次检测到的电容器C(1、2、3或4)的电容值与初始电容值之间的差值是否超出设定范围；若是，则确定晶振片200相对于检测孔A中心的位置发生异常；若否，则确定晶振片200相对于检测孔A中心的位置正常。
可选地，在本发明实施例提供的上述检测装置中，采用四个相同的金属电极板100分别放置于晶振片200的四周，与晶振片形成四个电容器C(1、2、3或4)时，处理器，可以具体用于确定位置相对的两个金属电极板100与晶振片200形成的电容器C(1、2、3或4)的电容值之间的差值是否超出设定范围；若是，则确定晶振片200相对于检测孔A中心的位置发生异常；若否，则确定晶振片200相对于检测孔A中心的位置正常。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种蒸镀设备，包括本发明实施例提供的上述检测装置。由于该蒸镀设备解决问题的原理与前述一种蒸镀设备中晶振片位置的检测装置相似，因此该蒸镀设备的实施可以参见检测装置的实施，重复之处不再赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种蒸镀方法，包括：在进行材料蒸镀的过程中，采用本发明实施例提供的上述晶振片位置的检测方法。由于该蒸镀方法解决问题的原理与前述一种蒸镀设备中晶振片位置的检测方法相似，因此该蒸镀方法的实施可以参见检测方法的实施，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的上述蒸镀设备中晶振片位置的检测方法、蒸镀方法及相关装置，采用至少两个互不平行的金属电极板，与位于检测孔中心的晶振片形成电容器；在晶振片工作时，实时检测电容器的电容值；根据检测到的电容器的电容值，确定晶振片相对于检测孔中心的位置是否发生异常；在确定发生异常时，更换异常的晶振片。在进行材料蒸镀的过程中，通过检测由晶振片和金属电极板形成的电容器的电容值，可以实时监测晶振片的位置信息，从而可以及时更换位置异常的晶振片，避免由于晶振片偏离检测孔中心而引起蒸镀速率异常波动，可以提高产能和产品良率。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (13)

1.一种蒸镀设备中晶振片位置的检测方法，其特征在于，包括：
采用至少两个互不平行的金属电极板，与位于检测孔中心的晶振片形成电容器；
在所述晶振片工作时，实时检测所述电容器的电容值；
根据检测到的所述电容器的电容值，确定所述晶振片相对于所述检测孔中心的位置是否发生异常；
在确定发生异常时，更换异常的所述晶振片。
2.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述采用至少两个互不平行的金属电极板，与位于检测孔中心的晶振片形成电容器，具体包括：
采用四个相同的金属电极板分别放置于所述晶振片的四周，与所述晶振片形成四个电容器。
3.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述实时检测所述电容器的电容值，具体包括：
将形成各所述电容器的金属电极板与晶振片分别通过导线与对应的传感器连接；
通过所述传感器检测所述电容器的电容值。
4.如权利要求3所述的检测方法，其特征在于，所述导线连接至所述晶振片的中心处。
5.如权利要求1-4任一项所述的检测方法，其特征在于，在实时检测所述电容器的电容值之前，还包括：检测各所述电容器的初始电容值；
所述根据检测到的所述电容器的电容值，确定所述晶振片相对于所述检测孔中心的位置是否发生异常，具体包括：
确定本次检测到的所述电容器的电容值与初始电容值之间的差值中是否存在超出设定范围的差值；
若是，则确定所述晶振片相对于所述检测孔中心的位置发生异常；
若否，则确定所述晶振片相对于所述检测孔中心的位置正常。
6.如权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述根据检测到的所述电容器的电容值，确定所述晶振片相对于所述检测孔中心的位置是否发生异常，具体包括：
确定位置相对的两个金属电极板与所述晶振片形成的电容器的电容值之间的差值中是否存在超出设定范围的差值；
若是，则确定所述晶振片相对于所述检测孔中心的位置发生异常；
若否，则确定所述晶振片相对于所述检测孔中心的位置正常。
7.一种蒸镀设备中晶振片位置的检测装置，其特征在于，包括：
至少两个互不平行的金属电极板，所述金属电极板与位于检测孔中心的晶振片形成电容器；
与各所述电容器一一对应的传感器，所述传感器通过导线分别与形成所述电容器的晶振片和金属电极板连接；
以及与各所述传感器连接的处理器，用于根据所述传感器检测到的所述电容器的电容值，确定所述晶振片相对于所述检测孔中心的位置是否发生异常；在确定发生异常时，更换异常的所述晶振片。
8.如权利要求7所述的检测装置，其特征在于，四个相同的金属电极板分别位于所述晶振片的四周，且与所述晶振片形成四个电容器。
9.如权利要求8所述的检测装置，其特征在于，所述导线连接至所述晶振片的中心处。
10.如权利要求7-9任一项所述的检测装置，其特征在于，所述处理器，具体用于检测各所述电容器的初始电容值，确定所述传感器本次检测到的所述电容器的电容值与所述初始电容值之间的差值中是否存在超出设定范围的差值；若是，则确定所述晶振片相对于所述检测孔中心的位置发生异常；若否，则确定所述晶振片相对于所述检测孔中心的位置正常。
11.如权利要求8所述的检测装置，其特征在于，所述处理器，具体用于确定位置相对的两个金属电极板与所述晶振片形成的电容器的电容值之间的差值中是否存在超出设定范围的差值；若是，则确定所述晶振片相对于所述检测孔中心的位置发生异常；若否，则确定所述晶振片相对于所述检测孔中心的位置正常。
12.一种蒸镀设备，其特征在于，包括如权利要求7-11任一项所述的检测装置。
13.一种蒸镀方法，其特征在于，包括：
在进行材料蒸镀的过程中，采用如权利要求1-6任一项所述的晶振片位置的检测方法。
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