CN108878597B - 一种发光二极管外延片及其制造方法 - Google Patents
一种发光二极管外延片及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108878597B CN108878597B CN201810533462.8A CN201810533462A CN108878597B CN 108878597 B CN108878597 B CN 108878597B CN 201810533462 A CN201810533462 A CN 201810533462A CN 108878597 B CN108878597 B CN 108878597B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sublayer
- layer
- concentration
- led epitaxial
- epitaxial slice
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims abstract description 53
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 230000005428 wave function Effects 0.000 abstract description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
- H01L33/325—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen characterised by the doping materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片的有源层包括多个周期交替生长的阱层和垒层，每层阱层均为第一子层和第二子层构成的超晶格结构，第一子层和第二子层均为InGaN层，第一子层中的In的浓度大于第二子层中的In的浓度。每层阱层中In是逐渐掺杂至GaN晶格的，与现有技术中InGaN阱层中的In一次性掺杂至GaN晶格相比，可以减少In掺杂对能带的冲击，从而减小能带的扭曲程度，使得电子波函数和空穴波函数的重叠区域增加，提高电子和空穴的辐射复合发光效率，进而提高了发光二极管的发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管外延片及其制造方法。
背景技术
LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等。
外延片是LED中的主要构成部分，现有的LED外延片包括衬底和依次层叠在衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层和P型层。其中，有源层包括多个周期交替生长的InGaN阱层和垒层，InGaN阱层中In的浓度和生长温度均为一个定值。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
由于InGaN阱层中In的浓度不变，生长温度也不变，相当于In是一次掺杂至GaN晶格中的，则GaN晶格在吸收In的过程中，其能带会受到很大的冲击从而倾斜，导致能带扭曲，能带扭曲会导致InGaN阱层中的电子和空穴的相向对应位置错位，从而导致电子波函数和空穴波函数重叠的区域变少，降低了电子和空穴的辐射复合发光效率，进而降低了发光二极管的发光效率。
发明内容
本发明实施例提供了一种发光二极管外延片及其制造方法，可以提高LED的发光效率。所述技术方案如下：
一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层和P型层，所述有源层包括多个周期交替生长的阱层和垒层，
每层所述阱层均为第一子层和第二子层构成的超晶格结构，所述第一子层和所述第二子层均为InGaN层，所述第一子层中的In的浓度大于所述第二子层中的In的浓度。
进一步地，所述超晶格结构的周期数为M，2≤M≤6。
进一步地，所述第二子层中的In的浓度是所述第一子层中的In的浓度的a倍，0.5≤a＜1。
进一步地，同一所述阱层中，所述第一子层与所述第二子层中的In的浓度差相等。
进一步地，所述第一子层中的In的浓度范围为2×1020～3×1020cm-3，所述第二子层中的In的浓度范围为1×1020～2×1020cm-3。
进一步地，同一所述阱层中，所述第一子层的厚度与所述第二子层的厚度相等。
进一步地，所述第一子层的厚度和所述第二子层的厚度均为1～1.5nm。
另一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管外延片的制造方法，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层；
在所述N型层上生长有源层，所述有源层包括多个周期交替生长的阱层和垒层，每层所述阱层均为第一子层和第二子层构成的超晶格结构，所述第一子层和所述第二子层均为InGaN层，所述第一子层中的In的浓度大于所述第二子层中的In的浓度；
在所述有源层上依次生长电子阻挡层和P型层。
进一步地，同一所述阱层中，所述第一子层的生长温度与所述第二子层的生长温度的差值相等。
进一步地，所述第一子层的生长温度比所述第二子层的生长温度高10～50℃。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
有源层中的每层阱层均为第一子层和第二子层构成的超晶格结构，第一子层和第二子层均为InGaN层，第一子层中的In的浓度大于第二子层中的In的浓度，每层阱层形成“波浪阱”结构，即每层阱层中其In的浓度高低变化，相当于In是逐渐掺杂至GaN晶格的，与现有技术中InGaN阱层中的In一次性掺杂至GaN晶格相比，可以减少In掺杂对能带的冲击，从而减小能带的扭曲程度，使得电子波函数和空穴波函数的重叠区域增加，提高电子和空穴的辐射复合发光效率，进而提高了发光二极管的发光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的制造方法的方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
实施例一
本发明实施例提供了一种发光二极管外延片，图1是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的结构示意图，如图1所示，发光二极管外延片包括衬底1、以及依次层叠在衬底1上的缓冲层2、未掺杂的GaN层3、N型层4、有源层5、电子阻挡层6和P型层7，有源层5包括多个周期交替生长的阱层51和垒层52。
每层阱层51均为第一子层511和第二子层512构成的超晶格结构，第一子层511和第二子层512均为InGaN层，第一子层511中的In的浓度大于第二子层512中的In的浓度。
本发明实施例有源层中的每层阱层均为第一子层和第二子层构成的超晶格结构，第一子层和第二子层均为InGaN层，第一子层中的In的浓度大于第二子层中的In的浓度，每层阱层形成“波浪阱”结构，即每层阱层中其In的浓度高低变化，相当于In是逐渐掺杂至GaN晶格的，与现有技术中InGaN阱层中的In一次性掺杂至GaN晶格相比，可以减少In掺杂对能带的冲击，从而减小能带的扭曲程度，使得电子波函数和空穴波函数的重叠区域增加，提高电子和空穴的辐射复合发光效率，进而提高了发光二极管的发光效率。
需要说明的是，在本实施例的一种实现方式中，第一子层511接触N型层4。在本发明实施例的第二种实现方式中，第二子层512接触N型层4。第一子层511和第二子层512的层数相等。
进一步地，超晶格结构的周期数为M，2≤M≤6。若M小于2，则每层InGaN阱层无法形成In浓度高-低-高-低循环生长的“波浪阱”，从而减小能带的扭曲程度，若M大于6，则会因为In掺杂较多而影响有源层的整体的晶体质量。
优选地，4≤M≤6。此时有源层既可形成“波浪阱”，减小能带的扭曲程度，又能保证有源层整体的晶体质量较好。
进一步地，第二子层512中的In的浓度是第一子层511中的In的浓度的a倍，0.5≤a＜1。若第二子层512中In的浓度低于第一子层511中的In的浓度0.5倍，会因为第一子层511和第二子层512中In的浓度相差较小而无法形成In浓度高-低-高-低循环生长的“波浪阱”。若第二子层512中In的浓度高于第一子层511中的In的浓度1倍，可能会因为In含量相差较大从而导致In掺杂量多影响有源层整体的晶体质量。
优选地，第二子层512中的In的浓度是第一子层511中的In的浓度的b倍，0.8≤b＜1。此时有源层既可形成“波浪阱”，减小能带的扭曲程度，又能保证有源层整体的晶体质量较好。
进一步地，同一阱层中，第一子层511与第二子层512中的In的浓度差相等，可以保证同一阱层的发光模型和颜色是稳定的，同时也便于实际生长过程中对In含量的控制。
可选地，第一子层511中的In的浓度范围为2×1020～3×1020cm-3，第二子层512中的In的浓度范围为1×1020～2×1020cm-3。
进一步地，同一阱层中，第一子层511的厚度与第二子层512的厚度相等，以便于控制第一子层511和第二子层512的生长。
可选地，第一子层511的厚度和第二子层512的厚度均为1～1.5nm。
在本发明实施例的一种具体实现方式中，可以通过控制阱层中In的掺杂量来控制阱层中的In的浓度。
在本发明实施例的另一种具体实现方式中，还可以通过控制阱层的生长温度来控制阱层中的In的浓度。
具体地，同一阱层中，第一子层511的生长温度与第二子层512的生长温度的差值相等，可以保证同一阱层的发光模型和颜色是稳定的，同时也便于实际生长过程中对In含量的控制。
可选地，第一子层511的生长温度比第二子层512的生长温度高10～50℃。若第一子层511的生长温度与第二子层512的生长温度的差值低于10℃，就起不到由于通过温差控制In的浓度的效果。若第一子层511的生长温度与第二子层512的生长温度的差值高于50℃，又会因为温差较大从而影响到有源层的晶体质量。
具体地，在本实施例中，第一子层511的生长温度可以为710～800℃，第二子层512的生长温度可以为700～750℃。
在本实施例中，衬底1可以为蓝宝石衬底，低温缓冲层2和高温缓冲层3可以为GaN层，N型层4可以为掺Si的GaN层，电子阻挡层6可以为掺Al、掺Mg的AlxGa1-xN层(0.15≤x≤0.25)，P型层7可以为高温高掺杂Mg的GaN层。
实施例二
本发明实施例提供了一种发光二极管外延片的制造方法，用于制造实施例一提供的发光二极管外延片，图2是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的制造方法的方法流程图，如图2所示，该制造方法包括：
步骤201、提供一衬底。
可选地，衬底为蓝宝石。
具体地，该步骤201包括：
在氢气气氛下，高温处理衬底5～6min。其中，反应室温度为1000～1100℃，反应室压力控制在200～500torr。
步骤202、在衬底上生长低温缓冲层。
在本实施例中，可以采用Veeco K465i or C4MOCVD(Metal Organic ChemicalVapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备实现LED的生长方法。采用高纯H2(氢气)或高纯N2(氮气)或高纯H2和高纯N2的混合气体作为载气，高纯NH3作为N源，三甲基镓(TMGa)及三乙基镓(TEGa)作为镓源，三甲基铟(TMIn)作为铟源，硅烷(SiH4)作为N型掺杂剂，三甲基铝(TMAl)作为铝源，二茂镁(CP2Mg)作为P型掺杂剂。反应室压力为100-600torr。
具体地，低温缓冲层生长在蓝宝石衬底的[0001]面上。
在本实施例中，低温缓冲层为GaN层，厚度为15～30nm，生长温度为530-560℃，反应室压力控制在200～500torr。
步骤203、在低温缓冲层上生长高温缓冲层。
在本实施例中，高温缓冲层为不掺杂的GaN层，厚度为2～3.5um，生长高温缓冲层时，反应室温度为1000～1100℃，反应室压力控制在200～600torr。
步骤204、在高温缓冲层上生长N型层。
在本实施例中，N型层为掺Si的GaN层，厚度为2～3um。生长N型层时，反应室温度为1000～1100℃，反应室压力控制在200～300torr。。
步骤205、在N型层上生长有源层。
在本实施例中，有源层包括N个周期交替生长的InGaN阱层和GaN垒层，6≤N≤12。
每层阱层均为第一子层和第二子层构成的超晶格结构，第一子层和第二子层均为InGaN层，第一子层与N型层接触，第一子层中的In的浓度大于第二子层中的In的浓度。
进一步地，超晶格结构的周期数为M，2≤M≤6。若M小于2，则每层InGaN阱层无法形成In浓度高-低-高-低循环生长的“波浪阱”，从而减小能带的扭曲程度，若M大于6，则会因为In掺杂较多而影响有源层的整体的晶体质量。
优选地，4≤M≤6。此时有源层既可形成“波浪阱”，减小能带的扭曲程度，又能保证有源层整体的晶体质量较好。
进一步地，第二子层中的In的浓度是第一子层中的In的浓度的a倍，0.5≤a＜1。若第二子层中In的浓度低于第一子层中的In的浓度0.5倍，会因为第一子层和第二子层In含量相差较小而无法形成In浓度高-低-高-低循环生长的“波浪阱”。若第二子层中In的浓度高于第一子层中的In的浓度1倍，可能会因为In含量相差较大从而导致In掺杂量多影响有源层整体的晶体质量。
优选地，第二子层中的In的浓度是第一子层中的In的浓度的b倍，0.8≤b＜1。此时有源层既可形成“波浪阱”，减小能带的扭曲程度，又能保证有源层整体的晶体质量较好。
进一步地，同一阱层中，第一子层与第二子层中的In的浓度差相等，可以保证同一阱层的发光模型和颜色是稳定的，同时也便于实际生长过程中对In含量的控制。
可选地，第一子层中的In的浓度范围为2×1020～3×1020cm-3，第二子层中的In的浓度范围为1×1020～2×1020cm-3。
进一步地，同一阱层中，第一子层的厚度与第二子层的厚度相等，以便于控制第一子层和第二子层的生长。
可选地，第一子层的厚度和第二子层的厚度均为1～1.5nm。
具体地，同一阱层中，第一子层的生长温度与第二子层的生长温度的差值相等，可以保证同一阱层的发光模型和颜色是稳定的，同时也便于实际生长过程中对In含量的控制。
可选地，第一子层的生长温度比第二子层的生长温度高10～50℃。若第一子层的生长温度与第二子层的生长温度的差值低于10℃，就起不到由于通过温差控制In的浓度的效果。若第一子层的生长温度与第二子层的生长温度的差值高于50℃，又会因为温差较大从而影响到有源层的晶体质量。
具体地，在本实施例中，第一子层的生长温度可以为710～800℃，第二子层的生长温度可以为700～750℃，第一子层和第二子层的生长压力均为200torr。
进一步地，步骤205还包括：
在生长温度为850℃～950℃，生长压力为200torr的环境下，生长GaN垒层。
可选地，每层GaN垒层的厚度为8～11nm。
步骤206、在有源层上生长电子阻挡层。
可选地，电子阻挡层为掺Al、掺Mg的AlxGa1-xN层(0.15≤x≤0.25)，电子阻挡层的厚度为30～50nm。
具体地，生长电子阻挡层时，反应室温度为930-970℃，反应室压力控制在100torr。
步骤207、在电子阻挡层上生长P型层。
可选地，P型层为高温高掺杂Mg的GaN层，厚度为50～80nm。
具体地，生长P型层时，反应室温度为940～980℃，反应室压力控制在200～600torr。
在上述步骤完成之后，将反应室的温度降至600～850℃，在氮气气氛进行退火处理5～15min，而后逐渐降至室温，结束发光二极管的外延生长。
以上仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层和P型层，所述有源层包括多个周期交替生长的阱层和垒层，其特征在于，
每层所述阱层均为第一子层和第二子层构成的超晶格结构，所述第一子层和所述第二子层均为InGaN层，所述第一子层中的In的浓度大于所述第二子层中的In的浓度。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述超晶格结构的周期数为M，2≤M≤6。
3.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层中的In的浓度是所述第一子层中的In的浓度的a倍，0.5≤a＜1。
4.根据权利要求3所述的发光二极管外延片，其特征在于，同一所述阱层中，所述第一子层与所述第二子层中的In的浓度差相等。
5.根据权利要求3所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层中的In的浓度范围为2×1020～3×1020cm-3，所述第二子层中的In的浓度范围为1×1020～2×1020cm-3。
6.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，同一所述阱层中，所述第一子层的厚度与所述第二子层的厚度相等。
7.根据权利要求6所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层的厚度和所述第二子层的厚度均为1～1.5nm。
8.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层；
在所述N型层上生长有源层，所述有源层包括多个周期交替生长的阱层和垒层，每层所述阱层均为第一子层和第二子层构成的超晶格结构，所述第一子层和所述第二子层均为InGaN层，所述第一子层中的In的浓度大于所述第二子层中的In的浓度；
在所述有源层上依次生长电子阻挡层和P型层。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，同一所述阱层中，所述第一子层的生长温度与所述第二子层的生长温度的差值相等。
10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述第一子层的生长温度比所述第二子层的生长温度高10～50℃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810533462.8A CN108878597B (zh) | 2018-05-29 | 2018-05-29 | 一种发光二极管外延片及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810533462.8A CN108878597B (zh) | 2018-05-29 | 2018-05-29 | 一种发光二极管外延片及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108878597A CN108878597A (zh) | 2018-11-23 |
| CN108878597B true CN108878597B (zh) | 2019-10-08 |
Family
ID=64336650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810533462.8A Active CN108878597B (zh) | 2018-05-29 | 2018-05-29 | 一种发光二极管外延片及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108878597B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111525004A (zh) * | 2020-05-09 | 2020-08-11 | 圆融光电科技股份有限公司 | 量子阱发光结构、GaN基绿光发光二极管及生长方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113270525A (zh) * | 2021-04-30 | 2021-08-17 | 广东德力光电有限公司 | 一种绿光外延结构的制备方法 |
| CN115050866B (zh) * | 2022-08-16 | 2022-11-08 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 | 极化可控的量子点Micro-LED同质外延结构及其制备方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014183285A (ja) * | 2013-03-21 | 2014-09-29 | Stanley Electric Co Ltd | 発光素子 |
| CN103633210A (zh) * | 2013-12-06 | 2014-03-12 | 苏州新纳晶光电有限公司 | Led外延片及其应用 |
| KR20150085950A (ko) * | 2014-01-17 | 2015-07-27 | 광주과학기술원 | 다중양자우물 구조 활성층을 포함하는 발광다이오드 및 이의 제조방법 |
| CN103985798B (zh) * | 2014-05-16 | 2018-11-30 | 广东德力光电有限公司 | 一种具有新型量子阱结构的led及其制作方法 |
| CN104064644B (zh) * | 2014-06-30 | 2016-08-31 | 湘能华磊光电股份有限公司 | Led的量子阱结构、其制作方法及包括其的led外延片 |
| CN104091870B (zh) * | 2014-07-30 | 2017-06-09 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 带量子阱垒层的led外延片的生长方法 |
| CN204257685U (zh) * | 2014-12-24 | 2015-04-08 | 冠铨（山东）光电科技有限公司 | 一种生长在蓝宝石衬底上的InGaN/GaN多量子阱结构 |
| CN104810445B (zh) * | 2015-03-30 | 2017-05-24 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管的外延片及其制备方法 |
| CN105206726A (zh) * | 2015-08-28 | 2015-12-30 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种led结构及其生长方法 |
| CN105609601B (zh) * | 2016-02-23 | 2018-05-22 | 华灿光电股份有限公司 | 具有新型量子阱的发光二极管外延片及其制备方法 |
| CN106057995B (zh) * | 2016-05-31 | 2018-10-09 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制造方法 |
| CN106098883B (zh) * | 2016-06-27 | 2018-04-13 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种量子阱结构、一种led外延结构及其生长方法 |
-
2018
- 2018-05-29 CN CN201810533462.8A patent/CN108878597B/zh active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111525004A (zh) * | 2020-05-09 | 2020-08-11 | 圆融光电科技股份有限公司 | 量子阱发光结构、GaN基绿光发光二极管及生长方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108878597A (zh) | 2018-11-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108198921B (zh) | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN109980056A (zh) | 氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN109119515B (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN109950368A (zh) | 氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN109216519A (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN102881788A (zh) | 一种改善GaN基LED量子阱结构提高载子复合效率的外延生长方法 | |
| CN109671814A (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN108649109A (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN108878597B (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN109545924A (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN109920896A (zh) | 氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN112951963B (zh) | 发光二极管外延片及其制备方法 | |
| CN109192825A (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN109768133A (zh) | 氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN109473514A (zh) | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN109449264A (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN107068824B (zh) | 一种发光二极管的外延片及其制造方法 | |
| CN112366256A (zh) | 发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN113161453B (zh) | 发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN108281519B (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN109786526A (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN109301041A (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN116454184B (zh) | 一种高光效led外延片及其制备方法、led | |
| CN108550676A (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN109473520A (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |