CN108842991A - 防滑砖及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种防滑砖,防滑砖包括坯体、底釉层、面釉层和防滑釉层;底釉层设置在坯体和面釉层之间,面釉层设置在底釉层和防滑釉层之间;底釉层使用的底釉包括底釉添加剂;底釉添加剂为C5树脂溶液,C5树脂溶液是溶质为C5树脂、溶剂为环己烷、质量浓度为5‑8%的溶液;面釉层使用的面釉包括面釉添加剂,面釉添加剂为氧化钇;防滑釉层使用的防滑釉包括防滑釉添加剂,防滑釉添加剂为氯化钠;防滑釉层的厚度为0.5‑2mm。一种防滑砖的制备方法,包括以下步骤:坯体成型,淋底釉,淋面釉,喷墨印花,喷防滑釉,烧制,后处理得到成品。本发明公开的防滑砖及其制备方法,获得的防滑砖防滑性能好,抗折强度高,抗热震性能好。
Description
技术领域
本发明涉及化学领域,具体而言,涉及一种防滑砖及其制备方法。
背景技术
随着人们生活水平的提高,对于建筑内在装饰的要求也越来越高。地砖作为常见的装饰建筑材料,被人们赋予更多的功能,而随着滑倒摔伤事件的频发,人们越来越关注地砖的防滑性能。
现有技术中有一些防滑地砖的方案,但大多存在防滑性能提升的同时,装饰性、抗折性能、抗热震性能下降的缺陷,尤其是在薄层防滑层产品中更为突出。如何在保证防滑性能的同时兼顾其他性能的稳定,成为亟待解决的问题。
有鉴于此,特提出本发明。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种防滑砖,所述防滑砖具有防滑性能好,结构稳定性强,装饰性、抗热震性能和抗折性能佳等优点。
本发明的第二目的在于提供一种所述防滑砖的制备方法,通过所述方法制得的防滑砖可以获得以上优点。
为了实现本发明的上述目的,特采用以下技术方案:
一种防滑砖,包括坯体、底釉层、面釉层和防滑釉层,所述底釉层设置在所述坯体和所述面釉层之间,所述面釉层设置在所述底釉层和所述防滑釉层之间;
所述底釉层使用的底釉包括底釉添加剂;所述底釉添加剂为C5树脂溶液,所述C5树脂溶液是溶质为C5树脂、溶剂为环己烷、质量浓度为5-8%的溶液;所述C5树脂溶液占所述底釉总质量的1-3%;
所述面釉层使用的面釉包括面釉添加剂,所述面釉添加剂为氧化钇;所述氧化钇占所述面釉总质量的0.1-0.5%;
所述防滑釉层使用的防滑釉包括防滑釉添加剂,所述防滑釉添加剂为氯化钠;所述氯化钠占所述防滑釉总质量的1-3%;
所述防滑釉层的厚度为0.5-2mm。
底釉添加剂、面釉添加剂、防滑釉添加剂的使用,不仅仅使各层自身的微观结构发生变化、提高相应的强度,而且在各层的结合面之间发挥作用,提高各层之间的结合度,从而整体上改善结构强度、抗折强度、防滑性能和抗热震性能等方面的防滑砖性能。
优选地,所述底釉还包括底釉原料和底釉熔块,所述底釉原料以质量百分比计,包括:大理石8-10%、石英6-8%、氧化硼10-12%,硅酸锆10-12%,中铝粉6-8%、钠长石23-24%、高岭土8-10%、脱硅铝粉3-5%、方解石3-5%、白云石10-11%;所述底釉熔块以质量百分比计,包括:SiO2 65%,Al2O3 10.5%,CaO 10.25%,MgO 5.25%,K2O 2%,Na2O 7%。
更加优选地,所述底釉的釉浆的细度为300目筛余为0.5-0.8%。
优化底釉和底釉熔块的成分和用量,控制釉浆的筛余,可以更好地优化底釉层的性能。其中大理石的添加主要是为了改变底釉的整体成分分布,加强底釉的稳定性。而底釉熔块的使用,可以有效改善底釉的微观构成,优化各项性能。
优选地,所述面釉还包括面釉原料和面釉熔块;所述面釉原料以质量百分比计包括:SiO258-60%、Al2O315-16%、Fe2O30.2-0.3%、TiO20.02-0.05%、CaO8-10%、NiO0.1-0.5%、K2O4-8%、Li2O0.1-0.5%、ZnO8-9%、BaO1-1.5%;所述面釉熔块以质量百分比计,包括:SiO2 50%,Al2O3 19%,CaO 8%,MgO 5%,K2O 2%,Na2O 7%,B2O39%。
进一步优选地,所述面釉的釉浆的细度为200目筛余为0.3-0.5%。
优化面釉和面釉熔块的成分和用量,控制釉浆的筛余,可以更好地优化面釉层的性能。其中,高含量的氧化硅以及氧化钛、氧化锂的使用,优化了烧制过程中各个组分粒子之间的包裹情况和相互作用,进一步提高了面釉层的强度,优化了与底釉层、防滑釉层的结合,同时保证了印花的稳定性。
优选地,所述防滑釉还包括防滑釉原料和防滑釉熔块,所述防滑釉原料以质量百分比计包括:SiO248-50%、Al2O315-16%、Fe2O30.2-0.3%、TiO20.02-0.05%、CaO8-10%、MgO7-8%、K2O4-5%、Na2O4-6%、ZnO8-9%、BaO1-1.5%;
所述防滑釉熔块包括干粒A、干粒B和干粒C,所述干粒A、所述干粒B和所述干粒C的粒径为120-250目;
所述干粒A以质量百分比计包括:SiO251-53%、Al2O318-20%、Fe2O30.08-0.10%、CaO10-11%、MgO3-4%、K2O5-6%、Na2O5-6%、ZnO3-4%、La2O30.15-0.20%;
所述干粒B以质量百分比计包括:SiO254-56%、Al2O315-17%、Fe2O30.05-0.10%、CaO8-9%、MgO2-3%、K2O7-8%、Na2O7-8%、ZnO2-3%、Ce2O30.20-0.25%;
所述干粒C以质量百分比计包括:SiO250-52%、Al2O323-24%、Fe2O30.05-0.06%、CaO13-14%、MgO3-4%、K2O3-3.5%、Na2O2.5-3%、ZnO2-2.5%、Pr6O110.30-0.35%。
进一步优选地,所述防滑釉的釉浆的细度为325目筛余为0.1-0.25%。
防滑釉成分优化是与防滑釉熔块成分相协调的,烧制过程中一部分物料完全熔融、一分部物料部分熔融,形成适当的包裹和合理的结构;干粒的粒度控制是为了让三种干粒之间、干粒和防滑釉原料之间的物料分布更加合理。筛余的控制也是为了获得性能更加优化的微观结构。
一种所述防滑砖的制备方法,包括以下步骤:
A.坯体成型,进行第一次干燥处理,然后在所述坯体的表面淋底釉得到所述底釉层,并进行第二次干燥处理;再在所述底釉层的表面淋面釉得到所述面釉层,然后进行喷墨印花,并进行第三次干燥处理;
B.喷防滑釉,得到所述防滑釉层,并进行第四次干燥处理,得到预备烧制砖体;
C.将所述预备烧制砖体放入窑炉进行第一次烧制,经过第一次程序升温至900℃烧制;然后进行第一次程序降温,降至150℃后,放入窑炉进行第二次烧制,经过第二次程序升温至1250℃烧制;
D.然后进行第二次程序降温,降至150℃后,放入含有二氧化碳的氩气氛围内冷却至常温,得到半成品,所述半成品经后处理得到成品。
优选地,所述第一次程序升温为:先升至200℃,维持30min,再升至500℃,维持30min,然后升至900℃,维持120min;所述第二次程序升温为:第一阶段升至200℃,维持5min,第二阶段升至600℃,维持20min,第三阶段升至1200℃,维持45min。
更加优选地,所述第一次程序降温为:先降至800℃,维持60min,然后降至700℃,维持60min,再降至600℃,维持30min,最后在60min-80min内降至150℃;所述第二次程序降温为:先降至1000℃,维持60min,然后降至800℃,维持60min,再降至550℃,维持30min,最后在40min-60min内降至150℃。
程序升温、程序降温以及二次烧制工艺的使用,可以提升防滑砖的结构性能;最后放在二氧化碳的氩气氛围内冷却,是为了表面的微量氧化镧与二氧化碳作用,同时氩气环境保证冷却过程中表面变化的稳定性。
与现有技术相比,本发明的有益效果为:
(1)通过优化各层的成分和用量,尤其是各层添加剂的使用,使得防滑砖具有防滑性能好,结构稳定性强,装饰性、抗热震性能和抗折性能佳等优点;(2)通过多次干燥、程序升温-程序降温-再程序升温-程序降温的方法,可以有效释放砖体内部烧制过程中产生的应力,提高各层之间的结合强度,从而达到提高整体结构强度,提升抗折强度、抗热震性能的目的;
(3)在面釉层加入稀土金属氧化物,改善微观结构,提高强度;通过在特定环境下冷却至室温改变表面结构,使得防滑性能,同时光洁度等装饰性能也能够得到保证。
具体实施方式
下面将结合实施例对本发明的实施方案进行详细描述,但是本领域技术人员将会理解,下列实施例仅用于说明本发明,而不应视为限制本发明的范围。实施例中未注明具体条件者,按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可以通过市售购买获得的常规产品。
若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述,则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本发明要求的保护范围之内。
实施例1
一种防滑砖,包括坯体、底釉层、面釉层和防滑釉层,底釉层设置在坯体和面釉层之间,面釉层设置在底釉层和防滑釉层之间;
底釉层使用的底釉包括底釉原料、底釉熔块和底釉添加剂,底釉的釉浆的细度为300目筛余为0.5%;底釉原料以质量百分比计,包括:大理石8%、石英8%、氧化硼11%,硅酸锆12%,中铝粉8%、钠长石24%、高岭土10%、脱硅铝粉4%、方解石5%、白云石10%;底釉熔块以质量百分比计,包括:SiO2 65%,Al2O3 10.5%,CaO 10.25%,MgO 5.25%,K2O2%,Na2O 7%;底釉添加剂为C5树脂溶液,C5树脂溶液是溶质为C5树脂、溶剂为环己烷、质量浓度为5%的溶液;C5树脂溶液占底釉总质量的1%;底釉原料与底釉熔块的质量比为10:1。
面釉层使用的面釉包括面釉原料、面釉熔块和面釉添加剂,面釉的釉浆的细度为200目筛余为0.5%;面釉原料以质量百分比计包括:SiO260%、Al2O315%、Fe2O30.3%、TiO20.02%、CaO8.98%、NiO0.1%、K2O5%、Li2O0.1%、ZnO9%、BaO1.5%;面釉熔块以质量百分比计,包括:SiO2 50%,Al2O3 19%,CaO 8%,MgO 5%,K2O 2%,Na2O 7%,B2O39%;面釉添加剂为氧化钇,氧化钇占面釉总质量的0.5%;面釉原料与面釉熔块的质量比为15:1;
防滑釉层使用的防滑釉包括防滑釉原料、防滑釉熔块和防滑釉添加剂,防滑釉的釉浆的细度为325目筛余为0.1%;防滑釉原料以质量百分比计包括:SiO248%、Al2O316%、Fe2O30.2%、TiO20.05%、CaO8%、MgO8%、K2O4.25%、Na2O6%、ZnO8%、BaO1.5%;防滑釉熔块包括干粒A、干粒B和干粒C,干粒A、干粒B和干粒C的粒径为120目;干粒A以质量分数计包括:SiO252.5%、Al2O318.5%、Fe2O30.09%、CaO11%、MgO3.5%、K2O5.5%、Na2O5.74%、ZnO3%、La2O30.17%;干粒B以质量分数计包括:SiO255.5%、Al2O315%、Fe2O30.08%、CaO8.59%、MgO2.5%、K2O7.3%、Na2O8%、ZnO2.8%、Ce2O30.23%;干粒C以质量分数计包括:SiO251.5%、Al2O323.4%、Fe2O30.05%、CaO13%、MgO3.5%、K2O3.1%、Na2O2.6%、ZnO2.5%、Pr6O110.35%;防滑釉添加剂为氯化钠,氯化钠占防滑釉总质量的1%;防滑釉层的厚度为0.5mm。防滑釉原料与防滑釉熔块的质量比为20:1。
按照以下方法进行防滑砖制造:
第一步,进行坯体成型,经过第一次干燥处理,然后在坯体的表面淋底釉得到底釉层,并进行第二次干燥处理;再在底釉层的表面淋面釉得到面釉层,然后进行喷墨印花,并进行第三次干燥处理;
第二步,喷防滑釉,得到防滑釉层,并进行第四次干燥处理,得到预备烧制砖体;
第三步,将预备烧制砖体放入窑炉进行第一次烧制,经过第一次程序升温至900℃烧制,第一次程序升温为:先升至200℃,维持30min,再升至500℃,维持30min,然后升至900℃,维持120min;;然后进行第一次程序降温,第一次程序降温为:先降至800℃,维持60min,然后降至700℃,维持60min,再降至600℃,维持30min,最后在60min-80min内降至150℃;然后放入窑炉进行第二次烧制,经过第二次程序升温至1250℃烧制,第二次程序升温为:第一阶段升至200℃,维持5min,第二阶段升至600℃,维持20min,第三阶段升至1200℃,维持45min;
第四步,进行第二次程序降温,第二次程序降温为:先降至1000℃,维持60min,然后降至800℃,维持60min,再降至550℃,维持30min,最后在40min-60min内降至150℃;然后放入含有二氧化碳的氩气氛围内冷却至常温,得到半成品,半成品经后处理得到成品。
实施例2
一种防滑砖,包括坯体、底釉层、面釉层和防滑釉层,底釉层设置在坯体和面釉层之间,面釉层设置在底釉层和防滑釉层之间;
底釉层使用的底釉包括底釉原料、底釉熔块和底釉添加剂,底釉的釉浆的细度为300目筛余为0.8%;底釉原料以质量百分比计,包括:大理石9.5%、石英6%、氧化硼12%,硅酸锆11%,中铝粉8%、钠长石23%、高岭土10%、脱硅铝粉5%、方解石5%、白云石10.5%;底釉熔块成分同实施例1;底釉添加剂为C5树脂溶液,C5树脂溶液是溶质为C5树脂、溶剂为环己烷、质量浓度为8%的溶液;C5树脂溶液占底釉总质量的3%;底釉原料与底釉熔块的质量比为15:1;
面釉层使用的面釉包括面釉原料、面釉熔块和面釉添加剂,面釉的釉浆的细度为200目筛余为0.5%;面釉原料以质量百分比计包括:SiO258.75%、Al2O316%、Fe2O30.2%、TiO20.05%、CaO10%、NiO0.5%、K2O4%、Li2O0.5%、ZnO9%、BaO1%;面釉熔块成分同实施例1;面釉添加剂为氧化钇,氧化钇占面釉总质量的0.1%;面釉原料与面釉熔块的质量比为20:1;
防滑釉层使用的防滑釉包括防滑釉原料、防滑釉熔块和防滑釉添加剂,防滑釉的釉浆的细度为325目筛余为0.25%;防滑釉原料以质量百分比计包括:SiO248%、Al2O315.68%、Fe2O30.3%、TiO20.02%、CaO10%、MgO7%、K2O5%、Na2O6%、ZnO9%、BaO1%;防滑釉熔块包括干粒A、干粒B和干粒C,干粒A、干粒B和干粒C的粒径为250目;干粒A以质量分数计包括:SiO251%、Al2O320%、Fe2O30.1%、CaO10.7%、MgO4%、K2O5%、Na2O5%、ZnO4%、La2O30.2%;干粒B以质量分数计包括:SiO256%、Al2O315.7%、Fe2O30.1%、CaO9%、MgO3%、K2O7%、Na2O7%、ZnO2%、Ce2O30.2%;干粒C以质量分数计包括:SiO252%、Al2O324%、Fe2O30.05%、CaO13.15%、MgO3%、K2O3%、Na2O2.5%、ZnO2%、Pr6O110.3%;防滑釉添加剂为氯化钠,氯化钠占防滑釉总质量的3%;防滑釉层的厚度为2mm;防滑釉原料与防滑釉熔块的质量比为10:1。
制备方法同实施例1。
实施例3
一种防滑砖,包括坯体、底釉层、面釉层和防滑釉层,底釉层设置在坯体和面釉层之间,面釉层设置在底釉层和防滑釉层之间;
底釉层使用的底釉包括底釉原料、底釉熔块和底釉添加剂,底釉的釉浆的细度为300目筛余为0.6%;底釉原料以质量百分比计,包括:大理石10%、石英8%、氧化硼12%,硅酸锆10%,中铝粉7.5%、钠长石23.5%、高岭土9.5%、脱硅铝粉3%、方解石4.5%、白云石11%;底釉熔块成分同实施例1;底釉添加剂为C5树脂溶液,C5树脂溶液是溶质为C5树脂、溶剂为环己烷、质量浓度为7%的溶液;C5树脂溶液占底釉总质量的2%;底釉原料与底釉熔块的质量比为20:1;
面釉层使用的面釉包括面釉原料、面釉熔块和面釉添加剂,面釉的釉浆的细度为200目筛余为0.4%;面釉原料以质量百分比计包括:SiO258%、Al2O315.5%、Fe2O30.25%、TiO20.03%、CaO8%、NiO0.3%、K2O8%、Li2O0.3%、ZnO8.5%、BaO1.12%;面釉熔块成分同实施例1;面釉添加剂为氧化钇,氧化钇占面釉总质量的0.3%;面釉原料与面釉熔块的质量比为10:1;
防滑釉层使用的防滑釉包括防滑釉原料、防滑釉熔块和防滑釉添加剂,防滑釉的釉浆的细度为325目筛余为0.2%;防滑釉原料以质量百分比计包括:SiO249.5%、Al2O315%、Fe2O30.27%、TiO20.03%、CaO9.4%、MgO7.5%、K2O4%、Na2O5%、ZnO8.5%、BaO1.3%;防滑釉熔块包括干粒A、干粒B和干粒C,干粒A、干粒B和干粒C的粒径为200目;干粒A以质量分数计包括:SiO253%、Al2O318%、Fe2O30.08%、CaO10%、MgO3%、K2O6%、Na2O6%、ZnO3.77%、La2O30.15%;干粒B以质量分数计包括:SiO254%、Al2O317%、Fe2O30.05%、CaO8%、MgO2%、K2O8%、Na2O7.7%、ZnO3%、Ce2O30.25%;干粒C以质量分数计包括:SiO250%、Al2O323%、Fe2O30.06%、CaO14%、MgO4%、K2O3.5%、Na2O3%、ZnO2.1%、Pr6O110.34%;防滑釉添加剂为氯化钠,氯化钠占防滑釉总质量的2%;防滑釉层的厚度为1mm。防滑釉原料与防滑釉熔块的质量比为15:1。
制备方法同实施例1。
需要特别说明的是,底釉、面釉和防滑釉中还含有必要的水,水的用量可根据实际需要进行调整。
比较例1
与实施例1相比,其区别在于,不添加底釉添加剂、面釉添加剂和防滑釉添加剂。
比较例2
与实施例2相比,其区别在于,底釉原料不含大理石和氧化硼。
比较例3
与实施例3相比,其区别在于,面釉原料不含氧化钛、氧化镍和氧化锂。
比较例4
与实施例1相比,其区别在于,干粒A不含La2O3、干粒B不含Ce2O3,干粒C不含Pr6O11。
比较例5
与实施例1相比,其区别在于,制造时不进行程序升温和程序降温,在大气环境中冷却至室温。
实施例1-3、比较例1-5制得的成品防滑砖,进行性能测试,结果见下表1所示。
表1 性能测试结果
有上表可知,底釉成分、面釉成分以及添加剂的使用对防滑砖的结构强度有较大影响,防滑釉的成分尤其是熔块的成分对于防滑砖的防滑性能有较大影响;制造工艺对于防滑砖的结构强度和防滑性能均有有较大影响。使用本申请提供的防滑砖配方及制造方法,能够改变多层结构之间的相互作用状态,改变微观结构和表面微结构,优化产品结构强度和防滑性能。
对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。尽管已用具体实施例来说明和描述了本发明,然而应意识到,在不背离本发明的精神和范围的情况下可以作出许多其它的更改和修改。因此,这意味着在所附权利要求中包括属于本发明范围内的所有这些变化和修改。
Claims (10)
1.一种防滑砖,其特征在于,包括坯体、底釉层、面釉层和防滑釉层,所述底釉层设置在所述坯体和所述面釉层之间,所述面釉层设置在所述底釉层和所述防滑釉层之间;
所述底釉层使用的底釉包括底釉添加剂;所述底釉添加剂为C5树脂溶液,所述C5树脂溶液是溶质为C5树脂、溶剂为环己烷、质量浓度为5-8%的溶液;所述C5树脂溶液占所述底釉总质量的1-3%;
所述面釉层使用的面釉包括面釉添加剂,所述面釉添加剂为氧化钇;所述氧化钇占所述面釉总质量的0.1-0.5%;
所述防滑釉层使用的防滑釉包括防滑釉添加剂,所述防滑釉添加剂为氯化钠;所述氯化钠占所述防滑釉总质量的1-3%;
所述防滑釉层的厚度为0.5-2mm。
2.根据权利要求1所述的防滑砖,其特征在于,所述底釉还包括底釉原料和底釉熔块,所述底釉原料以质量百分比计,包括:大理石8-10%、石英6-8%、氧化硼10-12%,硅酸锆10-12%,中铝粉6-8%、钠长石23-24%、高岭土8-10%、脱硅铝粉3-5%、方解石3-5%、白云石10-11%;所述底釉熔块以质量百分比计,包括:SiO2 65%,Al2O3 10.5%,CaO 10.25%,MgO 5.25%,K2O 2%,Na2O 7%。
3.根据权利要求2所述的防滑砖,其特征在于,所述底釉的釉浆的细度为300目筛余为0.5-0.8%。
4.根据权利要求1所述的防滑砖,其特征在于,所述面釉还包括面釉原料和面釉熔块;所述面釉原料以质量百分比计包括:SiO258-60%、Al2O315-16%、Fe2O30.2-0.3%、TiO20.02-0.05%、CaO8-10%、NiO0.1-0.5%、K2O4-8%、Li2O0.1-0.5%、ZnO8-9%、BaO1-1.5%;所述面釉熔块以质量百分比计,包括:SiO2 50%,Al2O3 19%,CaO 8%,MgO 5%,K2O 2%,Na2O 7%,B2O39%。
5.根据权利要求4所述的防滑砖,其特征在于,所述面釉的釉浆的细度为200目筛余为0.3-0.5%。
6.根据权利要求1所述的防滑砖,其特征在于,所述防滑釉还包括防滑釉原料和防滑釉熔块;
所述防滑釉原料以质量百分比计包括:SiO248-50%、Al2O315-16%、Fe2O30.2-0.3%、TiO20.02-0.05%、CaO8-10%、MgO7-8%、K2O4-5%、Na2O4-6%、ZnO8-9%、BaO1-1.5%;
所述防滑釉熔块包括干粒A、干粒B和干粒C,所述干粒A、所述干粒B和所述干粒C的粒径为120-250目;
所述干粒A以质量百分比计包括:SiO251-53%、Al2O318-20%、Fe2O30.08-0.10%、CaO10-11%、MgO3-4%、K2O5-6%、Na2O5-6%、ZnO3-4%、La2O30.15-0.20%;
所述干粒B以质量百分比计包括:SiO254-56%、Al2O315-17%、Fe2O30.05-0.10%、CaO8-9%、MgO2-3%、K2O7-8%、Na2O7-8%、ZnO2-3%、Ce2O30.20-0.25%;
所述干粒C以质量百分比计包括:SiO250-52%、Al2O323-24%、Fe2O30.05-0.06%、CaO13-14%、MgO3-4%、K2O3-3.5%、Na2O2.5-3%、ZnO2-2.5%、Pr6O110.30-0.35%。
7.根据权利要求6所述的防滑砖,其特征在于,所述防滑釉的釉浆的细度为325目筛余为0.1-0.25%。
8.一种权利要求1-7任一项所述防滑砖的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
A.坯体成型,进行第一次干燥处理,然后在所述坯体的表面淋底釉得到所述底釉层,并进行第二次干燥处理;再在所述底釉层的表面淋面釉得到所述面釉层,然后进行喷墨印花,并进行第三次干燥处理;
B.喷防滑釉,得到所述防滑釉层,并进行第四次干燥处理,得到预备烧制砖体;
C.将所述预备烧制砖体放入窑炉进行第一次烧制,经过第一次程序升温至900℃烧制;然后进行第一次程序降温,降至150℃后,放入窑炉进行第二次烧制,经过第二次程序升温至1250℃烧制;
D.然后进行第二次程序降温,降至150℃后,放入含有二氧化碳的氩气氛围内冷却至常温,得到半成品,所述半成品经后处理得到成品。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述第一次程序升温为:先升至200℃,维持30min,再升至500℃,维持30min,然后升至900℃,维持120min;所述第二次程序升温为:第一阶段升至200℃,维持5min,第二阶段升至600℃,维持20min,第三阶段升至1200℃,维持45min。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述第一次程序降温为:先降至800℃,维持60min,然后降至700℃,维持60min,再降至600℃,维持30min,最后在60min-80min内降至150℃;所述第二次程序降温为:先降至1000℃,维持60min,然后降至800℃,维持60min,再降至550℃,维持30min,最后在40min-60min内降至150℃。
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