CN108831892A - 显示背板及其制造方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种显示背板及其制造方法、显示面板和显示装置，涉及显示技术领域。显示背板包括第一背板和第二背板。所述第一背板包括第一基板和位于所述第一基板上用于驱动发光单元的第一薄膜晶体管。所述第二背板与所述第一基板背离所述第一薄膜晶体管的一面接合，包括第二基板和至少一个第二薄膜晶体管，所述至少一个第二薄膜晶体管位于所述第二基板与所述第一基板之间。

Description

显示背板及其制造方法、显示面板和显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示背板及其制造方法、显示面板和显示装置。
背景技术
为了减少制造工艺流程，提高显示面板的集成度，可以通过阵列基板栅极驱动(Gate On Array，GOA)技术将栅极驱动电路直接制作在显示背板(也称为阵列基板)上。
发明内容
发明人注意到，在某些情况下，用于驱动发光单元的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)与栅极驱动电路的薄膜晶体管这两种类型的薄膜晶体管的有源层的材料可能不同，故需要通过不同的工艺流程来形成这两种类型的薄膜晶体管。
发明人发现，在形成这两种类型中的一种薄膜晶体管后，形成另一种薄膜晶体管的工艺流程中的某一或某些步骤可能会对已经形成的薄膜晶体管的性能造成不利影响。
本公开实施例提供了一种显示背板的技术方案，能够避免在形成用于驱动发光单元的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的一个的过程中，对另一个造成的不利影响。
根据本公开实施例的一方面，提供一种显示背板，包括第一背板和第二背板。所述第一背板包括第一基板和位于所述第一基板上用于驱动发光单元的第一薄膜晶体管。所述第二背板与所述第一基板背离所述第一薄膜晶体管的一面接合，包括第二基板和至少一个第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管位于所述第二基板与所述第一基板之间。
在一些实施例中，所述第一薄膜晶体管的有源层的材料和所述第二薄膜晶体管的有源层的材料不同。
在一些实施例中，所述第一薄膜晶体管的有源层的材料包括氧化物半导体，所述第二薄膜晶体管的有源层的材料包括多晶硅。
在一些实施例中，所述第一基板包括第一基板层，所述第一基板具有贯穿所述第一基板层的第一连接件；所述第一薄膜晶体管的栅极经由所述第一连接件与所述至少一个第二薄膜晶体管中的一个第二薄膜晶体管的漏极连接。
在一些实施例中，所述第一基板包括第一基板层，所述第一基板具有贯穿所述第一基板层的第二连接件；所述第一薄膜晶体管的源极经由所述第二连接件与所述至少一个第二薄膜晶体管中的一个第二薄膜晶体管的漏极连接。
在一些实施例中，所述第二基板包括第二基板层，所述第二基板具有贯穿所述第二基板层的多个连接件；所述至少一个第二薄膜晶体管中的一个或多个第二薄膜晶体管经由所述多个连接件与外接电路连接。
在一些实施例中，所述多个连接件设置在所述第二基板层的周边区域。
在一些实施例中，所述至少一个第二薄膜晶体管为驱动电路的薄膜晶体管。
在一些实施例中，所述驱动电路包括栅极驱动电路和源极驱动电路中的至少一个。
根据本公开实施例的另一方面，提供一种显示面板，包括：上述任意一个实施例所述的显示背板。
根据本公开实施例的又一方面，提供一种显示装置，包括：上述任意一个实施例所述的显示面板。
根据本公开实施例的又一方面，提供一种显示背板的制造方法，包括：形成第一背板，所述形成第一背板包括在第一基板上形成用于驱动发光单元的第一薄膜晶体管；形成第二背板，所述形成第二背板包括在第二基板上形成至少一个第二薄膜晶体管；和将所述第二背板与所述第一基板背离所述第一薄膜晶体管的一面接合，其中，在所述接合后，所述第二薄膜晶体管位于所述第二基板与所述第一基板之间。
在一些实施例中，所述第一薄膜晶体管的有源层的材料和所述第二薄膜晶体管的有源层的材料不同。
本公开实施例中，分别独立地形成第一背板和第二背板，再将二者接合在一起，以形成显示背板。这样的方法使得形成第一薄膜晶体管的工艺流程和形成第二薄膜晶体管的工艺流程不会彼此影响，从而避免形成第一薄膜晶体管的过程对第二薄膜晶体管的性能造成不利影响，也避免了形成第二薄膜晶体管的过程对第一薄膜晶体管的性能造成不利影响，提高了显示背板的良率。
通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征、方面及其优点将会变得清楚。
附图说明
附图构成本说明书的一部分，其描述了本公开的示例性实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理，在附图中：
图1是根据本公开一些实施例的显示背板的制造方法的流程示意图；
图2A-2I示出了根据本公开一些实现方式的在形成第一背板的不同阶段所形成的结构的截面示意图；
图3A-3I示出了根据本公开一些实现方式的在形成第二背板的不同阶段所形成的结构的截面示意图；
图4是根据本公开一些实施例的显示背板的结构示意图；
图5A示出了根据本公开一些实施例的第二基板中的连接件的位置示意图；
图5B示出了根据本公开另一些实施例的第二基板中的连接件的位置示意图。
应当明白，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。此外，相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。对示例性实施例的描述仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。本公开可以以许多不同的形式实现，不限于这里所述的实施例。提供这些实施例是为了使本公开透彻且完整，并且向本领域技术人员充分表达本公开的范围。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、材料的组分和数值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。
本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指在该词前的要素涵盖在该词后列举的要素，并不排除也涵盖其他要素的可能。“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
在本公开中，当描述到特定部件位于第一部件和第二部件之间时，在该特定部件与第一部件或第二部件之间可以存在居间部件，也可以不存在居间部件。当描述到特定部件连接其它部件时，该特定部件可以与所述其它部件直接连接而不具有居间部件，也可以不与所述其它部件直接连接而具有居间部件。
本公开使用的所有术语(包括技术术语或者科学术语)与本公开所属领域的普通技术人员理解的含义相同，除非另外特别定义。还应当理解，在诸如通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
图1是根据本公开一些实施例的显示背板的制造方法的流程示意图。
在步骤102，形成第一背板。
这里，形成第一背板的步骤包括在第一基板上形成用于驱动发光单元的第一薄膜晶体管。发光单元例如可以是有机发光二极管(OLED)。发光单元在第一薄膜晶体管的驱动下发光。应理解，形成第一背板的步骤还可以包括形成阳极等其他部件。
在步骤104，形成第二背板。
这里，形成第二背板的步骤包括在第二基板上形成至少一个第二薄膜晶体管。在一些实施例中，至少一个第二薄膜晶体管为驱动电路的薄膜晶体管。例如，至少一个第二薄膜晶体管组成了驱动电路或组成了驱动电路的一部分。在一些实施例中，驱动电路包括栅极驱动电路和源极驱动电路中的至少一个。然而，本公开并不限于此，例如，至少一个第二薄膜晶体管也可以是其他电路的薄膜晶体管。另外，应理解，形成第二背板的步骤还可以包括形成驱动电路的其他部件。
在一些实施例中，第二薄膜晶体管的有源层的材料和第一薄膜晶体管的有源层的材料不同。例如，第一薄膜晶体管的有源层的材料包括氧化物半导体，例如铟镓锌氧化物(IGZO)；第二薄膜晶体管的有源层的材料包括多晶硅。在第一薄膜晶体管的有源层的材料包括氧化物半导体的情况下，可以实现像素的低频驱动，并降低显示面板的功耗。然而，本公开并不限于此。在其他的实施例中，第二薄膜晶体管的有源层的材料和第一薄膜晶体管的有源层的材料也可以相同，例如均为多晶硅或均为氧化物半导体。
在步骤106，将第二背板与第一基板背离第一薄膜晶体管的一面接合，例如粘合、键合等。在接合后，第二薄膜晶体管位于第二基板与第一基板之间。
例如，第一基板包括相对的第一面和第二面，第一薄膜晶体管在第一面上，第二背板与第二面接合。
上述实施例中，分别独立地形成第一背板和第二背板，再将二者接合在一起，以形成显示背板。这样的方法使得形成第一薄膜晶体管的工艺流程和形成第二薄膜晶体管的工艺流程不会彼此影响，从而避免形成第一薄膜晶体管的过程对第二薄膜晶体管的性能造成不利影响，也避免了形成第二薄膜晶体管的过程对第一薄膜晶体管的性能造成不利影响，提高了显示背板的良率。
图2A-2I示出了根据本公开一些实现方式的在形成第一背板的不同阶段所形成的结构的截面示意图。
下面结合图2A-2I对形成第一背板的过程进行详细介绍。
首先，如图2A所示，提供第一基板201。
在一些实施例中，第一基板201包括第一基板层211，例如玻璃层。在一些实施例中，第一基板201具有贯穿第一基板201的连接件，例如第一连接件221或第二连接件231。第一连接件221和第二连接件231例如可以是铜等其他金属连接件。在某些实施例中，第一基板201还可以包括在第一基板层211的上下两个表面上、且覆盖第一基板201中的连接件的绝缘保护层241。绝缘保护层241用于防止第一基板201中的连接件氧化，并且可以保护第一基板层211。
在一个或多个实施例中，可以通过玻璃通孔(Through Glass Via，TGV)技术来形成第一基板201。这种情况下，第一基板201也可以成为TGV基板201。例如，先对第一基板层211进行打孔(例如激光打孔)，打孔后所形成的孔的直径例如可以为约几十微米至100微米。然后，在所形成的孔中形成(例如电镀)金属材料，例如铜等，以形成连接件，例如第一连接件221和第二连接件231。之后，还可以在第一基板层211的上下表面形成覆盖连接件的绝缘保护层241，例如硅的氧化物或有机材料等。
然后，如图2B所示，在第一基板201上形成源极212和漏极222，源极212与第二连接件231接触，漏极222位于第一基板层211上。
需要说明的是，在第一基板201具有绝缘保护层241的情况下，可以先将第一基板层211的上下两个表面中的一个表面上的绝缘保护层241去除，然后再形成源极212和漏极222。
然后，如图2C所示，形成有源层232，例如氧化物半导体。有源层232分别与源极212和漏极222接触。
之后，如图2D所示，在图2C所示的结构上形成栅极绝缘层242。栅极绝缘层242具有使得第一连接件221的至少一部分露出的开口2421。
接下来，如图2E所示，形成栅极252。这里，栅极252与第一连接件221连接。例如，栅极252的一部分位于栅极绝缘层242上，栅极252的另一部分填充开口314并与第一连接件221接触。
在形成栅极252后，即形成了包括源极212、漏极222、栅极绝缘层242和栅极252的第一薄膜晶体管202。
之后，如图2F所示，还可以在图2E所示的结构上形成平坦化层203，例如树脂材料。
之后，如图2G所示，形成贯穿平坦化层203和栅极绝缘层242的通孔213，以使得漏极222的至少一部分露出。
在某些实施例中，在形成栅极绝缘层242后即可先形成贯穿栅极绝缘层242的第一通孔，在形成平坦化层203后，再形成与第一通孔连通的第二通孔，从而得到贯穿平坦化层203和栅极绝缘层242的通孔213。
之后，如图2H所示，在平坦化层203上形成阳极204。在一些实施例中，在形成阳极204时，可以同时填充通孔213以使得阳极204与漏极222连接。
在一些实现方式中，阳极204的材料可以是氧化铟锡(ITO)。在另一些实现方式中，阳极204可以是由两层ITO和两层ITO之间的Ag组成的叠层。
之后，如图2I所示，可以在图2H所示的结构上形成像素界定层(PDL)205。另外，在一些实施例中，还可以在PDL 205上形成光阻支撑层(图中未示出)。
根据图2A-图2I所示流程可以形成第一背板，下面将第一背板称为第一背板200。
图3A-3I示出了根据本公开一些实现方式的在形成第二背板的不同阶段所形成的结构的截面示意图。
下面结合图3A-3I对形成第二背板的过程进行详细介绍。
首先，如图3A所示，提供第二基板301。
在一些实施例中，第二基板301包括第二基板层311，例如玻璃层。在一些实施例中，第二基板301具有贯穿第二基板层311的多个连接件，多个连接件可以包括第三连接件321和第四连接件331。在某些实施例中，多个连接件还可以包括贯穿第二基板层311的第五连接件351和第六连接件361。多个连接件例如可以是铜等其他金属连接件。在某些实施例中，第二基板301还可以包括在第二基板层311的上下两个表面上、且覆盖多个连接件的绝缘保护层341，用于防止多个连接件氧化，并且可以保护第二基板层311。
在一个或多个实施例中，可以通过上面给出的TGV技术来形成第二基板301。这种情况下，第二基板301也可以成为TGV基板301。
接下来，如图3B所示，在第二基板层311的某一面上的绝缘保护层341上形成有源层312。有源层312例如可以是栅极驱动电路的第二薄膜晶体管的有源层。在某些实施例中，在形成有源层312时可以同时形成其他薄膜晶体管的有源层，例如源极驱动电路的第二薄膜晶体管的有源层312’。
在一些实施例中，可以通过低温多晶硅技术(Low Temperature Poly-siliconLTPS)形成多晶硅作为有源层312或有源层312’。例如，可以先在绝缘保护层341上形成非晶硅，然后利用准分子激光退火(ELA)等技术将非晶硅晶化成多晶硅。在一些例子中，可以将紫外波段的准分子激光照射到非晶硅的表面。非晶硅在吸收紫外波段的光后，会被快速加热，进而会逐渐被熔融。之后，随着热量的逐渐释放，熔融的硅会逐渐形成多晶硅。
然后，如图3C所示，形成覆盖有源层312的栅极绝缘层322。栅极绝缘层322具有使得第三连接件321的至少一部分露出的开口3221。
在某些实施例中，还可以形成覆盖有源层312’的栅极绝缘层322’，栅极绝缘层322’具有使得第五连接件341的至少一部分露出的开口3221’。在一些实施例中，可以同时形成栅极绝缘层322和栅极绝缘层322’。在另一些实施例中，也可以分别独立地形成栅极绝缘层322和栅极绝缘层322’。
之后，如图3D所示，形成栅极332。这里，栅极332与第三连接件321连接。例如，栅极332的一部分位于栅极绝缘层322上，栅极332的另一部分填充开口3221并与第三连接件321接触。
在某些实施例中，还可以形成栅极332’。这里，栅极332’与第五连接件341连接。例如，栅极332’的一部分位于栅极绝缘层322’上，栅极332’的另一部分填充开口3221’并与第五连接件351接触。
之后，如图3E所示，形成覆盖栅极332的层间电介质层303，例如硅的氧化物等。在某些实施例中，层间电介质层303还可以覆盖栅极332’(如果有的话)。
之后，如图3F所示，形成贯穿层间电介质层303和栅极绝缘层322的通孔313和通孔323，并形成贯穿层间电介质层303、栅极绝缘层322和绝缘保护层341的通孔333。
在某些实施例中，还可以形成贯穿层间电介质层303和栅极绝缘层322’的通孔313’和通孔323’，并形成贯穿层间电介质层303、栅极绝缘层322’和绝缘保护层341的通孔333’。
在一个或多个实施例中，在形成栅极绝缘层322后即可先形成贯穿栅极绝缘层242的第一通孔和第二通孔，在形成层间电介质层303后，再形成与第一通孔连通的第三通孔以及与第二通孔连通的第四通孔，从而得到通孔313和通孔323。也可以以类似的方式形成通孔313’和通孔323’，在此不再赘述。在一个或多个实施例中，也可以以类似的方式形成通孔333和通孔333’。
之后，如图3G所示，形成连接至有源层312和第四连接件331的源极342、以及连接至有源层312的漏极352。在某些实施例中，还可以形成连接至有源层312’和第六连接件351的源极342’、以及连接至有源层312’的漏极352’。
之后，如图3H所示，在图3G所示的结构上形成平坦化层304，例如树脂材料。平坦化层304具有使得漏极352的至少一部分露出的开口314。在某些实施例中，平坦化层304还具有使得漏极352’的至少一部分露出的开口314’。
之后，如图3I所示，形成填充开口314的接触电极305。在某些实施例中，还可以形成填充开口314’的接触电极305’。接触电极305和接触电极305’的材料例如可以是锡等金属材料。
根据图3A-图3I所示流程可以形成第二背板，下面将第二背板称为第二背板300。在形成图2I所示的第一背板200和图3I所示的第二背板300后，可以将第二背板300与第一基板200背离第一薄膜晶体管202的一面接合，从而得到图4所示的显示背板。
例如，可以在第一基板200背离第一薄膜晶体管202的一面上的绝缘保护层241与第一背板200中的连接件(例如第一连接件221或第二连接件231)对应的位置处形成开口，以露出连接件的至少一部分。然后，将第二背板300中的接触电极(例如接触电极305或接触电极305’)与第一背板200中的连接件对齐。之后，在某一温度范围内对第一背板200或第二背板300施加一定的压力，以将第二背板300与第一基板200背离第一薄膜晶体管202的一面压合。在压合过程中，接触电极305与第一连接件221互相扩散，从而通过分子间结合力键合在一起。类似地，接触电极305’与第二连接件231互相扩散，从而通过分子间结合力键合在一起。
在一些实施例中，第二背板300中的接触电极(例如，与漏极352接触的接触电极305)的材料可以是Sn-Ag-Cu合金或者In-Sn合金。在这种情况下，可以在160℃至200℃(例如170℃、180℃等)的温度范围内，对第一背板200或第二背板300施加小于100kPa的压力，以将第二背板300与第一基板200背离第一薄膜晶体管202的一面压合。这样的压合方式既不容易导致第一基板201和第二基板301受压破损，也不会由于温度过高对第一薄膜晶体管202和第二薄膜晶体管302(302’)的性能造成不利影响。
图4是根据本公开一些实施例的显示背板的结构示意图。如图4所示，显示背板包括第一背板200和第二背板300。
第一背板200包括第一基板201和位于第一基板201上用于驱动发光单元的第一薄膜晶体管202。应理解，第一背板200还可以包括其他部件，例如覆盖栅极252的平坦化层203、位于平坦化层203上且连接至漏极222的阳极204等。
第二背板300包括第二基板301和至少一个第二薄膜晶体管，例如第二薄膜晶体管302(302’)。第二薄膜晶体管302(302’)位于第二基板301与第一基板201之间。第二背板300与第一基板201背离第一薄膜晶体管202的一面接合，例如粘合或键合。
在一些实施例中，第一薄膜晶体管202的有源层232的材料和第二薄膜晶体管302(302’)的有源层312(312’)的材料不同。例如，第一薄膜晶体管202的有源层232的材料包括氧化物半导体，第二薄膜晶体管302(302’)的有源层312(312’)的材料包括多晶硅。在另一些实施例中，第一薄膜晶体管202的有源层232的材料和第二薄膜晶体管302(302’)的有源层312(312’)的材料相同。
在一些实施例中，第二薄膜晶体管302(302’)为驱动电路的薄膜晶体管。例如，驱动电路可以包括栅极驱动电路和源极驱动电路中的至少一个。在某些实施例中，第二薄膜晶体管302(302’)也可以为其他电路的薄膜晶体管。
这里，虽然图4示出的第二背板300包括栅极驱动电路的第二薄膜晶体管302和源极驱动电路的第二薄膜晶体管302’，但是，应理解，这并非是限制性的。例如，第二背板300可以仅包括某一个驱动电路的多个第二薄膜晶体管中的至少一个。也就是说，对于某一个驱动电路来说，驱动电路的部分第二薄膜晶体管可以设置在第二背板300中，或者，驱动电路的全部第二薄膜晶体管可以设置在第二背板300中。
另外，需要说明的是，图4仅示意性地示出了栅极驱动电路中与第一背板200连接的第二薄膜晶体管302、以及源极驱动电路中与第一背板200连接的第二薄膜晶体管302’，并未示出栅极驱动电路和源极驱动电路中的其他第二薄膜晶体管。
上述实施例中，包括至少一个第二薄膜晶体管的第二背板与包括用于驱动发光单元的第一薄膜晶体管的第一背板上下堆叠地接合在一起。这样的显示背板有助于减小显示面板的边框。
在一些实施例中，第一基板201包括第一基板层211，第一基板201具有贯穿第一基板层211的第一连接件221和第二连接件231中的至少一个。在一些实现方式中，第一薄膜晶体管202的栅极252经由第一连接件221与至少一个第二薄膜晶体管中的一个第二薄膜晶体管的漏极连接，例如与栅极驱动电路的第二薄膜晶体管302的漏极352连接。在另一些实现方式中，第一薄膜晶体管202的源极212经由第二连接件231与至少一个第二薄膜晶体管中的一个第二薄膜晶体管的漏极连接，例如与源极驱动电路的第二薄膜晶体管302’的漏极352’连接。
上述实施例中，第一薄膜晶体管经由第一基板中的连接件与第二薄膜晶体管连接。这样的显示背板中，无需通过额外的周边引线来连接第二薄膜晶体管与第一薄膜晶体管，有助于进一步减小显示面板的边框。
在一些实施例中，第二基板300包括第二基板层301，第二基板300具有贯穿第二基板层301的多个连接件，例如第三连接件321、第四连接件331、第五连接件341和第六连接件351等。至少一个第二薄膜晶体管中的一个或多个第二薄膜晶体管经由多个连接件与外接电路连接。例如，栅极驱动电路的第二薄膜晶体管经由多个连接件中的一部分连接件与外接电路连接，源极驱动电路的第二薄膜晶体管经由多个连接件中的另一部分连接件与外接电路连接。在一些实施例中，上述外接电路例如可以包括但不限于控制电路、触控电路等。
例如，栅极驱动电路的第二薄膜晶体管302经由第三连接件321和第四连接件331与外接电路连接，源极驱动电路第二薄膜晶体管302’经由第五连接件341和第六连接件351与外接电路连接。在一些例子中，栅极驱动电路的第二薄膜晶体管302的栅极332经由第三连接件321与外接电路连接，栅极驱动电路的第二薄膜晶体管302的源极342经由第四连接件331与外接电路连接。在一些例子中，源极驱动电路的第二薄膜晶体管302’的栅极332’经由第五连接件341与外接电路连接，源极驱动电路的第二薄膜晶体管302’的源极342’经由第六连接件351与外接电路连接。
上述实施例中，可以通过第二基板中的连接件将其他外接电路与第二基板连接，有助于更进一步减小显示面板的边框，例如有助于减小显示面板四周的边框。
需要说明的是，第一基板200和第二基板300中的连接件的位置可以根据实际需求进行设置。以下以第二基板300为例给出连接件的两种设置方式。
图5A示出了根据本公开一些实施例的第二基板中的连接件的位置示意图。图5B示出了根据本公开另一些实施例的第二基板中的连接件的位置示意图。在图5A和图5B中，圆圈所示的位置为连接件的位置。
如图5A所示，与栅极驱动电路连接的连接件501和与源极驱动电路连接的连接件502可以设置在第二基板层311的周边区域。例如，纵向排列的连接连501为与栅极驱动电路连接的连接件，横向排列的连接连502为与源极驱动电路连接的连接件。
如图5B所示，与栅极驱动电路连接的连接件501和与源极驱动电路连接的连接件502可以设置在第二基板层311的中间区域。例如，横向排列的连接连501为与栅极驱动电路连接的连接件，纵向排列的连接连502为与源极驱动单元连接的连接件。
本公开还提供了一种显示面板，显示面板可以包括上述任意一个实施例的显示背板。
本公开还提供了一种显示装置，显示装置可以包括上述任意一个实施例的显示面板。在一些实施例中，显示装置例如可以是移动终端、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、电子纸等任何具有显示功能的产品或部件。
至此，已经详细描述了本公开的各实施例。为了避免遮蔽本公开的构思，没有描述本领域所公知的一些细节。本领域技术人员根据上面的描述，完全可以明白如何实施这里公开的技术方案。
虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本公开的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改或者对部分技术特征进行等同替换。本公开的范围由所附权利要求来限定。

Claims (13)

1.一种显示背板，包括：
第一背板，包括：
第一基板，和
第一薄膜晶体管，位于所述第一基板上，用于驱动发光单元；和
第二背板，与所述第一基板背离所述第一薄膜晶体管的一面接合，包括：
第二基板，和
至少一个第二薄膜晶体管，位于所述第二基板与所述第一基板之间。
2.根据权利要求1所述的显示背板，其中，所述第一薄膜晶体管的有源层的材料和所述第二薄膜晶体管的有源层的材料不同。
3.根据权利要求2所述的显示背板，其中，所述第一薄膜晶体管的有源层的材料包括氧化物半导体，所述第二薄膜晶体管的有源层的材料包括多晶硅。
4.根据权利要求1所述的显示背板，其中，所述第一基板包括第一基板层，所述第一基板具有贯穿所述第一基板层的第一连接件；
所述第一薄膜晶体管的栅极经由所述第一连接件与所述至少一个第二薄膜晶体管中的一个第二薄膜晶体管的漏极连接。
5.根据权利要求1所述的显示背板，其中，所述第一基板包括第一基板层，所述第一基板具有贯穿所述第一基板层的第二连接件；
所述第一薄膜晶体管的源极经由所述第二连接件与所述至少一个第二薄膜晶体管中的一个第二薄膜晶体管的漏极连接。
6.根据权利要求1所述的显示背板，其中，所述第二基板包括第二基板层，所述第二基板具有贯穿所述第二基板层的多个连接件；
所述至少一个第二薄膜晶体管中的一个或多个第二薄膜晶体管经由所述多个连接件与外接电路连接。
7.根据权利要求6所述的显示背板，其中，所述多个连接件设置在所述第二基板层的周边区域。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的显示背板，其中，所述至少一个第二薄膜晶体管为驱动电路的薄膜晶体管。
9.根据权利要求8所述的显示背板，其中，所述驱动电路包括栅极驱动电路和源极驱动电路中的至少一个。
10.一种显示面板，包括：如权利要求1-9任意一项所述的显示背板。
11.一种显示装置，包括：如权利要求10所述的显示面板。
12.一种显示背板的制造方法，包括：
形成第一背板，所述形成第一背板包括在第一基板上形成用于驱动发光单元的第一薄膜晶体管；
形成第二背板，所述形成第二背板包括在第二基板上形成至少一个第二薄膜晶体管；和
将所述第二背板与所述第一基板背离所述第一薄膜晶体管的一面接合，其中，在所述接合后，所述第二薄膜晶体管位于所述第二基板与所述第一基板之间。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一薄膜晶体管的有源层的材料和所述第二薄膜晶体管的有源层的材料不同。
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