CN108831850A - 一种半导体激光器用解巴条的二分裂方法 - Google Patents

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Abstract

一种半导体激光器用解巴条的二分裂方法，包括如下步骤：a)平均等分成两个半圆片；b)完成覆膜；c)分割成两个等分的扇形片；d)割成两个等分的晶圆块；e)判断晶圆块的宽度是否大于巴条宽度的2‑3倍，当晶圆块的宽度小于巴条宽度的2‑3倍时停止裂片，当晶圆块的宽度大于巴条宽度的2‑3倍时执行步骤f)；f)沿裂片线进行裂片操作将晶圆块分割；g)将步骤f)分割后的晶圆块按步骤e)的方法操作。解决了晶圆片解巴条逐条裂片时腔面挤伤严重的问题，在保证生产效率的前提下大幅度的提高了产品质量，使成品率大幅度提高。在裂片过程中巴条P面与N面压痕减轻，保证质量，节约成本，提高了生产效率。

Description

一种半导体激光器用解巴条的二分裂方法
技术领域
本发明涉及激光器制造技术领域，具体涉及一种半导体激光器用解巴条的二分裂方法。
背景技术
经过几十年的发展，半导体激光器越来越被社会所熟知，并且已经在多处领域得到应用，半导体激光器的光电转换效率在60%以上，远远高于其他同类产品的光电转换效率，其能耗低，器件中热积累少、寿命长、准直性好、照明距离远等优点在社会同类行业中作为一种新兴的技术应用越来越广泛。半导体激光器所具有的各类优点决定其越来越高受到社会各界的广泛重视。
晶圆是指硅半导体集成电路制造所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称作晶圆片。在实际的生产加工中，晶圆片经过加工制作成各种电路元件结构，再进一步加工成为具有特定功能的电子产品。随着集成电路制造技术的不断发展，晶圆片加工质量的好坏对于晶圆片长期正常的工作起着越来越重要的作用。传统对晶圆片的加工是纯手工操作，即工人使用切割机对晶圆片进行加工，由于因纯手工操作会存在很多问题，如加工精度低，废品率高，生产效率低，能够切割加工的晶圆种类单一，劳动强度大等等。因此，现有技术亟需一种全新的裂片方法，提高生产效率。
中国专利206602099U公开了一种晶圆拆分的装置，本实用新型公开了一种晶圆与玻璃分离装置，该分离装置包括机架、上吸盘组件、位于上吸盘组件下方的下吸盘组件，所述下吸盘组件包括固定不动的下吸盘、贴合在下吸盘下的下加热器、穿设在下吸盘中能够升降的多根支撑柱，所述上吸盘组件包括上吸盘，贴合在上吸盘上的上加热器，所述机架上还设有能够驱动所述上吸盘组件竖向及左右移动的驱动组件，所述支撑柱的顶面具有吸嘴，所述上吸盘组件中具有压力传感器，所述上加热器和所述下加热器中均具有温度传感器。本实用新型能够实现将玻璃和晶圆片进行安全分离，具有分离效率高、破损率低的优点。
中国专利105834725A涉及一种全自动晶圆劈裂机，包括晶圆料盒、校正装置、夹料机械手和加工机架，所述加工机架包括Z向机架、Y向机架和旋转工作台，所述Z向机架包括Z向运动机构、吸盘架和压板，所述Z向运动机构的侧面设置有光栅尺和光电开关，所述Z向运动机构连接有裂片刀，所述裂片刀上端设置有击锤，所述Y向机架设置有通过伺服电机驱动的旋转工作台，所述旋转工作台位于Z向机架的下方，所述Y向机架的底部设置有X向运动机构和CCD感应器，所述CCD感应器滑动设置于X向运动机构。
但是，在激光制造领域，晶圆片解巴条现有的方法为在划片后，逐条进行裂片，会出现大量的腔面挤压，无法正常批量的投入到生产，浪费极大，生产效率低下。
发明内容
本发明为了克服以上技术的不足，提供了一种裂片效率高、制造良品率高的半导体激光器用解巴条的二分裂方法。
本发明克服其技术问题所采用的技术方案是：
一种半导体激光器用解巴条的二分裂方法，包括如下步骤：
a)将一个完整的晶圆片，以垂直于大解离边的方向将晶圆片平均等分成两个半圆片；
b)将半圆片放置到蓝膜上，完成覆膜；
c)将覆膜后的半圆片以取中心的方式划制第一裂片线，第一裂片线平行于大解离边，沿第一裂片线进行裂片操作将半圆片分割成两个等分的扇形片；
d)将扇形片以取中心的方式划制第二裂片线，第二裂片线平行于第一裂片线，沿第二裂片线进行裂片操作将扇形片分割成两个等分的晶圆块；
e)判断晶圆块的宽度是否大于巴条宽度的2-3倍，当晶圆块的宽度小于巴条宽度的2-3倍时停止裂片，当晶圆块的宽度大于巴条宽度的2-3倍时执行步骤f)；
f)将晶圆块以取中心的方式划制裂片线，该裂片线平行于第二裂片线，沿裂片线进行裂片操作将晶圆块分割；
g)将步骤f)分割后的晶圆块按步骤e)的方法操作。
优选的，步骤c)中裂片操作时，在半圆片下端设置垫铁，所述垫铁上端面为与水平面相平行的平面，平面的外侧端为与斜面，所述斜面与平面的夹角处形成沿垫铁长度方向延伸的脊线，半圆片的下端与平面相接触，第一裂片线与脊线相重合。
优选的，步骤d)中裂片操作时，在扇形片下端设置垫铁，所述垫铁上端面为与水平面相平行的平面，平面的外侧端为与斜面，所述斜面与平面的夹角处形成沿垫铁长度方向延伸的脊线，扇形片的下端与平面相接触，第二裂片线与脊线相重合。
优选的，步骤f)中裂片操作时，在晶圆块下端设置垫铁，所述垫铁上端面为与水平面相平行的平面，平面的外侧端为与斜面，所述斜面与平面的夹角处形成沿垫铁长度方向延伸的脊线，晶圆块的下端与平面相接触，裂片线与脊线相重合。
优选的步骤c)、步骤d)以及步骤f)中裂片操作时，使用滚轮沿第一裂片线、第二裂片线以及裂片线的方向滚压进行裂片，所述滚轮上沿圆周方向设置有两个环形的凸起，两个环形凸起之间的间距与巴条的宽度相配。
优选的，步骤c)、步骤d)以及步骤f)中裂片操作时，在显微镜下进行，所述显微镜镜头的十字线分布与第一裂片线、第二裂片线以及裂片线的方向相重合。
本发明的有益效果是：通过先将晶圆片分割成两个半圆片，再将半圆片分割成两个扇形片，再对扇形片不断取中裂片的方式解决了晶圆片解巴条逐条裂片时腔面挤伤严重的问题，在保证生产效率的前提下大幅度的提高了产品质量，使成品率大幅度提高。在裂片过程中巴条P面与N面压痕减轻，保证质量，节约成本，提高了生产效率。
附图说明
图1为本发明的晶圆片的结构示意图；
图2为本发明的半圆片的结构示意图；
图3为本发明的裂片完成后的巴条的结构示意图；
图4为本发明的垫铁的结构示意图；
图5为本发明的滚轮的结构示意图；
图中，1.晶圆片 2.大解离边 3.半圆片 4.巴条 5.垫铁 6.平面 7.斜面 8.脊线 9.滚轮 10.凸起。
具体实施方式
下面结合附图1至附图5对本发明做进一步说明。
一种半导体激光器用解巴条的二分裂方法，包括如下步骤：
a)将一个完整的晶圆片2，以垂直于大解离边2的方向将晶圆片2平均等分成两个半圆片3；
b)将半圆片3放置到蓝膜上，完成覆膜；
c)将覆膜后的半圆片3以取中心的方式划制第一裂片线，第一裂片线平行于大解离边2，沿第一裂片线进行裂片操作将半圆片3分割成两个等分的扇形片；
d)将扇形片以取中心的方式划制第二裂片线，第二裂片线平行于第一裂片线，沿第二裂片线进行裂片操作将扇形片分割成两个等分的晶圆块；
e)判断晶圆块的宽度是否大于巴条4宽度的2-3倍，当晶圆块的宽度小于巴条4宽度的2-3倍时停止裂片，当晶圆块的宽度大于巴条4宽度的2-3倍时执行步骤f)；
f)将晶圆块以取中心的方式划制裂片线，该裂片线平行于第二裂片线，沿裂片线进行裂片操作将晶圆块分割；
g)将步骤f)分割后的晶圆块按步骤e)的方法操作。
通过先将晶圆片分割成两个半圆片，再将半圆片分割成两个扇形片，再对扇形片不断取中裂片的方式解决了晶圆片解巴条逐条裂片时腔面挤伤严重的问题，在保证生产效率的前提下大幅度的提高了产品质量，使成品率大幅度提高。在裂片过程中巴条P面与N面压痕减轻，保证质量，节约成本，提高了生产效率。
实施例1：
步骤c)中裂片操作时，在半圆片3下端设置垫铁5，垫铁5上端面为与水平面相平行的平面6，平面6的外侧端为与斜面7，斜面7与平面6的夹角处形成沿垫铁5长度方向延伸的脊线8，半圆片3的下端与平面6相接触，第一裂片线与脊线8相重合。通过设置垫铁5，使半圆片3一侧与斜面7之间不接触，从而施加压力后即可在脊线8处完成裂片，在裂片过程中巴条腔面挤伤问题大幅度减少，调高了产品利用效率。
实施例2：
步骤d)中裂片操作时，在扇形片下端设置垫铁5，垫铁5上端面为与水平面相平行的平面6，平面6的外侧端为与斜面7，斜面7与平面6的夹角处形成沿垫铁5长度方向延伸的脊线8，扇形片的下端与平面6相接触，第二裂片线与脊线8相重合。通过设置垫铁5，使扇形片一侧与斜面7之间不接触，从而施加压力后即可在脊线8处完成裂片，在裂片过程中巴条腔面挤伤问题大幅度减少，调高了产品利用效率。
实施例3：
步骤f)中裂片操作时，在晶圆块下端设置垫铁5，垫铁5上端面为与水平面相平行的平面6，平面6的外侧端为与斜面7，斜面7与平面6的夹角处形成沿垫铁5长度方向延伸的脊线8，晶圆块的下端与平面6相接触，裂片线与脊线8相重合。通过设置垫铁5，使晶圆块一侧与斜面7之间不接触，从而施加压力后即可在脊线8处完成裂片，在裂片过程中巴条腔面挤伤问题大幅度减少，调高了产品利用效率。
实施例4：
步骤c)、步骤d)以及步骤f)中裂片操作时，使用滚轮9沿第一裂片线、第二裂片线以及裂片线的方向滚压进行裂片，滚轮9上沿圆周方向设置有两个环形的凸起10，两个环形凸起10之间的间距与巴条4的宽度相配。通过滚轮9沿裂片线滚动，从而可以快速便捷的利用凸起10对晶圆的压力实现裂片。
实施例5：
步骤c)、步骤d)以及步骤f)中裂片操作时，在显微镜下进行，所述显微镜镜头的十字线分布与第一裂片线、第二裂片线以及裂片线的方向相重合。在显微镜下可以提高裂片时的精度，确保裂片的质量。

Claims (6)

1.一种半导体激光器用解巴条的二分裂方法，其特征在于，包括如下步骤：
a)将一个完整的晶圆片（2），以垂直于大解离边（2）的方向将晶圆片（2）平均等分成两个半圆片（3）；
b)将半圆片（3）放置到蓝膜上，完成覆膜；
c)将覆膜后的半圆片（3）以取中心的方式划制第一裂片线，第一裂片线平行于大解离边（2），沿第一裂片线进行裂片操作将半圆片（3）分割成两个等分的扇形片；
d)将扇形片以取中心的方式划制第二裂片线，第二裂片线平行于第一裂片线，沿第二裂片线进行裂片操作将扇形片分割成两个等分的晶圆块；
e)判断晶圆块的宽度是否大于巴条（4）宽度的2-3倍，当晶圆块的宽度小于巴条（4）宽度的2-3倍时停止裂片，当晶圆块的宽度大于巴条（4）宽度的2-3倍时执行步骤f)；
f)将晶圆块以取中心的方式划制裂片线，该裂片线平行于第二裂片线，沿裂片线进行裂片操作将晶圆块分割；
g)将步骤f)分割后的晶圆块按步骤e)的方法操作。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器用解巴条的二分裂方法，其特征在于：步骤c)中裂片操作时，在半圆片（3）下端设置垫铁（5），所述垫铁（5）上端面为与水平面相平行的平面（6），平面（6）的外侧端为与斜面（7），所述斜面（7）与平面（6）的夹角处形成沿垫铁（5）长度方向延伸的脊线（8），半圆片（3）的下端与平面（6）相接触，第一裂片线与脊线（8）相重合。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器用解巴条的二分裂方法，其特征在于：步骤d)中裂片操作时，在扇形片下端设置垫铁（5），所述垫铁（5）上端面为与水平面相平行的平面（6），平面（6）的外侧端为与斜面（7），所述斜面（7）与平面（6）的夹角处形成沿垫铁（5）长度方向延伸的脊线（8），扇形片的下端与平面（6）相接触，第二裂片线与脊线（8）相重合。
4.根据权利要求1所述的半导体激光器用解巴条的二分裂方法，其特征在于：步骤f)中裂片操作时，在晶圆块下端设置垫铁（5），所述垫铁（5）上端面为与水平面相平行的平面（6），平面（6）的外侧端为与斜面（7），所述斜面（7）与平面（6）的夹角处形成沿垫铁（5）长度方向延伸的脊线（8），晶圆块的下端与平面（6）相接触，裂片线与脊线（8）相重合。
5.根据权利要求1所述的半导体激光器用解巴条的二分裂方法，其特征在于：步骤c)、步骤d)以及步骤f)中裂片操作时，使用滚轮（9）沿第一裂片线、第二裂片线以及裂片线的方向滚压进行裂片，所述滚轮（9）上沿圆周方向设置有两个环形的凸起（10），两个环形凸起（10）之间的间距与巴条（4）的宽度相配。
6.根据权利要求1所述的半导体激光器用解巴条的二分裂方法，其特征在于：步骤c)、步骤d)以及步骤f)中裂片操作时，在显微镜下进行，所述显微镜镜头的十字线分布与第一裂片线、第二裂片线以及裂片线的方向相重合。
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