CN108831406B - 电压提供电路、栅极驱动信号提供模组、方法和显示面板 - Google Patents

电压提供电路、栅极驱动信号提供模组、方法和显示面板 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种电压提供电路、栅极驱动信号提供模组、方法和显示面板。所述电压提供电路包括第一电压输出端、温度敏感元件、供电电路和输出电路，供电电路用于向温度敏感元件的控制端提供控制电压信号；温度敏感元件用于在控制电压信号的控制下，生成温度相关电压，并通过温度敏感元件的第一端输出所述温度相关电压；温度相关电压的电压值随着所述温度敏感元件的环境温度变化而变化；输出电路用于控制通过第一电压输出端输出温度自适应电压，温度自适应电压的电压值与温度相关电压的电压值之间的差值在预定差值范围内。本发明可以有效预防低温下不工作情况发生并降低高温度工作条件下显示面板的功耗。

Description

电压提供电路、栅极驱动信号提供模组、方法和显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种电压提供电路、栅极驱动信号提供模组、方法和显示面板。
背景技术
在现有的显示面板中，对于常规的驱动电路，当环境温度发生改变时，TFT(ThinFilm Transistor，薄膜晶体管)的载流子迁移率也跟随环境温度的变化而变化，但施加给TFT的工作电压为一固定电压，该工作电压并不随着温度的变化而变化，导致在低温情况下，TFT的载流子迁移率低，固定的工作电压无法驱动TFT开启，导致TFT-LCD(LiquidCrystal Display，液晶显示器)在低温下无法工作。而在高温下实际对该工作电压的需求较常温下小，现有的显示面板在高温下工作时无法降低GOA(Gate On Array，设置于阵列基板上的栅极驱动电路)功耗，进而无法减小TFT-LCD的逻辑功耗。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种电压提供电路、栅极驱动信号提供模组、方法和显示面板，解决现有技术中容易出现在低温下不工作并无法在高温下减小功耗的问题。
为了达到上述目的，本发明提供了一种电压提供电路，包括第一电压输出端、温度敏感元件、供电电路和输出电路，其中，
所述供电电路与所述温度敏感元件的控制端电连接，用于向所述温度敏感元件的控制端提供控制电压信号；
所述温度敏感元件用于在所述控制电压信号的控制下，生成温度相关电压，并通过所述温度敏感元件的第一端输出所述温度相关电压；所述温度相关电压的电压值随着所述温度敏感元件的环境温度变化而变化；
所述输出电路分别与所述温度敏感元件的第一端和所述第一电压输出端电连接，用于根据所述温度相关电压生成温度自适应电压，并将所述温度自适应电压输出至所述第一电压输出端，所述温度自适应电压的电压值与所述温度相关电压的电压值之间的差值在预定差值范围内。
实施时，本发明所述的电压提供电路还包括电压转换电路；所述电压转换电路包括第二电压输出端；
所述电压转换电路与所述第一电压输出端电连接，用于将温度自适应电压转换为相应的温度自适应调节电压，并通过所述第二电压输出端输出所述温度自适应调节电压。
实施时，所述温度敏感元件为三极管；
所述三极管的基极为所述温度敏感元件的控制端，所述三极管的第一极为所述温度敏感元件的第一端，所述三极管的第二极与第一电压端电连接；所述三极管的基极与所述三极管的第一极电连接。
实施时，所述供电电路包括第一控制晶体管；
所述第一控制晶体管的控制极与控制节点电连接，所述第一控制晶体管的第一极与电源电压端电连接，所述第一控制晶体管的第二极与所述温度敏感元件的控制端电连接。
实施时，所述输出电路包括第一运算放大器、第二控制晶体管和第一控制电阻；
所述第一运算放大器的正相输入端与所述温度敏感元件的第一端电连接，所述第一运算放大器的反相输入端与所述第一电压输出端电连接，所述第一运算放大器的输出端与控制节点电连接；
所述第二控制晶体管的控制极与所述控制节点电连接，所述第二控制晶体管的第一极与电源电压端电连接，所述第二控制晶体管的第二极与所述第一运算放大器的反相输入端电连接；
所述第一控制电阻的第一端与所述第二控制晶体管的第二极电连接，所述第一控制电阻的第二端与第一电压端电连接。
实施时，所述电压转换电路包括第三控制晶体管和第二控制电阻，其中，
所述第三控制晶体管的控制极与控制节点电连接，所述第三控制晶体管的第一极与电源电压端电连接，所述第三控制晶体管的第二极与所述第二电压输出端电连接；
所述第二控制电阻的第一端与所述第二电压输出端电连接，所述第二控制电阻的第二端与第一电压端电连接。
本发明还提供了一种栅极驱动信号提供模组，包括上述的电压提供电路、基准电压生成电路和栅极驱动信号生成电路，其中，
所述基准电压生成电路与所述电压提供电路的第一电压输出端电连接，用于根据标准电压和所述第一电压输出端输出的温度自适应电压，以生成第一基准电压，并通过基准电压输出端输出所述第一基准电压；
所述栅极驱动信号生成电路的第一输入端与所述基准电压输出端电连接，所述栅极驱动信号生成电路的第二输入端接入第二基准电压，所述栅极驱动信号生成电路用于根据所述第一基准电压和所述第二基准电压生成栅极驱动信号，并通过栅极驱动信号输出端输出所述栅极驱动信号。
实施时，所述电压提供电路包括电压转换电路；所述电压转换电路包括第二电压输出端；
所述电压转换电路与所述第一电压输出端电连接，用于将温度自适应电压转换为相应的温度自适应调节电压，并通过所述第二电压输出端输出所述温度自适应调节电压；
所述基准电压生成电路与所述第二电压输出端电连接，用于对所述温度自适应调节电压和所述标准电压进行加权求和，以生成第一基准电压，并通过所述基准电压输出端输出所述第一基准电压。
实施时，所述基准电压生成电路包括第一输入电阻、第二输入电阻、第三输入电阻、反馈电阻，以及，构造为加法放大器的第二运算放大器；
所述第一输入电阻的第一端与所述第二运算放大器的正相输入端电连接，所述第一输入电阻的第二端接入所述标准电压；
所述第二输入电阻的第一端与所述第二运算放大器的正相输入端电连接，所述第二输入电阻的第二端接入所述温度自适应调节电压；
所述第三输入电阻的第一端与所述第二运算放大器的反相输入端电连接，所述第三输入电阻的第二端与第二电压端电连接；
所述反馈电阻的第一端与所述第二运算放大器的反相输入端电连接，所述反馈电阻的第二端与所述第二运算放大器的输出端电连接，所述第二运算放大器通过其输出端输出所述第一基准电压。
实施时，本发明所述的栅极驱动信号提供模组还包括升压电路；
所述栅极驱动信号生成电路的第一输入端通过所述升压电路与所述基准电压输出端连接；
所述升压电路用于对所述第一基准电压进行升压，以得到第一升压基准电压，并将所述第一升压基准电压传送至所述栅极驱动信号生成电路的第一输入端；
所述栅极驱动信号生成电路用于根据所述第一升压基准电压和所述第二基准电压生成所述栅极驱动信号。
本发明还提供了一种栅极驱动信号补偿方法，应用于显示面板，采用上述的栅极驱动信号补偿模组对栅极驱动信号进行补偿，所述栅极驱动信号补偿方法包括：
基准电压生成电路根据标准电压和电压提供电路输出的温度自适应电压，生成与所述显示面板的环境温度相关的第一基准电压；所述第一基准电压随着所述环境温度升高而减小，所述第一基准电压随着所述环境温度降低而增大；
栅极驱动信号生成电路根据所述第一基准电压和第二基准电压生成栅极驱动信号。
本发明还提供了一种显示面板，包括上述的栅极驱动信号提供模组。
与现有技术相比，本发明所述的电压提供电路、栅极驱动信号提供模组、方法和显示面板采用温度敏感元件，以在供电电路提供的控制电压信号的控制下，生成温度相关电压，并通过输出电路根据所述温度相关电压生成温度自适应电压，所述温度相关电压的电压值和所述温度自适应电压的电压值随着环境温度变化而变化，可以有效预防低温不工作情况发生并降低高温度工作条件下显示面板的功耗。
附图说明
图1是本发明实施例所述的电压提供电路的结构图；
图2是本发明所述电压提供电路的第一具体实施例的电路图；
图3是本发明所述电压提供电路的第二具体实施例的电路图；
图4是本发明实施例所述的栅极驱动信号提供模组的结构图；
图5是本发明所述的栅极驱动信号提供模组的第一具体实施例的电路图；
图6是本发明所述的栅极驱动信号提供模组的第二具体实施例的电路图；
图7是本发明所述的栅极驱动信号提供模组的第三具体实施例的电路图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明所有实施例中采用的晶体管均可以为三极管、薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。在本发明实施例中，为区分晶体管除控制极之外的两极，将其中一极称为第一极，另一极称为第二极。
在实际操作时，当所述晶体管为三极管时，所述控制极可以为基极，所述第一极可以为集电极，所述第二极可以发射极；或者，所述控制极可以为基极，所述第一极可以为发射极，所述第二极可以集电极。
在实际操作时，当所述晶体管为薄膜晶体管或场效应管时，所述控制极可以为栅极，所述第一极可以为漏极，所述第二极可以为源极；或者，所述控制极可以为栅极，所述第一极可以为源极，所述第二极可以为漏极。
如图1所示，本发明实施例所述的电压提供电路包括第一电压输出端Vout、温度敏感元件11、供电电路12和输出电路13，其中，
所述供电电路12与所述温度敏感元件11的控制端电连接，用于向所述温度敏感元件11的控制端提供控制电压信号；
所述温度敏感元件11用于在所述控制电压信号的控制下，生成温度相关电压，并通过所述温度敏感元件11的第一端输出所述温度相关电压；所述温度相关电压的电压值随着所述温度敏感元件11的环境温度变化而变化；
所述输出电路12分别与所述温度敏感元件11的第一端和所述第一电压输出端Vout电连接，用于根据所述温度相关电压生成温度自适应电压，并将所述温度自适应电压输出至所述第一电压输出端Vout，所述温度自适应电压的电压值与所述温度相关电压的电压值之间的差值在预定差值范围内。
低温条件下TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)的载流子迁移率降低，在高温条件下，TFT的载流子迁移率提升，但是相关技术中，TFT的工作电压为一固定值，导致了固定的工作电压难以满足低温条件下高电压驱动的需求，TFT-LCD(Liquid CrystalDisplay，液晶显示器)低温下不工作的问题；而高温下不需要高电压驱动导致的GOA功耗过大问题。
基于此，本发明实施例所述的电压提供电路采用温度敏感元件，以在供电电路提供的控制电压信号的控制下，生成温度相关电压，并通过输出电路根据所述温度相关电压生成温度自适应电压，所述温度相关电压的电压值和所述温度自适应电压的电压值随着环境温度变化而变化，进而将该温度自适应电压提供给GOA电路，使得GOA产生一随温度可变的驱动信号，从而有效预防TFT低温不工作情况发生并降低高温度工作条件下显示面板的功耗。
在具体实施时，所述环境温度可以为所述温度敏感元件的环境温度，也即所述电压提供电路应用于的显示面板的环境温度。
在实际操作时，所述温度相关电压的电压值可以随着所述环境温度增加而减小，所述温度相关电压的电压值可以随着所述环境温度减小而增加；并且，由于所述输出电路控制所述温度自适应电压的电压值与所述温度相关电压的电压值之间的差值在预定差值范围内，以使得所述温度自适应电压的电压值与所述温度相关电压的电压值近似相等，则所述温度自适应电压的电压值可以随着所述环境温度增加而减小，并所述温度自适应电压的电压值可以随着所述环境温度减小而增加，也即所述温度相关电压和所述温度自适应电压具有负温度系数。
具体的，所述预定差值范围可以为大于或等于-0.05V而小于或等于0.05V(但不以此为限，可以根据实际情况设置所述阈值差值范围，以使得所述温度自适应电压的电压值与所述温度相关电压的电压值近似相等)。
在具体实施时，本发明实施例所述的电压提供电路还可以包括电压转换电路；所述电压转换电路包括第二电压输出端；
所述电压转换电路与所述第一电压输出端电连接，用于将温度自适应电压转换为相应的温度自适应调节电压，并通过所述第二电压输出端输出所述温度自适应调节电压。
本发明实施例通过采用电压转换电路对所述温度自适应电压进行转换，可以放大或缩小所述温度自适应电压，以生成并输出适合需求电路工作规格的温度自适应调节电压。
具体的，所述温度敏感元件可以为三极管；
所述三极管的基极为所述温度敏感元件的控制端，所述三极管的第一极为所述温度敏感元件的第一端，所述三极管的第二极与第一电压端电连接；所述三极管的基极与所述三极管的第一极电连接。
在具体实施时，所述第一电压端可以为低电压端或地端，但不以此为限。
本发明实施例所述的电压提供电路采用三极管作为温度敏感元件，利用三极管饱和导通时，三极管的基极-发射极电压的负温度特性，设计了温度自适应电路方案。
当所述三极管饱和导通时，所述三极管的基极-发射极电压Vbe随着环境温度降低而升高，随着环境温度升高而降低。
所述三极管的基极-发射极电压Vbe为所述三极管的基极与所述三极管的发射极之间的电压。
本发明实施例以所述温度敏感元件为三极管为例说明，但不以此为限，在具体实施时，所述温度敏感元件也可以为其他任何能够生成温度相关电压的器件。
在实际操作时，所述供电电路包括第一控制晶体管；
所述第一控制晶体管的控制极与控制节点电连接，所述第一控制晶体管的第一极与电源电压端电连接，所述第一控制晶体管的第二极与所述温度敏感元件的控制端电连接。
在具体实施时，所述输出电路可以包括第一运算放大器、第二控制晶体管和第一控制电阻；
所述第一运算放大器的正相输入端与所述温度敏感元件的第一端电连接，所述第一运算放大器的反相输入端与所述第一电压输出端电连接，所述第一运算放大器的输出端与控制节点电连接；
所述第二控制晶体管的控制极与所述控制节点电连接，所述第二控制晶体管的第一极与所述电源电压端电连接，所述第二控制晶体管的第二极与所述第一运算放大器的反相输入端电连接；
所述第一控制电阻的第一端与所述第二控制晶体管的第二极电连接，所述第一控制电阻的第二端与第一电压端电连接。
具体的，所述电压转换电路可以包括第三控制晶体管和第二控制电阻，其中，
所述第三控制晶体管的控制极与控制节点电连接，所述第三控制晶体管的第一极与所述电源电压端电连接，所述第三控制晶体管的第二极与所述第二电压输出端电连接；
所述第二控制电阻的第一端与所述第二电压输出端电连接，所述第二控制电阻的第二端与所述第一电压端电连接。
下面通过两个具体实施例来说明本发明所述的电压提供电路。
如图2所示，本发明所述的电压提供电路的第一具体实施例包括第一电压输出端Vout、三极管Q1、供电电路12和输出电路13，其中，
Q1的基极与Q1的集电极电连接，Q1的发射极与地端GND电连接；
所述供电电路12包括第一控制晶体管Msp1；
Msp1的栅极与控制节点Ctrl电连接，Msp1的漏极与电源电压端电连接，Msp1的源极与Q1的基极电连接；所述电源电压端用于输入电源电压VCC；
所述输出电路13包括第一运算放大器A1、第二控制晶体管Msp2和第一控制电阻R1；
A1的正相输入端与Q1的集电极电连接，A1的反相输入端与所述第一电压输出端Vout电连接，A1的输出端与所述控制节点Ctrl电连接；A1的正相输入端和A1的反相输入端之间虚短；
Msp2的栅极与所述控制节点Ctrl电连接，Msp2的漏极与所述电源电压端电连接，Msp2的源极与所述第一电压输出端Vout电连接；
R1的第一端与所述第一电压输出端Vout电连接，R2的第二端与地端GND电连接。
在图2中，ADD1为第一电压，ADD1为A1提供工作电压。
在图2所示的电压提供电路的第一具体实施例中，Q1的基极为温度敏感元件的控制端，Q1的集电极为温度敏感元件的第一端，Q1的发射极为温度敏感元件的第二端；Q1为NPN型三极管，Msp1和Msp2都为NMOS管((N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管)，但不以此为限。
本发明如图2所示的电压提供电路的第一具体实施例在工作时，
在Ctrl的控制下，Msp1打开，以将VCC输出至Q1的基极，从而控制Q1饱和导通，使得Q1的基极-发射极电压Vbe具有负温度系数，而Q1的发射极的电压为0，则Q1的基极的电压随着Q1的环境温度增加而减小，Q1的基极的电压随着Q1的环境温度减小而增加，并Q1的集电极与Q1的基极电连接，则Q1的集电极的电压(也即温度相关电压，在本发明如图2所示的电压提供电路的第一具体实施例中，所述温度相关电压等于Q1的基极-发射极电压Vbe)随着Q1的环境温度减小而增加，Q1的集电极的电压随着Q1的环境温度增加而减小；
在Ctrl的控制下，Msp2打开，由Msp2的漏极流向Msp2的源极的电流为第一电流I1，此时A1的反向输入端的电压(也即Vout输出的温度自适应电压)为I1×Rz1，如果I1×Rz1不等于所述温度相关电压，则A1输出相应的电流调节控制信号至Msp2的栅极，以改变I1，直至I1×Rz1等于所述温度相关电压，从而通过Vout输出温度自适应电压；在本具体实施例中，所述温度自适应电压的电压值等于Vbe；Rz1为R1的电阻值。
本发明如图2所示的电压提供电路的第一具体实施例在工作时，A1处于深度负反馈状态，A1可以灵敏感知Q1的集电极的电压和R1的第一端的电压，当Q1的集电极的电压不等于R1的第一端的电压时，可以对Msp1的栅极电压和Msp2的栅极电压进行调节，直至Q1的集电极的电压等于R1的第一端的电压。
在具体实施时，Vbe＝(kT/q)ln(Ic/Is)；其中，T是环境温度，k是波尔兹曼常数，q是电子电荷，Ic是从Q1的集电极流向Q1的发射极的电流，Is是饱和电流，Is与Q1的发射区面积相关；
当Msp2的栅极电压变化时，Ic变化，从而Vbe相应变化，然而Vbe还是与环境温度T相关。
如图3所示，本发明所述的电压提供电路的第二具体实施例包括第一电压输出端Vout、三极管Q1、供电电路12、输出电路13和电压转换电路14，其中，
Q1的基极与Q1的集电极电连接，Q1的发射极与地端GND电连接；
所述供电电路12包括第一控制晶体管Msp1；
Msp1的栅极与控制节点Ctrl电连接，Msp1的漏极与电源电压端电连接，Msp1的源极与Q1的基极电连接；所述电源电压端用于输入电源电压VCC；
所述输出电路13包括第一运算放大器A1、第二控制晶体管Msp2和第一控制电阻R1；
A1的正相输入端与Q1的集电极电连接，A1的反相输入端与所述第一电压输出端Vout电连接，A1的输出端与所述控制节点Ctrl电连接；A1的正相输入端和A1的反相输入端之间虚短；
Msp2的栅极与所述控制节点Ctrl电连接，Msp2的漏极与所述电源电压端电连接，Msp2的源极与所述第一电压输出端Vout电连接；
R1的第一端与所述第一电压输出端Vout电连接，R2的第二端与地端GND电连接；
所述电压转换电路14包括第三控制晶体管Msp3和第二控制电阻R2，其中，
Msp3的栅极与所述控制节点Ctrl电连接，Msp3的漏极与所述电源电压端电连接，Msp3的源极与第二电压输出端Vo电连接；
R2的第一端与所述第二电压输出端Vo电连接，R2的第二端与地端GND电连接；
所述电压转换电路14通过所述第二电压输出端Vo输出温度自适应调节电压VTM。
在图3所示的电压提供电路的第二具体实施例中，Q1的基极为温度敏感元件的控制端，Q1的集电极为温度敏感元件的第一端，Q1的发射极为温度敏感元件的第二端；Q1为NPN型三极管，Msp1、Msp2和Msp3都为NMOS管((N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管)，但不以此为限。
在图3所示的电压提供电路的第二具体实施例中，Msp2、R1、Msp3和R2组成电流镜。
本发明如图3所示的电压提供电路的第二具体实施例在工作时，
在Ctrl的控制下，Msp1打开，以将VCC输出至Q1的基极，从而控制Q1饱和导通，使得Q1的基极-发射极电压Vbe具有负温度系数，而Q1的发射极的电压为0，则Q1的基极的电压随着Q1的环境温度增加而减小，Q1的基极的电压随着Q1的环境温度减小而增加，并Q1的集电极与Q1的基极电连接，则所述温度相关电压(在本发明如图3所示的电压提供电路的第二具体实施例中，所述温度相关电压等于Q1的基极-发射极电压Vbe)随着Q1的环境温度减小而增加，所述温度相关电压随着Q1的环境温度增加而减小；
在Ctrl的控制下，Msp2打开，由Msp2的漏极流向Msp2的源极的电流为第一电流I1，此时A1的反向输入端的电压(也即Vout输出的温度自适应电压)为I1×Rz1，如果I1×Rz1不等于所述温度相关电压，则A1输出相应的电流调节控制信号至Msp2的栅极，以改变I1，直至I1×Rz1等于所述温度相关电压，从而通过Vout输出温度自适应电压；Rz1为R1的电阻值；在本具体实施例中，所述温度自适应电压的电压值即等于Vbe；
而由于Msp2、R1、Msp3和R2组成电流镜，由Msp3的漏极流向Msp3的源极的电流为第二电流I2，I2＝K×I1，K为Msp3的沟道宽长比与Msp2的沟道宽长比之间的比值，则VTM＝(K×Vbe×Rz2)/Rz1，其中，Rz2为R2的电阻值，由于Vbe为与环境温度负相关的电压，则VTM也为与环境温度负相关的电压。
本发明如图3所示的电压提供电路的第二具体实施例在工作时，A1处于深度负反馈状态，A1可以灵敏感知Q1的集电极的电压和R1的第一端的电压，当Q1的集电极的电压不等于R1的第一端的电压时，可以对Msp1的栅极电压和Msp2的栅极电压进行调节，从而使得Q1的集电极的电压等于R1的第一端的电压。
本发明实施例所述的栅极驱动信号提供模组包括上述的电压提供电路、基准电压生成电路和栅极驱动信号生成电路，其中，
所述基准电压生成电路与所述电压提供电路的第一电压输出端电连接，用于根据标准电压和所述第一电压输出端输出的温度自适应电压，以生成第一基准电压，并通过基准电压输出端输出所述第一基准电压；
所述栅极驱动信号生成电路的第一输入端与所述基准电压输出端电连接，所述栅极驱动信号生成电路的第二输入端接入第二基准电压，所述栅极驱动信号生成电路用于根据所述第一基准电压和所述第二基准电压生成栅极驱动信号，并通过栅极驱动信号输出端输出所述栅极驱动信号。
本发明实施例所述的栅极驱动信号提供模组通过基准电压生成电路根据温度自适应电压生成第一基准电压，并通过栅极驱动信号生成电路根据所述第一基准电压生成栅极驱动信号。
所述栅极驱动信号生成电路根据所述第一基准电压和所述第二基准电压生成栅极驱动信号具体如下：根据预先设定的占空比和周期来设置栅极驱动信号，该栅极驱动信号为时钟信号，当所述栅极驱动信号为高电平时，将所述栅极驱动信号的电压值设置为所述第一基准电压，当所述栅极驱动信号为低电平时，将所述栅极驱动信号的电压值设置为第二基准电压。
如图4所示，本发明实施例所述的栅极驱动信号提供模组包括电压提供电路41、基准电压生成电路42和栅极驱动信号生成电路43，其中，
所述基准电压生成电路42与所述电压提供电路41的第一电压输出端Vout电连接，用于根据标准电压AVDD1和所述第一电压输出端Vout输出的温度自适应电压，以生成第一基准电压，并通过基准电压输出端VDo输出所述第一基准电压；
所述栅极驱动信号生成电路43的第一输入端与所述基准电压输出端VDo电连接，所述栅极驱动信号生成电路43的第二输入端接入第二基准电压VG2，所述栅极驱动信号生成电路43用于根据所述第一基准电压和所述第二基准电压VG2生成栅极驱动信号，并通过栅极驱动信号输出端GOUT输出所述栅极驱动信号。
本发明实施例所述的栅极驱动信号提供模组通过基准电压生成电路42根据温度自适应电压生成第一基准电压，从而使得所述第一基准电压与环境温度相关，进而使得所述栅极驱动信号生成电路43生成的栅极驱动信号与环境温度相关。
具体的，所述电压提供电路可以包括电压转换电路；所述电压转换电路包括第二电压输出端；
所述电压转换电路用于将温度自适应电压转换为相应的温度自适应调节电压，并通过所述第二电压输出端输出所述温度自适应调节电压；
所述基准电压生成电路与所述第二电压输出端电连接，用于对所述温度自适应调节电压和所述标准电压进行加权求和，以生成第一基准电压，并通过所述基准电压输出端输出所述第一基准电压。
在具体实施时，所述基准电压生成电路可以包括第一输入电阻、第二输入电阻、第三输入电阻、反馈电阻，以及，构造为加法放大器的第二运算放大器；
所述第一输入电阻的第一端与所述第二运算放大器的正相输入端电连接，所述第一输入电阻的第二端接入所述标准电压；
所述第二输入电阻的第一端与所述第二运算放大器的正相输入端电连接，所述第二输入电阻的第二端接入所述温度自适应调节电压；
所述第三输入电阻的第一端与所述第二运算放大器的反相输入端电连接，所述第三输入电阻的第二端与第二电压端电连接；
所述反馈电阻的第一端与所述第二运算放大器的反相输入端电连接，所述反馈电阻的第二端与所述第二运算放大器的输出端电连接，所述第二运算放大器通过其输出端输出所述第一基准电压。
在实际操作时，所述第二电压端可以为低电压端或地端，但不以此为限。
如图5所示，本发明所述的栅极驱动信号提供模组的第一具体实施例包括电压提供电路41、基准电压生成电路42和栅极驱动信号生成电路43，其中，
所述电压提供电路41输出温度自适应调节电压VTM；
所述基准电压生成电路42包括第一输入电阻R4、第二输入电阻R5、第三输入电阻R0、反馈电阻Rf，以及，构造为加法放大器的第二运算放大器A2；
所述第一输入电阻R4的第一端与所述第二运算放大器A2的正相输入端电连接，所述第一输入电阻R4的第二端接入标准电压AVDD1；
所述第二输入电阻R5的第一端与所述第二运算放大器A2的正相输入端电连接，所述第二输入电阻R5的第二端接入所述温度自适应调节电压VTM；
所述第三输入电阻R0的第一端与所述第二运算放大器A2的反相输入端电连接，所述第三输入电阻R0的第二端与地端GND电连接；
所述反馈电阻Rf的第一端与所述第二运算放大器A2的反相输入端电连接，所述反馈电阻Rf的第二端与所述第二运算放大器A2的输出端电连接，所述第二运算放大器A2通过其输出端输出第一基准电压AVDD_M；
所述栅极驱动信号生成电路43的第一输入端接入所述第一基准电压AVDD_M，所述栅极驱动信号生成电路43的第二输入端接入第二基准电压VG2，所述栅极驱动信号生成电路43用于根据所述第一基准电压AVDD_M和所述第二基准电压VG2生成栅极驱动信号，并通过栅极驱动信号输出端GOUT输出所述栅极驱动信号。
在图5中，ADD2为第二电压，用于为A2提供工作电压。
本发明所述的栅极驱动信号提供模组的第一具体实施例在工作时，VTM与AVDD1通过构造为加法放大器的第二运算放大器A2进行加法运算叠加，得到AVDD_M，再由栅极驱动信号生成电路43根据AVDD_M和VG2生成栅极驱动信号；
AVDD_M＝AVDD1×Rfz/R4z+VTM×Rfz/R5z；其中，Rfz为Rf的电阻值，R4z为R4的电阻值，R5z为R5的电阻值；
由于VTM与环境温度相关，所以AVDD_M和根据AVDD_M得到的栅极驱动信号也与环境温度相关。
在实际操作时，所述栅极驱动信号生成电路43可以为level shifter(电平转换器)。
在具体实施时，本发明实施例所述的栅极驱动信号提供模组还可以包括升压电路；
所述栅极驱动信号生成电路的第一输入端通过所述升压电路与所述基准电压输出端电连接；
所述升压电路用于对所述第一基准电压进行升压，以得到第一升压基准电压，并将所述第一升压基准电压传送至所述栅极驱动信号生成电路的第一输入端；
所述栅极驱动信号生成电路用于根据所述第一升压基准电压和所述第二基准电压生成所述栅极驱动信号。
在实际操作时，所述升压电路可以为charge pump(电荷泵)。
如图6所示，本发明所述的栅极驱动信号提供模组的第二具体实施例包括电压提供电路41、基准电压生成电路42、升压电路40和栅极驱动信号生成电路43，其中，
所述电压提供电路41输出温度自适应调节电压VTM；
所述基准电压生成电路42包括第一输入电阻R4、第二输入电阻R5、第三输入电阻R0、反馈电阻Rf，以及，构造为加法放大器的第二运算放大器A2；
所述第一输入电阻R4的第一端与所述第二运算放大器A2的正相输入端电连接，所述第一输入电阻R4的第二端接入标准电压AVDD1；
所述第二输入电阻R5的第一端与所述第二运算放大器A2的正相输入端电连接，所述第二输入电阻R5的第二端接入所述温度自适应调节电压VTM；
所述第三输入电阻R0的第一端与所述第二运算放大器A2的反相输入端电连接，所述第三输入电阻R0的第二端与地端GND电连接；
所述反馈电阻Rf的第一端与所述第二运算放大器A2的反相输入端电连接，所述反馈电阻Rf的第二端与所述第二运算放大器A2的输出端电连接，所述第二运算放大器A2通过其输出端输出第一基准电压AVDD_M；
所述升压电路40用于对所述第一基准电压AVDD_M进行升压，以得到第一升压基准电压VGH_M，并将所述第一升压基准电压VGH_M传送至所述栅极驱动信号生成电路43的第一输入端；
所述栅极驱动信号生成电路43的第一输入端接入所述第一升压基准电压VGH_M，所述栅极驱动信号生成电路43的第二输入端接入第二基准电压VG2，所述栅极驱动信号生成电路43用于根据所述第一升压基准电压VGH_M和所述第二基准电压VG2生成栅极驱动信号。
本发明所述的栅极驱动信号提供模组的第二具体实施例在工作时，VTM与AVDD1通过构造为加法放大器的第二运算放大器A2进行加法运算叠加，得到AVDD_M，升压电路40对AVDD_M进行升压而得到VGH_M，再由所述栅极驱动信号生成电路43根据VGH_M和VG2生成栅极驱动信号；
AVDD_M＝AVDD1×Rfz/R4z+VTM×Rfz/R5z；其中，Rfz为Rf的电阻值，R4z为R4的电阻值，R5z为R5的电阻值；
由于VTM与环境温度相关，所以VGH_M和栅极驱动信号也与环境温度相关。
在实际操作时，所述栅极驱动信号生成电路43可以为level shifter(电平转换器)。
如图7所示，本发明所述的栅极驱动信号提供模组的第三具体实施例包括电压提供电路、基准电压生成电路42、电荷泵CP和电平转换器LS，其中，
所述电压提供电路包括第一电压输出端Vout、三极管Q1、供电电路12、输出电路13和电压转换电路14，其中，
Q1的基极与Q1的集电极电连接，Q1的发射极与地端GND电连接；
所述供电电路12包括第一控制晶体管Msp1；
Msp1的栅极与控制节点Ctrl电连接，Msp1的漏极与电源电压端电连接，Msp1的源极与Q1的基极电连接；所述电源电压端用于输入电源电压VCC；
所述输出电路13包括第一运算放大器A1、第二控制晶体管Msp2和第一控制电阻R1；
A1的正相输入端与Q1的集电极电连接，A1的反相输入端与所述第一电压输出端Vout电连接，A1的输出端与所述控制节点Ctrl电连接；A1的正相输入端和A1的反相输入端之间虚短；
Msp2的栅极与所述控制节点Ctrl电连接，Msp2的漏极与所述电源电压端电连接，Msp2的源极与所述第一电压输出端Vout电连接；
R1的第一端与所述第一电压输出端Vout电连接，R2的第二端与地端GND电连接；
所述电压转换电路14包括第二电压输出端Vo、第三控制晶体管Msp3和第二控制电阻R2，其中，
Msp3的栅极与所述控制节点Ctrl电连接，Msp3的漏极与所述电源电压端电连接，Msp3的源极与所述第二电压输出端Vo电连接；
R2的第一端与所述第二电压输出端Vo电连接，R2的第二端与地端GND电连接；
所述电压转换电路14通过所述第二电压输出端Vo输出温度自适应调节电压VTM；
所述基准电压生成电路42包括第一输入电阻R4、第二输入电阻R5、第三输入电阻R0、反馈电阻Rf，以及，构造为加法放大器的第二运算放大器A2；
所述第一输入电阻R4的第一端与所述第二运算放大器A2的正相输入端电连接，所述第一输入电阻R4的第二端接入标准电压AVDD1；
所述第二输入电阻R5的第一端与所述第二运算放大器A2的正相输入端电连接，所述第二输入电阻R5的第二端接入所述温度自适应调节电压VTM；
所述第三输入电阻R0的第一端与所述第二运算放大器A2的反相输入端电连接，所述第三输入电阻R0的第二端与地端GND电连接；
所述反馈电阻Rf的第一端与所述第二运算放大器A2的反相输入端电连接，所述反馈电阻Rf的第二端与所述第二运算放大器A2的输出端电连接，所述第二运算放大器A2通过其输出端输出第一基准电压AVDD_M；
所述电荷泵CP用于对所述第一基准电压AVDD_M进行升压，以得到第一升压基准电压VGH_M，并将所述第一升压基准电压VGH_M传送至所述电平转换器LS的第一输入端；
所述电平转换器LS的第一输入端接入所述第一升压基准电压VGH_M，所述电平转换器LS的第二输入端接入第二基准电压VG2，所述电平转换器LS用于根据所述第一升压基准电压VGH_M和所述第二基准电压VG2生成栅极驱动信号CLK_G。
在图7所示的栅极驱动信号提供模组的第三具体实施例中，Q1为NPN型三极管，Msp1、Msp2和Msp3都为NMOS管(N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管)，但不以此为限。
本发明如图7所示的栅极驱动信号提供模组的第三具体实施例在工作时，在Ctrl的控制下，Msp1和Msp2都打开，由Msp2的漏极流向Msp2的源极的电流为第一电流I1，并将VCC输出至Q1的基极，从而控制Q1饱和导通，利用Q1在饱和导通时其基极-发射极电压Vbe具有负温度特性，并根据A1的虚短特性，并因为A1处于深度负反馈状态，可以灵敏感知A1的基极-发射极电压Vbe及R1的第一端的电压的变化情况，一旦Vbe不等于R1的第一端的电压(R1的第一端的电压等于I1×Rz1，Rz1为R1的电阻值)，则可对Msp2的栅极电压进行调节而改变I1，直至使得Vbe等于I1×Rz1，也即使得Vout输出的温度自适应电压等于Vbe；由于Vbe随着Q1的环境温度减小而增加，Vbe随着Q1的环境温度增加而减小，所以所述温度自适应电压随着Q1的环境温度减小而增加，所述温度自适应电压随着Q1的环境温度增加而减小；
而由于Msp2、R1、Msp3和R2组成电流镜，由Msp3的漏极流向Msp3的源极的电流为第二电流I2，I2＝K×I1，K为Msp3的沟道宽长比与Msp2的沟道宽长比之间的比值，则VTM＝(K×Vbe×Rz2)/Rz1，其中，Rz2为R2的电阻值，由于Vbe为与所述环境温度负相关的电压，则VTM也为与所述环境温度负相关的电压；
VTM与AVDD1通过构造为加法放大器的第二运算放大器A2进行加法运算叠加，得到AVDD_M，电荷泵CP对AVDD_M进行升压而得到VGH_M，再由所述电平转换器LS根据VGH_M和VG2生成栅极驱动信号；
AVDD_M＝AVDD1×Rfz/R4z+VTM×Rfz/R5z；其中，Rfz为Rf的电阻值，R4z为R4的电阻值，R5z为R5的电阻值；
AVDD_M＝AVDD1×Rfz/R4z+(K×Vbe×Rz2)/Rz1×Rfz/R5z；
VGH_M＝2AVDD_M+V0，其中，V0为固定电压；
VGH_M＝2(AVDD1×Rfz/R4z+(K×Vbe×Rz2)/Rz1×Rfz/R5z)+V0；
则VGH_M与环境温度负相关，也即VGH_M随着环境温度升高而减小，VGH_M随着环境温度降低而变大，合理调节K、R1z、R2z、R4z及Rfz，可以将低温状态下不工作的风险调整至最低，并降低高温状态下的GOA功耗。
在图7中，标号为ADD1的为第一电压，标号为ADD2的为第二电压。
在图7中，绘制出了像素电路70包括的一行像素单元，M1为位于该行第一列的像素单元包括的第一薄膜晶体管，Cgd为M1的栅极和M1的漏极之间的寄生电容，Cgs为M1的栅极和M1的源极之间的寄生电容，Cs1为第一电容，Clc1为第一液晶电容，Cs2为第二电容，Clc2为第二液晶电容，M2为位于该行的第二列的像素单元包括的第二薄膜晶体管，MN为位于该行的第N列的像素单元包括的第N薄膜晶体管，N为大于2的整数，Vd1为第一漏极电压，Vs1为第一源极电压，Vd2为第二漏极电压，Vs2为第二源极电压，VdN为第N漏极电压，VsN为第N源极电压，Vcom为公共电极电压。
设定TFT-LCD的环境温度为T，T大于等于最低温度T0而小于等于最高温度T1，当TFT-LCD工作于T0时，温度自适应调节电压为VTM_T0，第一升压基准电压为VGH_M_T0；当TFT-LCD工作于T1时，温度自适应调节电压为VTM_T1，第一升压基准电压为VGH_M_T1；其中，VTM_T0＞VTM_T1，AVDD_M_T0＞AVDD_M_T1，VGH_M_T0＞VGH_M_T1，温度自适应调节电压和第一升压基准电压均随环境温度升高而降低，在低温状态下第一升压基准电压较高，在高温状态下第一升压基准电压较低，通过合理调节K、R1z、R2z、R4z及Rfz，可将第一升压基准电压在工作温度范围内调整值至最佳电压，实现了在工作温度范围内的温度自适应调节，解决了TFT-LCD的低温下不工作问题及降低了高温下GOA功耗水平。
本发明实施例所述的显示面板包括上述的栅极驱动信号提供模组。
本发明实施例所提供的显示面板可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明实施例所述的栅极驱动信号补偿方法，应用于显示面板，采用上述的栅极驱动信号补偿模组对栅极驱动信号进行补偿，所述栅极驱动信号补偿方法包括：
基准电压生成电路根据标准电压和电压提供电路输出的温度自适应电压，生成与所述显示面板的环境温度相关的第一基准电压；所述第一基准电压随着所述环境温度升高而减小，所述第一基准电压随着所述环境温度降低而增大；
栅极驱动信号生成电路根据所述第一基准电压和第二基准电压生成栅极驱动信号。
在实际操作时，所述第一基准电压可以为高电压，所述第二基准电压可以为低电压，显示面板在显示时，当工作于较低环境温度时，因显示面板包括的TFT的载流子迁移率降低，GOA充电不足，导致低温下工作的情况发生；而显示面板工作于高温状态下时，显示面板包括的TFT的载流子的迁移率提升，保证显示面板正常稳定工作时对高电压的实际需求降低，此时降低高电压的电压值可以降低GOA功耗，进而降低显示面板的逻辑功耗。
本发明实施例所述的栅极驱动信号补偿方法可以有效预防低温下不工作情况发生及降低高温度工作条件下显示面板的GOA功耗水平。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种电压提供电路，其特征在于，包括第一电压输出端、温度敏感元件、供电电路和输出电路，其中，
所述供电电路与所述温度敏感元件的控制端电连接，用于向所述温度敏感元件的控制端提供控制电压信号；
所述温度敏感元件用于在所述控制电压信号的控制下，生成温度相关电压，并通过所述温度敏感元件的第一端输出所述温度相关电压；所述温度相关电压的电压值随着所述温度敏感元件的环境温度变化而变化；
所述输出电路分别与所述温度敏感元件的第一端和所述第一电压输出端电连接，用于根据所述温度相关电压生成温度自适应电压，并将所述温度自适应电压输出至所述第一电压输出端，所述温度自适应电压的电压值与所述温度相关电压的电压值之间的差值在预定差值范围内；
所述供电电路包括第一控制晶体管；
所述第一控制晶体管的控制极与控制节点电连接，所述第一控制晶体管的第一极与电源电压端电连接，所述第一控制晶体管的第二极与所述温度敏感元件的控制端电连接；
所述输出电路包括第一运算放大器、第二控制晶体管和第一控制电阻；
所述第一运算放大器的正相输入端与所述温度敏感元件的第一端电连接，所述第一运算放大器的反相输入端与所述第一电压输出端电连接，所述第一运算放大器的输出端与控制节点电连接；
所述第二控制晶体管的控制极与所述控制节点电连接，所述第二控制晶体管的第一极与电源电压端电连接，所述第二控制晶体管的第二极与所述第一运算放大器的反相输入端电连接；
所述第一控制电阻的第一端与所述第二控制晶体管的第二极电连接，所述第一控制电阻的第二端与第一电压端电连接。
2.如权利要求1所述的电压提供电路，其特征在于，还包括电压转换电路；所述电压转换电路包括第二电压输出端；
所述电压转换电路与所述第一电压输出端电连接，用于将温度自适应电压转换为相应的温度自适应调节电压，并通过所述第二电压输出端输出所述温度自适应调节电压。
3.如权利要求1或2所述的电压提供电路，其特征在于，所述温度敏感元件为三极管；
所述三极管的基极为所述温度敏感元件的控制端，所述三极管的第一极为所述温度敏感元件的第一端，所述三极管的第二极与第一电压端电连接；所述三极管的基极与所述三极管的第一极电连接。
4.如权利要求2所述的电压提供电路，其特征在于，所述电压转换电路包括第三控制晶体管和第二控制电阻，其中，
所述第三控制晶体管的控制极与控制节点电连接，所述第三控制晶体管的第一极与电源电压端电连接，所述第三控制晶体管的第二极与所述第二电压输出端电连接；
所述第二控制电阻的第一端与所述第二电压输出端电连接，所述第二控制电阻的第二端与第一电压端电连接。
5.一种栅极驱动信号提供模组，其特征在于，包括如权利要求1至4中任一权利要求所述的电压提供电路、基准电压生成电路和栅极驱动信号生成电路，其中，
所述基准电压生成电路与所述电压提供电路的第一电压输出端电连接，用于根据标准电压和所述第一电压输出端输出的温度自适应电压，以生成第一基准电压，并通过基准电压输出端输出所述第一基准电压；
所述栅极驱动信号生成电路的第一输入端与所述基准电压输出端电连接，所述栅极驱动信号生成电路的第二输入端接入第二基准电压，所述栅极驱动信号生成电路用于根据所述第一基准电压和所述第二基准电压生成栅极驱动信号，并通过栅极驱动信号输出端输出所述栅极驱动信号。
6.如权利要求5所述的栅极驱动信号提供模组，其特征在于，所述电压提供电路包括电压转换电路；所述电压转换电路包括第二电压输出端；
所述电压转换电路与所述第一电压输出端电连接，用于将温度自适应电压转换为相应的温度自适应调节电压，并通过所述第二电压输出端输出所述温度自适应调节电压；
所述基准电压生成电路与所述第二电压输出端电连接，用于对所述温度自适应调节电压和所述标准电压进行加权求和，以生成第一基准电压，并通过所述基准电压输出端输出所述第一基准电压。
7.如权利要求6所述的栅极驱动信号提供模组，其特征在于，所述基准电压生成电路包括第一输入电阻、第二输入电阻、第三输入电阻、反馈电阻，以及，构造为加法放大器的第二运算放大器；
所述第一输入电阻的第一端与所述第二运算放大器的正相输入端电连接，所述第一输入电阻的第二端接入所述标准电压；
所述第二输入电阻的第一端与所述第二运算放大器的正相输入端电连接，所述第二输入电阻的第二端接入所述温度自适应调节电压；
所述第三输入电阻的第一端与所述第二运算放大器的反相输入端电连接，所述第三输入电阻的第二端与第二电压端电连接；
所述反馈电阻的第一端与所述第二运算放大器的反相输入端电连接，所述反馈电阻的第二端与所述第二运算放大器的输出端电连接，所述第二运算放大器通过其输出端输出所述第一基准电压。
8.如权利要求5至7中任一权利要求所述的栅极驱动信号提供模组，其特征在于，还包括升压电路；
所述栅极驱动信号生成电路的第一输入端通过所述升压电路与所述基准电压输出端连接；
所述升压电路用于对所述第一基准电压进行升压，以得到第一升压基准电压，并将所述第一升压基准电压传送至所述栅极驱动信号生成电路的第一输入端；
所述栅极驱动信号生成电路用于根据所述第一升压基准电压和所述第二基准电压生成所述栅极驱动信号。
9.一种栅极驱动信号补偿方法，应用于显示面板，采用如权利要求5至8中任一权利要求所述的栅极驱动信号补偿模组对栅极驱动信号进行补偿，其特征在于，所述栅极驱动信号补偿方法包括：
基准电压生成电路根据标准电压和电压提供电路输出的温度自适应电压，生成与所述显示面板的环境温度相关的第一基准电压；所述第一基准电压随着所述环境温度升高而减小，所述第一基准电压随着所述环境温度降低而增大；
栅极驱动信号生成电路根据所述第一基准电压和第二基准电压生成栅极驱动信号。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求5至8中任一权利要求所述的栅极驱动信号提供模组。
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