CN108807492A - 显示面板及其制作方法、检测方法和显示装置 - Google Patents

显示面板及其制作方法、检测方法和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108807492A
CN108807492A CN201810712863.XA CN201810712863A CN108807492A CN 108807492 A CN108807492 A CN 108807492A CN 201810712863 A CN201810712863 A CN 201810712863A CN 108807492 A CN108807492 A CN 108807492A
Authority
CN
China
Prior art keywords
tft
thin film
film transistor
signal wire
display panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810712863.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN108807492B (zh
Inventor
王军
王战涛
唐润民
赵乾成
任星
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201810712863.XA priority Critical patent/CN108807492B/zh
Publication of CN108807492A publication Critical patent/CN108807492A/zh
Priority to PCT/CN2019/078498 priority patent/WO2020001085A1/zh
Priority to US16/617,962 priority patent/US11563071B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN108807492B publication Critical patent/CN108807492B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/70—Testing, e.g. accelerated lifetime tests
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/341—Short-circuit prevention
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/851—Division of substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提出了显示面板及其制作方法、检测方法和显示装置。该显示面板包括：衬底，其第一表面上限定有显示区和电路区；多个信号线引出端，设置在电路区且每个信号线引出端与一根信号线电连接；多个薄膜晶体管，设置在电路区且每个薄膜晶体管的第一极与一个信号线引出端电连接；多条引线，设置在电路区，并沿第一方向间隔分布且沿第二方向延伸，且每个引线在第二方向上的一端与一个薄膜晶体管的第二极电连接，另一端延伸至衬底的边缘。本发明所提出的显示面板，在每个信号线引出端和每条引线之间设置一个TFT，可通过控制多个TFT的开关，即使激光切割产生的导电异物导致引线搭接，也可将串扰X‑Line问题屏蔽，从而提高激光切割的品质和显示面板的制作良品率。

Description

显示面板及其制作方法、检测方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示面板制作及检测领域，具体的，本发明涉及显示面板及其制作方法、检测方法和显示装置。
背景技术
现阶段，在显示面板生产过程中，对产品需要采用激光(laser)进行切割，由于高温容易导致切割区附近的引线(例如，显示面板母版上切割保留区之间相连的信号线引线，用于在切割前进行整版测试)熔融，而在断面处形成黑色的导电碳化物，且电路区相邻的信号线引线之间距离只有4微米，从而会导致点灯时容易发生短路(short)而造成串扰并出现暗线或亮线(X-Line)的技术问题，进而影响到显示面板的良品率。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
本发明的发明人在与信号线相连的信号线引出端和引线之间设置薄膜晶体管，可通过控制多个薄膜晶体管(TFT)的开关，即使激光切割过程中产生的导电异物容易导致引线搭接在一起，也可将导电异物导致的串扰X-Line不良问题屏蔽，彻底消除不良，从而提高激光切割的品质和显示面板的制作良品率。
有鉴于此，本发明的一个目的在于提出一种提高切割品质、制作良品率更高的显示面板。
在本发明的第一方面，本发明提出了一种显示面板。
根据本发明的实施例，所述显示面板包括：衬底，所述衬底的第一表面上限定有显示区和电路区，且所述电路区设置在所述显示区的一侧；多个信号线引出端，所述多个信号线引出端设置在所述电路区，且每个所述信号线引出端与一根信号线电连接；多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管设置在所述电路区，每个所述薄膜晶体管的第一极与一个所述信号线引出端电连接；多条引线，所述多条引线设置在所述电路区，沿第一方向间隔分布且沿第二方向延伸，且每个所述引线在所述第二方向上的一端与一个所述薄膜晶体管的第二极电连接，另一端延伸至所述衬底的边缘。
本发明实施例的显示面板的电路区中，在每个与信号线相连的信号线引出端和每条引线之间设置一个TFT，可通过控制多个TFT的开关，即使激光切割过程中产生的导电异物容易导致引线搭接在一起，也可将导电异物导致的串扰X-Line不良问题屏蔽，彻底消除不良，从而提高激光切割的品质和显示面板的制作良品率。
另外，根据本发明上述实施例的显示面板，还可以具有如下附加的技术特征：
根据本发明的实施例，所述显示面板进一步包括：开关走线，所述开关走线设置在所述电路区，且与所述多个薄膜晶体管的栅极都电连接。
根据本发明的实施例，所述开关走线沿所述第一方向延伸，且在所述第一方向上具有相对的第一连接端和第二连接端。
根据本发明的实施例，所述衬底的第一表面上还限定有测试区，所述测试区和所述电路区位于所述显示区的同侧，且所述测试区在所述第一方向上位于所述电路区的两侧；并且，所述开关走线在所述第一方向上还具有相对的第三连接端和第四连接端，且所述第三连接端和所述第四连接端延伸至所述测试区。
根据本发明的实施例，所述多条引线设置在所述多个信号线引出端远离所述显示区的一侧，所述开关走线设置在所述多条引线和所述多个信号线引出端之间，每个所述薄膜晶体管位于所述开关走线与一条所述引线和一个所述信号线引出端交叠的位置处。
根据本发明的实施例，所述薄膜晶体管包括：所述第一极为所述引线的至少一部分，所述第二极为与所述信号线引出端电连接的导线的至少一部分，所述栅极为所述开关走线的至少一部分；且所述薄膜晶体管还包括：有源层，所述有源层设置在所述引线和所述导线之间；绝缘层，所述绝缘层覆盖有源层以及所述第一极和所述第二极的至少部分，且设置在所述有源层和所述栅极之间。
在本发明的第二方面，本发明提出了一种制作上述的显示面板的方法。
根据本发明的实施例，所述方法包括：提供衬底母版，所述衬底母版的第一表面上限定出多个有效区域，且每个所述有效区域包括显示区和电路区；在所述电路区形成多条引线；在所述电路区形成多个信号线引出端；在所述电路区内形成多个薄膜晶体管，且每个所述薄膜晶体管的第一极与一个所述信号线引出端电连接，第二极与一条所述引线电连接；对所述衬底母版进行切割，以便获得所述显示面板。
采用本发明实施例的制作方法，制作出的显示面板上的信号线引出端和引线之间设置薄膜晶体管，即使切割步骤中产生的导电异物容易引起引线搭接，通过控制多个TFT的开关，屏蔽导电异物导致的串扰X-Line不良问题，从而提高切割步骤的品质和该制作方法的良品率。本领域技术人员能够理解的是，前面针对显示面板所描述的特征和优点，仍适用于该制作显示面板的方法，在此不再赘述。
另外，根据本发明上述实施例的制作方法，还可以具有如下附加的技术特征：
根据本发明的实施例，在进行所述切割之前，所述方法进一步包括：在所述电路区形成开关走线，且所述开关走线与多个所述薄膜晶体管的栅极都电连接。
根据本发明的实施例，在形成所述开关走线之后，在所述开关走线在所述第一方向上形成相对的第一连接端和第二连接端。
根据本发明的实施例，在进行所述切割之前，所述方法进一步包括：在所述衬底母版的测试区形成第三连接端和第四连接端，且所述第三连接端和所述第四连接端相对地设置在所述开关走线的所述第一方向上。
根据本发明的实施例，在所述多条引线靠近所述显示区的一侧，形成所述多个信号线引出端；在所述薄膜晶体管与一条所述引线和一个所述信号线引出端的交叠位置形成一个所述开关走线。
根据本发明的实施例，形成所述薄膜晶体管的步骤包括：所述第一极由所述引线的至少一部分形成，所述第二极由与所述信号线引出端电连接的导线的至少一部分形成，在所述引线和与所述导线之间形成有源层；在所述引线、所述有源层和所述导线的远离所述衬底的表面形成绝缘层；在所述绝缘层远离所述有源层的表面形成栅极，且所述栅极由所述开关走线的至少一部分形成。
在本发明的第三方面，本发明提出了一种检测上述的显示面板的方法。
根据本发明的实施例，所述方法包括：在点灯信号的控制下，对所述多个薄膜晶体管的栅极都施加第一电压，以开启所述多个薄膜晶体管。
采用本发明实施例的检测方法，可通过对设置在信号线引出端和引线之间的薄膜晶体管的栅极都施加第一电压，可使薄膜晶体管处于开态，从而在ET点灯测试时，可通过显示面板上是否出现明线或暗线，来检测切割后是否产生导电异物。本领域技术人员能够理解的是，前面针对显示面板所描述的特征和优点，仍适用于该检测显示面板的方法，在此不再赘述。
另外，根据本发明上述实施例的检测方法，还可以具有如下附加的技术特征：
根据本发明的实施例，所述多个薄膜晶体管的栅极都电连接开关走线，对所述开关走线的第三连接端和第四连接端施加所述第一电压，其中，所述第三连接端和所述第四连接端相对地设置在所述开关走线的所述第一方向上并延伸至所述衬底的测试区。
根据本发明的实施例，所述方法进一步包括：在模组信号的控制下，对所述开关走线的第一连接端和第二连接端施加第二电压，以关闭所述多个薄膜晶体管，其中，所述第一连接端和所述第二连接端相对地设置在所述开关走线的所述第一方向上。
在本发明的第四方面，本发明提出了一种显示装置。
根据本发明的实施例，所述显示装置包括上述的显示面板。
本发明实施例的显示装置，其显示面板的切割品质更高、制作良品率更好，从而使该显示装置的显示画质更好、长期使用寿命更长。本领域技术人员能够理解的是，前面针对显示面板所描述的特征和优点，仍适用于该显示装置，在此不再赘述。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述的方面结合下面附图对后面实施例的描述进行解释，其中：
图1是相关技术的显示面板在激光切割后在电路区残留导电异物的俯视示意图；
图2是本发明一个实施例的显示面板的俯视示意图；
图3是本发明一个实施例的多个薄膜晶体管的等效电路示意图；
图4是本发明一个实施例的存在导电异物情况的多个薄膜晶体管的等效电路示意图；
图5是本发明另一个实施例的电路区的俯视示意图；
图6是本发明另一个实施例的电路区的俯视示意图；
图7是本发明另一个实施例的电路区和检测区的俯视示意图；
图8是本发明另一个实施例的电路区和检测区的俯视示意图；
图9是本发明一个实施例的薄膜晶体管的纵截面结构示意图；
图10是本发明一个实施例的制作显示面板的方法流程示意图；
图11是本发明一个实施例的检测显示面板的方法流程示意图；
图12是本发明另一个实施例的制作显示面板的方法流程示意图。
附图标记
100 衬底
A 显示区
B 电路区
C 检测区
200 信号线引出端
210 信号线
220 导线
300 薄膜晶体管
310 有源层
320 绝缘层
400 引线
X 导电异物
500 开关走线
510 第一连接端
520 第二连接端
530 第三连接端
540 第四连接端
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，本技术领域人员会理解，下面实施例旨在用于解释本发明，而不应视为对本发明的限制。除非特别说明，在下面实施例中没有明确描述具体技术或条件的，本领域技术人员可以按照本领域内的常用的技术或条件或按照产品说明书进行。
在本发明的一个方面，本发明提出了一种显示面板。
根据本发明的实施例，参考图2，显示面板包括：衬底100，多个信号线引出端200，多个薄膜晶体管300和多条引线400；其中，衬底100的第一表面a上限定有显示区A和电路区B，且电路区B设置在显示区A的一侧；多个信号线引出端200设置在电路区B，且每个信号线引出端200与一根信号线210电连接；多个薄膜晶体管300设置在电路区B，每个薄膜晶体管300的第一极与一个信号线引出端200电连接；而多条引线400设置在电路区B，沿第一方向间隔分布且沿第二方向延伸，且每个引线400在第二方向上的一端与一个薄膜晶体管300的第二极电连接，另一端延伸至衬底100的边缘。需要说明的是，第一方向与第二方向交叉设置。需要说明的是，薄膜晶体管300的第一极可以是源极和漏极中的一种，而第二极可以是源极和漏极中的另一种。
根据本发明的实施例，信号线210和信号线引出端200的具体类型不受特别的限制，本领域技术人员可根据该显示面板的具体结构设计进行相应地选择。在本发明的一些实施例中，信号线210可以为数据线，而信号线引出端200可以为数据线引出端，如此，通过设计多个薄膜晶体管300与数据线引出端相连，可解决激光切割造成的串扰X-Line不良问题。本发明的发明人在研究过程中发现，参考图1，现有设计的显示面板在激光切割之后，高温熔融残留的导电异物X容易将走线区的相邻数据线引线搭接短路，从而在探索(ET)点灯测试时，会出例如现分别与绿色子像素(G)与红色子像素(R)相连的数据线引线之间的短路，而造成的串扰X-Line不良问题，从而在显示面板的显示区域会出现暗线或亮线，进而不仅影响到显示面板的制作良品率，并会影响到显示面板的显示画质品质和长期使用稳定性。其中，图1的A-2显示的是图1的A-1显示的显示区的子像素分布的照片。
因此，本发明的发明人在与信号线210相连的引线400和信号线引出端200之间设置薄膜晶体管(TFT)300(其电路图可参考图3)。如此，可通过控制多个薄膜晶体管300的开关，即使激光切割过程中产生的导电异物X容易导致引线400搭接在一起(其电路图可参考图4)，通过将各个TFT关闭，也可将导电异物X导致的串扰X-Line不良问题屏蔽，彻底消除不良，从而提高激光切割的品质和显示面板的制作良品率。
根据本发明的实施例，显示面板的具体类型不受特别的限制，具体例如有机发光二极管(OLED)显示面板等，本领域技术人员可根据该显示面板的实际使用要求进行相应地选择，在此不再赘述。
根据本发明的实施例，信号线引出端200、薄膜晶体管300和引线400的具体个数都不受特别的限制，而图2中只画出6个作为示例、图3和图4中只画出RGB三条线路作为示例，本领域技术人员可根据显示面板的具体子像素个数进行相应地设计和调整，在此不再赘述。
根据本发明的实施例，参考图5，该显示面板还可包括开关走线500，该开关走线500设置在电路区B，且与多个薄膜晶体管300的栅极都电连接。如此，可通过开关走线500同时控制多个TFT的开关。
在本发明的一些实施例中，参考图6，开关走线500可沿第一方向延伸，且在第一方向上具有相对的第一连接端510和第二连接端520。如此，在模组(MDL)点灯检测时，通过对两个连接端510和520加正向DC电压，从而使多个P型沟道-氧化物-半导体(PMOS)型的薄膜晶体管300关闭，即使激光切割过程中产生的导电异物X容易导致引线400搭接在一起，也可屏蔽串扰问题。
在本发明的另一些实施例中，参考图7或图8，衬底100(图中未标出)的第一表面上还限定有测试区C，测试区C和电路区B位于显示区A(图中未标出)的同侧，且测试区C在第一方向上位于电路区B的两侧；并且，开关走线500在第一方向上还具有相对的第三连接端530和第四连接端540，且第三连接端530和第四连接端540延伸至测试区C。如此，在探索(ET)点灯检测时，通过对两个连接端530、540施加负向直流(DC)电压，同时打开多个PMOS型的薄膜晶体管300，并观察显示面板的显示区A是否会出现暗线或亮线，从而可判断出是否存在切割导电异物引起了X-Line问题。
根据本发明的实施例，薄膜晶体管300的具体位置不受特别的限制，只要薄膜晶体管300设置在电路区B中即可，本领域技术人员可根据引线400、信号线引出端200和开关走线500的具体位置和方向进行相应地设计。在本发明的一些实施例中，参考图5，多条引线400设置在多个信号线引出端200远离显示区A的一侧，开关走线500设置在多条引线400和多个信号线引出端200之间，每个薄膜晶体管300位于开关走线500与一条引线400和一个信号线引出端200交叠的位置处。如此，可节省显示区A以外的区域面积，从而可实现窄边框效果。
根据本发明的实施例，薄膜晶体管300的具体结构不受特别的限制，只要该薄膜晶体管300能实现控制引线400与信号线引出端200之间的开关状态即可，本领域技术人员可根据该薄膜晶体管300设置的具体位置进行相应的设计。在本发明的一些实施例中，参考图9，引线400的至少一部分可直接作为TFT的第一极，开关走线500的至少一部分可直接作为TFT的栅极，而信号线引出端200与TFT的第二极通过导线220电连接，并且，有源层310设置在引线400与导线220之间，绝缘层320覆盖有源层310、部分的第一极和部分的第二极，且开关走线500设置在绝缘层320远离有源层310的表面。如此，直接将引线400、导线220和开关走线500分别作为TFT的第一极、第二极和栅极，可省去单独制作TFT的源极、栅极的步骤和成本。需要说明的是，图9是沿着引线400从衬底100的边缘到显示区A的横截面结构示意图。
综上所述，根据本发明的实施例，本发明提出了一种显示面板的电路区中，在每个与信号线相连的信号线引出端和每条引线之间设置一个TFT，可通过控制多个TFT的开关，即使激光切割过程中产生的导电异物容易导致引线搭接在一起，也可将导电异物导致的串扰X-Line不良问题屏蔽，彻底消除不良，从而提高激光切割的品质和显示面板的制作良品率。
在本发明的另一个方面，本发明提出了一种制作上述的显示面板的方法。根据本发明的实施例，参考图10，该制作方法包括：
S100：提供衬底母版。
在该步骤中，提供衬底母版，衬底母版的第一表面a上限定出多个有效区域，且每个有效区域包括显示区A和电路区B，并且，电路区B设置在显示区A的一侧。需要说明的是，本文中的“有效区域”具体是指多个切割区域之间限定出的切割后保留的区域。
根据本发明的实施例，有效区域的具体个数以及有效区域内显示区A和电路区B的具体大小，都不受特别的限制，本领域技术人员可根据所需制作的显示面板的实际尺寸要求进行相应地设计和调整，在此不再赘述。
S200：在电路区形成多条引线。
在该步骤中，在电路区B形成多条引线400。根据本发明的实施例，形成多条引线400的具体方法不受特别的限制，本领域技术人员可根据引线400的具体材料进行相应地选择，在此不再赘述。
在本发明的一些实施例中，多条引线400可沿第一方向间隔分布且沿第二方向延伸，且每个引线400在第二方向上的一端延伸至衬底100的边缘，如此，可将多条引线规则的排布在电路区B靠近边缘的一侧，进一步节省非显示区域的空间而有利于窄边框设计。
在一些具体示例中，还可与多条引线400通过一次构图工艺，同时形成导线220，用于将后续形成的信号线引出端200与薄膜晶体管300的漏极连接，如此，无需额外增加制作工艺来电连接薄膜晶体管300与信号线引出端200。
S300：在电路区形成多个信号线引出端。
在该步骤中，在电路区B继续形成多个信号线引出端200。根据本发明的实施例，形成多个信号线引出端200的具体方法不受特别的限制，具体例如电镀或印刷等方法，本领域技术人员可根据多个信号线引出端200的具体材料进行相应地选择，在此不再赘述。
在本发明的一些实施例中，可在多条引线400靠近显示区A的一侧，形成多个信号线引出端200，如此，可规则地排布多个信号线引出端200，进一步节省非显示区域的面积而有利于窄边框设计。在一些具体示例中，可在每条导线220靠近显示区A的一侧，形成多个信号线引出端200，如此，可将多个信号线引出端200分别与后续形成的薄膜晶体管300直接电连接。
S400：在电路区内形成多个薄膜晶体管。
在该步骤中，在电路区B内形成多个薄膜晶体管300，且每个薄膜晶体管300的第一极与一个信号线引出端200电连接，第二极与一条引线400电连接。根据本发明的实施例，形成薄膜晶体管300的具体位置不受特别的限制，本领域技术人员可根据引线400和信号线引出端200的具体位置和方向进行相应地设计，在此不再赘述。
根据本发明的实施例，形成薄膜晶体管300的具体方法不受特别的限制，本领域技术人员可根据薄膜晶体管300的具体结构进行相应地设计。在本发明的一些实施例中，薄膜晶体管300的第一极由引线400的至少一部分形成，第二极由与信号线引出端200电连接的导线220的至少一部分形成，可先在引线400与导线220之间先形成有源层310，再在有源层310、导线220和引线400远离衬底100的表面形成绝缘层320，然后在绝缘层320远离有源层310的表面形成栅极，且栅极由开关走线500的至少一部分形成，如此，可进一步节省制作薄膜晶体管的工艺步骤和制作成本。
S500：对衬底母版进行切割，以便获得显示面板。
在该步骤中，以OLED显示面板的制作工艺为例，对制作好的衬底母版最后进行切割，即可OLED显示面板。具体的，沿着多个有效区域之间的切割区域进行切割，且切割后的OLED显示面板上具有显示区A、电路区B和检测区C。
在本发明的一些实施例中，参考图12，在步骤S400之后、步骤S500之前，可进一步包括：
S610：在电路区形成开关走线。
在该步骤中，在电路区B形成开关走线500，且开关走线500与多个薄膜晶体管300的栅极都电连接。根据本发明的实施例，形成开关走线500的具体方法不受特别的限制，本领域技术人员可根据开关走线500的具体材料进行相应地选择，在此不再赘述。
在本发明的一些实施例中，在每个薄膜晶体管300与一条引线400和一个信号线引出端200的交叠位置可形成一段开关走线500，如此，开关走线500可直接作为薄膜晶体管300的栅极使用，可更进一步节省制作薄膜晶体管的工艺步骤和制作成本。
S620：在开关走线的第一方向上形成相对的第一连接端和第二连接端。
在该步骤中，还可继续在开关走线500的第一方向上形成相对的第一连接端510和第二连接端520，如此，在模组(MDL)点灯检测时，通过对电路区B中的两个连接端510和520加正向DC电压，可使多个PMOS型的薄膜晶体管300关闭，即使切割过程中产生的导电异物X容易导致引线400搭接在一起，也可屏蔽串扰问题。
根据本发明的实施例，形成第一连接端510和第二连接端520的具体方法不受特别的限制，本领域技术人员可根据两个连接端的具体材料进行相应地选择，在此不再赘述。
S630：在衬底母版的测试区形成第三连接端和第四连接端，且第三连接端和第四连接端相对地设置在开关走线的第一方向上。
在该步骤中，在衬底母版的测试区C形成第三连接端530和第四连接端540，且第三连接端530和第四连接端540相对地设置在开关走线500的第一方向上，并与开关走线500相连，如此，在探索(ET)点灯检测时，通过对两个连接端530、540施加负向DC电压，同时打开多个PMOS型的薄膜晶体管300，并观察显示面板的显示区A是否会出现暗线或亮线，从而可判断出是否存在切割导电异物引起了X-Line问题。
根据本发明的实施例，形成第三连接端530和第四连接端540的具体方法不受特别的限制，本领域技术人员可根据两个连接端的具体材料进行相应地选择，在此不再赘述。
综上所述，根据本发明的实施例，本发明提出了一种制作方法，制作出的显示面板上的信号线引出端和引线之间设置薄膜晶体管，即使切割步骤中产生的导电异物容易引起引线搭接，通过控制多个TFT的开关，屏蔽导电异物导致的串扰X-Line不良问题，从而提高切割步骤的品质和该制作方法的良品率。本领域技术人员能够理解的是，前面针对显示面板所描述的特征和优点，仍适用于该制作显示面板的方法，在此不再赘述。
在本发明的另一个方面，本发明提出了一种检测上述的显示面板的方法。
根据本发明的实施例，参考图11，该检测方法包括：
S10：在点灯信号的控制下，对多个薄膜晶体管的栅极都施加第一电压，以开启多个薄膜晶体管。
在该步骤中，在点灯信号的控制下，对多个薄膜晶体管300的栅极都施加第一电压，以开启多个薄膜晶体管300，如此，便可检测出切割导电异物X的情况。需要说明的是，“点灯信号”具体是指分别给例如RGB子像素各自的数据线提供白画面的数据电压。
根据本发明的实施例，对多个薄膜晶体管300的栅极都施加第一电压，可使多个薄膜晶体管300都处于开态，同时在点灯信号的控制下，具体为对多个信号线引出端200分别施加各自的数据信号，并以红绿蓝(RGB)色子像素为例，对与红色子像素相连的信号线引出端200上施加Rdata电压、对与绿色子像素相连的信号线引出端200上施加Gdata电压、对与蓝色子像素相连的信号线引出端200上施加Bdata电压，而且Rdata电压、Gdata电压、Bdata电压由于红绿蓝色发光材料的不同而一般都不同。
在本发明的一些情况中，若切割后不存在切割导电异物X导致的短路时，其电路图可参考图3，在点灯信号的控制下对多个信号线引出端200分别施加各自的数据信号，并对多个薄膜晶体管300的栅极SW都施加第一电压而使多个薄膜晶体管300都处于开态，如此，通过信号线210与信号线引出端200电连接的各个子像素单元都可正常显示，则会观察到显示面板的显示区A显示正常(即整个画面的亮度均匀一致)，从而可判断出切割质量良好，不存在导电异物。
在本发明的另一些情况中，若切割后存在切割导电异物X导致的短路时，其电路图可参考图4，在点灯信号的控制下对多个信号线引出端200分别施加各自的数据信号，并对多个薄膜晶体管300的栅极SW都施加第一电压而使多个薄膜晶体管300都处于开态，如此，例如被切割导电异物X短路的一个红色子像素和一个绿色子像素，由于两者的数据电压不同，即Rdata电压≠Gdata电压，从而使这两个子像素之间的数据电压相互串扰，进而会造成与这两个信号线引出端200相连的两列子像素的显示电压异常，则会观察到显示面板的显示区A出现至少一条纵向的明线或暗线，从而可判断出切割后存在导电异物的短路问题。
在本发明的一些实施例中，多个薄膜晶体管300的栅极都与开关走线500电连接，对开关走线500的第三连接端530和第四连接端540施加第一电压，其中，第三连接端530和第四连接端540相对地设置在开关走线500的第一方向上并延伸至衬底100的测试区C，如此，可通过开关走线500同时控制多个TFT300的开通。
在本发明的一些实施例中，对于有源层310采用氧化物材料的PMOS型薄膜晶体管300，第一电压可为负向DC电压，如此，对栅极施加负向DC电压可使薄膜晶体管开通。根据本发明的实施例，第一电压的具体电压值不受特别的限制，只要该第一电压值能使薄膜晶体管300打开即可，具体例如-5～-7V，等等，本领域技术人员可根据薄膜晶体管300的具体电学性能进行相应地选择，在此不再赘述。
在本发明的一些实施例中，参考图11，该检测方法还包括：
S20：在模组信号的控制下，对开关走线的第一连接端和第二连接端施加第二电压，以关闭多个薄膜晶体管。
在该步骤中，在模组信号的控制下，对开关走线500的第一连接端510和第二连接端520施加第二电压，以关闭多个薄膜晶体管300，其中，第一连接端510和第二连接端520相对地设置在开关走线500的第一方向上，如此即便在步骤S10中检测出切割后存在切割导电异物X导致的短路问题，也可通过关闭多个薄膜晶体管300从而屏蔽掉X-Line串扰问题，进而提高切割步骤的品质和显示面板的制作良品率。需要说明的是，“模组信号”具体是指向例如RGB子像素各自的数据线提供显示画面对应的数据电压。
在本发明的一些实施例中，多个薄膜晶体管300的栅极都与开关走线500电连接，对开关走线500的第一连接端510和第二连接端520施加第二电压，其中，第一连接端510和第二连接端520相对地设置在开关走线500的第一方向上，如此，可通过开关走线500同时控制多个TFT300的关闭。
在本发明的一些实施例中，对于有源层310采用氧化物材料的PMOS型薄膜晶体管300，第二电压可为正向DC电压，如此，对栅极施加正向DC电压可使薄膜晶体管关闭。根据本发明的实施例，第二电压的具体电压值也不受特别的限制，只要该第二电压值能使薄膜晶体管300关闭即可，具体例如7V等，本领域技术人员可根据薄膜晶体管300的具体电学性能进行相应地选择，在此不再赘述。
综上所述，根据本发明的实施例，本发明提出了一种检测方法，可通过对设置在信号线引出端和引线之间的薄膜晶体管的栅极都施加第一电压，可使薄膜晶体管处于开态，从而在ET点灯测试时，可通过显示面板上是否出现明线或暗线，来检测切割后是否产生导电异物。本领域技术人员能够理解的是，前面针对显示面板所描述的特征和优点，仍适用于该检测显示面板的方法，在此不再赘述。
在本发明的另一个方面，本发明提出了一种显示装置。根据本发明的实施例，该显示装置包括上述的显示面板。
根据本发明的实施例，显示装置的具体种类不受特别的限制，具体例如有机发光二极管(OLED)显示器、量子点发光(QLED)显示器等，本领域技术人员可根据该显示装置的具体使用要求进行相应地选择，在此不再赘述。根据本发明的实施例，该显示装置的具体类型不受特别的限制，本领域常用的显示装置类型均可，具体例如显示器、移动装置、可穿戴设备，等等，本领域技术人员可根据该显示设备的具体用途进行相应地选择，在此不再赘述。
还要说明的是，显示装置除了上述的显示面板以外，还包括其他必要的组成和结构，以OLED显示器为例，具体例如外壳、电路板、电源线，等等，本领域技术人员可根据该显示装置的具体使用要求进行相应地补充，在此不再赘述。
综上所述，根据本发明的实施例，本发明提出了一种显示装置，其显示面板的切割品质更高、制作良品率更好，从而使该显示装置的显示画质更好、长期使用寿命更长。本领域技术人员能够理解的是，前面针对显示面板所描述的特征和优点，仍适用于该显示装置，在此不再赘述。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (16)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底的第一表面上限定有显示区和电路区，且所述电路区设置在所述显示区的一侧；
多个信号线引出端，所述多个信号线引出端设置在所述电路区，且每个所述信号线引出端与一根信号线电连接；
多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管设置在所述电路区，每个所述薄膜晶体管的第一极与一个所述信号线引出端电连接；
多条引线，所述多条引线设置在所述电路区，沿第一方向间隔分布且沿第二方向延伸，且每个所述引线在所述第二方向上的一端与一个所述薄膜晶体管的第二极电连接，另一端延伸至所述衬底的边缘。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，进一步包括：
开关走线，所述开关走线设置在所述电路区，且与所述多个薄膜晶体管的栅极都电连接。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述开关走线沿所述第一方向延伸，且在所述第一方向上具有相对的第一连接端和第二连接端。
4.根据权利要求2或3所述的显示面板，其特征在于，所述衬底的第一表面上还限定有测试区，所述测试区和所述电路区位于所述显示区的同侧，且所述测试区在所述第一方向上位于所述电路区的两侧；
并且，所述开关走线在所述第一方向上还具有相对的第三连接端和第四连接端，且所述第三连接端和所述第四连接端延伸至所述测试区。
5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述多条引线设置在所述多个信号线引出端远离所述显示区的一侧，所述开关走线设置在所述多条引线和所述多个信号线引出端之间，每个所述薄膜晶体管位于所述开关走线与一条所述引线和一个所述信号线引出端交叠的位置处。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一极为所述引线的至少一部分，所述第二极为与所述信号线引出端电连接的导线的至少一部分，所述栅极为所述开关走线的至少一部分；且所述薄膜晶体管还包括：
有源层，所述有源层设置在所述引线和所述导线之间；
绝缘层，所述绝缘层覆盖所述有源层以及所述第一极和所述第二极的至少部分，且设置在所述有源层和所述栅极之间。
7.一种制作权利要求1～6中任一项所述的显示面板的方法，其特征在于，包括：
提供衬底母版，所述衬底母版的第一表面上限定出多个有效区域，且每个所述有效区域包括显示区和电路区；
在所述电路区形成多条引线；
在所述电路区形成多个信号线引出端；
在所述电路区内形成多个薄膜晶体管，且每个所述薄膜晶体管的第一极与一个所述信号线引出端电连接，第二极与一条所述引线电连接；
对所述衬底母版进行切割，以便获得所述显示面板。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在进行所述切割之前，所述方法进一步包括：
在所述电路区形成开关走线，且所述开关走线与多个所述薄膜晶体管的栅极都电连接。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在形成所述开关走线之后，在所述开关走线在所述第一方向上形成相对的第一连接端和第二连接端。
10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，在进行所述切割之前，所述方法进一步包括：
在所述衬底母版的测试区形成第三连接端和第四连接端，且所述第三连接端和所述第四连接端相对地设置在所述开关走线的所述第一方向上。
11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述多条引线靠近所述显示区的一侧，形成所述多个信号线引出端；在所述薄膜晶体管与一条所述引线和一个所述信号线引出端的交叠位置形成一个所述开关走线。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，形成所述薄膜晶体管的步骤包括：所述第一极由所述引线的至少一部分形成，所述第二极由与所述信号线引出端电连接的导线的至少一部分形成，在所述引线和与所述导线之间形成有源层；在所述引线、所述有源层和所述导线的远离所述衬底母板的表面形成绝缘层；在所述绝缘层远离所述有源层的表面形成栅极，且所述栅极由所述开关走线的至少一部分形成。
13.一种检测权利要求1～6中任一项所述的显示面板的方法，其特征在于，包括：
在点灯信号的控制下，对所述多个薄膜晶体管的栅极都施加第一电压，以开启所述多个薄膜晶体管。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述多个薄膜晶体管的栅极都电连接开关走线，对所述开关走线的第三连接端和第四连接端施加所述第一电压，其中，所述第三连接端和所述第四连接端相对地设置在所述开关走线的所述第一方向上并延伸至所述衬底的测试区。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：
在模组信号的控制下，对所述开关走线的第一连接端和第二连接端施加第二电压，以关闭所述多个薄膜晶体管，其中，所述第一连接端和所述第二连接端相对地设置在所述开关走线的所述第一方向上。
16.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～6中任一项所述的显示面板。
CN201810712863.XA 2018-06-29 2018-06-29 显示面板及其制作方法、检测方法和显示装置 Active CN108807492B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810712863.XA CN108807492B (zh) 2018-06-29 2018-06-29 显示面板及其制作方法、检测方法和显示装置
PCT/CN2019/078498 WO2020001085A1 (zh) 2018-06-29 2019-03-18 显示面板及其制作方法、检测方法和显示装置
US16/617,962 US11563071B2 (en) 2018-06-29 2019-03-18 Display panel, manufacturing method and detecting method thereof, and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810712863.XA CN108807492B (zh) 2018-06-29 2018-06-29 显示面板及其制作方法、检测方法和显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108807492A true CN108807492A (zh) 2018-11-13
CN108807492B CN108807492B (zh) 2021-12-28

Family

ID=64073940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810712863.XA Active CN108807492B (zh) 2018-06-29 2018-06-29 显示面板及其制作方法、检测方法和显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11563071B2 (zh)
CN (1) CN108807492B (zh)
WO (1) WO2020001085A1 (zh)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109659295A (zh) * 2018-12-14 2019-04-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled面板和测量oled面板的电信号的方法
CN109946589A (zh) * 2019-04-08 2019-06-28 京东方科技集团股份有限公司 一种检测显示面板电学不良的方法及装置
CN110112169A (zh) * 2019-04-22 2019-08-09 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN110289225A (zh) * 2019-06-28 2019-09-27 京东方科技集团股份有限公司 测试装置及方法、显示装置
WO2020001085A1 (zh) * 2018-06-29 2020-01-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、检测方法和显示装置
CN110890410A (zh) * 2019-11-29 2020-03-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
WO2020124743A1 (zh) * 2018-12-18 2020-06-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN111341821A (zh) * 2020-03-12 2020-06-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板以及显示设备
CN111477133A (zh) * 2020-04-20 2020-07-31 京东方科技集团股份有限公司 开关电路及其控制方法、覆晶薄膜和显示装置
CN113012609A (zh) * 2020-10-22 2021-06-22 重庆康佳光电技术研究院有限公司 显示面板制作方法及显示面板
CN113287028A (zh) * 2019-09-30 2021-08-20 京东方科技集团股份有限公司 电子基板及其制作方法、显示面板

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114815335B (zh) * 2022-04-07 2023-08-22 苏州华星光电技术有限公司 液晶显示母版

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070170948A1 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 Yuan-Hao Chang Active device array substrate, liquid crystal display panel and examining methods thereof
CN101350356A (zh) * 2007-07-19 2009-01-21 中华映管股份有限公司 主动元件阵列基板
CN103208264A (zh) * 2013-04-01 2013-07-17 友达光电(厦门)有限公司 一种用于阵列基板行驱动线路的测试方法
CN106952933A (zh) * 2015-12-29 2017-07-14 乐金显示有限公司 具有显示面板的显示装置及其制造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5140999B2 (ja) * 2006-11-22 2013-02-13 カシオ計算機株式会社 液晶表示装置
KR101843360B1 (ko) * 2010-12-24 2018-03-30 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 동작 방법
CN103325327B (zh) * 2013-06-20 2016-03-30 深圳市华星光电技术有限公司 一种显示面板、显示面板的检测线路
CN108807492B (zh) 2018-06-29 2021-12-28 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、检测方法和显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070170948A1 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 Yuan-Hao Chang Active device array substrate, liquid crystal display panel and examining methods thereof
CN101350356A (zh) * 2007-07-19 2009-01-21 中华映管股份有限公司 主动元件阵列基板
CN103208264A (zh) * 2013-04-01 2013-07-17 友达光电(厦门)有限公司 一种用于阵列基板行驱动线路的测试方法
CN106952933A (zh) * 2015-12-29 2017-07-14 乐金显示有限公司 具有显示面板的显示装置及其制造方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11563071B2 (en) 2018-06-29 2023-01-24 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel, manufacturing method and detecting method thereof, and display device
WO2020001085A1 (zh) * 2018-06-29 2020-01-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、检测方法和显示装置
CN109659295B (zh) * 2018-12-14 2020-08-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled面板和测量oled面板的电信号的方法
CN109659295A (zh) * 2018-12-14 2019-04-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled面板和测量oled面板的电信号的方法
WO2020124743A1 (zh) * 2018-12-18 2020-06-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN109946589A (zh) * 2019-04-08 2019-06-28 京东方科技集团股份有限公司 一种检测显示面板电学不良的方法及装置
CN109946589B (zh) * 2019-04-08 2022-12-27 京东方科技集团股份有限公司 一种检测显示面板电学不良的方法及装置
CN110112169A (zh) * 2019-04-22 2019-08-09 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN110289225B (zh) * 2019-06-28 2022-04-15 京东方科技集团股份有限公司 测试装置及方法、显示装置
CN110289225A (zh) * 2019-06-28 2019-09-27 京东方科技集团股份有限公司 测试装置及方法、显示装置
CN113287028A (zh) * 2019-09-30 2021-08-20 京东方科技集团股份有限公司 电子基板及其制作方法、显示面板
CN110890410B (zh) * 2019-11-29 2022-08-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN110890410A (zh) * 2019-11-29 2020-03-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN111341821A (zh) * 2020-03-12 2020-06-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板以及显示设备
CN111477133A (zh) * 2020-04-20 2020-07-31 京东方科技集团股份有限公司 开关电路及其控制方法、覆晶薄膜和显示装置
CN113012609A (zh) * 2020-10-22 2021-06-22 重庆康佳光电技术研究院有限公司 显示面板制作方法及显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
US11563071B2 (en) 2023-01-24
WO2020001085A1 (zh) 2020-01-02
CN108807492B (zh) 2021-12-28
US20210359071A1 (en) 2021-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108807492A (zh) 显示面板及其制作方法、检测方法和显示装置
CN106067473A (zh) 显示装置
CN109215516A (zh) 显示装置及其制造方法
CN104680957B (zh) 显示设备及其制造和测试方法
US20080029784A1 (en) Thin film transistor array panel for a display
US9406250B2 (en) Display panel and method of detecting defects thereof
CN109154729B (zh) 显示面板及其信号线的修复方法、显示装置
EP3016165A1 (en) Display device with power supply in cover
US20170193898A1 (en) Organic light emitting display panel, organic light emitting display device, and repairing method of the same
CN106094317A (zh) 显示面板
CN103984174B (zh) 一种像素结构及其制造方法与修复方法
US11980068B2 (en) Display panel and display device with multiplexed photosensitive and display region
US10930682B2 (en) Array substrate, method for manufacturing the same and display apparatus
CN108594551A (zh) 阵列基板及其数据线断路的修复方法和显示装置
CN109037235A (zh) 阵列基板及其制作方法
CN105074550A (zh) 具有集成的触摸和改进的图像像素孔的显示器
CN112102735A (zh) 显示装置
US20230134185A1 (en) Transparent display panel and transparent display device including the same
EP3716259A2 (en) Display device, tiling electronic device and method for repairing a display device
US10288926B2 (en) Display device
CN108231798A (zh) 一种待检测的显示面板、显示面板及显示装置
CN114185190B (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
JP4943152B2 (ja) エレクトロルミネセント・ディスプレイをテストする装置
KR101152491B1 (ko) 액정표시소자
CN109559691A (zh) 显示面板和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant