CN108806990A - 基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法 - Google Patents
基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108806990A CN108806990A CN201810601667.5A CN201810601667A CN108806990A CN 108806990 A CN108806990 A CN 108806990A CN 201810601667 A CN201810601667 A CN 201810601667A CN 108806990 A CN108806990 A CN 108806990A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quantum well
- cdse
- cdte
- cadmium
- semiconductor film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 139
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 134
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 43
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 239000011257 shell material Substances 0.000 claims description 42
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 39
- 239000012792 core layer Substances 0.000 claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 32
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- -1 octadecylene Chemical group 0.000 claims description 16
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 claims description 12
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 11
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GWOLZNVIRIHJHB-UHFFFAOYSA-N 11-mercaptoundecanoic acid Chemical class OC(=O)CCCCCCCCCCS GWOLZNVIRIHJHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- CMZQABJYGBTXFW-UHFFFAOYSA-N cadmium;tetradecanoic acid Chemical compound [Cd].CCCCCCCCCCCCCC(O)=O CMZQABJYGBTXFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 3-mercaptopropanoic acid Chemical class OC(=O)CCS DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 claims description 6
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 claims description 5
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 claims description 5
- LHQLJMJLROMYRN-UHFFFAOYSA-L cadmium acetate Chemical compound [Cd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O LHQLJMJLROMYRN-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- KJNYWDYNPPTGLP-UHFFFAOYSA-L cadmium(2+);diacetate;hydrate Chemical compound O.[Cd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O KJNYWDYNPPTGLP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 5
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GCIZMJUHGHGRNW-UHFFFAOYSA-N 5-sulfanylpentanoic acid Chemical class OC(=O)CCCCS GCIZMJUHGHGRNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N SnO2 Inorganic materials O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N selenium dioxide Chemical compound O=[Se]=O JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- IMGGANUNCHXAQF-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylpentanoic acid Chemical compound CCCC(S)C(O)=O IMGGANUNCHXAQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 claims 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 claims 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 15
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 abstract description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 8
- 230000009471 action Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 47
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 10
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 10
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000010748 Photoabsorption Effects 0.000 description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- AUIZLSZEDUYGDE-UHFFFAOYSA-L cadmium(2+);diacetate;dihydrate Chemical compound O.O.[Cd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O AUIZLSZEDUYGDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 2
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 2
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021360 Myristic acid Nutrition 0.000 description 1
- 235000006508 Nelumbo nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 240000002853 Nelumbo nucifera Species 0.000 description 1
- 235000006510 Nelumbo pentapetala Nutrition 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010351 charge transfer process Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 description 1
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2054—Light-sensitive devices comprising a semiconductor electrode comprising AII-BVI compounds, e.g. CdTe, CdSe, ZnTe, ZnSe, with or without impurities, e.g. doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
- H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
- H01G9/204—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising zinc oxides, e.g. ZnO
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法，属于光阳极领域。光阳极包括导电基片、吸附于导电基片的n型半导体膜、连接于n型半导体膜的巯基烷酸以及连接于巯基烷酸的Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱。Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱包括CdSe量子片核层和CdTe量子片壳层，n型半导体膜的导带能级位于CdTe量子片壳层的导带能级和价带能级之间。吸光效率高、界面电荷分离效率高、界面电荷复合作用弱、光电转化效率高。制备方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡后于含有Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的敏化剂溶液中浸泡。可控性好、成本低、适用范围广，制得的光阳极光电转化效率高。
Description
技术领域
本发明涉及光阳极领域，具体而言，涉及一种基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法。
背景技术
能源危机日益严峻，敏化太阳能电池以其工艺简单、成本低廉等系列优势成为新能源领域的研究热点。然而，敏化太阳能电池中光阳极有限的光谱响应以及复杂的界面电荷转移与复合过程，使电池的吸光效率和电子收集效率受到制约，大大影响了电池的光电转化效率。因此，有效增强光阳极的吸光效率和调控改善光阳极的界面电荷转移过程，对于提高电池的光电转化效率和推进其实用化进程来说意义重大。
然而，现有技术存在以下问题：一是，零维量子点或一维量子棒的光吸收截面有限，光阳极的吸光效率有待提高；二是，之前使用的量子点/棒材料的电子结构未经特殊设计，电子布居无规律，这就导致：一方面电子从量子点/棒转移到n型半导体膜中的速度受限，难以实现高效的电子注入；另一方面，分离态电子向量子点/棒的复合过程无法得到有效控制，该复合过程的存在严重影响光阳极上的电子收集效率。上述零维量子点和一维量子棒的吸光截面以及量子点/棒与n型半导体膜界面电荷过程的缺陷导致光阳极的光电性能受到限制。
有鉴于此，特提出本申请。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极，其具备吸光效率高、界面电荷分离效率高、界面电荷复合作用弱、光电转化效率高等优点。
本发明的另一目的在于提供一种基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极的制备方法，其可控性好、成本低、适用范围广，制得的光阳极的光电转化效率高。
本发明的实施例是这样实现的：
一种基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极，其包括导电基片、吸附于导电基片的n型半导体膜、连接于n型半导体膜的巯基烷酸以及连接于巯基烷酸的Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱，Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱包括CdSe量子片核层和CdTe量子片壳层，n型半导体膜的导带能级位于CdTe量子片壳层的导带能级和价带能级之间。
一种基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极的制备方法，其包括：将沉积于导电基片的n型半导体膜于含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡，得表面连接有巯基烷酸的n型半导体膜，将表面连接有巯基烷酸的n型半导体膜于含有Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的敏化剂溶液中浸泡，得基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极。
本发明实施例的有益效果是：
本发明提供的基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极，采用二维的CdSe/CdTe量子阱作为光敏剂，与零维量子点和一维量子棒相比，其具有更大的光吸收截面，可以显著提高光阳极的吸光效率。Ⅱ型电子结构的CdSe/CdTe量子阱，其CdTe壳层的导带和价带分别低于CdSe核层的导带和价带能级：一方面，CdSe/CdTe量子阱的电子离域到CdTe壳层中，这使得CdSe/CdTe量子阱上的电子可以顺畅地转移到n型半导体上，以实现量子阱与n型半导体之间高效的电荷分离和电子注入；另一方面，量子阱的空穴限域在CdSe核层内部而CdTe壳层基本无空穴，这可以有效地抑制n型半导体上分离态电子向CdSe/CdTe量子阱上空穴的复合过程，显著增强光阳极的电子收集效率。上述结构特性使基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的光阳极展现出优异的光电性能。
巯基烷酸用作连接n型半导体膜和Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的功能桥链分子，其分子一端的羧基健合在n型半导体膜表面，而另一端的巯基健合在Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱表面，将n型半导体膜和Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱通过化学键紧密结合在一起，制得的光阳极稳定性好、界面电子注入顺畅、电子收集效率和光电转化效率高。
本发明提供的基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极的制备方法，通过浸泡操作依次在沉积于导电基片的n型半导体膜上连接巯基烷酸和Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱，其可控性好、成本低、适用范围广。制得的光阳极针对性地增强从量子阱到n型半导体膜的电子转移，同时削弱从n型半导体膜到量子阱的电子复合，显著改善光阳极的光电性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明实施例提供的基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极的界面电荷过程能级图；
图3为本发明实施例1提供的基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的TEM图；
图4为本发明实施例1提供的基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极的界面电荷传输与复合动力学过程光谱图；
图5为本发明实施例1提供的基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极的太阳能电池的J-V曲线图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
下面对本发明实施例的基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法进行具体说明。
请参阅图1，本发明提供一种基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极，包括：导电基片、吸附于导电基片的n型半导体膜、连接于n型半导体膜的巯基烷酸以及连接于巯基烷酸的Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱。Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱包括CdSe量子片核层和CdTe量子片壳层，n型半导体膜的导带能级位于CdTe量子片壳层的导带能级和价带能级之间。
采用二维的CdSe/CdTe量子阱作为光敏剂，与零维量子点和一维量子棒相比，其具有更大的光吸收截面，可以显著提高光阳极的吸光效率。
请参阅图2，Ⅱ型电子结构的CdSe/CdTe量子阱，其CdTe壳层的导带和价带分别低于CdSe核层的导带和价带能级：一方面，CdSe/CdTe量子阱的电子离域到CdTe壳层中，这使得CdSe/CdTe量子阱上的电子可以顺畅地转移到n型半导体上，以实现量子阱与n型半导体之间高效的电荷分离和电子注入；另一方面，量子阱的空穴限域在CdSe核层内部而CdTe壳层基本无空穴，这可以有效地抑制n型半导体上分离态电子向CdSe/CdTe量子阱上空穴的复合过程，显著增强光阳极的电子收集效率。上述结构特性使基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的光阳极展现出优异的光电性能。
巯基烷酸用作连接n型半导体膜和Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的功能桥链分子，其分子一端的羧基健合在n型半导体膜表面，而另一端的巯基健合在Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱表面，将n型半导体膜和Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱通过化学键紧密结合在一起，制得的光阳极稳定性好、界面电子注入顺畅、电子收集效率和光电转化效率高。
在本发明一些可选的实施方式中，n型半导体膜选自TiO2半导体膜、ZnO半导体膜或SnO2半导体膜中的一种。
选用上述种类的半导体膜，使n型半导体膜的能级结构与CdSe量子片核层及CdTe量子片壳层的能级结构之间有较好的匹配关系，有利于增强量子阱到n型半导体膜的电子转移，削弱从n型半导体膜到量子阱的电子复合，从而改善光阳极的光电性能。
巯基烷酸选自3-巯基丙酸、5-巯基戊酸或11-巯基十一酸中的至少一种。如巯基烷酸可以是3-巯基丙酸一种、5-巯基戊酸一种、11-巯基十一酸一种，或者3-巯基丙酸、5-巯基戊酸和11-巯基十一酸中两种或三种的组合。
选用上述种类的巯基烷酸，制备时操作方便。巯基烷酸两端与n型半导体膜及Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的键合稳定，使得到的光阳极稳定性好、界面电子注入顺畅。
本发明提供一种基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极的制备方法，包括：将沉积于导电基片的n型半导体膜于含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡，得表面连接有巯基烷酸的n型半导体膜，将表面连接有巯基烷酸的n型半导体膜于含有Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的敏化剂溶液中浸泡，得基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极。
通过浸泡操作依次在沉积于导电基片的n型半导体膜上连接巯基烷酸和Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱，其可控性好、成本低、适用范围广。制得的光阳极针对性地增强从量子阱到n型半导体膜的电子转移，同时削弱从n型半导体膜到量子阱的电子复合，显著改善光阳极的光电性能。
在本发明一些可选的实施方式中，沉积于导电基片的n型半导体膜在含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡的时间为5-10h，如可以是5h、6h、7h、8h、9h、10h等。使巯基烷酸与n型半导体膜稳定地键合。
可选地，沉积于导电基片的n型半导体膜选自TiO2半导体膜、ZnO半导体膜或SnO2半导体膜中的一种。
进一步地，含有巯基烷酸的醇溶液中，溶剂可选地为甲醇、乙醇等。巯基烷酸选自3-巯基丙酸、5-巯基戊酸或11-巯基十一酸中的至少一种，其在醇溶液中的体积百分比可选地为3-8％，如3％、4％、5％、6％、7％、8％等。
在本发明一些可选的实施方式中，表面连接有巯基烷酸的n型半导体膜在敏化剂溶液中浸泡的时间为5-12h，如可以是5h、6h、7h、8h、9h、10h、11h、12h等。使Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱与巯基烷酸稳定地键合，使得到的光阳极稳定性好、界面电子注入顺畅。
进一步地，敏化剂溶液的溶剂选自正己烷、庚烷、甲苯或三氯甲烷中的至少一种。如溶剂可以是己烷一种、庚烷一种、甲苯一种、三氯甲烷一种，或者己烷、庚烷、甲苯和三氯甲烷中两种、三种或四种的组合。
经发明人研究发现，采用上述溶剂的敏化剂溶液，使得Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱在溶液中的分散性能好且与巯基烷酸能够快速稳定的键合。
在本发明一些具体的实施方式中，Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱根据以下方法制得：将量子阱CdTe壳层材料的含镉前驱液在加热下与含CdSe量子片核层材料的种子溶液混合，得混合液；加热温度190-220℃的条件下，向混合液中滴加量子阱CdTe壳层材料的含碲前驱液进行反应，得到Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱。
种子溶液可选地根据以下方法制得：
首先，将量子阱CdSe核层材料镉源和量子阱CdSe核层材料硒源溶于十八烯中，抽真空约30分钟后，在真空环境下以100-150℃的温度加热1-2h，如加热1h，得到均匀透明的预处理溶液。
可选地，量子阱CdSe核层材料镉源选自十四烷酸镉、氧化镉或醋酸镉中的至少一种。量子阱CdSe核层材料硒源选自氧化硒或硒粉中的至少一种。
预处理溶液中，量子阱CdSe核层材料镉源的浓度为0.02-0.1mol/L。量子阱CdSe核层材料镉源与量子阱CdSe核层材料硒源的摩尔比为1.8-2.2:1，进一步地为2:1。
其次，在惰性的气体保护下，惰性的气体是指氮气、氦气、氩气等反应活性低的气体，将预处理溶液加热至190-220℃，如加热至200℃，向加热后的该预处理溶液中快速地加入乙酸镉水合物，可选地添加乙酸镉二水合物。然后将该混合溶液升温至230-260℃反应5-30min后用冰浴终止，得到量子阱核层材料的产物溶液。
可选地，量子阱CdSe核层材料硒源与乙酸镉水合物的摩尔比为0.8-1.2:1，进一步地为1:1。
最后，将上述得到的量子阱核层材料的产物溶液在2000-4000rpm的转速下离心10-30分钟，分离、收集得到CdSe量子片核层材料。将该CdSe量子片核层材料分散于十八烯中，得到该种子溶液。
在本发明较佳的实施例中，种子溶液中CdSe量子片核层材料的浓度为0.06-0.18mmol/L。
量子阱CdTe壳层材料的含镉前驱液为壳层材料镉源和油酸的十八烯溶液。其中，壳层材料镉源包括十四烷酸镉、氧化镉或醋酸镉中的至少一种。量子阱CdTe壳层材料的含镉前驱液中壳层材料镉源的浓度为0.02-0.05mol/L，可选地为0.03mol/L。该含镉前驱液中油酸和十八烯的体积比例可选地为1:200。
可选地，量子阱CdTe壳层材料的含镉前驱液与种子溶液混合之前，将量子阱CdTe壳层材料的含镉前驱液抽真空约30min后，在真空环境下以100-150℃的温度加热1-2h，如加热1h。之后加热至约200℃，再快速地向该种子溶液加入至该含镉前驱液中。种子溶液与量子阱CdTe壳层材料的含镉前驱液的体积比较佳地为1-2:10，进一步地为1:10。
量子阱CdTe壳层材料的含碲前驱液为碲粉和三辛基膦的十八烯溶液。量子阱CdTe壳层材料的含碲前驱液中碲粉的浓度为0.015-0.020mol/L，进一步地为0.018mol/L。该溶液中，三辛基膦与十八烯的体积比可选地约为1:12.5。
量子阱CdTe壳层材料的含碲前驱液与混合液的体积比较佳地为0.4-0.7:1，进一步地为0.5:1。将混合液在190-220℃的条件下加热反应5-10s后，即将该含碲前驱液缓慢地滴加于该混合液中。
进一步地，量子阱CdTe壳层材料的含碲前驱液的滴加速度为0.5-2mL/L，滴加完成后反应0.5-1.5h并用冰浴终止。接着用乙醇作为沉淀剂，离心即可得到Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱。
Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的上述制备方法，采用热溶剂注入的方式先制备CdSe量子片核层，再在核层外面外延生长CdTe量子片壳层。可以通过分别控制核层和壳层量子片的生长来分别调控核层和壳层的能级结构，从而精确、有效地调控CdSe/CdTe量子阱和n型半导体之间的界面电荷过程。通过CdSe/CdTe量子阱电子结构的控制，针对性地增强从量子阱到n型半导体膜的电子转移，同时削弱从n型半导体膜到量子阱的电子复合，显著改善光阳极的光电性能。该方法可控性好、成本低、适用范围广，制得的光阳极的吸光效率及光电效率高。
以下结合实施例对本发明的特征和性能作进一步的详细描述。
实施例1
一种基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极的制备方法，包括：
S1、将十四烷酸镉和硒粉溶于十八烯中，抽真空30min后在真空环境中以100-150℃的温度加热1h，得到均匀透明的预处理溶液。在氮气保护下，将预处理溶液升温至200℃，快速地添加乙酸镉二水合物，然后升温至230-260℃，在该温度下反应20min后用冰浴终止反应。将反应液在3000rpm的转速下离心20min，分离收集得到CdSe量子片核层材料。将CdSe量子片核层材料分散在十八烯中得到种子溶液。其中，预处理溶液中：镉源的浓度为0.05mol/L，镉源、硒源及乙酸镉水合物的摩尔比为2:1:1，种子溶液中CdSe量子片核层材料的浓度为0.12mmol/L。
S2、将十四烷酸镉和油酸溶于十八烯中，得到量子阱CdTe壳层材料的含镉前驱液。将碲粉和三辛基膦溶于十八烯中，得到量子阱CdTe壳层材料的含碲前驱液。其中，量子阱CdTe壳层材料的含镉前驱液中，镉源的浓度为0.03mol/L，油酸与十八烯的体积比为1:200。量子阱CdTe壳层材料的含碲前驱液中，碲源的浓度为0.018mol/L，三辛基膦和十八烯的体积比为1:12.5。
S3、将量子阱CdTe壳层材料的含镉前驱液抽真空30min后在真空环境中以100-150℃的温度加热1h。升温至200℃后快速添加种子溶液，得混合液。将混合液在190-220℃温度下反应5-10s，然后以0.5-2mL/L的速度滴加量子阱CdTe壳层材料的含碲前驱液，滴加完成后反应1h并用冰浴终止。用乙醇作为沉淀剂，离心得到Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱。其中，种子溶液与量子阱CdTe壳层材料的含镉前驱液的体积比为1:10，量子阱CdTe壳层材料的含碲前驱液与混合液的体积比为0.5:1。
S4、将Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱分散于己烷中配成浓度为5×10-4mol/L的敏化剂溶液。将3-巯基丙酸分散于乙醇中配成体积百分比为5％的醇溶液。
S5、将沉积于导电基片的TiO2半导体膜在醇溶液中浸泡8h，得表面连接有巯基烷酸的n型半导体膜。将表面连接有巯基烷酸的n型半导体膜在敏化剂溶液中浸泡8h，得基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极。
实施例2
一种基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极的制备方法，与实施例1的不同之处在于：
S1中，镉源为氧化镉，硒源为氧化硒，预处理溶液中镉源的浓度为0.03mol/L，种子溶液中CdSe量子片核层材料的浓度为0.15mmol/L。
实施例3
一种基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极的制备方法，与实施例1的不同之处在于：
S1中，镉源为摩尔比为1:1的十四烷酸镉和醋酸镉，硒源为摩尔比为1:1的氧化硒和硒粉，预处理溶液中镉源的浓度为0.08mol/L，种子溶液中CdSe量子片核层材料的浓度为0.08mmol/L。
实施例4
一种基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极的制备方法，与实施例1的不同之处在于：
S2中，镉源为摩尔比为1:1的氧化镉和醋酸镉，量子阱CdTe壳层材料的含镉前驱液中镉源的浓度为0.05mol/L。
实施例5
一种基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极的制备方法，与实施例1的不同之处在于：
S4中，敏化剂溶液中CdSe/CdTe量子阱的浓度为10-3mol/L，巯基烷酸为5-巯基戊酸，醇溶液中巯基烷酸的体积百分比为3％。
S5中，醇溶液中浸泡的时间为10h，敏化剂溶液中浸泡的时间为5h。
实施例6
一种基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极的制备方法，与实施例1的不同之处在于：
S4中，敏化剂溶液的溶剂为体积比1:2的庚烷和三氯甲烷，敏化剂溶液中CdSe/CdTe量子阱的浓度为2×10-4mol/L，巯基烷酸为11-巯基十一酸，醇溶液中巯基烷酸的体积百分比为8％。
S5中，醇溶液中浸泡的时间为5h，敏化剂溶液中浸泡的时间为12h。
试验例
对实施例1-6制得的基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极的界面电荷传输和复合速率、界面电荷分离效率及电池的光电转化效率进行测试，结果如表1所示。
表1性能测试表
由表1可知，本发明实施例提供的基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的光阳极，其界面电子传输速率在几个至几十个皮秒，而界面电子复合速率在几百个纳秒，超快的电子传输和较慢的电子复合过程导致了其超高的界面电荷分离效率(近100％)。同时，超高的界面电荷分离效率和较弱的界面电荷复合作用使电池表现出较高的光电转化效率。
图3为本发明实施例1提供的基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的TEM图，(a)为4个单分子层厚度(4ML)CdSe纳米片的TEM图，(b)为II型结构(Type II)CdSe/CdTe量子阱的TEM图。根据图3可知，合成的CdSe纳米片核层具有4个单分子层的厚度1.36nm，而CdTe壳层仅在CdSe核层的横向延展生长，合成的CdSe/CdTe纳米片的长宽高约为36nm×14nm×1.36nm，在厚度方向是量子限域的，表明其属于典型的量子阱材料。
图4为本发明实施例1提供的基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极的界面电荷传输和复合动力学过程光谱图，根据图4可知，一方面，Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱与TiO2半导体膜之间的界面电子传输速率快达约8ps，表明从CdSe/CdTe量子阱到TiO2半导体膜的界面电子传输过程十分顺畅。另一方面，与单纯的CdSe量子阱相比，Ⅱ型结构的CdSe/CdTe量子阱与TiO2半导体膜之间的界面电子复合速率减缓约20倍，这表明本发明提供的Ⅱ型结构CdSe/CdTe量子阱可以有效地抑制界面电子的复合过程。
图5为本发明实施例1提供的基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极的太阳能电池的J-V曲线图，根据图5可知，太阳能电池的开路电压为0.643V，短路电流为14mA/cm2，填充因子为68.9％，电池效率高达6.2％，其光电转化效率明显高于同样条件下基于常规量子点光阳极的太阳能电池。
综上，本发明实施例提供的基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极，具备吸光效率高、界面电荷分离效率高、界面电荷复合作用弱、光电转化效率高等优点。基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极的制备方法，其可控性好、成本低、适用范围广，制得的光阳极的光电转化效率高。
以上所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
Claims (10)
1.一种基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极，其特征在于，包括导电基片、吸附于所述导电基片的n型半导体膜、连接于所述n型半导体膜的巯基烷酸以及连接于所述巯基烷酸的Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱，所述Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱包括CdSe量子片核层和CdTe量子片壳层，所述n型半导体膜的导带能级位于所述CdTe量子片壳层的导带能级和价带能级之间。
2.根据权利要求1所述的高效光阳极，其特征在于，所述n型半导体膜选自TiO2半导体膜、ZnO半导体膜或SnO2半导体膜中的一种。
3.根据权利要求1所述的高效光阳极，其特征在于，所述巯基烷酸选自3-巯基丙酸、5-巯基戊酸或11-巯基十一酸中的至少一种。
4.一种基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极的制备方法，其特征在于，包括：将沉积于导电基片的n型半导体膜于含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡，得表面连接有巯基烷酸的n型半导体膜，将所述表面连接有巯基烷酸的n型半导体膜于含有Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的敏化剂溶液中浸泡，得所述基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述n型半导体膜选自TiO2半导体膜、ZnO半导体膜或SnO2半导体膜中的一种；
和/或，所述醇溶液中，所述巯基烷酸的体积百分比为3-8％；
和/或，所述巯基烷酸选自3-巯基丙酸、5-巯基戊酸或11-巯基十一酸中的至少一种。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述敏化剂溶液的溶剂选自正己烷、庚烷、甲苯或三氯甲烷中的至少一种；
和/或，所述敏化剂溶液中，所述Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的浓度为10-4-10-3mol/L。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱根据以下方法制得：将量子阱CdTe壳层材料的含镉前驱液在加热下与含CdSe量子片核层材料的种子溶液混合，得混合液；加热温度190-220℃的条件下，向所述混合液中滴加量子阱CdTe壳层材料的含碲前驱液进行反应，得到所述Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱；
可选地，所述量子阱CdTe壳层材料的含镉前驱液与所述种子溶液混合之前，将所述量子阱CdTe壳层材料的含镉前驱液在真空环境下以100-150℃的温度加热1-2h；
可选地，所述量子阱CdTe壳层材料的含碲前驱液的滴加速度为0.5-2mL/L，滴加完成后反应0.5-1.5h并用冰浴终止。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述量子阱CdTe壳层材料的含镉前驱液为壳层材料镉源和油酸的十八烯溶液，所述壳层材料镉源包括十四烷酸镉、氧化镉或醋酸镉中的至少一种，所述量子阱CdTe壳层材料的含镉前驱液中所述壳层材料镉源的浓度为0.02-0.05mol/L；
和/或，所述量子阱CdTe壳层材料的含碲前驱液为碲粉和三辛基膦的十八烯溶液，所述量子阱CdTe壳层材料的含碲前驱液中所述碲粉的浓度为0.015-0.020mol/L；
和/或，所述种子溶液中所述CdSe量子片核层材料的浓度为0.06-0.18mmol/L；
和/或，所述种子溶液与所述量子阱CdTe壳层材料的含镉前驱液的体积比为1-2:10；
和/或，所述量子阱CdTe壳层材料的含碲前驱液与所述混合液的体积比为0.4-0.7:1。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述种子溶液根据以下方法制得：将量子阱CdSe核层材料镉源和量子阱CdSe核层材料硒源的十八烯溶液在真空环境下以100-150℃的温度加热1-2h，得预处理溶液；在惰性的气体保护下，将所述预处理溶液加热至190-220℃后添加乙酸镉水合物，升温至230-260℃反应5-30min后用冰浴终止，分离产品得所述CdSe量子片核层材料；将所述CdSe量子片核层材料分散于十八烯，得所述种子溶液。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述量子阱CdSe核层材料镉源选自十四烷酸镉、氧化镉或醋酸镉中的至少一种；
和/或，所述量子阱CdSe核层材料硒源选自氧化硒或硒粉中的至少一种；
和/或，所述预处理溶液中，所述量子阱CdSe核层材料镉源的浓度为0.02-0.1mol/L，所述量子阱CdSe核层材料镉源与所述量子阱CdSe核层材料硒源的摩尔比为1.8-2.2:1，所述量子阱CdSe核层材料硒源与所述乙酸镉水合物的摩尔比为0.8-1.2:1。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810601667.5A CN108806990B (zh) | 2018-06-12 | 2018-06-12 | 基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810601667.5A CN108806990B (zh) | 2018-06-12 | 2018-06-12 | 基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108806990A true CN108806990A (zh) | 2018-11-13 |
| CN108806990B CN108806990B (zh) | 2020-02-14 |
Family
ID=64085181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810601667.5A Active CN108806990B (zh) | 2018-06-12 | 2018-06-12 | 基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108806990B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020107843A1 (zh) * | 2018-11-27 | 2020-06-04 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及其制作方法和显示装置 |
| CN111354573A (zh) * | 2020-02-14 | 2020-06-30 | 中山大学 | 量子点修饰二氧化钛基光阳极、太阳能电池及制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101689609A (zh) * | 2007-04-25 | 2010-03-31 | 纳米技术有限公司 | 杂化光伏电池和相关方法 |
| CN101722013A (zh) * | 2009-11-17 | 2010-06-09 | 华东师范大学 | 一种半导体量子点敏化TiO2纳米管的光催化剂的制备方法 |
| CN103084190A (zh) * | 2011-11-03 | 2013-05-08 | 中国科学院理化技术研究所 | 复合型半导体光催化剂、其制备方法、含该催化剂的光催化体系及制备氢气的方法 |
-
2018
- 2018-06-12 CN CN201810601667.5A patent/CN108806990B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101689609A (zh) * | 2007-04-25 | 2010-03-31 | 纳米技术有限公司 | 杂化光伏电池和相关方法 |
| CN101722013A (zh) * | 2009-11-17 | 2010-06-09 | 华东师范大学 | 一种半导体量子点敏化TiO2纳米管的光催化剂的制备方法 |
| CN103084190A (zh) * | 2011-11-03 | 2013-05-08 | 中国科学院理化技术研究所 | 复合型半导体光催化剂、其制备方法、含该催化剂的光催化体系及制备氢气的方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| YUSUF KELESTEMUR等: "Type-II Colloidal Quantum Wells CdSe/CdTe Core Crown Heteronanoplatelets", 《THE JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C》 * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020107843A1 (zh) * | 2018-11-27 | 2020-06-04 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及其制作方法和显示装置 |
| US11404681B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-08-02 | Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. | Display panel, manufacturing method thereof, and display device |
| CN111354573A (zh) * | 2020-02-14 | 2020-06-30 | 中山大学 | 量子点修饰二氧化钛基光阳极、太阳能电池及制备方法 |
| CN111354573B (zh) * | 2020-02-14 | 2021-10-01 | 中山大学 | 量子点修饰二氧化钛基光阳极、太阳能电池及制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108806990B (zh) | 2020-02-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Xu et al. | Surface engineering of ZnO nanostructures for semiconductor‐sensitized solar cells | |
| Parkinson et al. | Evaluation and reduction of efficiency losses at tungsten diselenide photoanodes | |
| US20110162695A1 (en) | Solar cell using carbon nanotubes and process for producing the same | |
| TW200901488A (en) | Hybrid photovoltaic cells and related methods | |
| CN102544378B (zh) | 一种基于ZnO同质核壳结构纳米棒阵列的有机/无机杂化太阳电池及其制备方法 | |
| CN106784329A (zh) | 一种SnO2量子点电子传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
| CN107099818A (zh) | 铁氧磁体/钒酸铋复合材料的制备及应用 | |
| Zhang et al. | Novel bilayer structure ZnO based photoanode for enhancing conversion efficiency in dye-sensitized solar cells | |
| Mistry et al. | Harnessing the N-dopant ratio in carbon quantum dots for enhancing the power conversion efficiency of solar cells | |
| CN108806990A (zh) | 基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法 | |
| CN105742384B (zh) | 一种卤素掺杂的铅氧族化合物纳米晶及其制备方法和用途 | |
| Wu et al. | Nanosheet-based hierarchical ZnO structure decorated with TiO 2 particles for enhanced performance in dye-sensitized solar cell | |
| CN102254702A (zh) | 一种复合光阳极材料及在染料敏化电池制备中的应用 | |
| Ali et al. | Effect of particle size of TiO2 and additive materials to improve dye sensitized solar cells efficiency | |
| CN108855149A (zh) | 复合光催化剂及其制备方法 | |
| CN104064628B (zh) | 一种铜铟硒碲纳米线的制备方法 | |
| CN109354057A (zh) | 一种氧化锡纳米晶及其制备方法及太阳能电池制备方法 | |
| CN109448999A (zh) | 基于ⅱ型核壳量子点的高效光阳极及其制备方法 | |
| CN108963021A (zh) | 一种基于化学修饰的黑磷材料太阳能电池及制备方法 | |
| Neumann‐Spallart et al. | Photoelectrochemical properties of semiconducting cadmium mercury telluride thin films with bandgaps between 1.47 and 1.08 eV | |
| CN103367706B (zh) | 基板及蓄电池 | |
| CN102097214B (zh) | 一种氧化锌基太阳能电池电极的制备方法 | |
| Jawad et al. | An alternative method to grow Ge thin films on Si by electrochemical deposition for photonic applications | |
| CN112151681A (zh) | 一种PbS量子点光吸收层的制备方法及其应用和太阳能电池 | |
| CN112062163A (zh) | 一种Fe3O4@MoxSn1-xS2@SnO2双功能磁性复合结构及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20211228 Address after: 441000 room 808, Huazhong University Research Institute office building, Inner Ring East Road, Dongjin New Area (Economic Development Zone), Xiangyang City, Hubei Province (residence declaration) Patentee after: Xiangyang Huazhi Technology Co.,Ltd. Address before: 296 Longzhong Road, Xiangyang City, Hubei Province Patentee before: HUBEI University OF ARTS AND SCIENCE |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20231011 Address after: Card 319, 3rd Floor, South Hebei, Digital Trade Building, No. 6 Xiangxing Road, Torch Development Zone, Zhongshan City, Guangdong Province, 528400 (Residence Application) Patentee after: Zhongshan Zhibo New Energy Technology Co.,Ltd. Address before: 441000 room 808, Huazhong University Research Institute office building, Inner Ring East Road, Dongjin New Area (Economic Development Zone), Xiangyang City, Hubei Province (residence declaration) Patentee before: Xiangyang Huazhi Technology Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |