CN108803919A - 互电容触控显示设备及高感测灵敏性互电容触控感测方法 - Google Patents

互电容触控显示设备及高感测灵敏性互电容触控感测方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种互电容触控显示设备及高感测灵敏性互电容触控感测方法,其中该高感测灵敏性互电容触控感测方法包含:提供一触控装置,该触控装置包含多个第一触控电极及多个第二触控电极,一触控控制电路包含一触控发射信号产生电路、一触控接收电路及一增益大于零的放大电路;触控控制电路依序或随机将一触控发射信号交连到选定的第一触控电极,并自一第二触控电极经该触控接收电路输入一触控感应信号,又将该触控感应信号经该增益大于零的放大电路处理后输出到靠近该第二触控电极的至少一导电体;本发明可使触控接收电路能更精确侦测感应电容的变化,可大幅增进互电容触控显示设备在嵌入式架构中,感测手指触控所导致的电容变化的精确度。

Description

互电容触控显示设备及高感测灵敏性互电容触控感测方法
技术领域
本发明是有关于一种触控装置及其触控感测方法,特别是有关于一种互电容触控显示设备及高感测灵敏性互电容触控感测方法。
背景技术
继笨重的阴极射线管显示器时代结束后,液晶显示器、电浆显示器与有机发光二极管显示器等平板显示器各自争艳。移动装置的兴起带动触控显示面板的潮流;更轻更薄已是移动电子装置发展的共同趋势,因此内嵌式触控显示面板已快速成为新宠。然而触控电极嵌入面板结构后立刻遭遇触控电极太过接近液晶面板的共同电压电极或OLED面板的共同阴极或共同阳极而面临巨大背景杂散电容的困境;致使具有出线少、易多点侦测与电路简约优点的互电容触控几乎无用武之地。因此如何解决在巨大背景电容下难以侦测的触碰互电容变化与屏除经此背景电容交连带来的庞大噪声,已成为业界迫切待解的共同课题。
发明内容
为改善上述已知技术的缺点,本发明的目的在于提供一种高感测灵敏性互电容触控感测方法。
依据本发明的一特色,本发明揭示一种有效抑制周遭杂散电容的高感测灵敏性互电容触控感测方法,该高感测灵敏性互电容触控感测方法包含(a)提供一触控装置,该触控装置包含:多个第一触控电极,该多个第一触控电极沿一第一方向设置;多个第二触控电极,该多个第二触控电极沿一第二方向设置,其中该第一方向与该第二方向不同;一触控控制电路包含一触控发射信号产生电路,一触控接收电路,一增益大于零的放大电路;(b)该触控控制电路依序或随机将一触控发射信号交连到选定的第一触控电极,并自一第二触控电极经该触控接收电路输入一触控感应信号,又将该触控感应信号经该增益大于零的放大电路处理后输出到靠近该第二触控电极的至少一导电体。
依据本发明的另一特色,本发明揭示一种有效抑制周遭杂散电容的高感测灵敏性互电容触控感测方法,该高感测灵敏性互电容触控感测方法包含(a)提供一触控显示设备,该触控显示设备包含:多个第一触控电极,该多个第一触控电极沿一第一方向设置;多个第二触控电极,该多个第二触控电极沿一第二方向设置,其中该第一方向与该第二方向不同;一晶体管基板;一薄膜晶体管层包含多个薄膜晶体管、多条数据线与多条闸极线,多个画素电极,电连接到该多个薄膜晶体管,一显示材料层设置于该多个画素电极背对该晶体管基板的一侧,至少一共同电极层,一显示控制电路包含一显示屏幕电源,一触控控制电路包含:一触控电源,一触控发射信号产生电路,该触控发射信号产生电路产生一触控发射信号,一触控接收电路及一增益大于零的放大电路;(b)该触控控制电路依序或随机将该触控发射信号交连到选定的第一触控电极,并自一第二触控电极经该触控接收电路输入一触控感应信号,又将该触控感应信号经该增益大于零的放大电路处理后输出到该显示控制电路的一参考点或输出到该共同电极层,且于触控侦测操作时该显示控制电路与该触控控制电路之间无共同的电流回路。
依据本发明的又一特色,本发明揭示一种互电容触控显示设备,包含:多个第一触控电极,该多个第一触控电极沿一第一方向设置;多个第二触控电极,该多个第二触控电极沿一第二方向设置,其中该第一方向与该第二方向不同;一晶体管基板;一薄膜晶体管层包含多个薄膜晶体管、多条数据线与多条闸极线;多个画素电极,电连接到该多个薄膜晶体管;一显示材料层设置于该多个画素电极背对该晶体管基板的一侧;一共同电极层;一显示控制电路包含一显示屏幕电源;一触控控制电路包含:一触控电源,一触控发射信号产生电路,该触控发射信号产生电路产生一触控发射信号,一触控接收电路及一增益大于零的放大电路;其中于触控阶段,该触控控制电路依序或随机将该触控发射信号交连到选定的第一触控电极,并自一第二触控电极经该触控接收电路输入一触控感应信号,又将该触控感应信号经该增益大于零的放大电路处理后输出到该显示控制电路的一参考点或输出到该共同电极层。
本发明可使触控接收电路能更精确侦测感应电容的变化,可大幅增进互电容触控显示设备在嵌入式架构中,感测手指触控所导致的电容变化的精确度。
为了能更进一步了解本发明为达成预定目的所采取的技术、手段及功效,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,相信本发明的目的、特征与特点,当可由此得一深入且具体的了解,然而所附图式仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1A-1H为说明已知互电容触控感测的示意图。
图2A-2F为说明本发明高感测灵敏性互电容触控感测的示意图。
图3A-3C为说明本发明高感测灵敏性互电容触控感测方法所适用的触控显示设备叠层示意图。
图4A-4D为说明本发明高感测灵敏性互电容触控感测方法所适用的触控显示设备的另一些叠层示意图。
图5为说明本发明高感测灵敏性互电容触控感测方法所适用的触控显示设备的触控电极的一分布图。
图6为说明本发明高感测灵敏性互电容触控感测方法所适用的触控显示设备的触控电极的另一分布图。
图7为说明本发明高感测灵敏性互电容触控感测方法的一操作示意图。
图8为说明本发明高感测灵敏性互电容触控感测方法的另一操作示意图。
图9为说明本发明高感测灵敏性互电容触控感测方法的又一操作示意图。
图10A为说明本发明高感测灵敏性互电容触控感测方法所适用的有机发光显示触控装置的详细结构图。
图10B为说明本发明高感测灵敏性互电容触控感测方法所适用的液晶显示触控装置的详细结构图。
图11A、11B为互电容金属网格电极的示意图。
附图中的符号说明:
Tx 触控发射电极;RX 触控感应电极;Ctc、Crc 背景杂散电容;Ctr 感应电容;Crct 等效杂散电容;Ctr1 接触感应电容;10 触控显示设备;102 薄膜晶体管基板;104 显示材料层;106、106’ 共同电极层;108 封装层;112 触控电极层;113 第二触控电极层;115 绝缘层;111 第一触控电极层;116 触控保护层;160 彩色滤光层;122 显示控制电路;124 触控控制电路;126 晶体管基板;128 薄膜晶体管层;130 画素电极层;132 闸极线;134 数据线;158 黑矩阵层;162 有机发光材料;164 触控电源;166 触控地端;168 显示屏幕电源;170 显示地端;172 画素电极;174 薄膜晶体管;140 触控接收电路;140a 放大器;140b 电容;145 触控发射信号产生电路;145a 触控发射信号源;145b 发射驱动电路;142 放大电路;XE01~XE09 第二触控电极;YE01~YE06 第一触控电极;VTX 触控发射信号;VRX 触控感应信号;VR1 参考信号;Z 阻抗;CP 导电体;TXn、TXm 第一触控电极;RXm、RXn 第二触控电极;SW1、SW1n 第一开关;SW2 第二开关;SW3 第三开关。
具体实施方式
现有关本发明的技术内容及详细说明,配合图式说明如下:
请参见图1A-1D所示,为说明已知的互电容触控感测的示意图,其中使用者手指尚未触及一互电容触控装置。如图1A所示,此互电容触控装置包含一触控接收电路140、一触控发射信号产生电路145、多个第一触控电极(也称为触控发射电极,例如图示为一个触控发射电极TX)、多个第二触控电极(也称为触控感应电极,例如图示为一个触控感应电极RX)、及第二触控电极周遭的一个导电体,如导电机壳或显示屏幕的共同电极层106(例如可为液晶面板的共同电极或是OLED面板的共同阴极或共同阳极)。须知此图仅为示意说明互电容触控装置的操作,该互电容触控装置尚且包含其他组件以达成所需触控或显示功能。在触控发射信号产生电路145传送触控发射信号到触控发射电极TX后,触控发射电极TX的电力线会耦合到对应的触控感应电极RX,因此在触控发射电极TX及对应的触控感应电极RX之间会有感应电容Ctr。再者,在触控发射电极Tx及共同电极层106之间会有背景杂散电容Ctc,而在触控感应电极Rx及共同电极层106之间会有背景杂散电容Crc。在嵌入式触控装置中,触控电极非常接近液晶面板的共同电极(或OLED面板的共同阴极或共同阳极),导致背景杂散电容Ctc、Crc的电容值甚大。如图1B所示,因为触控发射电极TX及触控感应电极RX都通过其背景杂散电容而电连接到共同电极层106,背景杂散电容Ctc、Crc可视为串接,进而可以图1C所示的等效杂散电容Crct代表。由于等效杂散电容Crct的电容值远大于感应电容Ctr的电容值,因此在彼此并联后,等效上仅剩下等效杂散电容Crct(如图1D所示)。换言之,因为背景杂散电容Crc过大,导致感应电容Ctr的变化不易被侦知。
参见图1E-1H所示,为说明已知互电容触控感测的示意图,其中使用者手指已触及此互电容触控装置。如图1E所示,在使用者手指触及触控发射电极TX后,会使得触控发射电极TX耦合到触控感应电极RX的电力线变少,进而影响感应电容Ctr为接触感应电容Ctr1。由于手指接触造成电容变化量极微,因此接触感应电容Ctr1的电容值极接近感应电容Ctr的电容值。参见图1F-1H并配合参见图1B-1D所示,由于背景杂散电容Ctc、Crc的电容值远大于感应电容Ctr的电容值(因此也远大于接触感应电容Ctr1的电容值);造成已知互电容触控感测技术在嵌入式架构中,不易感测手指触碰所导致的电容变化。
参见图2A-2C所示,为说明依据本发明的互电容触控感测的示意图,其中使用者手指尚未触及一互电容触控装置。如图2A所示,依据本发明,是在触控接收电路140外另设立一增益大于零的放大电路(同相放大电路)142,并将一触控感应信号VRX经该增益大于零的放大电路142放大后输出到靠近该触控感应电极RX的导电体(例如共同电极层106)。因为触控感应信号VRX经同相放大(例如增益为1,或是考虑衰减而设定增益大于1)再施加到共同电极层106,等效上可使触控感应电极RX及共同电极层之间无电位差;换言之,背景杂散电容Crc的电容值可以降到最低或是零。参见图2B-2C所示,背景杂散电容Crc在与背景杂散电容Ctc串接后可使串接电容降至最低或是零。触控发射电极TX及对应的触控感应电极RX之间会仅有感应电容Ctr,使得触控接收电路140能更精确侦测感应电容Ctr变化。
参见图2D-2F所示,为说明本发明的互电容触控感测的示意图,其中使用者手指已触及此互电容触控装置。如图2D所示,在使用者手指触及触控发射电极TX后,会使得触控发射电极TX耦合到触控感应电极RX的电力线变少,进而影响感应电容Ctr为接触感应电容Ctr1。由于手指接触造成电容变化量极微,因此接触感应电容Ctr1的电容值极接近感应电容Ctr的电容值。参见图2E-2F并配合参见图2B-2C所示,由于背景杂散电容Ctc、Crc的串接电容值接近零或是等于零,因此远小于感应电容Ctr的电容值(因此也远小于接触感应电容Ctr1的电容值)。借由本发明在图2A-2F所示架构,即可大幅增进互电容触控感测装置在嵌入式架构中,感测手指触控所导致的电容变化的精确度。
参见图3A所示,为本发明的高感测灵敏性互电容触控感测方法可适用的互电容触控显示设备10(以下称触控显示设备10)的叠层图,此触控显示设备10包含由上至下的一触控保护层116、一触控电极层112、一封装层(thin film encapsulation,简称为TFE)108、一共同电极层106、一显示材料层104及一薄膜晶体管基板102,而该薄膜晶体管基板102由上而下则包含一画素电极层130、一薄膜晶体管层128及一晶体管基板126。该触控保护层116设置于该触控电极层112背对该封装层108的一侧,且为一基板或一硬化涂层,例如为玻璃、PI、PE、PET等等高分子材料。该触控电极层112可为透明导电材料所制作(例如铟锡氧化物ITO)或是以金属网格实现(例如如图11A所示的金属网格触控电极层)。该封装层108也可为一上基板或保护层(隔绝水气或空气),设置于该触控电极层112与该共同电极层106之间;该共同电极层106设置于该显示材料层104(例如有机发光材料层)上,使得该显示材料层104被夹置于该共同电极层106与该薄膜晶体管基板102之间。参见图5所示,为说明图3A所示触控显示设备10的触控电极层112的一种可行实践方式,此触控电极层112包含在同一平面的多个第二触控电极XE01~XE09(沿着第二方向设置)及多个第一触控电极YE01~YE06(沿着第一方向设置),其中第一方向与第二方向不平行,且可大致垂直。该些第二触控电极XE01~XE09是借由跨桥结构分别电连接,该些第一触控电极YE01~YE06是借由跨桥结构分别电连接,且第一触控电极YE01~YE06的跨桥结构与其上的第二触控电极XE01~XE09的跨桥结构彼此之间有一绝缘层,以达成第二触控电极XE01~XE09及第一触控电极YE01~YE06间的电绝缘;借由上述架构即可实现图3A所示的互电容触控电极层112。
图3B所示为依据本发明另一实施例的触控显示设备10,其中触控电极层112包含由上而下的第二触控电极层113、绝缘层115及第一触控电极层111。参见图6所示,为对应图3B实施例的触控电极层112的一种可行实践方式,该第二触控电极层113包含多个第二触控电极XE01~XE06(沿着第二方向设置),而第一触控电极层111包含多个第一触控电极YE01~YE04(沿着第一方向设置),其中第一方向与第二方向不平行,且可大致垂直。再者,图6所示的第二触控电极XE01~XE06及第一触控电极YE01~YE04彼此之间借由绝缘层115(示于图3B而达成电性绝缘)。第二触控电极层113及第一触控电极层111可为透明导电材料所制作(例如铟锡氧化物ITO)或是以金属网格实现(例如如图11B所示的双金属网格触控电极层)。上述图3A及图3B所示实施例可用于有机发光的触控显示设备10。
参见图10A所示,为对应图3A及图5实施例的详细结构图。如图10A所示,该画素电极层130包含多个画素电极172,该薄膜晶体管层128包含多个薄膜晶体管174;该些画素电极172是对应该些薄膜晶体管174设置。该多个画素电极172的极性与该共同电极层106的极性相反(即,当该画素电极172为阳极时,该共同电极层106为阴极;当该画素电极172为阴极时,该共同电极层106为阳极)。该些薄膜晶体管174设置于该晶体管基板126上。该薄膜晶体管基板102还包含多条闸极线132及多条数据线134,该些闸极线132电性连接至该些薄膜晶体管174,该些数据线134电性连接至该些薄膜晶体管174。此外,该有机发光材料层(其为显示材料层104的一种实施方式)包含多个有机发光材料162;图9所示的该有机发光材料层104内的多个有机发光材料162的颜色彼此不同,例如分别为发红色光材料,发绿色光材料,与发蓝色光材料。
参见图3C所示,为本发明的高感测灵敏性互电容触控感测方法可适用的触控显示设备10的另一实施例。该触控显示设备10包含由上而下的一触控保护层116、一黑矩阵层158、一触控电极层112、一彩色滤光层160、一共同电极层106、一显示材料层104及一薄膜晶体管基板102,而该薄膜晶体管基板102由上而下则包含一画素电极层130、一薄膜晶体管层128及一晶体管基板126。该显示材料层104例如可为液晶材料层,使此触控显示设备10为液晶显示的触控显示设备10。图10B所示为对应图3C的详细结构图。
图4A所示为本发明的高感测灵敏性互电容触控感测方法可适用的触控显示设备10的另一实施例。该触控显示设备10的结构与图3C所示相似,然而触控电极层112及彩色滤光层160的位置有所差异。此外,图4A所示实施例的画素电极层是形成于共同电极层106'(即为画素暨共同电极层106')中,以形成横向电场效应(In-Plane-Switching, IPS)液晶显示的触控显示设备10。图4B所示为本发明的高感测灵敏性互电容触控感测方法可适用的触控显示设备10的另一实施例。该触控显示设备10的结构与图4A所示相似,然而,触控电极层112及彩色滤光层160的位置对调。同样的,图4B所示实施例为IPS液晶显示的触控显示设备10。
图4C所示为本发明的高感测灵敏性互电容触控感测方法可适用的触控显示设备10的另一实施例。该触控显示设备10的结构与图3A所示相似,然而此实施例的显示材料层104(例如有机发光材料层104)产生白光,因此另外需要黑矩阵层158及彩色滤光层160。图4D所示为本发明的高感测灵敏性互电容触控感测方法可适用的触控显示设备10的另一实施例。该触控显示设备10的结构与图4C所示相似,然而,触控电极层112及黑矩阵层158的位置对调。同样的,图4C及图4D所示实施例为有机发光的触控显示设备10。
请参考图7所示,说明本发明高感测灵敏性互电容触控感测方法的操作示意图。依据本发明的互电容触控装置可以图3A-3C、图4A-4D、图5-6、图10A-10B所示的实施例实施,然而,本领域人员可知,依据本发明的精神,此高感测灵敏性互电容触控感测方法仍可适用于其他的互电容触控装置。依据本发明的互电容触控装置至少包含沿第一方向设置的多个第一触控电极TX(例如图6所示的触控电极YE01-YE04)、沿第二方向设置的多个第二触控电极RX(例如图6所示的触控电极XE01-XE06)、一触控控制电路124。此触控控制电路124包含一触控发射信号产生电路145 (包含一触控发射信号源145a与一发射驱动电路145b)、一触控接收电路140(包含一放大器140a及一电容140b)、一增益大于零的放大电路142。此外,该互电容触控装置另外包含一触控电源164及一触控地端166。于触控操作时,该发射驱动电路145b依序或随机将一触控发射信号VTX交连到选定的第一触控电极TXn,并自一对应的第二触控电极RXm经触控接收电路140输入一触控感应信号VRX。该触控控制电路124又将此触控感应信号VRX经过该增益大于零的放大电路142处理后,产生一参考信号VR1,并将此参考信号VR1施予靠近该第二触控电极的导电体CP。该导电体CP可为液晶显示器的共同电压电极、一有机发光显示器的共同阴极或共同阳极、触控装置的机壳、该触控装置的一遮蔽电极。此外也可是一触控显示设备的该显示控制电路122的一电源输出点、一接地点、其直流回路的一节点、或一显示信号驱动级的输出点;或是非选定的第二触控电极RXn或是非选定的第一触控电极TXm。
复配合参见图2A-2F所示,由于在靠近该第二触控电极RX的导电体(例如共同电极层106)处施予一参考信号,此参考信号为触控感应信号VRX经过该增益大于零的放大电路142处理后所得信号,因此等效上可以消除在第二触控电极RX及该导电体之间的背景杂散电容,提高触控感测的精确度。再者,由于互电容触控显示设备10架构的不同,靠近该第二触控电极的导电体也可为触控显示设备的机壳、该触控显示设备的一遮蔽电极或是非选定的第一(第二)触控电极。
参见图8所示,为说明本发明另一实施例的高感测灵敏性互电容触控感测方法的操作示意图。与图7实施例相比,该互电容触控显示设备10另外包含一显示控制电路122、一显示屏幕电源168、一显示地端170及多个阻抗Z。此外,该互电容触控显示设备10另外包含连接于该放大电路142及该显示屏幕电源168、及连接于该放大电路142及非选定的第一(第二)触控电极之间的一第一开关组(包含第一开关SW1, SW1n);连接于触控地端166及显示地端170之间的一第二开关SW2;及连接于触控电源164与显示屏幕电源168之间的一第三开关SW3。
于触控操作时,该发射驱动电路145b依序或随机将一触控发射信号交连到选定的第一触控电极TXn,并自一对应的第二触控电极RXm经触控接收电路140输入一触控感应信号VRX。该触控控制电路124又将此触控感应信号VRX经过该增益大于零的放大电路142处理后产生一参考信号VR1,并将此参考信号VR1经由该第一开关SW1(状态为导通)施予该显示控制电路122的一参考点P,该点可为该显示控制电路122的一电源输出点、其直流回路的一节点、该显示控制电路122的接地点或该显示控制电路122的一驱动级的输出点。再者,触控控制电路124也可将此参考信号VR1经由第一开关SW1n(状态为导通)施予非选定的第一(第二)触控电极TXm/RXn。此外,于触控操作时,第二开关SW2及第三开关SW3的状态为切断。由于此时该显示控制电路122及该触控控制电路124之间仅有单一实体接点(经由第一开关SW1连接的接点),且该触控地端166及该显示地端170为不同接地端,使得该显示控制电路122及该触控控制电路124之间无共同的电流回路,避免该显示控制电路122的噪声影响该触控控制电路124的量测结果。再者,类似上述说明的效应,将触控感应信号VRX经过该增益大于零的放大电路142处理后再通过第一开关SW1施予该显示控制电路122的一参考点P(或经由该显示屏幕电源168及一阻抗Z将此信号传送到共同电极层106),即可降低选定的第二触控电极RXm及邻近导电体之间的背景杂散电容,提高触控感测的精确度。此外,配合参见图8所示,此参考信号VR1也经由第一开关SW1n(状态为导通)施予非选定的第一(第二)触控电极TXm/RXn,以更进一步消除选定的第一(第二)触控电极TXn/RXm与非选定的第一(第二)触控电极TXm/RXn之间的背景杂散电容。在非触控操作阶段,也可以切断第一开关SW1、SW1n,并导通第二开关SW2及第三开关SW3,以使显示屏幕电源168可以对触控电源164充电。
参见图9所示,为说明本发明一实施例的高感测灵敏性互电容触控感测方法的操作示意图。与图8相比,该触控显示设备10的增益大于零的放大电路142是经由一第一开关SW1而连接到共同电极层106。同样的,该互电容触控显示设备10的增益大于零的放大电路142是经由另一第一开关SW1n而连接到非选定的第一(第二)触控电极TXm/RXn;该触控地端166是经由一第二开关SW2而连接到显示地端170;触控电源164是经由一第三开关SW3而连接到显示屏幕电源168。同样的,在触控阶段,该发射驱动电路145b依序或随机将一触控发射信号VTX交连到选定的第一触控电极TXn,并自一对应的选定的第二触控电极RXm经触控接收电路140输入一触控感应信号VRX。该触控控制电路124又将此触控感应信号VRX经过该增益大于零的放大电路142处理后,产生一参考信号VR1,并将此参考信号VR1经由该第一开关SW1(状态为导通)施予该共同电极层106。再者,触控控制电路124也可将此参考信号VR1经由第一开关SW1n(状态为导通)施予非选定的第一(第二)触控电极TXm/RXn。此外,于触控操作时,第二开关SW2及第三开关SW3的状态为切断。由于此时该显示控制电路122及该触控控制电路124之间仅有单一实体接点(经由第一开关SW1连接的接点),且该触控地端166及该显示地端170为不同接地端,使得该显示控制电路122及该触控控制电路124之间无共同的电流回路,避免该显示控制电路122的噪声影响该触控控制电路124的量测结果。再者,类似上述说明的效应,将触控感应信号VRX经过该增益大于零的放大电路142处理后再通过第一开关SW1施予该共同电极层106,即可降低第二触控电极RXm及邻近导电体之间的背景杂散电容,提高触控感测的精确度。在非触控操作阶段,也可以切断第一开关SW1、SW1n,并导通第二开关SW2及第三开关SW3,以使显示屏幕电源168可以对触控电源164充电。
再者,于图7-9所示实施例中,可以经由触控控制电路124的控制,且依据输入的该触控感应信号,逐次以一默认值递增或递减该放大器的增益至获得较佳的触控感应信号输入。例如该触控显示设备的一校正过程中(可于出厂前或是使用者使用时进行),触控控制电路124可默认增益大于零的放大电路142的放大为一,接着逐渐以一默认值增加放大倍率(例如以1.2,1.4,1.6等倍率递增),然后测试预定按压点对应的触控感应信号(例如侦测一个已经指示用户按压位置对应的按压点的触控感应信号),以决定最佳放大倍率。再者,触控控制电路124可默认增益大于零的放大电路142的放大为一,接着逐渐以一默认值减少倍率(例如以0.9,0.8,0.7等倍率递减),然后测试预定按压点对应的触控感应信号(例如侦测一个已经指示用户按压位置对应的按压点的触控感应信号),以决定最佳放大倍率。
此外,上述校正过程也可在触控显示设备制作后,由测试厂以计算机自动化方式进行。换言之,可由一处理器(未图示)控制触控控制电路124以上述方式变化增益大于零的放大电路142的放大倍率,并且将所产生的参考信号VR1施予到第二触控电极的至少一导电体。该导电体可为液晶显示器的共同电压电极、一有机发光显示器的共同阴极或共同阳极、触控显示设备的机壳、该触控显示设备的一遮蔽电极。该导电体也可为该显示控制电路的一电源输出点、一接地点、其直流回路的一节点、或一显示信号驱动级的输出点;或是非选定的第二触控电极或是非选定的第一触控电极。处理器可依据校正结果决定最佳放大倍率,及决定针对不同第二触控电极的特定导电体(参考信号VR1待施予的导电体)。不同的第二触控电极可能有不同的特定导电体,特定导电体的数目也可不只一个,且针对于不同的第二触控电极及对应的特定导电体也可能有不同的放大倍率。借由上述方式,可以优化触控显示设备的触控控制,减少来自显示面板结构的噪声。
然而,以上所述,仅为本发明的较佳实施例,当不能限定本发明实施的范围,即凡依本发明申请专利范围所作的均等变化与修饰等,皆应仍属本发明的专利涵盖范围意图保护的范畴。本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (21)

1.一种高感测灵敏性互电容触控感测方法,其特征在于,包含:
(a) 提供一触控装置,该触控装置包含:
多个第一触控电极,该多个第一触控电极沿一第一方向设置;
多个第二触控电极,该多个第二触控电极沿一第二方向设置,其中该第一方向与该第二方向不同;
一触控控制电路包含:一触控发射信号产生电路,一触控接收电路,一增益大于零的放大电路;
(b) 该触控控制电路依序或随机将一触控发射信号交连到选定的第一触控电极,并自一第二触控电极经该触控接收电路输入一触控感应信号,又将该触控感应信号经该增益大于零的放大电路处理后输出到靠近该第二触控电极的至少一导电体。
2.如权利要求1所述的高感测灵敏性互电容触控感测方法,其特征在于,该靠近第二触控电极的导电体是一液晶显示器的共同电压电极、一有机发光显示器的共同阴极或共同阳极。
3.如权利要求1所述的高感测灵敏性互电容触控感测方法,其特征在于,该靠近第二触控电极的导电体是该触控装置的机壳。
4.如权利要求1所述的高感测灵敏性互电容触控感测方法,其特征在于,该靠近第二触控电极的导电体是该触控装置的一遮蔽电极。
5.如权利要求1所述的高感测灵敏性互电容触控感测方法,其特征在于,该靠近第二触控电极的导电体是非选定的第一触控电极或非选定的第二触控电极。
6.如权利要求1所述的高感测灵敏性互电容触控感测方法,其特征在于,还包含:
该触控控制电路依据输入的该触控感应信号,逐次以一默认值递增或递减该增益大于零的放大电路的增益至获得一预定的触控感应信号输入。
7.一种高感测灵敏性互电容触控感测方法,其特征在于,包含:
(a) 提供一触控显示设备,该触控显示设备包含:
多个第一触控电极,该多个第一触控电极沿一第一方向设置;
多个第二触控电极,该多个第二触控电极沿一第二方向设置,其中该第一方向与该第二方向不同;
一晶体管基板;
一薄膜晶体管层包含多个薄膜晶体管、多条数据线与多条闸极线,
多个画素电极,电连接到该多个薄膜晶体管;
一显示材料层,设置于该多个画素电极背对该晶体管基板的一侧;
至少一共同电极层;
一显示控制电路包含一显示屏幕电源;
一触控控制电路包含:一触控电源,一触控发射信号产生电路,该触控发射信号产生电路产生一触控发射信号,一触控接收电路及一增益大于零的放大电路;
(b) 该触控控制电路依序或随机将该触控发射信号交连到选定的第一触控电极,并自一第二触控电极经该触控接收电路输入一触控感应信号,又将该触控感应信号经该增益大于零的放大电路处理后输出到该显示控制电路的一参考点或输出到该共同电极层,且于触控侦测操作时该显示控制电路与该触控控制电路之间无共同的电流回路。
8.如权利要求7所述的高感测灵敏性互电容触控感测方法,其特征在于,该显示材料层是一液晶材料层。
9.如权利要求7所述的高感测灵敏性互电容触控感测方法,其特征在于,该显示材料层是一有机发光材料层,该画素电极是画素阳极或画素阴极,该共同电极层是共同阴极或共同阳极。
10.如权利要求7所述的高感测灵敏性互电容触控感测方法,其特征在于,于非触控侦测操作时,该显示控制电路与该触控控制电路之间有共同的电流回路。
11.如权利要求7所述的高感测灵敏性互电容触控感测方法,其特征在于,该显示控制电路的一参考点是该显示控制电路的一电源输出点、一接地点、该显示控制电路的直流回路的一节点、或一显示信号驱动级的输出点。
12.如权利要求7所述的高感测灵敏性互电容触控感测方法,其特征在于,该触控控制电路将该触控感应信号经该增益大于零的放大电路处理后输出到非选定的第一触控电极或是非选定的第二触控电极。
13.如权利要求7所述的高感测灵敏性互电容触控感测方法,其特征在于,还包含:
该触控控制电路依据输入的该触控感应信号,逐次以一默认值递增或递减该增益大于零的放大电路的增益至获得一预定的触控感应信号输入。
14.一种互电容触控显示设备,其特征在于,包含:
多个第一触控电极,该多个第一触控电极沿一第一方向设置;
多个第二触控电极,该多个第二触控电极沿一第二方向设置,其中该第一方向与该第二方向不同;
一晶体管基板;
一薄膜晶体管层包含多个薄膜晶体管、多条数据线与多条闸极线;
多个画素电极,电连接到该多个薄膜晶体管;
一显示材料层,设置于该多个画素电极背对该晶体管基板的一侧;
一共同电极层;
一显示控制电路包含一显示屏幕电源;
一触控控制电路包含:一触控电源,一触控发射信号产生电路,该触控发射信号产生电路产生一触控发射信号,一触控接收电路及一增益大于零的放大电路;
其中于触控阶段,该触控控制电路依序或随机将该触控发射信号交连到选定的第一触控电极,并自一第二触控电极经该触控接收电路输入一触控感应信号,又将该触控感应信号经该增益大于零的放大电路处理后输出到该显示控制电路的一参考点或输出到该共同电极层。
15.如权利要求14所述的互电容触控显示设备,其特征在于,其中于触控侦测操作时该显示控制电路与该触控控制电路之间无共同的电流回路。
16.如权利要求14所述的互电容触控显示设备,其特征在于,其中该显示材料层是一液晶材料层。
17.如权利要求14所述的互电容触控显示设备,其特征在于,该显示材料层是一有机发光材料层,该画素电极是画素阳极或画素阴极,该共同电极层是共同阴极或共同阳极。
18.如权利要求14所述的互电容触控显示设备,其特征在于,于非触控侦测操作时该显示控制电路与该触控控制电路之间有共同的电流回路。
19.如权利要求14所述的互电容触控显示设备,其特征在于,该显示控制电路的一参考点是该显示控制电路的一电源输出点、一接地点、该显示控制电路的直流回路的一节点、或一显示信号驱动级的输出点。
20.如权利要求14所述的互电容触控显示设备,其特征在于,该触控控制电路又将该触控感应信号经该增益大于零的放大电路处理后输出到非选定的第一触控电极或是非选定的第二触控电极。
21.如权利要求14所述的互电容触控显示设备,其特征在于,其中该触控控制电路依据输入的该触控感应信号,逐次以一默认值递增或递减该增益大于零的放大电路的增益至获得一预定的触控感应信号输入。
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