CN108766874A - 一种可以增加少子寿命并提高转换效率的扩散工艺 - Google Patents
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims abstract description 13
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 8
- 229910019213 POCl3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 19
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 13
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-N Metaphosphoric acid Chemical compound OP(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种可以增加少子寿命并提高转换效率的扩散工艺，包括以下步骤：S1、沉积：在800℃的温度下，按照POCl3：O2＝15:6的气体比例进行扩散，扩散时间为10‑15min；S2、升温：以8‑13℃/min的升温速度，使得温度升高至830‑860℃；S3、有氧推进：当温度达到830‑860℃后，通入O2流量为1000‑1500sccm，且保持时间10‑15min；S4、无氧推进：保持温度在830‑860℃，取消O2的通入，且保持时间3‑6min；S5、降温：以4‑8℃/min的降温速度，使得温度降低至780‑800℃；S6、低温退火：当温度达到780‑800℃后，通入O2流量为1000‑1500sccm，且保持时间8‑12min。本发明可以有效的降低硅片表面杂质浓度、优化杂质分布的浓度梯度、增加了少子寿命，最终提高太阳能电池的转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及扩散技术领域，具体为一种可以增加少子寿命并提高转换效率的扩散工艺。
背景技术
晶硅太阳电池的制作过程主要包括：制绒、扩散、刻蚀、镀膜、印刷和烧结等。而扩散制作晶硅太阳电池的核心工序。目前，主要采用的扩散工艺是恒定源扩散(沉积)和限定源扩散(推进)，该扩散方式在生产过程中容易引起表面杂质浓度过高，而形成“死层”，从而增加表面光生载流子的复合，降低太阳电池转换效率，同时，扩散后片内方阻均匀性较差，因此，降低表面杂质浓度、减少扩散引起的缺陷，提高扩散的均匀性，是提高晶硅电池转换效率的有效途径。
常规扩散工艺主要流程是前氧化、沉积、推进、降温、出炉，目前采用较多的扩散方法为：首先在780-800度左右对硅片进行前氧化，然后在800度下沉积，通过控制沉积的气体流量和工艺时间来控制引入杂质的总量；再然后将温度升到一定的温度(850-870度)，同时通入一定量的氧气(400-800sccm)，接下来进行降温至750-800度，最后出炉，完成扩散工艺具体工艺步骤如下：
前氧化----沉积----推进----降温----出炉，在上述工艺中，通过低温沉积控制杂质总量，因为低温下杂质在Si中的固溶度较低，为了达到一定的表面浓度需要沉积过量的磷杂质在表面沉积，推进的时候温度升高磷在硅中的固溶度变大可以将沉积在表面的过多磷原子溶入硅中，同时向硅内部扩散，但是表面仍存在一定量的磷原子从而导致了“死层”的厚度大。
现有的扩散工艺中，较为明显的缺陷有：1、进行前氧化，在硅片表面形成了一层二氧化硅层，阻碍了沉积过程中磷原子在硅片表面的附着，不利于推进过程中磷原子进一步向硅片内部的扩散运动；2、而且只采用一步推进可能会造成硅片表面形成过多的二氧化硅层，不利于后续湿法刻蚀对磷硅玻璃的去除从而容易形成表面不合格；3、最后降温之后直接出炉会导致温差差距较大，影响了杂质浓度梯度的分布，容易产生缺陷，降低了载流子寿命从而降低了太阳能电池的转换效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可以增加少子寿命并提高转换效率的扩散工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种可以增加少子寿命并提高转换效率的扩散工艺，包括以下步骤：
S1、沉积：在800℃的温度下，按照POCl3：O2＝15:6的气体比例进行扩散，扩散时间为10-15min；
S2、升温：以8-13℃/min的升温速度，使得温度升高至830-860℃；
S3、有氧推进：当温度达到830-860℃后，通入O2流量为1000-1500sccm，且保持时间10-15min；
S4、无氧推进：保持温度在830-860℃，取消O2的通入，且保持时间3-6min；
S5、降温：以4-8℃/min的降温速度，使得温度降低至780-800℃；
S6、低温退火：当温度达到780-800℃后，通入O2流量为1000-1500sccm，且保持时间8-12min。
优选的，在步骤S1中，POCl3与O2的气体比例还可以为10:3。
优选的，在步骤S6完成后，进行出炉操作。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1、本发明取消前氧化，减少了沉积过程中形成的死层，提高了载流子的寿命；
2、本发明将一步高温推进分为有氧推进和无氧推进，高温有氧推进，避免三氯氧磷高温下分解产生的偏磷酸对硅片及石英炉管的污染和腐蚀，高温无氧推进，避免在硅片表面形成过多的二氧化硅层，不利于后续湿法刻蚀对磷硅玻璃的去除而形成表面不合格；
3、本发明低温退火，有效的增加了杂质浓度梯度的分布，降低了产生杂质浓度梯度缺陷的概率。
本发明通过取消前氧化，将一步推进分成有氧和无氧两步，并且增加低温退火的步骤，可以有效的降低硅片表面杂质浓度、优化杂质分布的浓度梯度、增加了少子寿命，最终提高太阳能电池的转换效率。
附图说明
图1为现有技术中的常规扩散工艺的流程示意框图；
图2为本发明的扩散工艺的流程示意框图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-2，本发明提供一种技术方案：
实施例一：
一种可以增加少子寿命并提高转换效率的扩散工艺，包括以下步骤：
S1、沉积：在800℃的温度下，按照POCl3：O2＝15:6的气体比例进行扩散，扩散时间为15min；
S2、升温：以13℃/min的升温速度，使得温度升高至850℃；
S3、有氧推进：当温度达到850℃后，通入O2流量为1500sccm，且保持时间15min；
S4、无氧推进：保持温度在850℃，取消O2的通入，且保持时间6min；
S5、降温：以8℃/min的降温速度，使得温度降低至780℃；
S6、低温退火：当温度达到780℃后，通入O2流量为1500sccm，且保持时间12min，在步骤S6完成后，进行出炉操作，得到扩散后的硅片。
实施例二：
一种可以增加少子寿命并提高转换效率的扩散工艺，包括以下步骤：
S1、沉积：在800℃的温度下，按照POCl3：O2＝10:3的气体比例进行扩散，扩散时间为15min；
S2、升温：以13℃/min的升温速度，使得温度升高至850℃；
S3、有氧推进：当温度达到850℃后，通入O2流量为1500sccm，且保持时间15min；
S4、无氧推进：保持温度在850℃，取消O2的通入，且保持时间6min；
S5、降温：以8℃/min的降温速度，使得温度降低至780℃；
S6、低温退火：当温度达到780℃后，通入O2流量为1500sccm，且保持时间12min，在步骤S6完成后，进行出炉操作，得到扩散后的硅片。
对比例：
采用现有技术中的常规扩散工艺进行扩散，然后与经过实施例一和实施例二的扩散工艺扩散后的硅片进行电学性能参数数据对比，对比数据如下表1所示：
表1
根据上述对比数据可以清晰的看出，采用本发明中实施例一和实施例二中的工艺扩散后的硅片，电学性能参数数据得到了明显的提升，实用性效果显著。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (3)
1.一种可以增加少子寿命并提高转换效率的扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、沉积：在800℃的温度下，按照POCl3：O2＝15:6的气体比例进行扩散，扩散时间为10-15min；
S2、升温：以8-13℃/min的升温速度，使得温度升高至830-860℃；
S3、有氧推进：当温度达到830-860℃后，通入O2流量为1000-1500sccm，且保持时间10-15min；
S4、无氧推进：保持温度在830-860℃，取消O2的通入，且保持时间3-6min；
S5、降温：以4-8℃/min的降温速度，使得温度降低至780-800℃；
S6、低温退火：当温度达到780-800℃后，通入O2流量为1000-1500sccm，且保持时间8-12min。
2.根据权利要求1所述的一种可以增加少子寿命并提高转换效率的扩散工艺，其特征在于：在步骤S1中，POCl3与O2的气体比例还可以为10:3。
3.根据权利要求1所述的一种可以增加少子寿命并提高转换效率的扩散工艺，其特征在于：在步骤S6完成后，进行出炉操作。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810578104.9A CN108766874A (zh) | 2018-06-07 | 2018-06-07 | 一种可以增加少子寿命并提高转换效率的扩散工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810578104.9A CN108766874A (zh) | 2018-06-07 | 2018-06-07 | 一种可以增加少子寿命并提高转换效率的扩散工艺 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108766874A true CN108766874A (zh) | 2018-11-06 |
Family
ID=64000217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810578104.9A Pending CN108766874A (zh) | 2018-06-07 | 2018-06-07 | 一种可以增加少子寿命并提高转换效率的扩散工艺 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN108766874A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115172518A (zh) * | 2022-07-08 | 2022-10-11 | 酒泉正泰新能源科技有限公司 | 一种太阳能电池的多次氧化扩散方法、制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103022265A (zh) * | 2013-01-10 | 2013-04-03 | 英利集团有限公司 | 太阳能电池片及其扩散方法 |
| CN104868013A (zh) * | 2015-04-15 | 2015-08-26 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 太阳能晶硅电池扩散工艺 |
| CN108010972A (zh) * | 2017-11-09 | 2018-05-08 | 润峰电力有限公司 | 一种mcce制绒多晶黑硅硅片扩散方法 |
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- 2018-06-07 CN CN201810578104.9A patent/CN108766874A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103022265A (zh) * | 2013-01-10 | 2013-04-03 | 英利集团有限公司 | 太阳能电池片及其扩散方法 |
| CN104868013A (zh) * | 2015-04-15 | 2015-08-26 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 太阳能晶硅电池扩散工艺 |
| CN108010972A (zh) * | 2017-11-09 | 2018-05-08 | 润峰电力有限公司 | 一种mcce制绒多晶黑硅硅片扩散方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115172518A (zh) * | 2022-07-08 | 2022-10-11 | 酒泉正泰新能源科技有限公司 | 一种太阳能电池的多次氧化扩散方法、制备方法 |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20181106 |