CN108762458A - 一种同时实现电路通断控制和电压转换的方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种同时实现电路通断控制和电压转换的方法及装置,所述方法包括:开关芯片接收第一芯片输出的信号作为控制信号;开关芯片接收控制芯片控制的MOSFET输出的电压信号作为输入信号,其中,所述控制芯片控制的MOSFET的栅极、漏极分别与控制芯片、第二芯片工作电压连接;开关芯片根据所述第一芯片输出的信号和所述控制芯片控制的MOSFET输出的电压信号确定电路的通断和第一芯片、第二芯片的电压转换;本申请通过改变Switch芯片的Enable信号源,由现有方案中的由controller控制改为由第一芯片的信号控制,实现了利用1个Switch芯片即可同时进行电路通断控制和电压转换,降低相关电路设计复杂度及产品成本。
Description
技术领域
本发明涉及电子电路技术领域,特别是涉及一种同时实现电路通断控制和电压转换的方法及装置。
背景技术
在服务器主板上有多种芯片,不同芯片的工作电压可能不一样,比较常见的有3.3V、2.5V、1.8V等。当两个不同工作电压的芯片要进行通信时,不能用传输线直接相连,而要通过一个电压转换芯片(LevelShift)进行升压或降压。当需要对通信链路进行通断控制时,还需要在链路中串入一个开关芯片(Switch)进行链路的通断控制。为实现两个芯片之间信号电路的开关控制和电压转换,需要在两芯片见串联电压转换芯片、开关芯片,由控制芯片产生Enable信号来控制开关芯片通断,通过电压转换芯片实现由电压V1到电压V2的转换。连接芯片A与芯片B的电路中使用了2个芯片,分别用于电路通断控制和电压转换,电路较复杂,成本较高。
因此,亟需一种同时实现电路通断控制和电压转换的方法及装置,能够利用1个开关芯片即可同时进行电路通断控制和电压转换。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供了一种同时实现电路通断控制和电压转换的方法及装置,通过改变Switch芯片的Enable信号源,由现有方案中的由controller控制改为由第一芯片的信号控制,实现了利用1个Switch芯片即可同时进行电路通断控制和电压转换。
第一方面,提供一种同时实现电路通断控制和电压转换的方法,所述方法包括:
开关芯片接收第一芯片输出的信号作为控制信号;
开关芯片接收控制芯片控制的MOSFET输出的电压信号作为输入信号,其中,所述控制芯片控制的MOSFET的栅极、漏极分别与控制芯片、第二芯片工作电压连接;
开关芯片根据所述第一芯片输出的信号和所述控制芯片控制的MOSFET输出的电压信号确定电路的通断和第一芯片、第二芯片的电压转换。
结合第一方面,在第一方面的第一种可能的实现方式中,
所述开关芯片根据所述第一芯片输出的信号和所述控制芯片控制的MOSFET输出的电压信号确定电路的通断和第一芯片、第二芯片的电压转换,包括:
根据控制芯片输出的电压信号,控制第一芯片和第二芯片的电压转换;
根据第一芯片输出的信号,控制电路通断。
结合第一方面及其上述实现方式,在第一方面的第二种可能的实现方式中,
所述开关芯片根据所述第一芯片输出的信号和所述控制芯片控制的MOSFET输出的电压信号确定电路的通断和第一芯片、第二芯片的电压转换,包括:
当第一芯片输出的信号为高电平且控制芯片输出的电压信号为高电平时,电路连通且第一芯片、第二芯片的电压转换;
当第一芯片输出的信号为低电平且控制芯片输出的电压信号为高电平,电路断开和第一芯片、第二芯片的电压转换;
当控制芯片输出的电压信号为低电平且第一芯片输出的信号为高电平或低电平,电路断开。
第二方面,提供一种用于同时实现电路通断控制和电压转换装置,包括:
接收单元,所述接收单元用于接收第一芯片输出的信号作为控制信号;所述接收单元还用于接收控制芯片控制的MOSFET输出的电压信号作为输入信号,其中,所述控制芯片控制的MOSFET的栅极、漏极分别与控制芯片、第二芯片工作电压连接;
确定单元,所述确定单元用于根据所述第一芯片输出的信号和所述控制芯片控制的MOSFET输出的电压信号确定电路的通断和第一芯片、第二芯片的电压转换。
结合第二方面,在第二方面的第一种可能的实现方式中,
所述确定具体用于:
根据控制芯片输出的电压信号,控制第一芯片和第二芯片的电压转换;
根据第一芯片输出的信号,控制电路通断。
结合第二方面及其上述实现方式,在第二方面的第二种可能的实现方式中,
所述确定单元具体用于:
当第一芯片输出的信号为高电平且控制芯片输出的电压信号为高电平时,电路连通且第一芯片、第二芯片的电压转换;
当第一芯片输出的信号为低电平且控制芯片输出的电压信号为高电平,电路断开和第一芯片、第二芯片的电压转换;
当控制芯片输出的电压信号为低电平且第一芯片输出的信号为高电平或低电平,电路断开。
第三方面,提供一种受控终端,包括:
处理器、存储器,其中,
该存储器用于存储计算机程序,该处理器用于从存储器中调用并运行该计算机程序,使得终端设备执行上述的终端设备的方法。
因此,本申请通过改变Switch芯片的Enable信号源,由现有方案中的由controller控制改为由第一芯片的信号控制,实现了利用1个Switch芯片即可同时进行电路通断控制和电压转换,降低相关电路设计复杂度及产品成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,对于本领域普通技术人员而言,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中开关芯片的电路示意图。
图2是现有技术中实现两芯片之间信号电路的开关控制和电压转换的电路示意图。
图3是本申请一个实施例的方法的示意性流程图。
图4是本申请实现两芯片之间信号电路的开关控制和电压转换的电路示意图。
图5是本申请一个实施例的装置的示意性框图。
图6为本发明实施例提供的一种受控终端的结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本发明保护的范围。为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本发明保护的范围。
应理解,下列实施例中第一、第二只是为了区分所指的是不同的芯片、或者芯片不同的工作电压等,本申请不做限定。
下面对本申请中出现的关键术语进行解释。
MOSFET(MOS):表示金属-氧化物半导体场效应晶体管,MOSFET Q1的栅极端的高低电平控制栅极和漏极的电压导通。
图1即为现有技术中开关芯片(Switch芯片)的电路示意图,其具体工作原理为:当EN输入的为高电平时,芯片A到B的通路导通,当EN输入的为低电平时,芯片A到B的通路断开。
图2为现有技术中实现两芯片之间信号电路的开关控制和电压转换的电路示意图,如图2所示,为实现两个芯片之间信号电路的开关控制和电压转换,芯片A和芯片B之间串联开关芯片(Switch芯片)和电压转换芯片(Shift芯片),控制芯片产生Enable信号来控制Switch芯片通断,通过Shift芯片实现由电压V1到电压V2的转换。
图3是本申请一个实施例的方法的示意性流程图。其中,图1执行主体可以为一种同时实现电路通断控制和电压转换的装置。
如图3所示,该方法300包括:
步骤310,开关芯片接收第一芯片输出的信号作为控制信号;
步骤320,开关芯片接收控制芯片控制的MOSFET输出的电压信号作为输入信号,其中,所述控制芯片控制的MOSFET的栅极、漏极分别与控制芯片、第二芯片工作电压连接;
步骤330,开关芯片根据所述第一芯片输出的信号和所述控制芯片控制的MOSFET输出的电压信号确定电路的通断和第一芯片、第二芯片的电压转换。
可选地,作为本申请一个实施例,所述开关芯片根据所述第一芯片输出的信号和所述控制芯片控制的MOSFET输出的电压信号确定电路的通断和第一芯片、第二芯片的电压转换,包括:
根据控制芯片输出的电压信号,控制第一芯片和第二芯片的电压转换;
根据第一芯片输出的信号,控制电路通断。
可选地,作为本申请一个实施例,所述开关芯片根据所述第一芯片输出的信号和所述控制芯片控制的MOSFET输出的电压信号确定电路的通断和第一芯片、第二芯片的电压转换,包括:
当第一芯片输出的信号为高电平且控制芯片输出的电压信号为高电平时,电路通断且第一芯片、第二芯片的电压转换;
当第一芯片输出的信号为低电平且控制芯片输出的电压信号为高电平,电路断开和第一芯片、第二芯片的电压转换;
当控制芯片输出的电压信号为低电平且第一芯片输出的信号为高电平或低电平,电路断开。
具体的,图4示出了本申请实现两芯片之间信号电路的开关控制和电压转换的电路示意图。
如图4所示,第一芯片为芯片A,第二芯片为芯片B,芯片A的工作电压为V1,芯片B的工作电压为V2。
芯片A的输出信号接到Switch芯片的EN管脚,芯片A的信号作为Switch芯片的Enable信号源,控制Switch芯片的通断。
控制芯片的信号接到MOSFET Q1的栅极,MOSFET Q1的漏极接到Power_V2,控制芯片通过MOS连接到V2,控制芯片通过控制MOS的通断控制第一芯片和第二芯片的电压转换。
(1)当控制芯片输出高电平,且芯片A输出电压值为V1高电平时,Switch芯片导通,MOSFET Q1导通。Switch芯片的A端输入的为电压值为V2的高电平,进而B端输出至芯片B的也为电压值为V2的高电平。此时电路连通且实现第一芯片、第二芯片的电压转换。
(2)当控制芯片输出高电平,且芯片A输出低电平时,Switch芯片链路关闭,Q1也截止。SwitchA端无输入,Switch芯片B端到芯片B之间的电路保持默认的低电平。此时电路断开且实现第一芯片、第二芯片的电压转换。
(3)当控制芯片输出低电平时,Q1处于截止状态,Switch芯片A端无输入。此时无论芯片A发出的是高电平还是低电平,Switch芯片B端到芯片B之间的电路始终保持默认的低电平。此时电路断开,无法实现第一芯片、第二芯片的电压转换。
图5示出了本申请一个实施例的装置的示意性框图。
如图5所示,该装置500包括:
接收单元510,所述接收单元用于接收第一芯片输出的信号作为控制信号;所述接收单元还用于接收控制芯片控制的MOSFET输出的电压信号作为输入信号,其中,所述控制芯片控制的MOSFET的栅极、漏极分别与控制芯片、第二芯片工作电压连接;
确定单元520,所述确定单元用于根据所述第一芯片输出的信号和所述控制芯片控制的MOSFET输出的电压信号确定电路的通断和第一芯片、第二芯片的电压转换。
可选地,作为本申请一个实施例,所述确定具体用于:
根据控制芯片输出的电压信号,控制第一芯片和第二芯片的电压转换;
根据第一芯片输出的信号,控制电路通断。
可选地,作为本申请一个实施例,所述确定单元具体用于:
当第一芯片输出的信号为高电平且控制芯片输出的电压信号为高电平时,电路连通且第一芯片、第二芯片的电压转换;
当第一芯片输出的信号为低电平且控制芯片输出的电压信号为高电平,电路断开和第一芯片、第二芯片的电压转换;
当控制芯片输出的电压信号为低电平且第一芯片输出的信号为高电平或低电平,电路断开。
图6为本发明实施例提供的一种受控终端600的结构示意图,该受控终端600可以用于执行本申请实施例提供的实现电路通断控制和电压转换示出的方法。
其中,该受控终端600可以包括:处理器610、存储器620及通信单元630。这些组件通过一条或多条总线进行通信,本领域技术人员可以理解,图中示出的服务器的结构并不构成对本申请的限定,它既可以是总线形结构,也可以是星型结构,还可以包括比图示更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者不同的部件布置。
其中,该存储器620可以用于存储处理器610的执行指令,存储器620可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现,如静态随机存取存储器(SRAM),电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),可擦除可编程只读存储器(EPROM),可编程只读存储器(PROM),只读存储器(ROM),磁存储器,快闪存储器,磁盘或光盘。当存储器620中的执行指令由处理器610执行时,使得终端600能够执行以下上述方法实施例中的部分或全部步骤。
处理器610为存储设备的控制中心,利用各种接口和线路连接整个电子设备的各个部分,通过运行或执行存储在存储器620内的软件程序和/或模块,以及调用存储在存储器内的数据,以执行电子设备的各种功能和/或处理数据。所述处理器可以由集成电路(Integrated Circuit,简称IC)组成,例如可以由单颗封装的IC所组成,也可以由连接多颗相同功能或不同功能的封装IC而组成。举例来说,处理器610可以仅包括中央处理器(Central Processing Unit,简称CPU)。在本申请实施方式中,CPU可以是单运算核心,也可以包括多运算核心。
通信单元630,用于建立通信信道,从而使所述存储设备可以与其它设备进行通信。接收其他设备发送的用户数据或者向其他设备发送用户数据。
因此,本申请实施例有益效果为通过改变Switch芯片的Enable信号源,由现有方案中的由controller控制改为由第一芯片的信号控制,实现了利用1个Switch芯片即可同时进行电路通断控制和电压转换,降低相关电路设计复杂度及产品成本,本实施例所能达到的技术效果可以参见上文中的描述,此处不再赘述。
本领域的技术人员可以清楚地了解到本申请实施例中的技术可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现。基于这样的理解,本申请实施例中的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中如U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM,Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM,Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者第二设备、网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。
本说明书中各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。尤其,对于终端实施例而言,由于其基本相似于方法实施例,所以描述的比较简单,相关之处参见方法实施例中的说明即可。
在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的系统、装置和方法,可以通过其它的方式实现。例如,以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,所述单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外,在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
尽管通过参考附图并结合优选实施例的方式对本发明进行了详细描述,但本发明并不限于此。在不脱离本发明的精神和实质的前提下,本领域普通技术人员可以对本发明的实施例进行各种等效的修改或替换,而这些修改或替换都应在本发明的涵盖范围内/任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。
Claims (7)
1.一种同时实现电路通断控制和电压转换的方法,其特征在于,包括:
开关芯片接收第一芯片输出的信号作为控制信号;
开关芯片接收控制芯片控制的MOSFET输出的电压信号作为输入信号,其中,所述控制芯片控制的MOSFET的栅极、漏极分别与控制芯片、第二芯片工作电压连接;
开关芯片根据所述第一芯片输出的信号和所述控制芯片控制的MOSFET输出的电压信号确定电路的通断和第一芯片、第二芯片的电压转换。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述开关芯片根据所述第一芯片输出的信号和所述控制芯片控制的MOSFET输出的电压信号确定电路的通断和第一芯片、第二芯片的电压转换,包括:
根据控制芯片输出的电压信号,控制第一芯片和第二芯片的电压转换;
根据第一芯片输出的信号,控制电路通断。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述开关芯片根据所述第一芯片输出的信号和所述控制芯片控制的MOSFET输出的电压信号确定电路的通断和第一芯片、第二芯片的电压转换,包括:
当第一芯片输出的信号为高电平且控制芯片输出的电压信号为高电平时,电路连通且第一芯片、第二芯片的电压转换;
当第一芯片输出的信号为低电平且控制芯片输出的电压信号为高电平,电路断开和第一芯片、第二芯片的电压转换;
当控制芯片输出的电压信号为低电平且第一芯片输出的信号为高电平或低电平,电路断开。
4.一种用于同时实现电路通断控制和电压转换的装置,其特征在于,包括:
接收单元,所述接收单元用于接收第一芯片输出的信号作为控制信号;所述接收单元还用于接收控制芯片控制的MOSFET输出的电压信号作为输入信号,其中,所述控制芯片控制的MOSFET的栅极、漏极分别与控制芯片、第二芯片工作电压连接;
确定单元,所述确定单元用于根据所述第一芯片输出的信号和所述控制芯片控制的MOSFET输出的电压信号确定电路的通断和第一芯片、第二芯片的电压转换。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述确定具体用于:
根据控制芯片输出的电压信号,控制第一芯片和第二芯片的电压转换;
根据第一芯片输出的信号,控制电路通断。
6.根据权利要求4或5所述的装置,其特征在于,所述确定单元具体用于:
当第一芯片输出的信号为高电平且控制芯片输出的电压信号为高电平时,电路连通且第一芯片、第二芯片的电压转换;
当第一芯片输出的信号为低电平且控制芯片输出的电压信号为高电平,电路断开和第一芯片、第二芯片的电压转换;
当控制芯片输出的电压信号为低电平且第一芯片输出的信号为高电平或低电平,电路断开。
7.一种受控终端,其特征在于,包括:
处理器;
用于存储处理器的执行指令的存储器;
其中,所述处理器被配置为执行权利要求1-3任一项所述的方法。
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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