CN108735919A - 将薄膜图案化的方法、显示器件及其制备方法 - Google Patents

将薄膜图案化的方法、显示器件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108735919A
CN108735919A CN201810532362.3A CN201810532362A CN108735919A CN 108735919 A CN108735919 A CN 108735919A CN 201810532362 A CN201810532362 A CN 201810532362A CN 108735919 A CN108735919 A CN 108735919A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
rigid substrate
magnetic
pending
magnetic field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810532362.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108735919B (zh
Inventor
李东
张渊明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201810532362.3A priority Critical patent/CN108735919B/zh
Publication of CN108735919A publication Critical patent/CN108735919A/zh
Priority to US16/628,812 priority patent/US11177326B2/en
Priority to PCT/CN2019/085234 priority patent/WO2019228128A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108735919B publication Critical patent/CN108735919B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/18Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/211Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by selective transformation of an existing layer
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

本发明提供了将薄膜图案化的方法、显示器件及其制备方法。该将薄膜图案化的方法包括:在柔性衬底内部形成磁性材料图案,得到磁性衬底;将所述磁性衬底放置在待处理薄膜远离第一刚性衬底的一侧,其中,所述待处理薄膜和所述第一刚性衬底相对设置;对所述磁性衬底施加磁场,使得所述磁性材料图案将所述待处理薄膜中与所述磁性材料图案对应的部分压向所述第一刚性衬底并附着在所述第一刚性衬底上;撤去所述磁场并去除所述磁性衬底和所述待处理薄膜中未被压向所述第一刚性衬底的部分,以在所述第一刚性衬底上形成图案化薄膜。该将薄膜图案化的方法操作简单、方便,容易实现,易于工业化生产,且良品率高,可靠性好。

Description

将薄膜图案化的方法、显示器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体的,涉及将薄膜图案化的方法、显示器件及其制备方法。
背景技术
目前将薄膜图案化的方法通常为蚀刻和转印方法,其中,蚀刻方法存在部分薄膜材料残留的缺陷,尤其在应用于显示领域中的发光层时,图案化时出现材料残留会影响显示像素的纯度,严重影响显示效果。而转印方法则工艺步骤较多,操作繁琐。
因而,现有的将薄膜图案化的方法仍有待改进。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种操作简单、方便、容易实现、易于工业化生产、良品率高、或者可靠性好的将薄膜图案化的方法。
在本发明的一个方面,本发明提供了一种将薄膜图案化的方法。根据本发明的实施例,该将薄膜图案化的方法包括:在柔性衬底内部形成磁性材料图案,得到磁性衬底;将所述磁性衬底放置在待处理薄膜远离第一刚性衬底的一侧,其中,所述待处理薄膜和所述第一刚性衬底相对设置;对所述磁性衬底施加磁场,使得所述磁性材料图案将所述待处理薄膜中与所述磁性材料图案对应的部分压向所述第一刚性衬底并附着在所述第一刚性衬底上;撤去所述磁场并去除所述磁性衬底和所述待处理薄膜中未被压向所述第一刚性衬底的部分,以在所述第一刚性衬底上形成图案化薄膜。发明人发现,该将薄膜图案化的方法操作简单、方便,容易实现,易于工业化生产,且良品率高,可靠性好,且经该方法图案化的薄膜不会出现材料的残留,图案化品质高。
根据本发明的实施例,在所述柔性衬底内形成磁性材料图案是通过以下步骤进行的:在第二刚性衬底的一个表面上形成第一柔性薄膜;在所述第一柔性薄膜远离所述第二刚性衬底的表面上形成所述磁性材料图案;在所述第一柔性薄膜远离所述第二刚性衬底的表面上形成第二柔性薄膜,所述第二柔性薄膜覆盖所述磁性材料图案;剥离所述第二刚性衬底。
根据本发明的实施例,形成所述柔性衬底的材料选自聚二甲基硅氧烷和聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种。
根据本发明的实施例,形成所述磁性材料图案的材料选自铁、铁合金、含铁的化合物、镍、镍合金、钴、钴合金、含镍的化合物和含钴的化合物中的至少一种。
根据本发明的实施例,形成所述待处理薄膜的材料为量子点。
根据本发明的实施例,所述磁场为匀强磁场。
根据本发明的实施例,对所述磁性衬底施加磁场时,所述磁场的强度随着施加磁场的时间梯度增强或线性增强。
根据本发明的实施例,撤去所述磁场时,所述磁场的强度随时间梯度减弱或线性减弱。
根据本发明的实施例,所述待处理薄膜靠近所述第一刚性衬底的表面具有第一活性基团,所述第一刚性衬底靠近所述待处理薄膜的表面上具有第二活性基团,所述第一活性基团和所述第二活性基团之间具有吸引作用。
根据本发明的实施例,在去除所述磁性衬底之前,还包括:对所述待处理薄膜中与所述磁性材料图案对应的部分和所述第一刚性衬底进行加压和/或加热的步骤。
在本发明的另一个方面,本发明提供了一种制备显示器件的方法。根据本发明的实施例,该制备显示器件的方法包括利用前面所述的将薄膜图案化的方法制备图案化薄膜的步骤。发明人发现,该制备显示器件的方法操作简单、方便,容易实现,易于工业化生产,良品率高,可靠性好,由该方法制备的显示器件的色调纯度高,显示效果好,且该制备显示器件的方法具有前面所述的将薄膜图案化的方法的所有特征及优点,在此不再过多赘述。
根据本发明的实施例,形成所述图案化薄膜的材料为量子点,且所述图案化薄膜构成所述显示器件的发光层。
根据本发明的实施例,形成所述图案化薄膜的材料为量子点,且所述图案化薄膜构成所述显示器件的彩色滤光片。
在本发明的又一个方面,本发明提供了一种显示器件。根据本发明的实施例,该显示器件是通过前面所述的方法制备获得的。发明人发现,该显示器件的色调纯度高,显示效果好。
附图说明
图1显示了本发明一个实施例的将薄膜图案化的方法的流程示意图。
图2a、图2b、图2c和图2d显示了本发明另一个实施例的将薄膜图案化的方法的流程示意图。
图3显示了本发明一个实施例的步骤S100的流程示意图。
图4a、图4b、图4c和图4d显示了本发明另一个实施例的步骤S100的流程示意图。
图5显示了本发明又一个实施例的将薄膜图案化的方法的流程示意图。
附图标记:
100:磁性衬底 110:柔性衬底 112:第一柔性薄膜 111:第二柔性薄膜 120:磁性材料图案 200:待处理薄膜 201:图案化薄膜 300:第一刚性衬底 400:第二刚性衬底
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例。下面描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的,按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可以通过市购获得的常规产品。
在本发明的一个方面,本发明提供了一种将薄膜图案化的方法。根据本发明的实施例,参照图1和图2a至2d,该将薄膜图案化的方法包括以下步骤:
S100:在柔性衬底110内部形成磁性材料图案120,得到磁性衬底100,结构示意图参照图2a。
根据本发明的实施例,所述柔性衬底110的材料种类可以包括但不限于聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等。在本发明的一些实施例中,所述柔性衬底110的具体材料可以为聚二甲基硅氧烷。由此,材料来源广泛、易得,成本较低,且由于聚二甲基硅氧烷表面含有大量的硅氧基团,因此利于所述将薄膜图案化的方法中后续步骤的应用。
根据本发明的实施例,所述柔性衬底110的厚度可以为500-2000微米。在本发明一些具体的实施例中,所述柔性衬底110的厚度可以具体为500微米、1000微米、1500微米、2000微米。由此,所述柔性衬底110的厚度适中,可通过对所述柔性衬底110内部的磁性材料施加磁力,使得柔性衬底110的表面产生变形从而在后续步骤中促使待处理薄膜变形而形成图案化薄膜。
根据本发明的实施例,形成所述磁性材料图案120的材料可以包括铁、铁合金、含铁的化合物、镍、镍合金、钴、钴合金、含镍的化合物以及含钴的化合物等。在本发明的一些实施例中,形成所述磁性材料图案120的材料可以为四氧化三铁。由此,材料来源广泛、易得,成本较低,且导磁性好,利于所述将薄膜图案化的方法中后续步骤的应用。
根据本发明的实施例,本领域技术人员可以根据实际使用需要任意设置所述磁性材料图案120的形状。由此,所述将薄膜图案化的方法可以适用于各种不同的领域,应用范围广。在本发明的一些实施例中,可以该方法制备显示器件中的发光层或彩色滤光片,此时,磁性材料图案的形状和尺寸即可与显示器件中的发光层或彩色滤光片的形状和尺寸一致。
根据本发明的实施例,所述磁性材料图案120的厚度可以为50-200微米。在本发明一些具体的实施例中,所述磁性材料图案120的厚度可以具体为50微米、100微米、150微米、200微米。由此,所述磁性材料图案120的厚度适中,可以通过磁场产生足够的力,同时又不对柔性衬底110的柔软度造成影响。
在本发明的一些实施例中,参照图3,所述在柔性衬底110内部形成磁性材料图案120,得到磁性衬底100可以具体包括以下步骤:
S110:在第二刚性衬底400的一个表面上形成第一柔性薄膜112,结构示意图参照图4a。
根据本发明的实施例,所述第二刚性衬底400的材料种类具体材料可以为玻璃、金属、聚合物等。由此,具有较好的力学性能,对柔性薄膜112具有较好的支撑作用。
根据本发明的实施例,所述第二刚性衬底400的厚度可以为500-2000微米。在本发明一些具体的实施例中,所述第二刚性衬底400的厚度可以为500微米、1000微米、1500微米、2000微米。由此,可以使得第二刚性衬底400具有合适的刚性,不易破碎或发生较大弯曲。
根据本发明的实施例,所述第一柔性薄膜112的材料种类可以包括但不限于聚二甲基硅氧烷、聚对苯二甲酸乙二醇酯等。在本发明的一些实施例中,第一柔性薄膜112的具体材料可以为聚二甲基硅氧烷。由此,材料来源广泛、易得,成本较低,且由于聚二甲基硅氧烷表面含有大量的硅氧基团,因此利于所述将薄膜图案化的方法中后续步骤的应用。
根据本发明的实施例,所述第一柔性薄膜112的厚度可以为250-1000微米。在本发明一些具体的实施例中,所述第一柔性薄膜112的厚度可以具体为250微米、500微米、750微米、1000微米。由此,所述第一柔性薄膜112的厚度适中,利于后续应用。
根据本发明的实施例,在所述第二刚性衬底400的一个表面上形成所述第一柔性薄膜112的具体工艺可以为涂覆、喷墨打印、物理气相沉积、化学气相沉积等。由此,操作简单、方便、易于实施。
S120:在所述第一柔性薄膜112远离所述第二刚性衬底400的表面上形成所述磁性材料图案120,结构示意图参照图4b。
根据本发明的实施例,形成所述磁性材料图案120的材料、所述磁性材料图案120的形状、厚度等均与前面所述相同,在此不再过多赘述。
根据本发明的实施例中,在所述第一柔性薄膜112远离所述第二刚性衬底400的表面上形成所述磁性材料图案120的具体工艺可以为先在所述第一柔性薄膜112远离所述第二刚性衬底400的表面上生长磁性材料薄膜,然后通过曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺,将所述磁性材料薄膜图案化,从而形成所述磁性材料图案120。由此,操作简单、方便,容易实现,且成本低廉。
S130:在所述第一柔性薄膜112远离所述第二刚性衬底400的表面上形成第二柔性薄膜111,所述第二柔性薄膜111覆盖所述磁性材料图案120,结构示意图参照图4c。
根据本发明的实施例,形成所述第二柔性薄膜111的具体工艺可以为涂覆、喷墨打印、物理气相沉积、化学气相沉积等。由此,操作简单、方便、易于实施。
根据本发明的实施例,所述第二柔性薄膜111的材料种类可以包括但不限于聚二甲基硅氧烷、聚对苯二甲酸乙二醇酯等。在本发明的一些实施例中,所述第二柔性薄膜111的具体材料可以为聚二甲基硅氧烷。由此,材料来源广泛、易得,成本较低,且由于聚二甲基硅氧烷表面含有大量的硅氧基团,因此利于所述将薄膜图案化的方法中后续步骤的应用。
根据本发明的实施例,所述第二柔性薄膜111的厚度可以为250-1000微米。在本发明一些具体的实施例中,所述第二柔性薄膜111的厚度可以具体为250微米、500微米、750微米、1000微米。由此,所述第二柔性薄膜111的厚度适中,利于后续应用。
根据本发明的实施例,所述第一柔性薄膜112和所述第二柔性薄膜111共同构成所述柔性衬底110。由此,在柔性衬底110内部形成磁性材料图案120,且操作简单、方便,容易实现,成本低廉,易于工业化生产。
S140:剥离所述第二刚性衬底400,结构示意图参照图4d。
根据本发明的实施例,剥离所述第二刚性衬底400的具体工艺可以为激光剥离、机械剥离、超声剥离等。由此,操作简单、方便,容易实现,易于工业化生产。
在进行上述步骤后,得到所述磁性衬底100。根据本发明的实施例,参照图1,在得到所述磁性衬底100后,该将薄膜图案化的方法还包括以下步骤:
S200:将所述磁性衬底100放置在待处理薄膜200远离第一刚性衬底300的一侧,其中,所述待处理薄膜200和所述第一刚性衬底300相对设置,结构示意图参照图2b。
根据本发明的实施例,所述待处理薄膜200的材料种类可以包括但不限于量子点等。在本发明的一些实施例中,所述待处理薄膜200的材料种类可以具体由IV、II-Ⅵ,IV-VI或III-V元素组成,如包括但不限于硅量子点、锗量子点、硫化镉量子点、硒化镉量子点、碲化镉量子点、硒化锌量子点、硫化铅量子点、硒化铅量子点、磷化铟量子点和砷化铟量子点等。由此,可以利用该方法制备显示器件的发光层、彩色滤光片等等,有效克服了相关技术中操作复杂、步骤较多、和材料残留等问题。
根据本发明的实施例,所述待处理薄膜200的厚度可以为10-2000纳米。在本发明一些具体的实施例中,所述待处理薄膜200的厚度可以具体为10纳米、100纳米、500纳米、1000纳米、1500纳米、2000纳米。由此,所述待处理薄膜200的厚度适中,待处理薄膜200中与所述磁性材料图案120对应的部分较易与其他部分发生分离,同时当该图案化薄膜用作显示器件的发光层时,可以满足发光的实际使用需求,利于后续步骤中的应用。
根据本发明的实施例,所述第一刚性衬底300的材料种类可以为玻璃、金属、陶瓷、聚合物等。由此,具有较好的力学性能和较好的支撑作用。在本发明的一些实施例中,利用该方法制备显示器件的发光层或彩色滤光片时,第一刚性衬底可以为制备好相关驱动电路结构(如薄膜晶体管、连接线路等)等的基板,或者用于形成彩膜基板的玻璃基板或聚合物基板等。
根据本发明的实施例,所述第一刚性衬底300的厚度可以为300-700微米。在本发明一些具体的实施例中,所述第一刚性衬底300的厚度可以为300微米、400微米、500微米、600微米、700微米。由此,所述第一刚性衬底300的厚度可以满足形成驱动电路等各项工艺,很好的控制前面所述形成的基板的形变以及透光度。
根据本发明的实施例,参照图2b,所述待处理薄膜200与所述第一刚性衬底300之间的距离d可以为50-200微米。在本发明一些具体的实施例中,所述待处理薄膜200与所述第一刚性衬底300之间的距离可以具体为50微米、100微米、150微米、200微米。由此,该距离范围内待处理薄膜中图案化部分(与磁性材料图案对应的部分)可以很好的和非图案化部分(没有和磁性材料图案对应的部分)分离,且图案化部分可以有效压向第一刚性衬底,利于所述将薄膜图案化的方法中后续步骤的应用。
S300:对所述磁性衬底100施加磁场,使得所述磁性材料图案120将所述待处理薄膜200中与所述磁性材料图案120对应的部分压向所述第一刚性衬底300并附着在所述第一刚性衬底300上,结构示意图参照图2c。
根据本发明的实施例,当所述磁性材料图案120将所述待处理薄膜200中与所述磁性材料图案120对应的部分压向所述第一刚性衬底300时,未被压向第一刚性衬底300的部分与被压向第一刚性衬底300的部分之间产生了拉伸错位,由此二者界面处就由于受到拉伸从而使得待处理薄膜200中分子间的范德华力减弱,分子间距离增大,超过临界值后发生断裂分离。从而使得待处理薄膜200中与所述磁性材料图案120对应的部分压向第一刚性衬底300并附着在第一刚性衬底300上。
根据本发明的实施例,所述磁场的种类可以为匀强磁场。由此,可以使得所述磁性材料图案120将所述待处理薄膜200中与所述磁性材料图案120对应的部分压向所述第一刚性衬底300并附着在所述第一刚性衬底300上的力的大小均匀,使得得到的图案化薄膜完整性好、质量高、边缘整齐、平整、尺寸精确,且所述待处理薄膜200中与所述磁性材料图案120对应的部分在所述第一刚性衬底300上的附着强度高。
根据本发明的实施例,所述磁场的强度可以为根据柔性衬底的材料种类和厚度、磁性材料的种类和厚度、待处理薄膜和第一刚性衬底之间的结合力等等灵活选择。在本发明一些具体的实施例中,磁场强度适中,可以使得所述磁性材料图案120将所述待处理薄膜200中与所述磁性材料图案120对应的部分压向所述第一刚性衬底300并附着在所述第一刚性衬底300上的力的大小适中,所述待处理薄膜200中与所述磁性材料图案120对应的部分在所述第一刚性衬底300上的附着强度高。
根据本发明的实施例,对所述磁性衬底100施加磁场的方式可以是将所述磁性材料图案120置于所述磁场中,使得所述磁性材料图案120附近产生由所述磁性材料图案120垂直指向所述第一刚性衬底方向的力,从而使得所述磁性材料图案120将所述待处理薄膜200中与所述磁性材料图案120对应的部分压向所述第一刚性衬底300。在本发明的一些实施例,可以通过永磁体、电磁铁等方式产生合适的磁场。具体的,可以采用电磁铁产生磁场,由此,可以比较容易控制磁场的施加、撤去和调整磁场强度等等。
根据本发明的实施例,在施加所述磁场时可以采用缓慢施加磁场的方式。在本发明的一些实施例中,施加所述磁场时,所述磁场的强度随时间梯度增强或线性增强。在本发明的实施例中,可以通过磁感应线圈控制所述磁场的变化方式。由此,通过缓慢增强磁场,可以使得待处理薄膜200中被压向所述第一刚性衬底300的部分通过压力缓慢与所述磁性衬底100分离,以使得磁性材料图案120的分离面平整。
根据本发明的实施例,基于所述磁性材料图案120附近产生由所述磁性材料图案120垂直指向所述第一刚性衬底方向的压力,使得将所述待处理薄膜200中与所述磁性材料图案120对应的部分附着在所述第一刚性衬底300上的附着力良好。
根据本发明的实施例,为了进一步增加待处理薄膜和第一刚性衬底之间的附着力,所述待处理薄膜靠近所述第一刚性衬底的表面具有第一活性基团,所述第一刚性衬底靠近所述待处理薄膜的表面上具有第二活性基团,所述第一活性基团和所述第二活性基团之间具有吸引作用。由此,将待处理薄膜中与磁性材料图案对应的部分压向所述第一刚性衬底后,待处理薄膜中与磁性材料图案对应的部分即可与第一刚性衬底之间产生较强的吸引力,而待处理薄膜中的其他部分受到磁性材料图案的压力作用,并不会被压向第一刚性衬底,由此待处理薄膜中与磁性材料图案对应的部分与其他部分脱离,并牢固的附着在第一刚性衬底上。
在本发明一些实施例中,所述待处理薄膜200的材料为量子点,并对所述第一刚性衬底300使用HMDS(六甲基二硅氮烷)、PTS(甲苯磺酸)、OTS(十八烷基三氯硅烷)等进行预处理。此时,由于待处理薄膜200与所述第一刚性沉底300表面均存在大量烷基链、芳香基团等长链活性基团,因此待处理薄膜200与第一刚性衬底300之间存在较强的吸引作用,且该吸引作用远强于待处理薄膜200与表面为硅氧基团的柔性衬底110(如PDMS、PET等)之间的相互吸引作用,从而可以使得待处理薄膜200紧密地附着于所述第一刚性衬底300上。
S400:撤去所述磁场并去除所述磁性衬底100和所述待处理薄膜200中未被压向所述第一刚性衬底300的部分,以在所述第一刚性衬底300上形成图案化薄膜201,结构示意图参照图2d。
根据本发明的实施例,在撤去所述磁场时可以采用缓慢撤去磁场的方式。在本发明的一些实施例中,撤去所述磁场时,所述磁场的强度随时间梯度减弱或线性减弱。在本发明的实施例中,可以通过磁感应线圈控制所述磁场的变化方式。由此,通过缓慢减弱磁场,可以使得待处理薄膜200中被压向所述第一刚性衬底300的部分通过压力缓慢与所述磁性衬底100分离,以使得待处理薄膜200的分离面平整。
根据本发明的实施例,在撤去所述磁场时,将待处理薄膜200中与磁性材料图案120对应的部分压向所述第一刚性衬底300后,待处理薄膜200中与磁性材料图案120对应的部分即可与第一刚性衬底300之间产生较强的吸引力,而待处理薄膜200中的其他部分未受到磁性材料图案的压力作用,并不会被压向第一刚性衬底300,此时将所述磁性衬底100与第一刚性衬底300拉开,由此待处理薄膜200中与磁性材料图案120对应的部分与未被压向所述第一刚性衬底300的部分脱离。
在本发明的又一些实施例中,参照图5,在去除所述磁性衬底100之前,还可以包括:
S500:对所述待处理薄膜200中与所述磁性材料图案120对应的部分和所述第一刚性衬底300进行加压和/或加热的步骤。
根据本发明的实施例,对所述待处理薄膜200中与所述磁性材料图案120对应的部分和所述第一刚性衬底300进行加压处理可以为通过控制磁场强度使得磁性材料图案对其相对应的待处理薄膜进行加压。由此,进一步使得待处理薄膜200中被压向所述第一刚性衬底300的部分紧密、快速地附着于所述第一刚性衬底300上。
根据本发明的实施例,对所述待处理薄膜200中与所述磁性材料图案120对应的部分和所述第一刚性衬底300进行加热处理的温度可以为60-180℃。在本发明一些具体的实施例中,所述加热处理的温度可以为60℃、80℃、100℃、120℃、140℃、160℃、180℃。由此,使得待处理薄膜200表面与所述第一刚性衬底300表面的基团之间发生化学反应,从而产生化学键,进一步使得待处理薄膜200中被压向所述第一刚性衬底300的部分紧密、快速地附着于所述第一刚性衬底300上。
在本发明的另一个方面,本发明提供了一种制备显示器件的方法。根据本发明的实施例,该制备显示器件的方法包括利用前面所述的将薄膜图案化的方法制备图案化薄膜的步骤。发明人发现,该制备显示器件的方法操作简单、方便,容易实现,易于工业化生产,良品率高,可靠性好,由该方法制备的显示器件的色调纯度高,显示效果好,且该制备显示器件的方法具有前面所述的将薄膜图案化的方法的所有特征及优点,在此不再过多赘述。
根据本发明的实施例,本领域技术人员可以理解,除了前面所述的将薄膜图案化的方法中制备图案化薄膜的步骤,该制备显示器件的方法还具有常规制备显示器件的方法的其他步骤,在此不再过多赘述。
根据本发明的实施例,形成所述图案化薄膜201的材料为量子点,且所述图案化薄膜构成所述显示器件的发光层或者彩色滤光片。一些实施例中,所述图案化薄膜构成所述显示器件的发光层,此时所述显示器件可以为显示背板;另一些实施例中,所述图案化薄膜构成所述显示器件的彩色滤光片,此时所述显示器件可以为彩膜基板。
在本发明的又一个方面,本发明提供了一种显示器件。根据本发明的实施例,该显示器件是通过前面所述的方法制备获得的。发明人发现,该显示器件的色调纯度高,显示效果好。
根据本发明的实施例,该显示器件的形状、构造等均可以是现有技术中任何一种常规的形状、构造。且本领域技术人员可以理解,除了前面所述的显示面板,该显示器件具有常规显示器件的结构,在此不再过多赘述。
根据本发明的实施例,该显示器件的具体种类包括但不限于构成显示装置的结构或部件(如显示背板、彩膜基板、显示面板等)和具体的显示装置(如手机、平板电脑、游戏机、可穿戴设备、电视机等等)。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例,可以理解的是,上述实施例是示例性的,不能理解为对本发明的限制,本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (14)

1.一种将薄膜图案化的方法,其特征在于,包括:
在柔性衬底内部形成磁性材料图案,得到磁性衬底;
将所述磁性衬底放置在待处理薄膜远离第一刚性衬底的一侧,其中,所述待处理薄膜和所述第一刚性衬底相对设置;
对所述磁性衬底施加磁场,使得所述磁性材料图案将所述待处理薄膜中与所述磁性材料图案对应的部分压向所述第一刚性衬底并附着在所述第一刚性衬底上;
撤去所述磁场并去除所述磁性衬底和所述待处理薄膜中未被压向所述第一刚性衬底的部分,以在所述第一刚性衬底上形成图案化薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述柔性衬底内部形成磁性材料图案是通过以下步骤进行的:
在第二刚性衬底的一个表面上形成第一柔性薄膜;
在所述第一柔性薄膜远离所述第二刚性衬底的表面上形成所述磁性材料图案;
在所述第一柔性薄膜远离所述第二刚性衬底的表面上形成第二柔性薄膜,所述第二柔性薄膜覆盖所述磁性材料图案;
剥离所述第二刚性衬底。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,形成所述柔性衬底的材料选自聚二甲基硅氧烷和聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,形成所述磁性材料图案的材料选自铁、铁合金、含铁的化合物、镍、镍合金、钴、钴合金、含镍的化合物和含钴的化合物中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,形成所述待处理薄膜的材料为量子点。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述磁场为匀强磁场。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述磁性衬底施加磁场时,所述磁场的强度随着施加磁场的时间梯度增强或线性增强。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,撤去所述磁场时,所述磁场的强度随时间梯度减弱或线性减弱。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述待处理薄膜靠近所述第一刚性衬底的表面具有第一活性基团,所述第一刚性衬底靠近所述待处理薄膜的表面上具有第二活性基团,所述第一活性基团和所述第二活性基团之间具有吸引作用。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在去除所述磁性衬底之前,还包括:
对所述待处理薄膜中与所述磁性材料图案对应的部分和所述第一刚性衬底进行加压和/或加热的步骤。
11.一种制备显示器件的方法,其特征在于,包括利用权利要求1-10中任一项所述的方法制备图案化薄膜的步骤。
12.根据权利要求11所述的方法,形成所述图案化薄膜的材料为量子点,且所述图案化薄膜构成所述显示器件的发光层。
13.根据权利要求11所述的方法,形成所述图案化薄膜的材料为量子点,且所述图案化薄膜构成所述显示器件的彩色滤光片。
14.一种显示器件,其特征在于,是通过权利要求11-13中任一项所述的方法制备获得的。
CN201810532362.3A 2018-05-29 2018-05-29 将薄膜图案化的方法、显示器件及其制备方法 Active CN108735919B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810532362.3A CN108735919B (zh) 2018-05-29 2018-05-29 将薄膜图案化的方法、显示器件及其制备方法
US16/628,812 US11177326B2 (en) 2018-05-29 2019-04-30 Method of patterning film, display device with patterned film and method for preparing the same
PCT/CN2019/085234 WO2019228128A1 (zh) 2018-05-29 2019-04-30 将薄膜图案化的方法、显示器件及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810532362.3A CN108735919B (zh) 2018-05-29 2018-05-29 将薄膜图案化的方法、显示器件及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108735919A true CN108735919A (zh) 2018-11-02
CN108735919B CN108735919B (zh) 2020-01-03

Family

ID=63936669

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810532362.3A Active CN108735919B (zh) 2018-05-29 2018-05-29 将薄膜图案化的方法、显示器件及其制备方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11177326B2 (zh)
CN (1) CN108735919B (zh)
WO (1) WO2019228128A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019228128A1 (zh) * 2018-05-29 2019-12-05 京东方科技集团股份有限公司 将薄膜图案化的方法、显示器件及其制备方法
CN112670248A (zh) * 2020-12-24 2021-04-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制备方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107195666A (zh) * 2017-06-26 2017-09-22 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
CN111129099B (zh) * 2019-12-31 2022-10-18 武汉天马微电子有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110128579A (ko) * 2010-05-24 2011-11-30 주식회사 에스에프에이 Oled 제조용 박막 증착 장치
CN205194223U (zh) * 2014-10-24 2016-04-27 纳诺布雷克株式会社 彩色显示装置
CN105679799A (zh) * 2016-01-25 2016-06-15 京东方科技集团股份有限公司 一种大尺寸amoled显示基板及其制作方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100634502B1 (ko) * 2004-02-13 2006-10-13 삼성에스디아이 주식회사 양극과 음극사이에 바이패스 트랜지스터가 구비된유기발광소자 및 그 제조 방법
JP4375232B2 (ja) * 2005-01-06 2009-12-02 セイコーエプソン株式会社 マスク成膜方法
JP2009245555A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Fujifilm Corp 磁気転写用マスター担体の製造方法、磁気転写用マスター担体、磁気転写方法、及び磁気記録媒体
JP5542313B2 (ja) * 2008-06-18 2014-07-09 協立化学産業株式会社 パターン形成方法
KR20100068830A (ko) * 2008-12-15 2010-06-24 삼성전자주식회사 임프린트 몰드, 임프린트 장치 및 패턴 형성 방법
WO2013056186A1 (en) * 2011-10-12 2013-04-18 The Regents Of The University Of California Semiconductor processing by magnetic field guided etching
KR101817246B1 (ko) * 2016-04-22 2018-01-10 (주)포인트엔지니어링 유기발광다이오드용 마스크
CN105870327A (zh) 2016-06-17 2016-08-17 深圳市华星光电技术有限公司 柔性oled的制作方法及柔性oled
CN106206610B (zh) * 2016-08-18 2019-03-15 昆山国显光电有限公司 可分离的衬底结构及其制备方法、显示装置的制造方法
CN108022829A (zh) * 2017-11-30 2018-05-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种基板及其制备方法、系统以及显示面板
CN108735919B (zh) * 2018-05-29 2020-01-03 京东方科技集团股份有限公司 将薄膜图案化的方法、显示器件及其制备方法
KR102145016B1 (ko) * 2019-02-28 2020-08-18 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 디스플레이 패널에 조립하는 조립 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110128579A (ko) * 2010-05-24 2011-11-30 주식회사 에스에프에이 Oled 제조용 박막 증착 장치
CN205194223U (zh) * 2014-10-24 2016-04-27 纳诺布雷克株式会社 彩色显示装置
CN105679799A (zh) * 2016-01-25 2016-06-15 京东方科技集团股份有限公司 一种大尺寸amoled显示基板及其制作方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019228128A1 (zh) * 2018-05-29 2019-12-05 京东方科技集团股份有限公司 将薄膜图案化的方法、显示器件及其制备方法
US11177326B2 (en) 2018-05-29 2021-11-16 Boe Technology Group Co., Ltd. Method of patterning film, display device with patterned film and method for preparing the same
CN112670248A (zh) * 2020-12-24 2021-04-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20200203436A1 (en) 2020-06-25
WO2019228128A1 (zh) 2019-12-05
US11177326B2 (en) 2021-11-16
CN108735919B (zh) 2020-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108735919A (zh) 将薄膜图案化的方法、显示器件及其制备方法
Linghu et al. Transfer printing techniques for flexible and stretchable inorganic electronics
Carlson et al. Transfer printing techniques for materials assembly and micro/nanodevice fabrication
KR101137845B1 (ko) 소프트 몰드의 제조방법
CN101479031B (zh) 单粒子膜蚀刻掩模及其制造方法、使用该单粒子膜蚀刻掩模的微细结构体的制造方法及通过该制造方法得到的微细结构体
TWI278694B (en) Method for supporting a flexible substrate and method for manufacturing a flexible display
CN106663600A (zh) 分步重复用压印用模具及其制造方法
KR20190017691A (ko) 발광소자와 기판 및 그 정렬방법과 정렬장치
US11546987B2 (en) Scalable, printable, patterned sheet of high mobility graphene on flexible substrates
CN101627336A (zh) 使用具有表面改性材料的印模在基底上形成功能性材料的图案的方法
CN104228297B (zh) 制造保护性视窗的方法以及使用该保护性视窗制备的显示装置
JP4473233B2 (ja) ソフトモールド及びその製造方法並びにこれを利用したパターニング方法
CN107215111A (zh) 一种磁控转印印章及磁控转移印刷方法
US11397382B2 (en) Method for selective delamination and transfer of thin film using liquid platform
CN100542952C (zh) 碳纳米管结构及其成形方法
CN108112177A (zh) 一种柔性透明电路的制备方法
CN107643652A (zh) 纳米压印模板及其制作方法和应用
CN109343307A (zh) 基于纳米压印光刻的金属图案转移方法以及系统
CN102445805A (zh) 电子纸结构及电子纸制造方法
Maksud et al. A study on printed multiple solid line by combining microcontact and flexographic printing process for microelectronic and biomedical applications
CN103809372B (zh) 印模结构以及利用该印模结构的转移方法
Park et al. Universal selective transfer printing via micro-vacuum force
CN108467011A (zh) 一种在柔性衬底上制备金属纳米结构的方法
KR101847480B1 (ko) 기판의 방수 접합에 의해 얻어지는 세포 배양 용기, 이의 제조 방법 및 상기 세포 배양 용기의 사용 방법
KR100768705B1 (ko) 임프린팅용 고분자 스탬프의 제조방법 및 그에 의한 고분자스탬프

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant