CN108735473A - 变压器结构及其组设方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种变压器结构的组设方法,包括:将线圈组套绕在绕线架外;将第一铁芯的第一芯柱插入绕线架的贯通孔;将第一绝缘体、中间铁芯及第二绝缘体依序自绕线架的另一侧置入绕线架的贯通孔;以及将第二铁芯的第二芯柱自绕线架的另一侧插入绕线架的贯通孔,并使第二芯柱贴抵第二绝缘体。本发明另提供一种变压器结构,其绕线组内的铁芯所形成的磁力线范围可不致影响外部绕线组,以达到降低磁损并提升效率的功能,及降低磁场辐射及降低EMI干扰的效果。
Description
技术领域
本发明有关于一种变压器技术,尤指一种小体积的变压器结构及组设方法。
背景技术
一般变压器结构主要包括绕线架、主级绕线、次级绕线及磁芯组等,其中,主级绕线与次级绕线彼此分隔地缠绕于绕线架上;又,磁芯组组装于已缠绕主级、次级绕线的绕线架上且部分穿置于绕线架的通道中,借此以完成变压器的组装。
再者,现今电子产品大多要求轻薄短小,因此,变压器的外型体积随着产品的整体体积而缩减。然而,当变压压器的体积越来越小时,其磁芯组与绕线绕线组之间的距离也缩短,使得磁芯组所产生的磁力线范围会影响到外部绕线组而产生磁干扰,造成过大的磁损,使变压器转换效率下降。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明的一目的,在于提供一种变压器结构及其组设方法,其绕线组内直线串接的第一铁芯、中间铁芯及第二铁芯所形成的磁力线范围不致影响外部绕线组,可达到降低磁损,提升效率的功能。
本发明的一目的,在于提供一种变压器结构及其组设方法,其可降低磁场辐射,达到降低EMI干扰(Electromagnetic Interference,电磁干扰)的功效。
本发明提供一种变压器结构,包括:
一绕线组,包含一绕线架及套绕在该绕线架外的一线圈组,且该绕线架具有一贯通孔;
一第一铁芯,具有一第一芯柱,该第一铁芯穿置在该绕线架的一侧边,且该第一芯柱容置在该贯通孔中;
一第一绝缘体,设置在该贯通孔中并贴抵在该第一芯柱的一侧面;
一中间铁芯,设置在该贯通孔中并贴抵该第一绝缘体;
一第二绝缘体,设置在该贯通孔中,并相对于该第一绝缘体而贴抵在该中间铁芯的另一侧面;以及
一第二铁芯,具有一第二芯柱,该第二铁芯相对该第一铁芯而穿置在该绕线架的另一侧边,该第二芯柱容置在该贯通孔中并贴抵该第二绝缘体。
作为优选技术方案,上述的变压器结构,还包括多个导接脚,该绕线架包含一绕线筒及连接该绕线筒的多个底肋,该贯通孔位于该绕线筒中,该些底肋设置在该绕线筒的相对的二侧边,该些导接脚间隔设置在该些底肋上;该第一铁芯及该第二铁芯设置在该些底肋上。
作为优选技术方案,该第一绝缘体及该第二绝缘体分别为一绝缘片;该中间铁芯为一I型铁芯。
作为优选技术方案,该第一铁芯还包含一第一连接片及二第一芯片,该二第一芯片位于该第一连接片的相对二侧边,且该第一芯柱系位于该二第一芯片之间,该二第一芯片及该第一芯柱分别自该第一连接片朝同一方向延伸;该第二铁芯还包含一第二连接片及二第二芯片,该二第二芯片间隔位于该第二连接片的相对二侧边,且该第二芯柱位于该二第二芯片之间,该二第二芯片及该第二芯柱分别自该第二连接片朝同一方向延伸。
作为优选技术方案,该第一芯柱自该第一连接片的延伸长度短于该二第一芯片的延伸长度;该第二芯柱自该第二连接片的延伸长度短于该二第二芯片的延伸长度。
作为优选技术方案,该二第一芯片框合该线圈组的一侧,该二第二芯片相对于该二第一芯片而框合该线圈组的另一侧;该二第一芯片及该二第二芯片框围在该绕线架的周围外。
作为优选技术方案,该中间铁芯设置在该贯通孔的中间处,第一芯柱、该第一绝缘体、该中间铁芯、该第二绝缘体及该第二芯柱组合后的总长度等于该贯通孔的长度。
本发明还提供一种包含上述变压器结构的变压器组设方法,包括:
将线圈组套绕在绕线架外,绕线架具有相对的一第一侧及一第二侧;
将第一铁芯的第一芯柱自绕线架的第一侧插入绕线架的贯通孔;
将第一绝缘体、中间铁芯及第二绝缘体依序自绕线架的第二侧置入绕线架的贯通孔,并使第一绝缘体贴抵第一芯柱、中间铁芯夹置在第一绝缘体及第二绝缘体之间;以及
将第二铁芯的第二芯柱自绕线架的第二侧插入绕线架的贯通孔,并使第二芯柱贴抵第二绝缘体。
作为优选技术方案,上述的变压器组设方法,还包括将多个导接脚间隔设置在导线架上。
作为优选技术方案,上述的变压器组设方法,还包括将第一铁芯及第二铁芯固定在绕线架上。
相较于习知,本发明的变压器结构的绕线组内系直线串接第一铁芯、中间铁芯及第二铁芯,且第一铁芯及中间铁芯夹置有第一绝缘体;又,第二铁芯及中间铁芯夹置有第二绝缘体;借此,绕线组内直线串接的第一铁芯、中间铁芯及第二铁芯所形成的磁力范围会因第一绝缘体及第二绝缘体的设置而被分隔为多段(具有多个气隙),并形成较小的磁力范围,因此产生的磁力线不致影响外部绕线组所产生的磁场,故可达到降低磁损,提升效率的功能,增加本发明的实用性。
附图说明
图1是本发明的变压器结构的立体外观示意图。
图2是本发明的变压器结构的立体分解示意图。
图3为本发明的变压器结构的组合方法流程图。
图4是本发明的立体分解示意图。
图5是本发明的压器结构的铁芯磁力示意图。
【符号说明】
1…变压器结构;
10…绕线组;
11…绕线架;
11a…第一侧;
11b…第二侧;
110…贯通孔;
111…绕线筒;
112…底肋;
12…线圈组;
20…第一铁芯;
21…第一芯柱;
22…第一连接片;
23…第一芯片;
30…第一绝缘体;
40…中间铁芯;
50…第二绝缘体;
60…第二铁芯;
61…第二芯柱;
62…第二连接片;
63…第二芯片;
70…导接脚;
a~d: 步骤。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明,以使本领域的技术人员可以更好的理解本发明并能予以实施,但所举实施例不作为对本发明的限定。
请参照图1及图2,分别为本发明的变压器结构的立体外观示意图及立体分解示意图。本发明的变压器结构1包括一绕线组10、一第一铁芯20、一第一绝缘体30、一中间铁芯40、一第二绝缘体50、一第二铁芯60及多个导接脚70。该第一铁芯20及该第二铁芯60对应设置在该绕线组10的二侧边。该些导接脚70设置在该绕线组10的一底面。该第一绝缘体30、该中间铁芯40、该第二绝缘体50及该第二铁芯60则是穿置在该绕线组10中,据以构成该变压器结构1。
请参照图2所示,该绕线组10包含一绕线架11及套绕在该绕线架11外的一线圈组12。该绕线架11具有一贯通孔110,且该绕线架11具有相对的一第一侧11a及一第二侧11b。具体而言,该绕线架11包含一绕线筒111及连接该绕线筒111的多个底肋112。又,该贯通孔110位于该绕线筒111中,该些底肋112设置在该绕线筒111的相对的二侧边,且该些导接脚70间隔设置在该些底肋112上。
该第一铁芯20具有一第一芯柱21,该第一铁芯21穿置在该绕线架11的一侧边,且该第一芯柱21容置在该贯通孔110中。更详细地说,该第一铁芯21还包含一第一连接片22及二第一芯片23。该二第一芯片23位于该第一连接片22的相对二侧边,且该第一芯柱21位于该二第一芯片23之间。该二第一芯片23及该第一芯柱21分别自该第一连接片22朝同一方向延伸。较佳地,该第一芯柱21自该第一连接片22的延伸长度系短于该二第一芯片23的延伸长度,借此缩减该变压器1的整体体积。
该第一绝缘体30设置在该绕线架11的贯通孔110中,并贴抵在该第一芯柱21的一侧面。再者该中间铁芯40亦设置在该贯通孔110中,并贴抵该第一绝缘体30。此外,该第二绝缘体50亦设置在该绕线架11的通孔110中,并相对于该第一绝缘体30而贴置在该中间铁芯40的另一侧面。较佳地,该第一绝缘体30及该第二绝缘体50分别为一绝缘片体;又,该中间铁芯40为一I型铁芯。
又,该第二铁芯60具有一第二芯柱61。该第二铁芯60相对该第一铁芯20而穿置在该绕线架11的另一侧边,该第二芯柱61容置在该贯通孔110中并贴抵该第二绝缘体50。更详细地说,该第二铁芯60还包含一第二连接片62及二第二芯片63。该二第二芯片63间隔位于该第二连接片62的相对二侧边,且该第二芯柱61系位于该二第二芯片63之间。该二第二芯片63及该第二芯柱61系分别自该第二连接片62朝同一方向延伸。较佳地,该第二芯柱61自该第二连接片62的延伸长度系短于该二第二芯片63的延伸长度,借此缩减该变压器1的整体体积。
请参照图3,为本发明的变压器结构的组合方法流程图。本发明的变压器结构组设方式如下。首先提供绕线组10,其将线圈组12套绕在绕线架11外(步骤a),其中,该绕线架11具有相对的一第一侧11a及一第二侧11b。接着,将第一铁芯20的第一芯柱21自绕线架11的第一侧11a插入绕线架11的贯通孔110(步骤b)。
另外,再接着将第一绝缘体30、中间铁芯40及第二绝缘体50依序自绕线架11的第二侧11b置入绕线架11的贯通孔110,并使第一绝缘体30贴抵第一芯柱21,及中间铁芯40夹置在第一绝缘体30及第二绝缘体50之间(步骤c)。
此外,再将第二铁芯60的第二芯柱61自绕线架11的第二侧11b插入绕线架11的贯通孔110,并使第二芯柱61贴抵第二绝缘体50(步骤d)。后续,将多个导接脚60间隔设置在导线架11上。最后,将第一铁芯20及第二铁芯60固定在绕线架11上。据以完成本发明的变压器结构1的组设。
请参照图4,为本发明的变压器结构的组合剖视图。依前述组设方式完成本发明的变压器结构后,该第一铁芯20及该第二铁芯60设置在该绕线架11的底肋112上。此外,该二第一芯片23框合该线圈组12的一侧;又,该二第二芯片63相对于该二第一芯片23而框合该线圈组12的另一侧。较佳地,该二第一芯片23及该二第二芯片63框围在该绕线架11的周围外。
值得注意的是,该中间铁芯40设置在该绕线架11的贯通孔110的中间处,且该第一芯柱21、该第一绝缘体30、该中间铁芯40、该第二绝缘体50及该第二芯柱61组合后的总长度等于该贯通孔110的长度。
请另参照图5,为本发明的变压器结构的铁芯磁力示意图。如图所示,本发明的变压器结构1的铁芯组系穿置绕线组10,并包括第一铁芯20 (第一芯柱21)、中间铁芯40及第二铁芯60 (第二芯柱61。要说明的是,第一芯柱21、中间铁芯40及第二芯柱61系以直线串接的方式穿置在绕线组10中,且第一铁芯20及该中间铁芯40夹置有第一绝缘体30;又,第二铁芯20及该中间铁芯40夹置有第二绝缘体50。
据此,该绕线组10内的第一芯柱21、中间铁芯40及第二芯柱61之间的磁力线会因第一绝缘体30及第二绝缘体50的设置而被分隔为多段,并形成较小的磁力范围。借此,该绕线组10内第一芯柱21、中间铁芯40及第二芯柱415所形成的磁力线可不致影响外部绕线组10,故可避免发生相互磁干扰,达到降低磁损,提升效率的功能。
具体而言,本发明的变压器结构1在第一芯柱21、中间铁芯40及第二芯柱61之间存在双气隙;又,相较于传统变压器的单一气隙,本发明的气隙的长度为传统变压器的一半,故可降低磁力线(漏磁)向外辐射的面积,大幅减少磁力线对外部绕线组的磁损,进而达成提升效率的功能;此外,本发明的变压器结构还可降低磁场辐射,达到降低EMI干扰(Electromagnetic Interference,电磁干扰)的功效。
以上所述实施例仅是为充分说明本发明而所举的较佳的实施例,本发明的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本发明基础上所作的等同替代或变换,均在本发明的保护范围之内。本发明的保护范围以权利要求书为准。
Claims (10)
1.一种变压器结构,其特征在于,包括:
一绕线组,包含一绕线架及套绕在该绕线架外的一线圈组,且该绕线架具有一贯通孔;
一第一铁芯,具有一第一芯柱,该第一铁芯穿置在该绕线架的一侧边,且该第一芯柱容置在该贯通孔中;
一第一绝缘体,设置在该贯通孔中并贴抵在该第一芯柱的一侧面;
一中间铁芯,设置在该贯通孔中并贴抵该第一绝缘体;
一第二绝缘体,设置在该贯通孔中,并相对于该第一绝缘体而贴抵在该中间铁芯的另一侧面;以及
一第二铁芯,具有一第二芯柱,该第二铁芯相对该第一铁芯而穿置在该绕线架的另一侧边,该第二芯柱容置在该贯通孔中并贴抵该第二绝缘体。
2.如权利要求1所述的变压器结构,其特征在于,还包括多个导接脚,该绕线架包含一绕线筒及连接该绕线筒的多个底肋,该贯通孔位于该绕线筒中,该些底肋设置在该绕线筒的相对的二侧边,该些导接脚间隔设置在该些底肋上;该第一铁芯及该第二铁芯设置在该些底肋上。
3.如权利要求1所述的变压器结构,其特征在于,该第一绝缘体及该第二绝缘体分别为一绝缘片;该中间铁芯为一I型铁芯。
4.如权利要求1所述的变压器结构,其特征在于,该第一铁芯还包含一第一连接片及二第一芯片,该二第一芯片位于该第一连接片的相对二侧边,且该第一芯柱系位于该二第一芯片之间,该二第一芯片及该第一芯柱分别自该第一连接片朝同一方向延伸;该第二铁芯还包含一第二连接片及二第二芯片,该二第二芯片间隔位于该第二连接片的相对二侧边,且该第二芯柱位于该二第二芯片之间,该二第二芯片及该第二芯柱分别自该第二连接片朝同一方向延伸。
5.如权利要求4所述的变压器结构,其特征在于,该第一芯柱自该第一连接片的延伸长度短于该二第一芯片的延伸长度;该第二芯柱自该第二连接片的延伸长度短于该二第二芯片的延伸长度。
6.如权利要求4所述的变压器结构,其特征在于,该二第一芯片框合该线圈组的一侧,该二第二芯片相对于该二第一芯片而框合该线圈组的另一侧;该二第一芯片及该二第二芯片框围在该绕线架的周围外。
7.如权利要求1所述的变压器结构,其特征在于,该中间铁芯设置在该贯通孔的中间处,第一芯柱、该第一绝缘体、该中间铁芯、该第二绝缘体及该第二芯柱组合后的总长度等于该贯通孔的长度。
8.一种包含如权利要求1至7中任一项的变压器结构的变压器组设方法,包括:
将线圈组套绕在绕线架外,绕线架具有相对的一第一侧及一第二侧;
将第一铁芯的第一芯柱自绕线架的第一侧插入绕线架的贯通孔;
将第一绝缘体、中间铁芯及第二绝缘体依序自绕线架的第二侧置入绕线架的贯通孔,并使第一绝缘体贴抵第一芯柱、中间铁芯夹置在第一绝缘体及第二绝缘体之间;以及
将第二铁芯的第二芯柱自绕线架的第二侧插入绕线架的贯通孔,并使第二芯柱贴抵第二绝缘体。
9.如权利要求8所述的变压器组设方法,其特征在于,还包括将多个导接脚间隔设置在导线架上。
10.如权利要求8所述的变压器组设方法,其特征在于,还包括将第一铁芯及第二铁芯固定在绕线架上。
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Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20181102 |
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