CN108711555B - 一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置 - Google Patents

一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108711555B
CN108711555B CN201810493799.0A CN201810493799A CN108711555B CN 108711555 B CN108711555 B CN 108711555B CN 201810493799 A CN201810493799 A CN 201810493799A CN 108711555 B CN108711555 B CN 108711555B
Authority
CN
China
Prior art keywords
etching
gas
box
etching box
containing cylinder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810493799.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108711555A (zh
Inventor
徐亚琴
李保振
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SGS Ningbo Semiconductor Technology Co Ltd
Original Assignee
SGS Ningbo Semiconductor Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SGS Ningbo Semiconductor Technology Co Ltd filed Critical SGS Ningbo Semiconductor Technology Co Ltd
Priority to CN201810493799.0A priority Critical patent/CN108711555B/zh
Publication of CN108711555A publication Critical patent/CN108711555A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108711555B publication Critical patent/CN108711555B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明属于半导体加工和制造领域，具体的说是一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置，包括刻蚀箱、端盖、固定座、激励线圈、偏压提供装置、盛放单元和转动单元，刻蚀箱为无盖圆筒型，端盖放置在刻蚀箱的顶部，固定座安装在刻蚀箱的内壁上；激励线圈用于将刻蚀气体激发成等离子体；偏压提供装置和盛放单元设置在刻蚀箱的内部，偏压提供装置用于向硅晶片施加偏压，盛放单元用于盛放待刻蚀的硅晶片；转动单元用于带动刻蚀箱内部的盛放单元转动，当需要对硅晶片进行刻蚀时，将其放入盛放单元中，向刻蚀箱内部通入刻蚀气体，使硅晶片在激励线圈和偏压提供装置的作用下进行刻蚀，刻蚀过程中可去除刻蚀反应产物，防止覆盖硅晶片，提高刻蚀效率。

Description

一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置
技术领域
本发明属于半导体加工和制造领域，具体的说是一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置。
背景技术
硅是建筑材料水泥、砖、和玻璃中的主要成分，也是大多数半导体和微电子芯片的主要原料。硅自身的导电性并不是很好，然而，可以通过添加适当的搀杂剂来精确控制它的电阻率。制造半导体前，必须将硅转换为硅晶片。多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体单独形成的，不能用来做半导体电路。多晶硅必须融化成单晶体，才能加工成半导体应用中使用的硅晶片。
在半导体的制造过程中，硅晶片的刻蚀是一个十分重要的环节。传统刻蚀工艺为对所需刻蚀材料进行曝光显影后进行等离子刻蚀，日常生产中等离子刻蚀一般都是采用干法刻蚀机，干法刻蚀机中的硅片水平运行，机片高，且使用化学品刻蚀代替等离子刻蚀导致刻蚀成本增加，研究出一种等离子刻蚀装置降低刻蚀成本迫在眉睫。
现有技术中也出现了一些干法刻蚀装置，如申请号为201510718485.2的一项中国专利公开了一种晶圆的刻蚀装置及刻蚀方法，其中晶圆刻蚀装置包括刻蚀腔体、设置于刻蚀腔体内且可旋转的放置台、设置于刻蚀腔体外的温度控制器以及设置于放置台上方且正对放置台中心的输气结构，放置台用于承载晶圆，在晶圆的刻蚀过程中，放置台至少顺时针和逆时针各旋转一周，在输气结构的中心出气孔输出的刻蚀气体的作用下完成刻蚀，该装置结构简单，操作方便，但是等离子刻蚀过程中会形成气体产物，这些气体产物会覆盖在要硅晶片的表面，使底部的硅晶片不能与刻蚀气体充分接触，导致刻蚀效率低下。
鉴于此，本发明所述的一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置，通过设置盛放单元的防护罩可使刻蚀箱内部刻蚀过程中产生的气体产物通过盛放单元和转动单元排出，使硅晶片与刻蚀气体充分接触，提高硅晶片的刻蚀效率。
发明内容
为了弥补现有技术的不足，本发明提出了一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置，本发明主要用于刻蚀硅晶片。本发明通过设置盛放单元中的放置板放入待刻蚀的硅晶片，同时在使硅晶片在刻蚀箱外部的激励线圈和从气体注入口中注入的刻蚀气体的相互作用下实现刻蚀。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：本发明所述的一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置，包括刻蚀箱、端盖、固定座、激励线圈、偏压提供装置、盛放单元和转动单元，所述刻蚀箱为无盖圆筒型，刻蚀箱中心轴线竖直放置，刻蚀箱内部底层中心开设气体出口和一号圆环形凹槽，一号圆环形凹槽位于气体出口的外侧，气体出口用于刻蚀箱内部刻蚀的气体产物的流出；所述端盖放置在刻蚀箱的顶部，端盖为圆盘型，端盖的中心开设气体注入口，气体注入口用于向刻蚀箱内部通入刻蚀气体；所述固定座为圆环形，固定座水平安装在刻蚀箱的内壁上；所述激励线圈安装在刻蚀箱的外壁上，激励线圈用于将刻蚀箱内部的刻蚀气体激发成等离子体；所述偏压提供装置设置在刻蚀箱的内部，偏压提供装置用于向刻蚀箱内部的硅晶片施加偏压；所述盛放单元设置在刻蚀箱内部中心，盛放单元用于盛放待刻蚀的硅晶片；所述转动单元设置在刻蚀箱的外部底层，转动单元用于带动刻蚀箱内部的盛放单元转动，以加快刻蚀的进程和提高刻蚀的效果。当需要对硅晶片进行刻蚀时，先将端盖从刻蚀箱顶部取走，将待刻蚀的硅晶片放入盛放单元中，盖上端盖，通过端盖的中心的气体注入口向刻蚀箱内部通入刻蚀气体，打开控制开关使激励线圈和偏压提供装置工作，刻蚀箱内部的刻蚀工作开始进行。
所述盛放单元包括盛放筒、气缸、放置板、防护罩、喷气头、弹簧和一号空心轴，所述盛放筒为圆筒型，盛放筒竖直设置在刻蚀箱内部中心，盛放筒外壁与固定座之间为转动连接，盛放筒侧壁内部设置空腔，盛放筒顶部开设一号气体入口，盛放筒内部侧壁开设二号气体入口，盛放筒底部中心开设气体流出口，一号气体入口、二号气体入口和气体流出口用于刻蚀气体产物的流入和流出盛放筒的空腔；所述气缸安装在盛放筒内部底层，气缸的活塞顶部水平安装放置板，放置板为圆盘形，活塞与放置板的外边缘与盛放筒内壁紧密接触，活塞与放置板可在盛放筒内进行转动，放置板的底部连接偏压提供装置；所述防护罩可拆卸安装在盛放筒顶部，防护罩为中心设有开口的半球形状，防护罩的端部设置喷气头，防护罩用于使刻蚀的气体产物从盛放筒顶部的一号气体入口进入盛放筒侧壁内壁的空腔中，喷气头用于向放置板吹入惰性气体；所述弹簧套在气缸外面，弹簧的一端与活塞底部连接，弹簧的另一端与盛放筒内部底层连接；所述一号空心轴竖直设置在刻蚀箱内部底层中心，一号空心轴为圆筒型，一号空心轴的侧壁底部与刻蚀箱内部底层的一号圆环形凹槽紧密贴合，一号空心轴的顶端与盛放筒底部的气体流出口连接。工作时，从气体注入口注入的刻蚀气体向下冲压放置板，刻蚀气体到达硅晶片表面，激励线圈在刻蚀气体的作用下对硅晶片表面进行刻蚀，刻蚀过程中会形成气体产物残留在硅晶片表面，开启控制开关使喷气头向放置板吹惰性气体，同时，气缸的弹簧在放置板的作用下向下运动，惰性气体将气体产物通过盛放筒顶部的一号气体入口和内部侧壁的二号气体入口吹进盛放筒的内部空腔中，防止刻蚀气体产物残留在硅晶片上，提高硅晶片的刻蚀效率。
所述转动单元包括空心电机、二号空心轴和抽吸泵，所述空心电机安装在刻蚀箱底部，空心电机的输出轴通过一号空心轴与盛放筒底部的气体流出口连接；所述二号空心轴设置在刻蚀箱外部底层，二号空心轴与空心电机连接；所述抽吸泵安装在二号空心轴上，抽吸泵用于将刻蚀箱内部的气体产物抽出刻蚀箱。工作时，开始空心电机和抽吸泵，空心电机通过带动一号空心轴从而带动盛放筒旋转，同时抽吸泵将盛放筒侧壁内部的空腔里的气体产物抽出，气体产物从二号空心轴排出。
所述盛放筒的顶部倾斜设置。倾斜设置有利于气体产物通过盛放筒顶部的一号气体入口进入盛放筒的内部空腔中，提高气体产物的排出效率，减少刻蚀产物对硅晶片的覆盖，提高硅晶片的刻蚀效率。
所述防护罩内表面均匀安装红外线石英辐射灯。红外线石英辐射灯可提高刻蚀箱内部刻蚀环境的温度，提高硅晶片的刻蚀速度和效率。
本发明的有益效果是：
1.本发明所述的一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置，本发明通过设置刻蚀箱内部的盛放单元放置待刻蚀硅晶片，以及通过设置转动单元带动待刻蚀硅晶片转动，通过气体注入口向盛放筒内通入刻蚀气体，使待刻蚀硅晶片在激励线圈和偏压提供装置的相互配合作用下实现刻蚀，同时通过盛放单元和转动单元的配合作用使刻蚀反应产物及时从刻蚀箱排出，使更多的硅晶片与刻蚀气体接触完成刻蚀，提高装置的工作效率。
2.本发明所述的一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置，本发明通过将盛放筒顶部设置成倾斜的，可使更多的刻蚀产物气体更容易进入盛放筒内部的空腔中，提高刻蚀产物的去除和收集效率。
3.本发明所述的一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置，本发明通过设置防护罩内表面的红外线石英辐射灯，可通过提高刻蚀箱内部刻蚀环境的温度，以提高硅晶片的刻蚀速度和效率。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步说明。
图1是本发明的结构示意图；
图中：刻蚀箱1、气体出口11、端盖2、气体注入口21、固定座3、激励线圈4、偏压提供装置5、盛放单元6、盛放筒61、一号气体入口611、二号气体入口612、气体流出口613、气缸62、活塞621、放置板63、防护罩64、喷气头641、弹簧65、一号空心轴66、转动单元7、空心电机71、二号空心轴72、抽吸泵73。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。
如图1所示，本发明所述的一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置，包括刻蚀箱1、端盖2、固定座3、激励线圈4、偏压提供装置5、盛放单元6和转动单元7，所述刻蚀箱1为无盖圆筒型，刻蚀箱1中心轴线竖直放置，刻蚀箱1内部底层中心开设气体出口11和一号圆环形凹槽，一号圆环形凹槽位于气体出口11的外侧，气体出口11用于刻蚀箱1内部刻蚀的气体产物的流出；所述端盖2放置在刻蚀箱1的顶部，端盖2为圆盘型，端盖2的中心开设气体注入口21，气体注入口21用于向刻蚀箱1内部通入刻蚀气体；所述固定座3为圆环形，固定座3水平安装在刻蚀箱1的内壁上；所述激励线圈4安装在刻蚀箱1的外壁上，激励线圈4用于将刻蚀箱1内部的刻蚀气体激发成等离子体；所述偏压提供装置5设置在刻蚀箱1的内部，偏压提供装置5用于向刻蚀箱1内部的硅晶片施加偏压；所述盛放单元6设置在刻蚀箱1内部中心，盛放单元6用于盛放待刻蚀的硅晶片；所述转动单元7设置在刻蚀箱1的外部底层，转动单元7用于带动刻蚀箱1内部的盛放单元6转动，以加快刻蚀的进程和提高刻蚀的效果。当需要对硅晶片进行刻蚀时，先将端盖2从刻蚀箱1顶部取走，将待刻蚀的硅晶片放入盛放单元6中，盖上端盖2，通过端盖2的中心的气体注入口21向刻蚀箱1内部通入刻蚀气体，打开控制开关使激励线圈4和偏压提供装置5工作，刻蚀箱1内部的刻蚀工作开始进行。
所述盛放单元6包括盛放筒61、气缸62、放置板63、防护罩64、喷气头641、弹簧65和一号空心轴66，所述盛放筒61为圆筒型，盛放筒61竖直设置在刻蚀箱1内部中心，盛放筒61外壁与固定座3之间为转动连接，盛放筒61侧壁内部设置空腔，盛放筒61顶部开设一号气体入口611，盛放筒61内部侧壁开设二号气体入口612，盛放筒61底部中心开设气体流出口613，一号气体入口611、二号气体入口612和气体流出口613用于刻蚀气体产物的流入和流出盛放筒61的空腔；所述气缸62安装在盛放筒61内部底层，气缸62的活塞621顶部水平安装放置板63，放置板63为圆盘形，活塞621与放置板63的外边缘与盛放筒61内壁紧密接触，活塞621与放置板63可在盛放筒61进行转动，放置板63的底部连接偏压提供装置5；所述防护罩64可拆卸安装在盛放筒61顶部，防护罩64为中心设有开口的半球形状，防护罩64的端部设置喷气头641，防护罩64用于使刻蚀的气体产物从盛放筒61顶部的一号气体入口611进入盛放筒61侧壁内壁的空腔中，喷气头641用于向放置板63吹入惰性气体；所述弹簧65套在气缸62外面，弹簧65的一端与活塞621底部连接，弹簧65的另一端与盛放筒61内部底层连接；所述一号空心轴66竖直设置在刻蚀箱1内部底层中心，一号空心轴66为圆筒型，一号空心轴66的侧壁底部与刻蚀箱1内部底层的一号圆环形凹槽紧密贴合，一号空心轴66的顶端与盛放筒61底部的气体流出口613连接。工作时，从气体注入口21注入的刻蚀气体向下冲压放置板63，刻蚀气体到达硅晶片表面，激励线圈4在刻蚀气体的作用下对硅晶片表面进行刻蚀，刻蚀过程中会形成气体产物残留在硅晶片表面，开启控制开关使喷气头641向放置板63吹惰性气体，同时，气缸62的弹簧65在放置板63的作用下向下运动，惰性气体将气体产物通过盛放筒61顶部的一号气体入口611和内部侧壁的二号气体入口612吹进盛放筒61的内部空腔中，防止刻蚀气体产物残留在硅晶片上，提高硅晶片的刻蚀效率。
所述转动单元7包括空心电机71、二号空心轴72和抽吸泵73，所述空心电机71安装在刻蚀箱1底部，空心电机71的输出轴通过一号空心轴66与盛放筒61底部的气体流出口613连接；所述二号空心轴72设置在刻蚀箱1外部底层，二号空心轴72与空心电机71连接；所述抽吸泵73安装在二号空心轴72上，抽吸泵73用于将刻蚀箱1内部的气体产物抽出刻蚀箱1。工作时，开始空心电机71和抽吸泵73，空心电机71通过带动一号空心轴66从而带动盛放筒61旋转，同时抽吸泵73将盛放筒61侧壁内部的空腔里的气体产物抽出，气体产物从二号空心轴72排出。
所述盛放筒61的顶部倾斜设置。倾斜设置有利于气体产物通过盛放筒61顶部的一号气体入口611进入盛放筒61的内部空腔中，提高气体产物的排出效率，减少刻蚀产物对硅晶片的覆盖，提高硅晶片的刻蚀效率。
所述防护罩64内表面均匀安装红外线石英辐射灯。红外线石英辐射灯可提高刻蚀箱1内部刻蚀环境的温度，提高硅晶片的刻蚀速度和效率。
工作时，先将端盖2从刻蚀箱1顶部取走，再将防护罩64从盛放筒61顶部取走，将待刻蚀的硅晶片放入放置板63上，再安装好防护罩64后盖紧端盖2，通过端盖2上的气体注入口21向刻蚀箱1内部通入刻蚀气体，打开控制开关使激励线圈4和偏压提供装置5工作，以及打开红外线石英辐射灯。
从气体注入口21注入的刻蚀气体向下冲压放置板63，弹簧65被压缩，刻蚀气体到达硅晶片表面，刻蚀气体在激励线圈4电场的作用下辉光发电而生成带电离子、分子、电子以及化学活性很强的原子团，这些原子团扩散到硅晶片的表面，硅晶片表面的原子发生化学反应，形成挥发性的反应产物后完成刻蚀，关闭气缸62，开启控制开关使喷气头641向放置板63吹惰性气体，弹簧65被压缩，放置板63向下运动的同时发生抖动，惰性气体将气体产物通过盛放筒61顶部的一号气体入口611和内部侧壁的二号气体入口612吹进盛放筒61的内部空腔中。
开始空心电机71和抽吸泵73，空心电机71通过带动一号空心轴66从而带动盛放筒61旋转，同时抽吸泵73将盛放筒61侧壁内部的空腔里的气体产物抽出，气体产物经过盛放筒61底部的气体流出口613后，再经过一号空心轴66和气体出口11以及空心电机71从二号空心轴72排出，减少其在硅晶片表面的覆盖，使硅晶片与刻蚀气体被充分接触，提高硅晶片的刻蚀速度和效率。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (1)

1.一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置，其特征在于：包括刻蚀箱(1)、端盖(2)、固定座(3)、激励线圈(4)、偏压提供装置(5)、盛放单元(6)和转动单元(7)，所述刻蚀箱(1)为无盖圆筒型，刻蚀箱(1)中心轴线竖直放置，刻蚀箱(1)内部底层中心开设气体出口(11)和一号圆环形凹槽，一号圆环形凹槽位于气体出口(11)的外侧，气体出口(11)用于刻蚀箱(1)内部的反应产物氯化铝、四氟化硅等气体的流出；所述端盖(2)放置在刻蚀箱(1)的顶部，端盖(2)为圆盘型，端盖(2)的中心开设气体注入口(21)，气体注入口(21)用于向刻蚀箱(1)内部通入刻蚀气体；所述固定座(3)为圆环形，固定座(3)水平安装在刻蚀箱(1)的内壁上；所述激励线圈(4)安装在刻蚀箱(1)的外壁上，激励线圈(4)用于将刻蚀箱(1)内部的刻蚀气体激发成等离子体；所述偏压提供装置(5)设置在刻蚀箱(1)的内部，偏压提供装置(5)用于向刻蚀箱(1)内部的硅晶片施加偏压；所述盛放单元(6)设置在刻蚀箱(1)内部中心，盛放单元(6)用于盛放待刻蚀的硅晶片；所述转动单元(7)设置在刻蚀箱(1)的外部底层，转动单元(7)用于带动刻蚀箱(1)内部的盛放单元(6)转动，以加快刻蚀的进程和提高刻蚀的效果；
所述盛放单元(6)包括盛放筒(61)、气缸(62)、放置板(63)、防护罩(64)、喷气头(641)、弹簧(65)和一号空心轴(66)，所述盛放筒(61)为圆筒型，盛放筒(61)竖直设置在刻蚀箱(1)内部中心，盛放筒(61)外壁与固定座(3)之间为转动连接，盛放筒(61)侧壁内部设置空腔，盛放筒(61)顶部开设一号气体入口(611)，盛放筒(61)内部侧壁开设二号气体入口(612)，盛放筒(61)底部中心开设气体流出口(613)，所述气缸(62)安装在盛放筒(61)内部底层，气缸(62)的活塞(621)顶部水平安装放置板(63)，放置板(63)为圆盘形，活塞(621)与放置板(63)的外边缘与盛放筒(61)内壁紧密接触，活塞(621)与放置板(63)可在盛放筒(61)进行转动，放置板(63)的底部连接偏压提供装置(5)；所述防护罩(64)可拆卸安装在盛放筒(61)顶部，防护罩(64)为中心设有开口的半球形状，防护罩(64)的端部设置喷气头(641)，防护罩(64)用于使刻蚀的气体产物从盛放筒(61)顶部的一号气体入口(611)进入盛放筒(61)侧壁内壁的空腔中，喷气头(641)用于向放置板(63)吹入惰性气体；所述弹簧(65)套在气缸(62)外面，弹簧(65)的一端与活塞(621)底部连接，弹簧(65)的另一端与盛放筒(61)内部底层连接；所述一号空心轴(66)竖直设置在刻蚀箱(1)内部底层中心，一号空心轴(66)为圆筒型，一号空心轴(66)的侧壁底部与刻蚀箱(1)内部底层的一号圆环形凹槽紧密贴合，一号空心轴(66)的顶端与盛放筒(61)底部的气体流出口(613)连接；
所述转动单元(7)包括空心电机(71)、二号空心轴(72)和抽吸泵(73)，所述空心电机(71)安装在刻蚀箱(1)底部，空心电机(71)的输出轴通过一号空心轴(66)与盛放筒(61)底部的气体出口(11)连接；所述二号空心轴(72)设置在刻蚀箱(1)外部底层，二号空心轴(72)与空心电机(71)连接；所述抽吸泵(73)安装在二号空心轴(72)上，抽吸泵(73)用于将刻蚀箱(1)内部的刻蚀的气体产物抽出刻蚀箱(1)；
所述盛放筒(61)的顶部倾斜设置；
所述防护罩(64)内表面均匀安装红外线石英辐射灯。
CN201810493799.0A 2018-05-22 2018-05-22 一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置 Active CN108711555B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810493799.0A CN108711555B (zh) 2018-05-22 2018-05-22 一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810493799.0A CN108711555B (zh) 2018-05-22 2018-05-22 一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108711555A CN108711555A (zh) 2018-10-26
CN108711555B true CN108711555B (zh) 2020-11-13

Family

ID=63869379

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810493799.0A Active CN108711555B (zh) 2018-05-22 2018-05-22 一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108711555B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112885698B (zh) * 2021-01-15 2022-12-27 苏州赛莱德自动化科技有限公司 一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6514875B1 (en) * 1997-04-28 2003-02-04 The Regents Of The University Of California Chemical method for producing smooth surfaces on silicon wafers
WO2002095800A3 (en) * 2001-05-22 2003-02-13 Reflectivity Inc A method for making a micromechanical device by removing a sacrificial layer with multiple sequential etchants
CN102427022A (zh) * 2011-11-10 2012-04-25 孙统利 一种减少污染与微尘的处理方法
CN106653645A (zh) * 2015-10-29 2017-05-10 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 晶圆的刻蚀装置及刻蚀方法
CN107799413A (zh) * 2016-08-30 2018-03-13 上海新昇半导体科技有限公司 刻蚀方法、刻蚀装置及半导体晶圆分割方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6514875B1 (en) * 1997-04-28 2003-02-04 The Regents Of The University Of California Chemical method for producing smooth surfaces on silicon wafers
WO2002095800A3 (en) * 2001-05-22 2003-02-13 Reflectivity Inc A method for making a micromechanical device by removing a sacrificial layer with multiple sequential etchants
CN102427022A (zh) * 2011-11-10 2012-04-25 孙统利 一种减少污染与微尘的处理方法
CN106653645A (zh) * 2015-10-29 2017-05-10 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 晶圆的刻蚀装置及刻蚀方法
CN107799413A (zh) * 2016-08-30 2018-03-13 上海新昇半导体科技有限公司 刻蚀方法、刻蚀装置及半导体晶圆分割方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN108711555A (zh) 2018-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6080291B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
CN100547725C (zh) 处理基材的设备和方法
KR102090838B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US20050205115A1 (en) Resist stripping method and resist stripping apparatus
CN104425325A (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
CN108711555B (zh) 一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置
JP2008235342A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US20240207905A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US10665479B2 (en) Substrate treatment device and substrate treatment method
CN108648995B (zh) 一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀方法
US10431446B2 (en) Wet processing apparatus
JP2020155603A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
CN1868600A (zh) 半导体处理的流体注射设备
JPH11330041A (ja) エッチング液による基板処理装置
JP5999625B2 (ja) 基板処理方法
CN207338305U (zh) 一种玻璃钝化晶片玻璃胶涂覆装置
CN108550541B (zh) 一种硅晶圆刻蚀工艺
CN114420626A (zh) 一种能改善水膜覆盖的晶圆清洗装置及其工作方法
JP5852927B2 (ja) 基板処理方法
JP2009238938A (ja) 基板処理装置
JP2019125659A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2017027966A (ja) 薬液温度調整機構及び小型製造装置
CN112885698B (zh) 一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置
CN108649005B (zh) 一种半导体晶圆批量刻蚀装置
TWI793539B (zh) 用於半導體製程的晶圓清潔設備

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20201027

Address after: 315135 Shiqiao village, Yunlong Town, Ningbo, Zhejiang, Yinzhou District

Applicant after: Shengjisheng (Ningbo) semiconductor technology Co.,Ltd.

Address before: 100176 Beijing Daxing Economic and Technological Development Zone Liangshuihe Second Street No. 8 Hospital No. 17 Beijing Dazu Tiancheng Semiconductor Technology Co., Ltd.

Applicant before: Xu Yaqin

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant