CN108698191B - 晶圆的制造方法 - Google Patents

Abstract

在通过利用线锯切断单结晶棒来制造晶圆的晶圆制造方法中，在线锯的线上的用于切断第1单晶锭的区域中，只使用磨损量以最大值维持稳定且直径以最小值维持恒定的线径稳定区域(R2)，来切断第2单晶锭。

Description

晶圆的制造方法

技术区域

本发明关于一种晶圆的制造方法。

背景技术

过去，已知有一种在切断单晶锭的直体部来制造晶圆时，通过再利用线来减少使用量的方法(例如，参考专利文献1)。

专利文献1中公开有如下方法：再次使用切断单晶锭的线来切断下一个单晶锭时，将线的张力设为上一次切断时的87％～95％，并且将线的供给量(用于切断1根单晶锭的线长)相对于上一次切断时的供给量设为125％以上。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-100853号公报

当切断1根单晶锭时线会磨损，但已知这个磨损区域具有：直径以最小值维持恒定的线径稳定区域；比这个线径稳定区域更早进行切断，随着接近线径稳定区域而直径减小的线径减小区域；比线径稳定区域更晚进行切断，随着远离线径稳定区域而直径增加的线径增加区域(例如参考日本特开2012-106322号公报)。

使用后的线像这样直径不会维持恒定，因此如专利文献1中所记载的方法，若将第2次切断中所使用的线的长度设为比第1次长，则单晶锭被直径不同的区域切断，从而可能导致晶圆面内的厚度不均。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够抑制线的使用量及晶圆面内的厚度不均的晶圆的制造方法。

用于解决技术问题的方案

本发明的晶圆的制造方法，通过利用线锯切断单结晶棒来制造晶圆，所述晶圆的制造方法的特征在于，在所述线锯的线上的用于切断第1单晶锭的区域中，只使用磨损量以最大值维持稳定且直径以最小值维持恒定的线径稳定区域，来切断第2单晶锭。

根据本发明，用于切断第1单晶锭的线中，只使用直径以最小值维持恒定的线径稳定区域来切断第2单晶锭，因此能够抑制从第2单晶锭所获得的晶圆面内的厚度不均。并且，用于切断第1单晶锭的线还用于切断第2单晶锭，所以能够抑制线的使用量。

在本发明的晶圆的制造方法中，优选在所述线径稳定区域的张力比切断所述第1单晶锭时的张力小的条件下，切断所述第2单晶锭。

在此，线径稳定区域是因为磨损而变得比较细的区域，所以断裂载荷变得比磨损之前小。因此，若以切断第1单晶锭时的张力以上的张力来切断第2单晶锭，则线有可能被断掉。

根据本发明，以比切断第1单晶锭时的张力更小的张力来切断第2单晶锭，因此能够抑制断线。

在本发明的晶圆的制造方法中，优选根据切断所述第1单晶锭之前的所述线的断裂载荷及直径、以及所述线径稳定区域的直径，设定所述线径稳定区域的张力。

在此，若张力过小，则存在以下可能性：切断单晶锭时线在单晶锭的轴向或切断方向上振动，从而导致晶圆面内的厚度不均变大。

根据本发明，根据切断第1单晶锭之前的线的断裂载荷及直径、以及线径稳定区域的直径，求出线径稳定区域的断裂载荷，能够将切断第2单晶锭时的张力增大到不超过该求出的断裂载荷、并且线不振动的程度为止。因此，与线的磨损状态无关地能够抑制线断线及晶圆面内的厚度不均变大。

在本发明的晶圆的制造方法中，优选在所述线径稳定区域的每单位长度的工作量成为切断所述第1单晶锭时的每单位长度的工作量以下的条件下，切断所述第2单晶锭。

在此，线的每单位长度的工作量(以下有时将“每单位长度的工作量”简单称为“工作量”)与线的每单位长度的磨损量几乎成比例。因此，第2单晶锭的切断时的线径稳定区域的工作量越大，该线径稳定区域变得越细，从而有可能导致线断线。

根据本发明，以切断第1单晶锭时的工作量以下的工作量，切断第2单晶锭，因此能够抑制切断过程中线径稳定区域变得过细而导致线断线。

在本发明的晶圆的制造方法中，优选根据所述线的用于切断所述第1单晶锭的区域的总工作量及该区域的长度、以及所述线径稳定区域的长度，设定所述线径稳定区域的总工作量。

在此，线的用于切断单晶锭的区域的总工作量与从单晶锭获得的晶圆的面积及片数几乎成比例。因此，若为了防止断线而过于缩小线径稳定区域的总工作量的设定值，则需要准备直径小的第2单晶锭(缩小晶圆的面积)、或需要减小从第2单晶锭所获得的晶圆的片数，而制造效率降低。

根据本发明，根据用于切断第1单晶锭的区域的总工作量及该区域的长度、以及线径稳定区域的长度，求出线径稳定区域的总工作量的最大容许值，在不超过该最大容许值的范围内，能够增大从第2单晶锭获得的晶圆的片数、或增大面积，从而能够提高制造效率。

在本发明的晶圆的制造方法中，优选切断直径比所述第1单晶锭小的所述第2单晶锭。

根据本发明，能够以仅选择适当的直径的第2单晶锭这种简单的方法来设定线径稳定区域的总工作量。并且，能够从第1单晶锭及第2单晶锭获得直径不同且厚度不均受到抑制的晶圆。

在本发明的晶圆的制造方法中，优选切断长度比所述第1单晶锭短的所述第2单晶锭。

根据本发明，能够以仅选择适当的长度的第2单晶锭这种简单的方法来设定线径稳定区域的总工作量。并且，能够从第1单晶锭及第2单晶锭获得直径相同且厚度不均受到抑制的晶圆。

在本发明的晶圆的制造方法中，优选实施以下工序：以相同的切断条件依次切断相同直径的多个所述第1单晶锭的工序；以及仅使用所述线径稳定区域，依次切断多个所述第2单晶锭的工序。

发明效果

根据本发明，能够容易地掌握切断多个第1单晶锭后的线径减小区域、线径稳定区域及线径增加区域的位置，并能够容易地确定用于切断多个第2单晶锭的线径稳定区域，而能够提高制造效率。

附图说明

图1是表示本发明的一实施方式所涉及的线锯的示意图。

图2是使用了所述线锯的晶圆的制造方法的说明图，图2(A)表示第1晶圆制造工序，图2(B)表示第1晶圆制造工序后的线的形状，图2(C)表示第2晶圆制造工序。

图3是使用所述线锯的晶圆的制造方法的说明图，图3(A)表示晶棒与线的位置关系，图3(B)表示线的长度与磨损量的关系，图3(C)表示线的长度与线的直径的关系。

图4是本发明的应用例1中晶圆的制造方法的说明图，图4(A)表示第1晶圆制造工序，图4(B)表示第1晶圆制造工序后的线的形状，图4(C)表示第2晶圆制造工序，图4(D)表示其他的第2晶圆制造工序。

图5是本发明的应用例2中晶圆的制造方法的说明图，图5(A)表示第1晶圆制造工序后的线的形状，图5(B)表示第2晶圆制造工序，图5(C)表示其他的第2晶圆制造工序。

具体实施方式

参考附图对本发明的一实施方式进行说明。

[线锯的结构]

首先，对线锯的结构进行说明。

如图1所示，线锯1总共具有3个主轮2(在同一水平面上具有2个主轮2，在这2个主轮2中间的下方配置有1个主轮2)。这3个主轮2的周围沿着轴向螺旋状地缠绕着线7。线7一般是由被称为钢琴线的高张力镀钢线构成。线7的两端侧各分别通过多个(图1中图示为各1个)导向辊31及张紧辊32，固定于送出或卷回线7的2个绕线筒41。并且，张紧辊32与绕线筒41之间分别设置有移动台42。移动台42具有调整线7相对于绕线筒41的送出位置、卷绕位置的功能。并且，在上侧的2个主轮2(以下称为上侧主轮21)的上方，分别设置有将浆料G供给到2个上侧主轮21的中间位置的喷嘴5。并且，在喷嘴5的上方设置有保持并升降硅、SiC、GaAs、蓝宝石等的单晶锭(以下简单称为“晶棒”)M的传送机构6。

[晶圆的制造方法]

接着，说明使用线锯1切断晶棒M来制造晶圆的方法。

如图2(A)～图2(C)所示，晶圆的制造方法包括：将相同直径的多个第1晶棒以相同的切断条件依次切断的第1晶圆制造工序；使用用于第1晶圆制造工序中的线7来依次切断多个第2晶棒的第2晶圆制造工序。

另外，图2(A)、图2(C)中，横轴的“线的位置”表示将线7的传送方向的末端侧的指定位置设为0km时的位置。并且，图2(A)～图2(C)中，对分别各切断3根的第1及第2晶棒的情况进行说明。

[第1晶圆制造工序]

在第1晶圆制造工序中，首先以满足以下式(1)的方式设定线7的张力。另外，越增加安全系数Sc1，张力T1越变小，而线7变得越难断线。

T1＝F/Sc1……(1)

T1：第1晶圆制造工序中的线的张力(N)

F：新品线(切断第1晶棒之前的线)的断裂载荷(N)

Sc1：安全系数(其中，Sc1≥1)

然后，如图2(A)所示，线锯1在第1晶圆制造工序中，为了使因为该线锯1的运转热而造成的各部件的热变形等稳定下来，在晶棒M不与线7接触的状态下一边供给(循环)浆料G，一边使线7行进(暖机工序S1)。例如，线锯1通过使主轮2旋转，来使线7沿图1所示的单向E1行进，并且调整张紧辊32的上下方向的位置以便使线7的张力成为T1，然后将浆料G供给到2个上侧主轮21之间。

此时，因为不磨损线7，如图2(B)所示，暖机工序S1后的线7的直径成为与新品相同的DW1。

如图2(A)所示，在暖机工序S1之后，线锯1一边维持线7的行进速度、行进方向、张力、浆料G的供给状态，一边使第1晶棒M1下降，抵压住行进中的线7，由此切断第1晶棒M1，而制造多个晶圆(切断工序S2)。

如图3(A)所示，在这个切断工序中，线7与第1晶棒M1的接触部分，存在接触长度逐渐增加的接触长度增加区域P1、以最大值大致维持恒定的接触长度稳定区域P2、以及逐渐减小的接触长度减小区域P3。

接触长度变得越大，作用到线7上的反作用力增大，对线7的负荷变大，线7的磨损量变大。因此，如图3(B)所示，从切断开始到切断结束，线7的磨损量在接触长度增加区域P1逐渐增加，在接触长度稳定区域P2以最大值Ymax大致成为恒定值，在接触长度减小区域P3则逐渐减少。

其结果，如图3(C)所示，在以单点划线所示的直径为DW1、长度为X1的线7来切断第1晶棒M1时，线7上形成如实线所示，直径逐渐减小的线径减小区域R1、直径以最小值DW2(DW1-Ymax)大致成为恒定且长度为X2的线径稳定区域R2、直径逐渐增加的线径增加区域R3。

在第1晶棒M1的切断结束时，线锯1使线7往另一方向E2行进，同时还使传送机构6上升来拉出线7。此时，比新品细的线径增加区域R3通过晶圆之间，所以不会有线7磨损或晶圆被切削的情况。

在切断工序S2之后，线锯1如图2(A)所示，为了在下一次的切断工序之前的准备或线锯1的保守检查等，在使第1晶棒M1不与线7接触的状态下将线7沿单向E1传送(传送工序S3)。此时，线7不磨损，所以如图2(B)所示，传送工序S3后的线7的直径变成与新品相同的DW1。

然后，线锯1根据要切断的剩余的第1晶棒M1的根数(在本实施方式中是2根)，重复切断工序S2与传送工序S3，并结束第1晶圆制造工序。根据如上所述，处理从图2(A)的左侧的工序往右侧的工序进行，线7如图2(B)所示，位置L1～L2、L5～L6、L9～L10成为线径减小区域R1，位置L2～L3、L6～L7、L10～L11成为线径稳定区域R2，位置L3～L4、L7～L8、L11～L12成为线径增加区域R3。并且，位置L0～L1、L4～L5、L8～L9、L12～L13成为线7的直径与新品相同的未磨损区域R0。

在使用1根线7，切断长度不同且直径相同的多个第1晶棒M1的情况下，优选以适合这些之中最长的晶棒的切断条件来依次切断全部的第1晶棒M1。这样的话，在切断较短的其他的第1晶棒时的线的负荷会比切断最长的晶棒时的负荷小，而发生断线的可能性小。然后，切断工序S2(图2(B)的位置L1～L4、L5～L8、L9～L12)中使用的线长度X1与线径稳定区域R2(位置L2～L3、L6～L7、L10～L11)的线长度X2分别相同，因此能够容易地确定用于切断多个第2晶棒的线径稳定区域R2的位置。

[第2晶圆制造工序]

在第2晶圆制造工序中，首先，将第1晶圆制造工序中缠绕线7的绕线筒41重新设置于用于第2晶圆制造工序中的其他线锯1。然后，设定线7的张力。此时，优选以满足以下的式(2)的方式设定线7的张力。如此在线径稳定区域R2的张力比切断第1晶棒M1时的张力小的条件下切断第2晶棒，由此能够抑制线7的断线。

T2≤T1……(2)

并且，特别优选将线7的张力设定成满足以下式(3)。另外，越增大安全系数Sc2，张力T2越变小，而线7变得不容易断线。

T2≤F/Sc2×(DW2/DW1)²……(3)

T2：第2晶圆制造工序中的线的张力(N)

F：新品线(切断第1晶棒之前的线)的断裂载荷(N)

Sc2：安全系数(其中，Sc2≥1)

DW1：新品线的直径(mm)

DW2：线径稳定区域的直径(mm)

使用将第1晶棒M1切断之前的线7的断裂载荷F及直径DW1、以及线径稳定区域R2的直径DW2考虑在内的上述式(3)，由此能够将线7的张力T2增大到不超过断裂载荷、并且线7在行进中不会振动的程度，并且能够抑制线7的断线以及晶圆面内的厚度的不均变大。

并且，在第2晶圆制造工序中，设定线径稳定区域R2的工作量。此时，优选在线径稳定区域R2的工作量小于切断第1晶棒M1时的工作量的条件下，切断第2晶棒M2。如此，能够抑制切断过程中线径稳定区域R2变得过于细而使得线7断线。

并且，特别优选第2晶棒的尺寸及切断条件满足以下的式(4)。

A2≤A1×X2/X1……(4)

A2：1根第2晶棒切断总面积(mm²)

(从1根第2晶棒获得的1片晶圆的面积×

(从1根第2晶棒获得的晶圆片数-1))

A1：1根第1晶棒切断总面积(mm²)

(从1根第1晶棒获得的1片晶圆的面积×

(从1根第1晶棒获得的晶圆片数-1))

X2：1段线径稳定区域的长度(km)

X1：用于切断1根第1晶棒的线的长度(km)

在此，第1晶棒切断总面积A1与线7中的用于切断第1晶棒M1的区域的总工作量成比例。并且，第2晶棒切断总面积A2与线径稳定区域R2的总工作量成比例。如此使用将第1晶棒切断总面积A1、用于第1晶棒M1的切断工序中的线7的长度X1、线径稳定区域R2的长度X2考虑在内的上述式(4)，由此求出第2晶棒切断总面积A2的最大容许值，在不超过这个最大容许值的范围内，能够增大从第2晶棒获得的晶圆的片数，或能够增大面积，而能够提高制造效率。

例如，作为在满足上述式(4)的范围内设定第2晶棒切断总面积A2的方法，能够举例出选择比第1晶棒M1直径小的第2晶棒、比第1晶棒M1长度短的第2晶棒、比第1晶棒M1直径小且长度短的第2晶棒的方法等。

在使用1根线7，切断长度不同且直径相同的多个第1晶棒M1的情况下，如前述，优选在适合这些之中最长的晶棒的切断条件下依次切断全部的第1晶棒M1。然后，从这个最长的第1晶棒的切断总面积A1(这会成为多个总面积A1之中最大)、线使用长度X1、线径稳定区域R2的长度X2，求出第2晶棒切断总面积A2的最大容许值，在不超过这个最大容许值的范围内，依次切断多个第2晶棒。这样能够一边抑制发生断线，一边增加从第2晶棒获得的晶圆片数、增大面积，而能够提高制造效率。

然后，将把上述式(4)考虑在内的尺寸的第2晶棒安装到传送机构6。然后，线锯1从第1晶圆制造工序中的传送方向后端侧，例如从图2(B)所示的L13的位置开始传送线7，只使用线径稳定区域R2来切断第2晶棒。

具体来说，线锯1如图2(C)所示，进行暖机工序S11。在暖机工序S11中，线7从位置L13被送到位置L11，但在暖机工序S11的前后，线7的直径不变。

在暖机工序S11之后，线锯1一边维持线7的行进速度、行进方向、张力、浆料G的供给状态，一边切断第2晶棒，制造多个晶圆(切断工序S12)。这个切断工序S12如上所述，使用从位置L11到L10为止的线径稳定区域R2。然后，线径稳定区域R2与切断工序S2时同样地磨损，形成线径减小区域、线径稳定区域、线径增加区域。

并且，当第2晶棒的切断结束，线锯1使线7朝反方向行进，同时还使传送机构6上升来拔出线7。

在切断工序S12之后，线锯1进行将线7从位置L10送到位置L7的传送工序S13。在这个传送工序S13的前后，线7的直径不会变。

然后，线锯1根据要切断的第2晶棒的根数，重复进行只使用线径稳定区域R2的切断工序S12及传送工序S13，从而结束第2晶圆制造工序。如上所述，处理从图2(C)的右侧的工序进行到左侧的工序。

[本发明的应用例]

[应用例1]

接着，对将在直径300mm的第1晶棒的切断中使用的线在直径200mm的第2晶棒的切断中使用的情况进行说明。在图4(A)所示的第1晶圆制造工序中，准备了线500km。并且，准备了直径300mm长度300mm的第1晶棒M11。

然后，使用图1所示的线锯，将线的张力T1设定在断裂载荷以下的20N，以切断间距1mm来切断第1晶棒M11，由此制造了300片的晶圆。切断1根第1晶棒M11时使用160km的线，能够用1条线切断3根相同大小的第1晶棒M11。

如图4(B)所示，第1晶圆的制造工序结束后的线径稳定区域R2是120km。并且，线径稳定区域R2的直径是未磨损区域R0的直径的95％。

接着，将卷绕着线的绕线筒重新设定于其它线锯，进行了第2晶圆制造工序。

首先，根据上述式(2)、(3)，设定了线的张力T2。此时，若将安全系数Sc2设定成与Sc1相同的值，则式(3)的计算结果为T2≤18.05N(＝20×(95/100)²)，因此将张力T2设定为18N。

并且，根据上述式(4)求出了能够切断的第2晶棒的长度。式(4)的A1＝6727500π(＝1502×π×(300-1))，X2＝120，X1＝160，若将可从1根第2晶棒获得的晶圆的片数设成Nw，则A2＝1002×π×(Nw-1)。若将这些值代入到式(4)，则Nw≤505.5625。

因此，若将切断间距设为1mm，则能够只使用120km的线径稳定区域R2来切断直径200mm长度505mm以下的第2晶棒。

从如上所述来看，如图4(C)所示，将线的张力T2设定为18N，能够在3个部位的线径稳定区域R2的各自中，各切断1根长度505mm以下的第2晶棒M121，总共切断3根。

并且，如图4(D)所示，将线的张力T2设定为18N，能够在各线径稳定区域R2的各自中，各切断2根长度252mm以下的第2晶棒M122，总共切断6根。

[应用例2]

接着，对将在应用例1的第1晶圆制造工序中获得的线在直径150mm的第2晶棒的切断中使用的情况进行说明。

如图5(A)所示，将卷绕有与图4(B)相同形状的线的绕线筒重新设定到其它线锯，进行了第2晶圆制造工序。

首先，将线的张力T2设定为与应用例1相同的18N。

并且，根据上述式(4)，求出了能够切断的第2晶棒的长度。式(4)的A1、X2、X1分别是与应用例1相同的6727500π、120、160，若将可从1根第2晶棒获得的晶圆的片数设为Nw，则A2＝752×π×(Nw-1)。若将这些值代入到式(4)，则Nw≤898。

因此，若将切断间距设为1mm，则能够只使用120km的线径稳定区域R2来切断直径150mm长度89mm以下的第2晶棒。

从如上所述来看，如第5(B)图所示，将线的张力T2设定为18N，能够在3个部位的线径稳定区域R2的各自中，各切断2根长度449mm以下的第2晶棒M123，总共切断6根。

并且，如图5(C)所示，将线的张力T2设定为18N，能够在各线径稳定区域R2的各自中，各切断3根长度299mm以下的第2晶棒M124，总共切断9根。

[实施形态的作用效果]

如上述，因为只使用切断第1晶棒M1后的线7当中的线径稳定区域R2来切断第2晶棒，所以能够抑制从第2晶棒获得的晶圆面内的厚度不均。并且，在第1晶棒M1的切断中使用的线7还在第2晶棒的切断中使用，所以还能够抑制线7的使用量。

在第1晶圆制造工序中，因为以相同的切断条件依次切断相同直径的多个第1晶棒M1，所以能够容易掌握第1晶圆制造工序后的线径减小区域R1、线径稳定区域R2、线径增加区域R3的位置。因此，能够容易地确定出第2晶圆制造工序中利用的线径稳定区域R2，而能够提高制造效率。

[变形例]

另外，本发明并不只限定于上述实施方式，在不脱离本发明的要旨的范围内能够做各种改良及设计的变更，除此以外，实施本发明时的具体顺序及结构等，在能够实现本发明的目的的范围内也可以设为其他的结构等。

例如，若为线径稳定区域R2的断裂载荷以下，则也可以使第2晶棒切断时的张力T2比第1晶棒切断时的张力T1大。

也可以不将第2晶棒的切断时的张力T2根据式(3)来设定，而设定成线径稳定区域R2的断裂载荷以下的默认值。

只要是在第2晶棒切断时线7不断线的条件下，则也可以以线径稳定区域R2的工作量比第1晶棒M1切断时的工作量大的条件来切断第2晶棒。

也可以不将第2晶棒的切断总面积A2根据式(4)来设定，而设定成第2晶棒切断时线7不断线的默认值。

在第1晶圆制造工序中，可以变更第1晶棒M1的直径及切断条件中的至少一个，来切断多个第1晶棒M1，在这个情况下，在第1晶圆制造工序中或之后进行确定线径稳定区域R2的处理即可。

使用1条线7来切断的第1晶棒M1的根数可以为2根以下，也可以为4根以上。

在以1个部位的线径稳定区域R2来切断多个第2晶棒的情况下，第2晶棒的长度在合计长度为线径稳定区域R2的长度以下的范围内可以不同，在这个情况下，第2晶棒的直径可以相同，也可以不同。

在第1晶圆制造工序及第2晶圆制造工序中使用了不同的线锯1，但也可以使用相同的线锯，在这个情况下，在第1晶圆制造工序之后，可以一边使线7沿反方向(另一方向E2)行进，一边进行第2晶圆制造工序，也可以使线7沿另一方向E2行进，并先卷回来一次，然后再一边使线7沿单向E1行进，一边进行第2晶圆制造工序。

实施例

接着，根据实施例对本发明进行更详细的说明，但本发明完全不限定于这些例子。

[晶圆的制造方法与断线发生率及晶圆品质的关系]

[晶圆的制造方法]

[实施例1]

首先，准备新品线500km。然后，与上述应用例1同样地，进行了第1晶圆制造工序，所述第1晶圆制造工序以断裂载荷以下的20N的张力T1切断直径300mm长度300mm的第1晶棒，而制造300片晶圆。通过这个第1晶圆制造工序，获得了具有长度120km的线径稳定区域R2的线。另外，用于切断1根第1晶棒的线为160km。并且，因为用1条线切断3根第1晶棒，所以形成3个部位的线径稳定区域R2。

接着，准备了直径200mm、长度满足上述式(4)的450mm的第2晶棒。并且，如以下表1所示，将张力T2设定为满足上述式(2)、(3)的18N。然后，进行了第2晶圆制造工序，所述第2晶圆制造工序只用120km的线径稳定区域R2来切断第2晶棒，并制造450片的晶圆。

[表1]

[比较例1]

首先，准备了新品线500km以及与实施例1的第2晶圆制造工序相同的晶棒。新品线没有磨损，直径在整个区域都是均一的，因此不选择使用区域，而使用了整个区域。然后，如表1所示，将张力设定为断裂载荷以下的20N，一般以适用于新品线的条件来切断晶棒，并制造了450片的晶圆。另外，用于切断晶棒的线是65km。并且，用1条线切断了7根晶棒。

[比较例2]

首先，准备通过进行实施例1的第1晶圆制造工序所获得的线。

然后，如表1所示，除了使用这条获得的线以外，以与比较例1相同的条件，即一般适用于新品线的条件来进行第2晶圆制造工序。即，不选择切断使用区域，除了使用线径稳定区域R2以外，还使用线径减小区域R1或线径增加区域R3来进行第2晶圆制造工序。另外，与比较例1相同，从1根第2晶棒制造出来的晶圆是450片，用于切断的线是65km，被1条线切断的晶棒有7根。

[评价]

通常，使用新品的200mm的线来切断200mm的晶棒，因此以比较例1为基准来进行了评价。

另外，关于实施例1及比较例1、2，评价了各自使用了10条线的结果。

[断线发生率]

比较例1的断线发生率，从运转途中停止导致的设备动作损失、恢复所需要的操作者的工作量损失、主轮等的副材料受损的情况下的材料损失等的观点考虑，是没有问题的水准。

如表1所示，将比较例1的断线发生率设为1的情况下，比较例2中是3.0以上且小于6.0，而实施例1中是1以上且小于1.1。

其理由推断为如下：在比较例2中，尽管使用线径较细的线径稳定区域R2来切断第2晶棒，但还是将张力T2设定为与新品线使用时相同的20N，即设定为比满足上式(2)、(3)的值18N大，而且将线的使用长度X2设定为与新品线使用时相同的65km，即设定为比满足上式(4)的值120km短，因此线的磨损量变大，因而在线径稳定区域R2容易断线，而断线发生率成为比较例1的3.0倍以上且小于6.0倍。

另一方面，在实施例1中，虽然只使用线径稳定区域R2来切断第2晶棒，但将张力T2设定为满足上式(2)、(3)的18N，并且，将线的使用长度X2设定为满足上式(4)的120km，因此，即使是线径稳定区域R2也不容易断线，而断线发生率成为比较例1的1倍以上且小于1.1倍。

[晶圆的品质]

测量从实施例1、比较例1、2所获得的分别13500片、31500片、31500片(扣掉因为断线不良而无法形成晶圆的数量)的晶圆的Warp及GBIR(Global flatness back referenceideal range，总平整度)，将这些值分别当作是晶圆的翘曲、及晶圆面内厚度的不均来进行了评价。

如表1所示，在将比较例1的Warp测定值设为1的情况下，在比较例2中为1.1以上且小于1.4，而在实施例1中为1以上且小于1.1。并且，在将比较例1的GBIR测定值设为1的情况下，在比较例2中为1.1以上且小于1.6，而在实施例1中为1以上且小于1.1。

这是因为在比较例2中切断第2晶棒时除了使用线径稳定区域R2以外，还使用线径减小区域R1或线径增加区域R3，以线的直径不同的区域切断1片晶圆，因此晶圆的翘曲及面内厚度的不均成为不良的水准。

另一方面，在实施例1中，在切断第2晶棒时只使用线径稳定区域R2，以线的直径相同的区域来切断1片晶圆，因此晶圆的翘曲及面厚度的不均都成为没有问题的水准。

从以上内容，能够确认以下内容：用于切断第1晶棒的区域中只使用线径稳定区域R2，以满足上述式(2)、(3)的张力和满足上述式(4)的线的使用长度来切断第2晶棒，由此能够与使用新品线的情况同样地，以相同水准的线的断线发生率来制造相同水准的品质的晶圆。

附图标记说明

1-线锯，7-线，M1、M11-第1单晶锭，M121、M122、M123、M124-第2单晶锭，R2-线径稳定区域。

Claims (8)

1.一种晶圆的制造方法，通过利用线锯切断单结晶棒来制造晶圆，所述晶圆的制造方法的特征在于，

在所述线锯的线上的用于切断第1单晶锭的区域中，只使用磨损量以最大值维持稳定且直径以最小值维持恒定的线径稳定区域，来切断第2单晶锭。

2.根据权利要求1所述的晶圆的制造方法，其特征在于，

在所述线径稳定区域的张力比切断所述第1单晶锭时的张力小的条件下，切断所述第2单晶锭。

3.根据权利要求2所述的晶圆的制造方法，其特征在于，

根据切断所述第1单晶锭之前的所述线的断裂载荷及直径、以及所述线径稳定区域的直径，设定所述线径稳定区域的张力。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的晶圆的制造方法，其特征在于，

在所述线径稳定区域的每单位长度的工作量小于切断所述第1单晶锭时的每单位长度的工作量的条件下，切断所述第2单晶锭。

5.根据权利要求4所述的晶圆的制造方法，其特征在于，

根据所述线的用于切断所述第1单晶锭的区域的总工作量及该区域的长度、以及所述线径稳定区域的长度，设定所述线径稳定区域的总工作量。

6.根据权利要求5所述的晶圆的制造方法，其特征在于，

切断直径比所述第1单晶锭小的所述第2单晶锭。

7.根据权利要求5所述的晶圆的制造方法，其特征在于，

切断长度比所述第1单晶锭短的所述第2单晶锭。

8.根据权利要求1所述的晶圆的制造方法，其特征在于，实施以下工序：

以相同的切断条件依次切断相同直径的多个所述第1单晶锭的工序；以及

只使用所述线径稳定区域，依次切断多个第2单晶锭的工序。

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