CN108668433A - 超高速基板封装结构及光模块 - Google Patents

超高速基板封装结构及光模块 Download PDF

Info

Publication number
CN108668433A
CN108668433A CN201710198988.0A CN201710198988A CN108668433A CN 108668433 A CN108668433 A CN 108668433A CN 201710198988 A CN201710198988 A CN 201710198988A CN 108668433 A CN108668433 A CN 108668433A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
conduction region
ultrahigh speed
electrically connected
encapsulation structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710198988.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108668433B (zh
Inventor
汪振中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Innolight Technology Suzhou Ltd
Original Assignee
Innolight Technology Suzhou Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Innolight Technology Suzhou Ltd filed Critical Innolight Technology Suzhou Ltd
Priority to CN201710198988.0A priority Critical patent/CN108668433B/zh
Priority to US15/862,145 priority patent/US10578817B2/en
Publication of CN108668433A publication Critical patent/CN108668433A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108668433B publication Critical patent/CN108668433B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4274—Electrical aspects
    • G02B6/428—Electrical aspects containing printed circuit boards [PCB]
    • G02B6/4281—Electrical aspects containing printed circuit boards [PCB] the printed circuit boards being flexible
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
    • G02B6/4245—Mounting of the opto-electronic elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4256—Details of housings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4266—Thermal aspects, temperature control or temperature monitoring
    • G02B6/4268—Cooling
    • G02B6/4269—Cooling with heat sinks or radiation fins
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4274—Electrical aspects
    • G02B6/4279—Radio frequency signal propagation aspects of the electrical connection, high frequency adaptations
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4274—Electrical aspects
    • G02B6/428—Electrical aspects containing printed circuit boards [PCB]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345—Wire-bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/50—Transmitters
    • H04B10/501—Structural aspects
    • H04B10/503—Laser transmitters
    • H04B10/505—Laser transmitters using external modulation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0274—Optical details, e.g. printed circuits comprising integral optical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/06226—Modulation at ultra-high frequencies
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09672—Superposed layout, i.e. in different planes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10121—Optical component, e.g. opto-electronic component

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本申请揭示了一种超高速基板封装结构，包括电性连接的第一基板及第二基板，第一基板和第二基板上均设有若干导电块，第一基板上的导电块与第二基板上的导电块电性连接，第一基板的上表面和侧面形成有第一导电区和第二导电区，第一基板的上表面下方形成有第一参考导电区，第二基板的上表面及侧面形成有第三导电区及第四导电区，第二基板的上表面下方形成有第二参考导电区，第一导电区、第二导电区和第一参考导电区相电性连接，第三导电区、第四导电区和第二参考导电区相电性连接，第一基板上的第一导电区与第二基板上的第三导电区相电性连接。本申请能够提供低电感的回流路径，改善封装结构的阻抗特性，提高封装带宽，能够达到低成本的超高速互连。

Description

超高速基板封装结构及光模块
技术领域
本申请属于光通信技术领域，具体涉及一种超高速基板封装结构及光模块。
背景技术
目前光通信中高速链路传输速度从传统的1.25Gbps到10Gbps，再到单通道25Gbps，传输速率的增加要求传输链路的带宽不断增加，10Gbps信号要求有7GHz带宽，25Gbps信号要求带宽在21GHz。光模块在高速链路中存在多种载体，通常包括：
硬质电路板（PCB），用于SMD元件的载体，与系统对接，成本低；
柔性电路板（FPC），与PCB相类似，主要优点可用于两个硬载体之间互连，可以吸收空间公差；
气密封装管壳（Ceramic Box），用于需要气密性要求高的器件封装，如激光器、TEC、PD等；
陶瓷基板，用于光电器件，散热性好，加工精度高。
一般PCB和FPC，FPC与管壳可以通过锡焊工艺，光电器件到陶瓷基板一般采用金锡焊接工艺。整个链路中陶瓷基板如何与传输线（PCB，FPC或者Ceramic Box）连接，通常这两种载体是使用金线邦定工艺，由于金线邦定工艺，操作比较简单，容易自动化控制，可靠性高等特性，易于在封装工艺中使用。金线的等效模型是电感，直接电感在高频下，带宽衰减很严重。因而整个链路的带宽直接受陶瓷基板与传输线的互连带宽影响。
市场上单模传输中， DFB激光器成本低，而大量应用在长距离传输中。一般DFB激光器采用电流调制，但是DFB激光器固有内阻比较小，一般在10欧姆。而传输线设计通常为差分50OHM，因而会产生反射，影响信号质量。另外DFB激光器驱动电流比较大，而且温度升高，为了达到传输需要，相应的驱动电流需要增加。因而激光器的功耗密度很好，需要很好的散热方式来达到满足激光器的最佳工作状态。
参图1所示，现有技术中的基板封装结构包括电性连接的第一基板10’和第二基板20’，第一基板10’上电性连接有电极11’，第二基板20’上设有用于传输信号的传输线21’及金属层22’，第一基板10’与第二基板20’上的传输线21’通过第一连接线31’电性连接以实现激光器信号的传输。
现有技术中的封装方式，由于氮化铝陶瓷的第一基板10’导热系数高，将电极11’通过金锡焊接的方式，焊接在第一基板10’上，再将整个组件焊接在热沉上，最后与模块的外壳连接，进行散热。激光器的电气性能，一般通过金锡焊接工艺将激光器的阴极焊接到镀金的第一基板10’的走线上和通过金线邦定工艺将激光器的阳极焊接到第一基板10’的另外一个镀金面上，再通过金线将第一基板10’与第二基板20’（PCB或FPC）电性连接。由图2中TDR（Time Domain Reflectometry，时域反射计）仿真结果可以看出，现有技术中封装结构的阻抗为59.5 OHM。
发明内容
本申请提供一种超高速基板封装结构，包括电性连接的第一基板及第二基板，所述第一基板和第二基板上均设有若干导电块，所述第一基板上的导电块与所述第二基板上的导电块电性连接，所述第一基板的上表面和侧面形成有第一导电区和第二导电区，所述第一基板的上表面下方形成有第一参考导电区，第二基板的上表面及侧面形成有第三导电区及第四导电区，所述第二基板的上表面下方形成有第二参考导电区，第一基板上的第一导电区、第二导电区和第一参考导电区相电性连接，第二基板上的第三导电区、第四导电区和第二参考导电区相电性连接，所述第一基板上的第一导电区与第二基板上的第三导电区相电性连接。
一实施例中，所述第一参考导电区设于第一基板中间层或下表面上，第二参考导电区设于第二基板的中间层或下表面上。
一实施例中，所述第一基板上的导电块和第二基板上的导电块通过信号线电性连接，第一基板上的第一导电区与第二基板上的第三导电区通过参考回路线电性连接，参考回路线为信号线提供参考回路。
一实施例中，所述信号线与参考回路线为通过金线邦定工艺形成的金线。
一实施例中，所述信号线与参考回路线全部或部分为交错方式排布。
一实施例中，所述信号线与参考回路线全部或部分为上下层叠方式排布。
一实施例中，所述第二导电区覆盖第一基板的全部或部分侧面，第四导电区覆盖第二基板的全部或部分侧面。
一实施例中，所述第一基板和第二基板为陶瓷基板、硬质电路板、柔性电路板中的一种。
本申请还提供一种光模块，所述光模块包括上述的超高速基板封装结构。
一实施例中，所述第一基板上设有激光器，所述激光器为DFB激光器或EML激光器。
与现有技术相比，本申请的技术方案中：
在基板侧壁进行电镀，并在两个基板之间形成提供立体参考的参考回路线，能够提供低电感的回流路径，改善封装结构的阻抗特性，提高封装带宽，能够达到低成本的超高速互连。
附图说明
图1是现有技术中基板封装结构的俯视结构示意图；
图2是现有技术中基板封装结构的TDR仿真曲线图；
图3是本申请第一实施方式中超高速基板封装结构的俯视结构示意图；
图4是本申请第一实施方式中超高速基板封装结构的侧视结构示意图；
图5是本申请第一实施方式中第一基板的立体结构示意图；
图6是本申请第一实施方式中第二基板的立体结构示意图；
图7是本申请第一实施方式中超高速基板封装结构的TDR仿真曲线图；
图8是本申请第二实施方式中第一基板的立体结构示意图。
具体实施方式
以下将结合附图所示的具体实施方式对本申请进行详细描述。但这些实施方式并不限制本申请，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本申请的保护范围内。
在本申请的各个图示中，为了便于图示，结构或部分的某些尺寸会相对于其它结构或部分扩大，因此，仅用于图示本申请的主题的基本结构。
本文使用的例如“上”、“上方”、“下”、“下方”等表示空间相对位置的术语是出于便于说明的目的来描述如附图中所示的一个单元或特征相对于另一个单元或特征的关系。空间相对位置的术语可以旨在包括设备在使用或工作中除了图中所示方位以外的不同方位。例如，如果将图中的设备翻转，则被描述为位于其他单元或特征“下方”或“之下”的单元将位于其他单元或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可以囊括上方和下方这两种方位。设备可以以其他方式被定向（旋转90度或其他朝向），并相应地解释本文使用的与空间相关的描述语。
当元件或层被称为在另一部件或层“上”、与另一部件或层“连接”时，其可以直接在该另一部件或层上、连接到该另一部件或层，或者可以存在中间元件或层。相反，当部件被称为“直接在另一部件或层上”、“直接连接在另一部件或层上”时，不能存在中间部件或层。
参图3、图4所示，介绍本申请超高速基板封装结构的第一实施方式。本申请的超高速是指传输速率在1Gbps以上的传输速度。该实施方式中的超高速基板封装结构包括电性连接的第一基板10及第二基板20。第一基板10和第二基板20均设有若干导电块。其中，第一基板上设有的若干导电块包括电极导电块11，第二基板20上设有的若干导电块包括传输线导电块21。电极导电块11与传输线导电块21相互电性连接，此处是通过信号线31电性连接以进行电信号的传输。
参图5所示，本实施方式中的第一基板10以陶瓷基板为例进行说明，第一基板10上形成的电极导电块11包括第一电极111和第二电极112，可以分别作为高速信号的负极和正极。
第一基板10的表面可以通过电镀或者沉积等方式形成有若干导电区，以为信号提供参考回路。具体地，第一基板10的上表面在电极外部分区域电镀形成有第一导电区101，第一导电区101作为第一基板10的正面参考回路；第一基板10的下表面电镀形成有第五导电区102，第五导电区102作为基板10的底面参考回路；第一基板10的侧面全部电镀形成有第二导电区103，第二导电区103导通了第一导电区101和第五导电区102，作为第一基板10的侧面参考回路。通过若干导电区的设置，可以将第一基板10的底面参考回路转移到正面参考回路。
参图6所示，本实施方式中的第二基板20为硬质电路板、柔性电路板或多层陶瓷基板，第二基板20上形成的传输线导电块21包括第一传输线211和第二传输线212，其分别与第一基板10上的第一电极111和第二电极112电性连接，以进行高速信号的传输。另外，第二基板20中间设有传输线参考层22，以为传输线提供传输线参考回路。
第二基板20的外侧全部区域通过电镀形成有若干导电区，以为信号提供参考回路。具体地，第二基板20的上表面在传输线外区域电镀形成有第三导电区201，第三导电区201作为第二基板20的正面参考回路；第二基板20的侧面全部电镀形成有第四导电区202，第四导电区202作为第二基板20的侧面参考回路。通过若干导电区的设置，可以将第二基板20的传输线参考回路转移到正面参考回路。
参图3、图4所示，本实施方式中第一基板10上的电极导电块11与第二基板上的传输线导电块21通过信号线31电性连接，第一基板10上的第一导电区101与第二基板20上的第三导电区201通过若干参考回路线32电性连接，通过参考回路线32为信号线提供参考回路。
优选地，本实施方式中的信号线31和参考回路线32为通过金线邦定工艺形成的金线，信号线31与部分参考回路线32为交错方式排布，其余的参考回路线32位于信号线31的两侧。
应当理解的是，信号线31与参考回路线32的打线也可以呈其他方式排布，如上下层叠方式排布等。另外，第一基板10上的第一导电区101与第二基板20上的第三导电区201也可以通过在它们之间填充导电材料（如焊锡）实现电性连接，当然其它合适的电性连接方式也可以，此处不再举例进行详细说明。
进一步地，本实施方式中第一基板10上的第一导电区101与第二基板20上的第三导电区201通过若干参考回路线32直接电性连接，在其他实施方式中也可以将第一基板10上的第二导电区103、或第五导电区102与第二基板20上的第四导电区202相电性连接，以此实现第一导电区101与第三导电区201的间接电性连接，此处不再一一举例进行说明。
在传输线理论中，高速信号线的回流信号在高速线的下方，而且频率越高，传输线下方的能量密度越高，因而高速信号的回流路径在高速打线焊盘的下方能量密度很高。
因此，本实施方式中在第一基板和第二基板的侧壁分别进行电镀形成若干导电区，将第一基板底面的底面参考回路转移到正面参考回路，以及将第二基板的传输线参考回路转移到正面参考回路，并通过金线打线方式进行连接，以提供低电感的回流路径，并通过参考回路给每一根信号线提供立体参考，从而改善封装结构的阻抗特性，提高封装带宽。
应当理解的是，本实施方式中通过在第一基板和第二基板上形成参考回路线，通过交叉打线的方式电性连接第一基板10和第二基板20上的导电区，从而为信号线提供立体参考。在其他实施方式中，第五导电区102和第四导电区202也可以采用其他方式电性连接，如焊接或导电胶等方式，同样可以为信号线提供立体参考，以达到改善阻抗特性和提高封装带宽目的。
由图7中TDR（Time Domain Reflectometry，时域反射计）仿真结果可以看出，本实施方式中封装结构的阻抗为51 OHM左右，封装带宽可以达到50GHz以上。
本实施方式中设有两个电极及两根用于传输信号的传输线，在其他实施方式中，电极及传输线数量和位置也可以根据需要进行不同的设计，凡是侧壁电镀改善封装结构阻抗的实施方式均属于本申请所保护的范围。
虽然本实施方式以第一基板为陶瓷基板、第二基板为硬质电路板、柔性电路板或多层陶瓷基板为例进行说明，在本申请的其他实施方式中，第一基板和第二基板可以为任何两种高速基板，此处不再详细进行说明。
参图3、图8所示，介绍本申请超高速基板封装结构的第二实施方式，该实施方式中的超高速基板封装结构包括电性连接的第一基板10及第二基板20，第一基板上设有若干电极导电块11，第二基板20上设有若干传输线导电块21，电极导电块11与传输线导电块21通过信号线31电性连接以进行电信号的传输，同时，第一基板10和第二基板20之间还设有若干参考回路线32，以为信号线提供立体参考。电极导电块11、传输线21、信号线导电块31及参考回路线32的设置均与第一实施方式相同，此处不再进行赘述。
参图8所示，本实施方式中的第一基板10同样以陶瓷基板为例进行说明，电极导电块11包括形成于第一基板10上的第一电极111和第二电极112，分别作为高速信号的负极和正极。
第一基板10的外侧通过电镀形成有若干导电区，以为信号提供参考回路。具体地，第一基板10的上表面在电极外区域电镀形成有第一导电区101，第一导电区101作为第一基板10的正面参考回路；第一基板10的下表面电镀形成有第五导电区102，第五导电区102作为基板10的底面参考回路；第一基板10的侧面部分电镀形成有第二导电区103，第二导电区103导通了第一导电区101和第五导电区102，作为第一基板10的侧面参考回路。通过若干导电区的设置，可以将第一基板10的底面参考回路转移到正面参考回路。
本实施方式中在第一基板10的侧面部分电镀形成第二导电区103，该导电区同样可以导通第一导电区101和第五导电区102，将第一基板10的底面参考回路转移到正面参考回路。
应当理解的是，在本申请的其他实施方式中，第二基板20的侧面也可以部分电镀形成第四导电区202，同样可以将第二基板的传输线参考回路转移到正面参考回路，第二基板侧面部分电镀的具体结构此处不再进行详细说明。
上述各实施方式超高速基板封装结构，均以基于DFB激光器的超高速基板封装结构为例进行说明，在本申请的其他实施方式中，激光器也可以为EML激光器等高速激光器，此处不再一一举例进行说明。
由上述技术方案可以看出，与现有技术相比本发明具有以下有益效果：
在基板侧壁进行电镀，并在两个基板之间形成提供立体参考的参考回路线，能够提供低电感的回流路径，改善封装结构的阻抗特性，提高封装带宽，能够达到低成本的超高速互连。
应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本申请的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本申请的保护范围，凡未脱离本申请技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种超高速基板封装结构，包括电性连接的第一基板及第二基板，所述第一基板和第二基板上均设有若干导电块，所述第一基板上的导电块与所述第二基板上的导电块电性连接，其特征在于，所述第一基板的上表面和侧面形成有第一导电区和第二导电区，所述第一基板的上表面下方形成有第一参考导电区，第二基板的上表面及侧面形成有第三导电区及第四导电区，所述第二基板的上表面下方形成有第二参考导电区，第一基板上的第一导电区、第二导电区和第一参考导电区相电性连接，第二基板上的第三导电区、第四导电区和第二参考导电区相电性连接，所述第一基板上的第一导电区与第二基板上的第三导电区相电性连接。
2.根据权利要求1所述的超高速基板封装结构，其特征在于，所述第一参考导电区设于第一基板中间层或下表面上，第二参考导电区设于第二基板的中间层或下表面上。
3.根据权利要求1所述的超高速基板封装结构，其特征在于，所述第一基板上的导电块和第二基板上的导电块通过信号线电性连接，第一基板上的第一导电区与第二基板上的第三导电区通过参考回路线电性连接，参考回路线为信号线提供参考回路。
4.根据权利要求3所述的超高速基板封装结构，其特征在于，所述信号线与参考回路线为通过金线邦定工艺形成的金线。
5.根据权利要求3所述的超高速基板封装结构，其特征在于，所述信号线与参考回路线全部或部分为交错方式排布。
6.根据权利要求3所述的超高速基板封装结构，其特征在于，所述信号线与参考回路线全部或部分为上下层叠方式排布。
7.根据权利要求1所述的超高速基板封装结构，其特征在于，所述第二导电区覆盖第一基板的全部或部分侧面，第四导电区覆盖第二基板的全部或部分侧面。
8.根据权利要求1所述的超高速基板封装结构，其特征在于，所述第一基板和第二基板为陶瓷基板、硬质电路板、柔性电路板中的一种。
9.一种光模块，其特征在于，所述光模块包括权利要求1~8中任一项所述的超高速基板封装结构。
10.根据权利要求9所述的光模块，其特征在于，所述第一基板上设有激光器，所述激光器为DFB激光器或EML激光器。
CN201710198988.0A 2017-03-29 2017-03-29 超高速基板封装结构及光模块 Active CN108668433B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710198988.0A CN108668433B (zh) 2017-03-29 2017-03-29 超高速基板封装结构及光模块
US15/862,145 US10578817B2 (en) 2017-03-29 2018-01-04 Substrate packaging structure including conductive blocks and conductive areas formed on substrates and optical module including same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710198988.0A CN108668433B (zh) 2017-03-29 2017-03-29 超高速基板封装结构及光模块

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108668433A true CN108668433A (zh) 2018-10-16
CN108668433B CN108668433B (zh) 2019-09-06

Family

ID=63670450

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710198988.0A Active CN108668433B (zh) 2017-03-29 2017-03-29 超高速基板封装结构及光模块

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10578817B2 (zh)
CN (1) CN108668433B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115220160A (zh) * 2022-06-30 2022-10-21 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种光模块

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021104885A1 (de) 2020-03-04 2021-09-09 Schott Ag Sockel und Gehäuse mit integriertem Kühler für elektronische Bauelemente
JP2021196478A (ja) * 2020-06-12 2021-12-27 住友電気工業株式会社 光モジュール
DE102020120167A1 (de) 2020-07-30 2022-02-03 Schott Ag Gehäuse, vorzugsweise TO-Gehäuse, Sockel für Gehäuse und Baugruppe mit einem solchen Gehäuse und/oder Sockel

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030043563A1 (en) * 2001-09-04 2003-03-06 Yutaka Igarashi Electronic device and method for manufacturing the same, and method for shielding printed circuit board
US20050263793A1 (en) * 2002-04-12 2005-12-01 Cornelius William P Wire bonding method and apparatus for integrated circuit
CN101616541A (zh) * 2008-06-24 2009-12-30 华为技术有限公司 印制电路板及其制造方法、相关设备
CN201878415U (zh) * 2009-11-06 2011-06-22 莫列斯公司 多层电路部件及其组件
CN103167719A (zh) * 2011-12-19 2013-06-19 联想(北京)有限公司 印刷电路板的新型布线方法、印刷电路板和电子设备

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003134051A (ja) 2001-10-25 2003-05-09 Opnext Japan Inc 光受信モジュール、光受信器及び光ファイバ通信機器
US7258549B2 (en) * 2004-02-20 2007-08-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Connection member and mount assembly and production method of the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030043563A1 (en) * 2001-09-04 2003-03-06 Yutaka Igarashi Electronic device and method for manufacturing the same, and method for shielding printed circuit board
US20050263793A1 (en) * 2002-04-12 2005-12-01 Cornelius William P Wire bonding method and apparatus for integrated circuit
CN101616541A (zh) * 2008-06-24 2009-12-30 华为技术有限公司 印制电路板及其制造方法、相关设备
CN201878415U (zh) * 2009-11-06 2011-06-22 莫列斯公司 多层电路部件及其组件
CN103167719A (zh) * 2011-12-19 2013-06-19 联想(北京)有限公司 印刷电路板的新型布线方法、印刷电路板和电子设备

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115220160A (zh) * 2022-06-30 2022-10-21 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种光模块
CN115220160B (zh) * 2022-06-30 2023-10-27 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种光模块

Also Published As

Publication number Publication date
US10578817B2 (en) 2020-03-03
CN108668433B (zh) 2019-09-06
US20180284374A1 (en) 2018-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108668433B (zh) 超高速基板封装结构及光模块
US20140301054A1 (en) Wiring board for having light emitting element mounted thereon
CN203850295U (zh) 逆变器igbt模块封装结构
CN105914185B (zh) 一种碳化硅功率器件的封装结构及封装方法
JP2011176279A (ja) 多層集積回路パッケージ
CN109427707A (zh) 一种功率器件的三维封装结构及封装方法
US10034375B2 (en) Circuit substrate with embedded heat sink
WO2012005984A1 (en) Light emitting device packages with improved heat transfer
CN109856734A (zh) 一种光器件的管壳
CN107508141A (zh) 一种同轴封装的激光器及光模块
US11736197B2 (en) Optical module
WO2019195978A1 (zh) 激光器、激光器阵列的封装结构及封装组件
CN113725724B (zh) 一种激光脉冲发射集成电路模组、制造方法及系统
US10008473B2 (en) Power package lid
US9666498B2 (en) Ring-frame power package
CN109212678A (zh) 光传输装置及同轴封装的光发射模组
RU2488913C1 (ru) Трехмерное электронное устройство
JP2013187330A (ja) Ｌｅｄ基板及び照明器具及びｌｅｄ基板の製造方法
CN100417312C (zh) 具有改善散热结构的印刷电路板及电子装置
US11935807B2 (en) Plurality of dies electrically connected to a printed circuit board by a clip
US6366469B1 (en) Electrical component stacking system
MX2012009680A (es) Panel de circuito impreso.
US20210120674A1 (en) All-directions embeded module, method for manufacturing the all-directions embeded module, and all-directions packaging structure
CN109699115B (zh) 光模块
KR20220004445A (ko) 파워모듈

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant