CN108666248A - 一种膜层清洗装置、膜层清洗系统及清洗方法 - Google Patents

一种膜层清洗装置、膜层清洗系统及清洗方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108666248A
CN108666248A CN201810731818.9A CN201810731818A CN108666248A CN 108666248 A CN108666248 A CN 108666248A CN 201810731818 A CN201810731818 A CN 201810731818A CN 108666248 A CN108666248 A CN 108666248A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film layer
chip
cleaned
displaceable member
cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810731818.9A
Other languages
English (en)
Inventor
王磊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai zuqiang Energy Co.,Ltd.
Original Assignee
Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co Ltd filed Critical Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co Ltd
Priority to CN201810731818.9A priority Critical patent/CN108666248A/zh
Publication of CN108666248A publication Critical patent/CN108666248A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

本发明公开一种膜层清洗装置、膜层清洗系统及清洗方法，涉及膜层清洗技术领域，为清洗芯片表面膜层而发明。所述膜层清洗装置包括：洗液储槽；传输件，所述传输件位于所述洗液储槽上方，用于支撑并传输所述待清洗芯片；至少一个可移动件，所述可移动件设于所述洗液储槽中，并可在所述洗液储槽与所述待清洗芯片之间往复运动，所述可移动件朝所述待清洗芯片方向运动时能够与所述待清洗芯片表面的所述膜层接触。本发明将膜层清洗装置、膜层清洗系统及清洗方法用于去除芯片表面膜层。

Description

一种膜层清洗装置、膜层清洗系统及清洗方法
技术领域
本发明涉及膜层清洗技术领域，尤其涉及一种膜层清洗装置、膜层清洗系统及清洗方法。
背景技术
CIGS薄膜光伏芯片是当前最先进，光电转化效率最高的光伏芯片之一，实际范围内已有GW级的量产产能，并在进一步急速扩张中。CIGS薄膜光伏芯片不仅可应用于光伏发电站，同时可应用于光伏建筑一体化(BIPV)，或光伏屋顶发电(BAPV)等领域。此外，CIGS薄膜光伏芯片的轻柔薄的特点，也可使其应用于便携式发电产品，如发电纸，发电背包等。
在产业化的CIGS薄膜光伏芯片制造过程中，与CIGS发电层搭配的n结缓冲层最佳材料为硫化镉(CdS)，即CdS缓冲层。该CdS缓冲层通常采用化学水浴法沉积，使其均匀完整的覆盖在CIGS发电层表面，形成紧密的p-n结界面，确保激子分离效率，保证光电转化率。
一般来说，CdS缓冲层的化学水浴沉积法，即chemical bath deposition(CBD)，主要包括硫酸镉、氨水、纯水的预混合，硫脲加入，CdS在基板上生长，沉积结束后倾倒废液，取出基板，进入下一道工序，现有的技术中，在制备CdS缓冲层时主要采用浸泡式CBD设备镀膜，具有操作方便，成本低的优势，采用浸泡式CBD镀膜时存在的两个主要缺陷是即化学品用量大和基板背面有CdS沉积，这样就需要对基板背面沉积的CdS膜层进行清洗。现有技术中采用清洗机清理基板背面残留的CdS，则会很大程度上依赖于磨刷，而磨刷则是会直接导致基板背面不同程度的划伤，对组件性能，寿命等有非常大的影响，或者采用喷淋方法对基板背面残留的CdS进行清洗，容易造成清洗液用量大的现象。
发明内容
本发明的实施例提供一种膜层清洗装置、膜层清洗系统及清洗方法，主要目的是脱除待清洗芯片背面的CdS膜层，不会划伤待清洗芯片表面，且不会造成清洗液飞溅至待清洗芯片的与CdS膜层相背的另一表面上。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一种膜层清洗装置，用于清洗待清洗芯片表面的膜层，所述膜层清洗装置包括：
洗液储槽；
传输件，所述传输件位于所述洗液储槽上方，用于支撑并传输所述待清洗芯片；
至少一个可移动件，所述可移动件设于所述洗液储槽中，并可在所述洗液储槽与所述待清洗芯片之间往复运动，所述可移动件朝所述待清洗芯片方向运动时能够与所述待清洗芯片表面的所述膜层接触。
本发明实施例提供的膜层清洗装置，通过可移动件的移动能够将洗液储槽中的清洗液粘附在位于传输件上的待清洗芯片上，使待清洗芯片的具有待清洗膜层的表面与清洗液接触，避免清洗液飞溅，提高清洗效果，且传输件以一定速度自动移动待清洗芯片，实现自动化工作，提高清洗效率。
可选的，所述可移动件为板状结构。可选的，所述可移动件包括中空结构的可移动件，所述可移动件内设有多个通道，所述通道沿所述可移动件的延伸方向布设。
可选的，所述可移动件包括第一端部，第二端部和连接第一端部与第二端部的中间部；其中，所述第一端部朝所述待清洗芯片方向，所述第二端部朝所述洗液储槽方向，所述中间部中至少靠近所述第一端部的位置处设有弧形部。
可选的，所述第一端部为弹性部。
可选的，所述中间部的外表面设有容纳槽，所述容纳槽沿所述中间部外表面由第一端部延深至第二端部。
可选的，所述第一端部和第二端部中至少所述第一端部包括背离所述中间部的凸出结构，其中，所述凸出结构表面设有容纳槽。
可选的，所述可移动件为多个，多个所述可移动件的布设方向与所述待清洗芯片的移动方向垂直，且多个所述可移动件均匀布设。
进一步地，所述多个可移动件可沿待清洗芯片垂直的方向布置多组。
可选的，所述膜层清洗装置还包括驱动件，所述驱动件与所述可移动件连接，所述驱动件用于驱动所述可移动件朝所述待清洗芯片方向运动。
可选的，所述可移动件设于所述洗液储槽进料方向的1/10L～1/3L处，所述洗液储槽在水平方向上由进料到出料的总长度为L。
本发明实施例另一方面还提供了一种膜层清洗系统，包括上述所述的膜层清洗装置；冲洗装置，所述冲洗装置用于将经所述膜层清洗装置处理后的芯片进行清洗，以洗去所述芯片表面粘附的清洗液；风干装置，所述风干装置用于将所述冲洗装置清洗后的所述芯片进行吹干。
本发明实施例提供的膜层清洗系统，由于采用了上述所述的膜层清洗装置，膜层清洗装置能够保证待清洗芯片的清洗表面不会被损坏，保障了待清洗芯片的质量，且清洗液用量较少，实用性较强。
本发明实施例另一方面还提供了一种采用上述膜层清洗装置对光伏芯片基板背面CdS膜层进行清洗的清洗方法，所述清洗方法包括：
在所述洗液储槽中加入清洗液，所述清洗液包括酸性溶液和增稠剂；
所述光伏芯片经所述传输件传输至所述清洗液上方，位于所述清洗液中的所述至少一个可移动件朝所述光伏芯片方向移动并与所述光伏芯片基板背面接触，将所述清洗液粘附在所述光伏芯片基板背面，随着所述光伏芯片的移动，所述洗液储槽中的清洗液陆续的粘附在所述光伏芯片基板背面，以清洗所述光伏芯片基板背面的所述CdS膜层。
本发明实施例提供的清洗方法，光伏芯片位于清洗液的液面上方，在光伏芯片基板背面上粘附清洗液，随着光伏芯片的移动，连续将清洗液粘附在光伏芯片上，最终依靠粘附在光伏芯片基板背面的清洗液完成对CdS膜层的清洗，在整个清洗过程中，仅使光伏芯片基板背面与清洗液接触，避免清洗液飞溅的现象，且相比采用磨刷清洗，也避免对光伏芯片基板背面造成划伤。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种膜层清洗装置的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种膜层清洗系统的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种清洗方法的原理示意图；
图4为本发明实施例提供的一种可移动件的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的另一种可移动件的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的另一种可移动件的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的多个可移动件的布设位置示意图；
图8为本发明实施例提供的多个可移动件的布设位置示意图；
图9为本发明实施例提供的一种清洗方法的流程框图。
附图标记：
1-膜层清洗装置；11-洗液储槽；12-传输件；13-可移动件；1301-通道；1302-容纳槽；1303-中间部；1304-第一端部；1305-第二端部；14-待清洗芯片；2-冲洗装置；3-风干装置。
具体实施方式
下面结合附图对膜层清洗装置、膜层清洗系统及清洗方法进行详细描述。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
本发明实施例提供了一种膜层清洗装置，用于清洗待清洗芯片表面的膜层，参照图1，所述膜层清洗装置1包括：
洗液储槽11；传输件12，所述传输件12位于所述洗液储槽11上方，用于支撑并传输所述待清洗芯片14；
至少一个可移动件13，所述可移动件13设于所述洗液储槽11中，并可在所述洗液储槽11与所述待清洗芯片14之间往复运动，所述可移动件13朝所述待清洗芯片14方向运动时能够与所述待清洗芯片14表面的所述膜层接触。
具体实施时，传输件12用于支撑并传输所述待清洗芯片14，使待清洗芯片14沿着所述洗液储槽11中清洗液的上方移动，同时不需要待清洗芯片14直接与清洗液面接触，而是通过设置在洗液储槽11中的可移动件13将位于洗液储槽11中清洗液传送至待清洗芯片14表面，可移动件13起到输送传递清洗液的作用，这样设计的好处是：避免待清洗芯片14与清洗液面直接接触，若待清洗芯片14的正面(正面指所述待清洗芯片14中与膜层相背的表面)上设置有其他结构，且该其他结构不能与所述清洗液接触，否则就会损坏该其他结构，通过将待清洗芯片14设置在清洗液的液面上方，不与液面接触，就可降低清洗液飞溅时对上述所述待清洗芯片14正面的其余结构的损坏的极率。
示例的，所述可移动件13为板状工件，将板状的可移动件朝向待清洗芯片方向运动与待清洗芯片的膜层进行线性或长条状接触，随着待清洗芯片的移动，清洗液在待清洗芯片表面不断黏附，布满待清洗芯片的表面。
示例的，所述可移动件13包括中空结构的可移动件，所述具有中空结构的可移动件进入位于洗液储槽11中清洗液输送至待清洗芯片14中具有膜层的表面，这样能够使待清洗芯片14中具有膜层的表面瞬时被清洗液覆盖，优选的，参照图4，所述可移动件内设有多个通道1301，所述通道1301沿所述可移动件的延伸方向布设。可选的，所述可移动件13内部中空结构可以设置有微孔结构，微孔结构具有自吸能力，通过位于中空结构内部的微孔结构的自吸作用，微孔结构可不断的吸收，储存，传输清洗液，所述多个通道1301不仅提高覆盖效率，也能够将清洗液均匀的粘附在待清洗芯片14中具有膜层的表面。
示例地，参照图5和图6，所述可移动件13包括第一端部1304，第二端部1305和连接第一端部1304与第二端部1305的中间部1303，其中，所述第一端部1304朝所述待清洗芯片方向，所述第二端部1305朝所述洗液储槽11方向，所述中间部1303中至少靠近所述第一端部1304的位置处设有弧形部，即所述中间部1303与所述第一端部1304通过弧形部连接。这样设计所达到的技术效果是：弧形部能够使粘附在所述可移动件13上第一端部1304上的清洗液与所述中间部1303上的清洗液连续，避免出现清洗液断裂的现象，进而导致待清洗芯片14上的清洗液与待清洗芯片14下方的清洗液不能粘结呈一体。
为了确保可移动件13上粘附的清洗液能够快速粘附在待清洗芯片14上，所述第一端部1304和第二端部1305中至少所述第一端部1304包括背离所述中间部1303的凸出结构，所述凸出结构与所述待清洗芯片14的接触位置为线接触或面接触。
为了使可移动件13能够将更多的清洗液传送至待清洗芯片14的表面，所述中间部1303的外表面设有容纳槽1302，所述容纳槽1302可容纳较多的清洗液，进而使可移动件13快速的将储在容纳槽1302中的清洗液传送至待清洗芯片14并粘附在待清洗芯片14的需要清洗的表面，所述容纳槽1302沿所述中间部1303外表面由第一端部1304延深至第二端部1305，所述容纳槽1302的结构具有多种，如图5所述，所述容纳槽1302为直线状结构，如图6所示，所述容纳槽1302为螺旋状结构，对容纳槽1302的具体结构不做限定均在本方案的保护范围之内。
为了防止第一端部1304与待清洗芯片14表面接触时，第一端部1304由于具有较大的功能而破坏待清洗芯片14表面，所以第一端部1304为弹性部。
具体的，所述凸出结构表面也设有容纳槽，同样为了储存更多的清洗液，并粘附在待清洗芯片14的表面，凸出结构上的容纳槽可以与中间部上的容纳槽结构相同或者不同。
示例的，所述可移动件13也可以为板状结构，具体的，可移动件为移动薄板，移动薄板的厚度为5-10mm。
需要说明的是：所述可移动件13与驱动件连接，所述驱动件用于驱动可移动件13朝所述待清洗芯片14方向移动，且可移动件13的移动方向与所述待清洗芯片14的布设方向垂直，或者，可移动件13的移动方向与所述待清洗芯片14的布设方向之间不垂直，当可移动件13的移动方向与所述待清洗芯片14的布设方向之间不垂直的情况下，对所述驱动件的性能要求较低，只要能够保证可移动件13上的顶端与所述待清洗芯片14接触，并将清洗液粘附在待清洗芯片14上即可。
参照图7，所述可移动件13为多个，多个所述可移动件13的布设方向与所述待清洗芯片14的移动方向垂直，且多个所述可移动件13均匀布设，优选的，如图8所示，所述多个可移动件可沿待清洗芯片垂直的方向布置多组。具体的，所述多个可移动件可同步或不同步移动，多个所述可移动件13可以对设于所述传输件上的待清洗芯片14进行清洗，这样可有效提高清洗液涂抹的均匀性，进而提高清洗效率。
为了保证待清洗芯片14的膜层被完全清洗掉，提高清洗效果，参照图1，优选的，所述可移动件13设于所述洗液储槽11进料方向的1/10L～1/3L处，所述洗液储槽11在水平方向上由进料到出料的总长度为L。
本发明实施例提供了一种膜层清洗系统，参照图2，所述膜层清洗系统包括：膜层清洗装置1、依次设置于所述膜层清洗装置之后的冲洗装置2和风干装置3，所述冲洗装置2用于将经所述膜层清洗装置1处理后的芯片进行清洗，以洗去所述芯片表面粘附的清洗液；风干装置3，所述风干装置3用于将所述冲洗装置2清洗后的所述芯片进行吹干。
冲洗装置2是将清洗液清洗过的待清洗芯片14再次清洗，去除清洗液中可能残留的各种化学品杂质，同时冲洗装置2可以使用高压纯水喷淋，去除待清洗芯片14两面的杂质颗粒。风干装置3是用于吹干经冲洗装置2清洗后的芯片，使用干燥压缩空气，保证芯片以干燥情况下传送至下一道工序。
本发明实施例提供了一种对光伏芯片背面CdS膜层进行清洗的清洗方法，参照图3和图9，所述清洗方法包括：
S1：在所述洗液储槽中加入清洗液，所述清洗液包括酸性溶液和增稠剂。
由于硫化镉在酸性溶液中的溶解度较大，所以采用酸性溶液作为清洗液就可快速的完成硫化镉的清洗，且所述增稠剂不会与所述酸性溶液发生化学反应，保持酸性溶液的酸性。
示例的，所述增稠剂为阴离子聚丙烯酰胺或、聚氧化乙烯或聚丙烯酸。
示例的，所述酸性溶液包括稀盐酸、稀硫酸或稀硝酸，优选地，酸性溶液的质量浓度为4％～10％。
示例的，所述酸性溶液包括酸和水，其中，所述增稠剂、酸与水的质量比为：1～3∶0.8～1.2∶15～20，优选的，所述增稠剂、酸与水的质量比为1～3∶1∶15～20，进一步优选的，所述增稠剂、酸与水的质量比为：1.5～2.5∶1∶16～18。
示例的，所述清洗液为APAM阴离子聚丙烯酰胺和稀盐酸混合而成的溶液，优选的，所述APAM阴离子聚丙烯酰胺的质量浓度为10％，稀盐酸的质量浓度为5％。
S2：所述光伏芯片传输至所述清洗液上方，位于所述清洗液中的所述可移动件朝所述光伏芯片方向移动并与所述光伏芯片基板背面接触，将所述清洗液粘附在所述光伏芯片基板背面，随着所述光伏芯片的移动，所述洗液储槽中的清洗液陆续的粘附在所述光伏芯片基板背面，以使粘附在所述光伏芯片基板背面的清洗液清洗所述CdS膜层，其中，所述光伏芯片基板背面朝向所述清洗液的液面。
具体实施时，所述光伏芯片设置在传输件上，且传输件位于所述清洗液的液面上方与所述清洗液的液面之间具有间距。
示例的，所述间距为10cm至20cm。
具体的，所述光伏芯片基板背离所述CdS膜层方向依次层叠设置有背电极层、光吸收层、硫化镉缓冲层、TCO窗口层和栅线电极层。
需要说明的是：酸性溶液能够溶解硫化镉，但是酸性溶液易腐蚀位于光伏芯片基板正面的光吸收层、TCO窗口层和/或栅线电极层，所以将光伏芯片与酸性溶液的液面之间具有距离，就可避免酸性溶液飞溅对光吸收层、TCO窗口层和/或栅线电极层造成腐蚀，进而影响光伏芯片组件的性能。
具体实施时，粘附有所述清洗液的所述光伏芯片在移动时，只能在清洗液的液面上方移动，且随着光伏芯片的移动，位于光伏芯片下方的粘稠清洗液会被连续顺势粘附在光伏芯片基板背面，从而使光伏芯片的具有CdS膜层的表面上粘附清洗液，随之光伏芯片的移动，溶解有CdS的清洗液会掉落，同时，由于增稠剂的存在，位于光伏芯片下方的粘稠的清洗液又会被连续粘附在光伏芯片的粘稠的清洗液已经掉落的位置，通过这样不断连续的粘附，使光伏芯片基板背面上的CdS膜层被完全清洗。
优选的，所述可移动件朝所述光伏芯片方向移动的距离为3cm至5cm。
具体实施时，在清洗机中完成对光伏芯片基板背面上的CdS膜层的清洗。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种膜层清洗装置，用于清洗待清洗芯片表面的膜层，其特征在于，所述膜层清洗装置包括：
洗液储槽；
传输件，所述传输件位于所述洗液储槽上方，用于支撑并传输所述待清洗芯片；
至少一个可移动件，所述可移动件设于所述洗液储槽中，并可在所述洗液储槽与所述待清洗芯片之间往复运动，所述可移动件朝所述待清洗芯片方向运动时能够与所述待清洗芯片表面的所述膜层接触。
2.根据权利要求1所述的膜层清洗装置，其特征在于，所述可移动件为板状结构。
3.根据权利要求1所述的膜层清洗装置，其特征在于，所述可移动件为中空结构的可移动件，所述可移动件内设有多个通道，所述通道沿所述可移动件的延伸方向布设。
4.根据权利要求1至3任一权利要求所述的膜层清洗装置，其特征在于，所述可移动件包括第一端部，第二端部和连接第一端部与第二端部的中间部；
其中，所述第一端部朝所述待清洗芯片方向，
所述第二端部朝所述洗液储槽方向，所述中间部中至少靠近所述第一端部的位置处设有与所述第一端部连接的弧形部。
5.根据权利要求4所述的膜层清洗装置，其特征在于，所述第一端部为弹性部。
6.根据权利要求4所述的膜层清洗装置，其特征在于，所述中间部的外表面设有容纳槽，所述容纳槽沿所述中间部外表面由第一端部延深至第二端部。
7.根据权利要求4所述的膜层清洗装置，其特征在于，所述第一端部和第二端部中至少所述第一端部包括背离所述中间部的凸出结构，其中，所述凸出结构表面设有容纳槽。
8.根据权利要求1所述的膜层清洗装置，其特征在于，所述可移动件为多个，多个所述可移动件的布设方向与所述待清洗芯片的移动方向垂直，且多个所述可移动件均匀布设。
9.根据权利要求1所述的膜层清洗装置，其特征在于，所述膜层清洗装置还包括驱动件，所述驱动件与所述可移动件连接，所述驱动件用于驱动所述可移动件朝所述待清洗芯片方向运动。
10.一种包括权利要求1～9任一权利要求所述的膜层清洗装置的膜层清洗系统，其特征在于，所述膜层清洗系统还包括：冲洗装置和风干装置；
所述冲洗装置用于将经所述膜层清洗装置处理后的芯片进行清洗，以洗去所述芯片表面粘附的清洗液；
所述风干装置用于将所述冲洗装置清洗后的所述芯片进行吹干。
11.一种利用权利要求1～9任一权利要求所述的膜层清洗装置对光伏芯片基板背面CdS膜层进行清洗的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包括：
在所述洗液储槽中加入清洗液，所述清洗液包括酸性溶液和增稠剂；
所述光伏芯片经所述传输件传输至所述清洗液上方，位于所述清洗液中的所述至少一个可移动件朝所述光伏芯片方向移动并与所述光伏芯片基板背面接触，将所述清洗液粘附在所述光伏芯片基板背面，随着所述光伏芯片的移动，所述洗液储槽中的清洗液陆续的粘附在所述光伏芯片基板背面，以清洗所述光伏芯片基板背面的所述CdS膜层。
12.根据权利要求11所述的清洗方法，其特征在于，所述增稠剂为阴离子聚丙烯酰胺或、聚氧化乙烯或聚丙烯酸中的一种。
13.根据权利要求11所述的清洗方法，其特征在于，所述酸性溶液包括酸和水，其中，所述增稠剂、酸与水的质量比为：1～3∶0.8～1.2∶15～20。
CN201810731818.9A 2018-07-05 2018-07-05 一种膜层清洗装置、膜层清洗系统及清洗方法 Pending CN108666248A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810731818.9A CN108666248A (zh) 2018-07-05 2018-07-05 一种膜层清洗装置、膜层清洗系统及清洗方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810731818.9A CN108666248A (zh) 2018-07-05 2018-07-05 一种膜层清洗装置、膜层清洗系统及清洗方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108666248A true CN108666248A (zh) 2018-10-16

Family

ID=63773493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810731818.9A Pending CN108666248A (zh) 2018-07-05 2018-07-05 一种膜层清洗装置、膜层清洗系统及清洗方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108666248A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111326600A (zh) * 2018-12-14 2020-06-23 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 太阳能电池中硫化镉层的制备方法以及膜层的去除装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001179190A (ja) * 1999-12-28 2001-07-03 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
US20020014768A1 (en) * 1999-10-22 2002-02-07 Timer Technologies, Llc Method of making a succession of irreversible thin film displays
KR20090112952A (ko) * 2008-04-25 2009-10-29 한미반도체 주식회사 반도체 패키지 제조장치의 브러쉬 어셈블리
CN101919069A (zh) * 2007-10-22 2010-12-15 吉布尔.施密德有限责任公司 用于涂覆薄膜太阳能电池的载板的方法和装置
TW201317390A (zh) * 2011-10-20 2013-05-01 Axuntek Solar Energy 應用於化學混浴沉積的鍍膜系統
JP2013230634A (ja) * 2012-05-01 2013-11-14 Shibuya Kogyo Co Ltd 印刷マスクのクリーニング方法及びその装置
CN103658072A (zh) * 2012-09-20 2014-03-26 三星显示有限公司 基板清洁装置
CN105097438A (zh) * 2014-05-23 2015-11-25 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种晶片背面清洗装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020014768A1 (en) * 1999-10-22 2002-02-07 Timer Technologies, Llc Method of making a succession of irreversible thin film displays
JP2001179190A (ja) * 1999-12-28 2001-07-03 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
CN101919069A (zh) * 2007-10-22 2010-12-15 吉布尔.施密德有限责任公司 用于涂覆薄膜太阳能电池的载板的方法和装置
KR20090112952A (ko) * 2008-04-25 2009-10-29 한미반도체 주식회사 반도체 패키지 제조장치의 브러쉬 어셈블리
TW201317390A (zh) * 2011-10-20 2013-05-01 Axuntek Solar Energy 應用於化學混浴沉積的鍍膜系統
JP2013230634A (ja) * 2012-05-01 2013-11-14 Shibuya Kogyo Co Ltd 印刷マスクのクリーニング方法及びその装置
CN103658072A (zh) * 2012-09-20 2014-03-26 三星显示有限公司 基板清洁装置
CN105097438A (zh) * 2014-05-23 2015-11-25 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种晶片背面清洗装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111326600A (zh) * 2018-12-14 2020-06-23 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 太阳能电池中硫化镉层的制备方法以及膜层的去除装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104209299B (zh) 太阳能电站综合保洁装置
CN207339780U (zh) 一种自清洁太阳能电池板
CN204657018U (zh) 一种漆包线导体清洗装置
CN202962975U (zh) 烧结炉带的清洁装置及具有其的烧结炉
CN102610691A (zh) 薄膜太阳能电池模组的制备方法及其设备
CN203900007U (zh) 一种太阳能硅片清洗设备
CN208570539U (zh) 一种膜层清洗装置及膜层清洗系统
CN108666248A (zh) 一种膜层清洗装置、膜层清洗系统及清洗方法
US9276523B1 (en) Panel washing systems and methods
CN205165254U (zh) 全方位喷淋箱
CN109860083A (zh) 用于晶硅制绒的链式设备及单面倒金字塔制绒的制备方法
CN204953492U (zh) 一种白玻璃清洗装置
CN103357633A (zh) 一种薄膜太阳能电池玻璃基底的清洗方法
US8697478B2 (en) Cover for protecting solar cells during fabrication
CN209708957U (zh) 一种导电玻璃清洗装置
CN101882684B (zh) 自动洗电池机
CN202741360U (zh) 用于丝网印刷不良片清洗的自动清洗机
CN208131520U (zh) 一种用于太阳能吸热涂层的清洁装置
CN105436110A (zh) 基于太阳能电池的清洁器
CN203536374U (zh) 一种制造晶硅太阳能电池的湿法刻蚀装置
CN106653874B (zh) 一种ⅲ‑ⅴ族太阳电池蒸镀减反射膜的实现方法
CN205428982U (zh) 一种多晶硅太阳能电池片的清洗装置
CN204764050U (zh) 一种光伏组件涂抹肥皂水专用刷子
CN203737648U (zh) 一种衬底单面漂洗装置
CN205518772U (zh) 一种铜箔清洗烘干装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 100076 6015, 6th floor, building 8, 9 Yingshun Road, Yinghai Town, Daxing District, Beijing

Applicant after: Beijing Dingrong Photovoltaic Technology Co.,Ltd.

Address before: 100176 Beijing Daxing District Beijing economic and Technological Development Zone Rongchang East Street 7 hospital 6 Building 3001 room.

Applicant before: BEIJING APOLLO DING RONG SOLAR TECHNOLOGY Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20210413

Address after: 518066 Room 201, building A, No. 1, Qian Wan Road, Qianhai Shenzhen Hong Kong cooperation zone, Shenzhen, Guangdong (Shenzhen Qianhai business secretary Co., Ltd.)

Applicant after: Shenzhen Zhengyue development and Construction Co.,Ltd.

Address before: 100076 6015, 6th floor, building 8, 9 Yingshun Road, Yinghai Town, Daxing District, Beijing

Applicant before: Beijing Dingrong Photovoltaic Technology Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20210915

Address after: 201203 3rd floor, no.665 Zhangjiang Road, China (Shanghai) pilot Free Trade Zone, Pudong New Area, Shanghai

Applicant after: Shanghai zuqiang Energy Co.,Ltd.

Address before: 518066 Room 201, building A, No. 1, Qian Wan Road, Qianhai Shenzhen Hong Kong cooperation zone, Shenzhen, Guangdong (Shenzhen Qianhai business secretary Co., Ltd.)

Applicant before: Shenzhen Zhengyue development and Construction Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20181016

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication