CN108664913B - 一种传感器及其制备方法、面板和识别装置 - Google Patents
一种传感器及其制备方法、面板和识别装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108664913B CN108664913B CN201810421486.4A CN201810421486A CN108664913B CN 108664913 B CN108664913 B CN 108664913B CN 201810421486 A CN201810421486 A CN 201810421486A CN 108664913 B CN108664913 B CN 108664913B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode layer
- sensor
- substrate
- layer
- piezoelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 claims 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1306—Sensors therefor non-optical, e.g. ultrasonic or capacitive sensing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
- H10N30/302—Sensors
-
- H10N30/704—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
Abstract
一种传感器及其制备方法、面板、识别装置，该传感器包括：衬底、设置于所述衬底上的第一电极层、设置于所述第一电极层远离所述衬底侧的第二电极层、设置于所述第一电极层和所述第二电极层之间且分别与所述第一电极层和第二电极层耦接的压电层，其中：所述压电层从远离所述衬底的一侧至靠近所述衬底的一侧在所述衬底上的正投影依次减小。本发明一实施例提供的传感器，降低了制备难度，提高了寿命。
Description
技术领域
本发明涉及电子技术，尤指一种传感器及其制备方法、面板和识别装置。
背景技术
生物识别技术是显示面板及模组发展的一个重要方向，目前常见的实现方法是电容感应，光学探测，压力感应，温度感应和超声波探测等。超声波探测方式因其具有无接触，无遮挡，精度高等优势而受到越来越多的重视。如图1所示，目前的超声波指纹识别器件包括：上电极1-1、压电材料1-2、下电极1-3、衬垫1-4、空气1-5和衬底1-6。该超声波指纹识别器件存在制备难度大，良率低，寿命短，无法适用柔性显示等问题。
发明内容
本发明至少一实施例提供了一种传感器及其制备方法、面板和识别装置，降低制备难度，提高寿命。
为了达到本发明目的，本发明至少一实施例提供了一种传感器，包括：衬底、设置于所述衬底上的第一电极层、设置于所述第一电极层远离所述衬底侧的第二电极层、设置于所述第一电极层和所述第二电极层之间且分别与所述第一电极层和第二电极层耦接的压电层，其中：所述压电层从远离所述衬底的一侧至靠近所述衬底的一侧在所述衬底上的正投影依次减小。
例如，所述压电层在所述衬底上的正投影为圆形或正方形。
例如，所述第一电极层设置在所述衬底的表面。
例如，所述传感器还包括设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间、所述压电层之外的衬垫层，所述衬垫层设置有至少一个环绕所述压电层且填充有介质的腔体。例如，所述腔体填充的介质的声阻抗大于所述衬垫层的声阻抗。
例如，所述介质为空气。
例如，所述腔体垂直于所述第一电极层。需要说明的是，所述腔体也可以和第一电极层不垂直
例如，所述腔体为贯通槽。
例如，所述传感器用于进行超声波生物特征识别。
本发明一实施例提供一种面板，包括至少一个任一实施例所述的传感器。
本发明一实施例提供一种识别装置，包括上述面板。
例如，所述识别装置还包括：控制模块、信号采集模块和识别模块，其中：
所述控制模块用于，向所述传感器施加第一电信号；
所述传感器用于，接收到所述第一电信号后，产生超声波信号并发射出去，接收反射回来的超声波信号，输出第二电信号；
所述信号采集模块用于，采集所述传感器输出的第二电信号；
所述识别模块用于，对所述第二电信号进行处理，生成识别图像。
本发明一实施例提供一种传感器制备方法，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成第一电极层；
在所述第一电极层表面形成压电层；所述压电层从远离所述衬底的一侧至靠近所述衬底的一侧在所述衬底上的正投影依次减小；
在所述压电层表面形成第二电极层。
例如，所述在所述第一电极层表面形成压电层包括：
在所述第一电极层表面形成衬垫层，在所述衬垫层通过构图工艺形成一开口以暴露所述第一电极层，在所述开口内旋涂压电材料形成所述压电层；
所述方法还包括，在所述衬垫层通过构图工艺形成至少一个环绕所述压电层的腔体。
与相关技术相比，本发明一实施例中，将压电层设置成上大下小的反射杯结构，利用反射杯原理保证了较高的压电转换效率，降低了制备难度，提高了良率和寿命。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为相关技术中超声波指纹识别器件结构示意图；
图2为本发明一实施例提供的传感器结构示意图；
图3a为本发明另一实施例提供的传感器结构示意图；
图3b为本发明另一实施例提供的传感器结构示意图；
图4为本发明一实施例提供的传感器横向剖面图；
图5为本发明一实施例提供的超声波反射示意图；
图6为本发明一实施例提供的指纹识别示意图；
图7为本发明一实施例提供的面板示意图；
图8为本发明一实施例提供的识别装置示意图；
图9为本发明一实施例提供的一种传感器制备方法流程图；
图10a～图10d为本发明一实施例提供的一种传感器制备方法过程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
相关技术中的超声波指纹识别器件主要采用(MEMS Micro-Electro-MechanicalSystem，微机电系统)方法，需要采用悬臂梁结构，存在制备难度大，良率低，寿命短，无法适用柔性显示等问题。本申请中采用反射杯结构实现，可以不使用悬臂梁。
图2是本实施例提供的传感器的纵向剖面图，如图2所示，本发明一实施例提供一种传感器，包括衬底2-1、设置于所述衬底2-1上的第一电极层2-2、设置于所述第一电极层2-2远离所述衬底侧的第二电极层2-3、设置于所述第一电极层2-2和所述第二电极层2-3之间且分别与所述第一电极层和第二电极层耦接的压电层2-4，其中：所述压电层2-4从远离所述衬底2-1的一侧至靠近所述衬底2-1的一侧在所述衬底上的正投影依次减小。即压电层2-4靠近衬底2-1一侧小，远离衬底2-1一侧大，形成一杯形结构，称之反射杯。需要说明的是，图2中压电层2-4的形状仅为示例，本申请不限于此，比如，图2中压电层2-4截面为梯形结构，在其他实施例中，该梯形结构的两侧也可是不是直线，而是一弧线。
例如，所述第一电极层2-2和所述第二电极层2-3可使用ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)或者银纳米线等制成。
例如，所述压电层2-4采用压电材料制成，所述压电材料比如为PVDF(聚偏氟乙烯)，当然，本申请不限于此，也可使用其他类型的压电材料。所述压电层2-4用于实现电信号与超声波信号的转换。具体的，在第一电极层2-2和第二电极层2-3之间加上电信号后，PVDF将其转换为超声波信号；超声波信号被反射回来进行入PVDF后，PVDF将其转换为电信号。
在一实施例中，如图2所示，所述传感器还包括衬垫层2-5，所述衬垫层2-5设置在所述第一电极层2-2和所述第二电极层2-3之间，所述压电层2-4之外。例如，所述衬垫层2-5可使用硅的氧化物或硅的氮化物或光刻胶制成。
本实施例提供的传感器，通过压电层2-4的杯形结构限制超声波的传播方向，使得超声波传播方向束缚在反射杯的上侧(面积较大的一侧)，经过多次反射折射超声波会在反射杯的上侧增强，降低介质中传播造成的信号衰减影响，提高传感器的探测能力。
在一实施例中，所述第一电极层2-2设置在所述衬底2-1的表面。本实施例中，该传感器可以不需要悬臂梁结构，降低了制备难度，提高了良率和使用寿命，可以适用柔性显示，为该传感器适用于显示产品全屏化和柔性化的发展方向提供了技术基础。需要说明的是，在其他实施例中，第一电极层2-2和衬底2-1之间也可以加入其他层。比如，加入悬臂梁结构。
一般的，压电层2-4设置在第一电极层2-2的正中，当然，本申请不限于此，也可以设置在偏左或偏右的位置。
如图3a所示，本发明一实施例提供一种传感器，与图2所示的传感器的不同之处在于，所述衬垫层2-5设置有至少一个环绕所述压电层2-4且填充有介质的腔体2-6，所述腔体2-6填充的介质的声阻抗大于所述衬垫层的声阻抗。腔体形成的结构下文中称为声阻栅结构。
该实施例中，利用衬垫层2-5和腔体2-6交界处的高声阻反射特性，极大减少超声波在横向的传播扩散，进一步增大超声波信号在反射杯方向的能量，减少信号传播的衰减，提高了传感器的探测能力。
例如，所述介质为空气。当然，也可以是其他物质，比如氮化硅(SiNx)、二氧化硅(SiO2)等。
例如，所述腔体2-6垂直于所述第一电极层2-2。腔体2-6垂直设置时，反射效果好于非垂直设置。当然，腔体2-6也可以非垂直设置。
例如，所述腔体2-6为贯通槽(即穿透整个衬垫层2-5，如图3a所示)也可以是非贯通槽(如图3b所示)。所述腔体2-6包括多个时，可以部分是贯通槽，部分是非贯通槽。
例如，所述腔体2-6可以设置一个，也可以设置多个，所述衬垫层2-5设置有多个腔体时，所述多个腔体等距分布。当然，也可以非等距分布。腔体2-6的大小可以根据需要设定。
在另一实施例中，所述腔体2-6也可以不完全围绕所述压电层2-4，比如，部分环绕。
本实施例提供的传感器，反射杯结构可以减少超声波的扩散能量损耗，增强其方向性；声阻栅结构可以减少超声波的横向损耗；另外，不需要MEMS，降低了制备难度，提高了良率和寿命，而且可以应用于柔性显示屏。
图4为本发明一实施例提供的传感器的横向剖视图，如图4所示，可以看到所述压电层2-4在所述衬底上的正投影为圆形或正方形，即压电层2-4的横截面为圆形或正方形。需要说明的是，此处仅为示例，所述压电层2-4在衬底上的正投影也可以是其他形状，比如长方形等。另外，可以看到腔体2-6环绕所述压电层2-4，从而可以将超声波反射回压电层2-4，减少损耗。该压电层2-4可以是一个底端小顶端大的圆柱形结构，或者，底端小顶端大的方形柱体结构。
下面结合图5说明一下该传感器中超声波的反射过程。如图5所示，超声波沿箭头401和箭头402方向反射至反射杯上侧，实现了超声波的增强。该反射杯结构利用其界面形状限制声波的传播方向，使得声波传播方向束缚在反射杯开口方向，经过多次反射折射超声波会在开口方向上能量增强，降低介质中传播造成的信号衰减影响。另外，如箭头403示意，超声波达到腔体和衬垫层的界面时，被反射回反射杯处，从而减少了超声波在横向的损耗。即声阻栅结构则利用介质和空气界面的高声阻反射特性，极大减少超声波在横向的传播扩散，进一步增大超声波信号在反射杯方向的能量，减少信号传播的衰减，提高传感器的探测能力。
下面结合图6说明一下使用该传感器实现指纹识别的过程。如图6所示，第二电极层2-3上设置有显示屏6-1，手指6-2放置在显示屏6-1上的指纹扫描区域。开启指纹扫描功能后，在第一电极层2-2和第二电极层2-3之间加上交流电信号，由于PVDF材料的压电特性，交流电信号被转换为超声波信号6-3，经由反射杯和声阻栅限制后向上穿过显示屏6-1遇到手指6-2后发生反射生成发射信号6-4(该反射信号6-4也是超声波信号)，反射信号6-4原路返回到PVDF上在第一电极层2-2和第二电极层2-3间产生交流电信号。手指6-2的谷和脊(即指纹的谷和脊)不同位置反射回来的超声波信号强度不同，这样在第一电极层2-2和第二电极层2-3间产生的电信号强度也就不同，将该电信号通过信号采集模块和识别模块进行处理可以得到指纹图像实现指纹识别功能。同样，此结构也可以实现对掌纹，皮肤和其他生物体征的测试。
如图7所示，本发明一实施例提供一种面板70，其包括至少一个上述实施例所述的传感器71。在另一实施例中，该面板70包括一显示屏72，该显示屏72设置在所述第二电极层2-3远离所述衬底的一侧。该显示屏72用于提供一供用户触摸的触摸面。传感器71发出的超声波信号穿过显示屏72到达手指，手指反射的超声波信号穿过显示屏72到达传感器71，传感器71将该超声波信号转换为电信号。该传感器71设置在该面板70的非显示区。
在另一实施例中，该面板包括多个传感器组成的传感器阵列。该面板可以是液晶显示面板，有机发光二极管面板等。
如图8所示，本发明一实施例提供一种识别装置，包括上述面板70。该识别装置还可包括控制模块81、信号采集模块82和识别模块83，其中：
所述控制模块81用于，向所述传感器71施加第一电信号；
所述传感器71用于，接收到所述第一电信号后，产生超声波信号并发射出去，接收反射回来的超声波信号，输出第二电信号；
所述信号采集模块82用于，采集所述传感器71输出的第二电信号；
所述识别模块83用于，对所述第二电信号进行处理，生成识别图像。
其中，该识别图像比如为指纹图像、掌纹图形等，从而实现生物特征识别，比如指纹识别、掌纹识别等。当然，本申请也不限于生物特征识别，也可以用于其他纹理识别。该识别装置可以是独立的探测设备，也可以集成在终端、平板、门禁系统等设备上。
如图9所示，本发明一实施例提供一种传感器制备方法，包括：
步骤901，提供衬底；
步骤902，在所述衬底上形成第一电极层；
步骤903，在所述第一电极层表面形成压电层；所述压电层从远离所述衬底的一侧至靠近所述衬底的一侧在所述衬底上的正投影依次减小；
步骤904，在所述压电层表面形成第二电极层。
在一实施例中，所述步骤903中在所述第一电极层表面形成压电层包括：
在所述第一电极层表面形成衬垫层，在所述衬垫层通过构图工艺形成一开口以暴露所述第一电极层，在所述开口内旋涂压电材料形成所述压电层；
所述方法还包括，在所述衬垫层通过构图工艺形成至少一个环绕所述压电层的腔体。
图10a～10d是本发明一实施例中传感器制备方法过程图。参照图10a～10d，本实施例提供的传感器制备方法包括以下步骤。
如图10a所示，在衬底2-1上利用溅射、淀积、光刻等构图工艺形成第一电极层2-2。第一电极层2-2为电极矩阵。该衬底2-1可以是一个玻璃基板。该第一电极层2-2的材料可以为ITO或者银纳米线等。
在本实施例中，构图工艺例如为光刻构图工艺，例如包括：在需要被构图的结构层上涂覆光刻胶层，使用掩膜板对光刻胶层进行曝光，对曝光的光刻胶层进行显影以得到光刻胶图案，使用光刻胶图案对结构层进行蚀刻，然后可选地去除光刻胶图案。根据需要，构图工艺还可以是丝网印刷、喷墨打印方法等。
如图10b所示，在所述第一电极层2-2上沉积衬垫层薄膜形成衬垫层2-5，并对该衬垫层2-5进行构图工艺以形成衬垫腔体2-6和反射杯区域2-4’，衬垫层2-5材料包括SiNx、氧化硅(SiOx)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)或其他适合的材料。其中，可以使用半色调掩膜(Half-Tone Mask)一次性实现反射杯区域2-4’和声阻栅(即腔体2-6)的曝光图形。
如图10c所示，使用旋涂设备在反射杯区域2-4’旋涂压电材料以形成压电层2-4，进行固化，晶化和极化等PVDF制备工艺；所述压电材料比如为PVDF。所述压电材料用于实现电信号与超声波信号的转换。
如图10d所示，在所述衬垫层2-5上利用溅射光刻等构图工艺形成第二电极层2-3。
有以下几点需要说明：
(1)本发明实施例附图只涉及到与本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
(3)在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (12)
1.一种传感器，包括：衬底、设置于所述衬底上的第一电极层、设置于所述第一电极层远离所述衬底侧的第二电极层、设置于所述第一电极层和所述第二电极层之间且分别与所述第一电极层和第二电极层耦接的压电层，其中：所述压电层从远离所述衬底的一侧至靠近所述衬底的一侧在所述衬底上的正投影依次减小；还包括设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间、所述压电层之外的衬垫层，所述衬垫层设置有至少一个环绕所述压电层且填充有介质的腔体。
2.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述压电层在所述衬底上的正投影为圆形或正方形。
3.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述第一电极层设置在所述衬底的表面。
4.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述腔体填充的介质的声阻抗大于所述衬垫层的声阻抗。
5.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述介质为空气。
6.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述腔体垂直于所述第一电极层。
7.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述腔体为贯通槽。
8.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述传感器用于进行超声波生物特征识别。
9.一种面板，其特征在于，包括至少一个如权利要求1至8任一所述的传感器。
10.一种识别装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的面板。
11.如权利要求10所述的识别装置，其特征在于，所述识别装置还包括：控制模块，信号采集模块和识别模块，其中：
所述控制模块用于，向所述传感器施加第一电信号；
所述传感器用于，接收到所述第一电信号后，产生超声波信号并发射出去，接收反射回来的超声波信号，输出第二电信号；
所述信号采集模块用于，采集所述传感器输出的第二电信号；
所述识别模块用于，对所述第二电信号进行处理，生成识别图像。
12.一种传感器制备方法，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成第一电极层；
在所述第一电极层表面形成压电层，包括：在所述第一电极层表面形成衬垫层，在所述衬垫层通过构图工艺形成一开口以暴露所述第一电极层，在所述开口内旋涂压电材料形成所述压电层；所述压电层从远离所述衬底的一侧至靠近所述衬底的一侧在所述衬底上的正投影依次减小；还包括，在所述衬垫层通过构图工艺形成至少一个环绕所述压电层的腔体；
在所述压电层表面形成第二电极层。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810421486.4A CN108664913B (zh) | 2018-05-04 | 2018-05-04 | 一种传感器及其制备方法、面板和识别装置 |
| US16/482,008 US20200356744A1 (en) | 2018-05-04 | 2019-01-10 | Sensor, manufacturing method thereof, panel and recognition device |
| PCT/CN2019/071079 WO2019210708A1 (zh) | 2018-05-04 | 2019-01-10 | 传感器及其制备方法、面板和识别装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810421486.4A CN108664913B (zh) | 2018-05-04 | 2018-05-04 | 一种传感器及其制备方法、面板和识别装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108664913A CN108664913A (zh) | 2018-10-16 |
| CN108664913B true CN108664913B (zh) | 2020-04-07 |
Family
ID=63780691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810421486.4A Active CN108664913B (zh) | 2018-05-04 | 2018-05-04 | 一种传感器及其制备方法、面板和识别装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20200356744A1 (zh) |
| CN (1) | CN108664913B (zh) |
| WO (1) | WO2019210708A1 (zh) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108664913B (zh) * | 2018-05-04 | 2020-04-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种传感器及其制备方法、面板和识别装置 |
| CN109829419B (zh) | 2019-01-28 | 2021-08-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 指纹识别模组及其驱动方法和制作方法、显示装置 |
| CN110350079A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-10-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种压电元件及其制备方法和超声传感器 |
| CN112115753B (zh) * | 2019-07-22 | 2023-12-19 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 指纹识别模组及其制造方法、电子设备 |
| CN110572756A (zh) * | 2019-09-11 | 2019-12-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 定向薄膜换能器及其制备方法、扬声器 |
| CN111245995B (zh) * | 2020-01-13 | 2021-04-30 | Oppo广东移动通信有限公司 | 麦克风组件及电子设备 |
| CN111866680B (zh) * | 2020-07-15 | 2022-08-30 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 超声换能器与电子设备 |
| CN114421913B (zh) * | 2022-01-20 | 2024-01-26 | 武汉敏声新技术有限公司 | 一种谐振器及其制备方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5599203B2 (ja) * | 2010-03-02 | 2014-10-01 | キヤノン株式会社 | 圧電薄膜、圧電素子、圧電素子の製造方法、液体吐出ヘッドおよび超音波モータ |
| JP5556514B2 (ja) * | 2010-09-06 | 2014-07-23 | 日立金属株式会社 | 圧電体薄膜ウェハの製造方法、圧電体薄膜素子、及び圧電体薄膜デバイス |
| US10008659B2 (en) * | 2014-12-09 | 2018-06-26 | Lg Innotek Co., Ltd. | Fingerprint sensor |
| CN107403129A (zh) * | 2017-04-05 | 2017-11-28 | 王开安 | 超声波指纹识别模组、超声波指纹识别器件及电子设备 |
| CN207182315U (zh) * | 2017-09-12 | 2018-04-03 | 南昌欧菲生物识别技术有限公司 | 显示模组及电子装置 |
| CN108664913B (zh) * | 2018-05-04 | 2020-04-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种传感器及其制备方法、面板和识别装置 |
-
2018
- 2018-05-04 CN CN201810421486.4A patent/CN108664913B/zh active Active
-
2019
- 2019-01-10 US US16/482,008 patent/US20200356744A1/en not_active Abandoned
- 2019-01-10 WO PCT/CN2019/071079 patent/WO2019210708A1/zh active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108664913A (zh) | 2018-10-16 |
| US20200356744A1 (en) | 2020-11-12 |
| WO2019210708A1 (zh) | 2019-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108664913B (zh) | 一种传感器及其制备方法、面板和识别装置 | |
| WO2020156249A1 (zh) | 指纹识别模组及其驱动方法和电子装置 | |
| WO2020259201A1 (zh) | 压电传感器及制备方法、进行指纹识别的方法及电子设备 | |
| US11222192B2 (en) | Ultrasonic fingerprint recognition module, fabricating method thereof, and display device | |
| CN108140115A (zh) | 集成的压电微机械超声换能器像素和阵列 | |
| KR102433315B1 (ko) | 초음파 트랜스듀서가 임베디드된 유기 발광 다이오드 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
| CN107170360B (zh) | 显示屏及其制备方法、移动终端 | |
| RU2475892C2 (ru) | Тонкопленочный детектор для детектирования присутствия | |
| US8139827B2 (en) | Biometrical object reader having an ultrasonic wave manipulation device | |
| US11263426B2 (en) | Fingerprint identification device and driving method thereof, display device | |
| JP2017528940A (ja) | 圧電超音波トランスデューサおよびプロセス | |
| JP7323521B2 (ja) | アレイ基板及びその製造方法、並びに表示装置 | |
| CN109948496B (zh) | 一种指纹识别器件及显示装置 | |
| CN107451572B (zh) | 超声波指纹识别模组及电子设备 | |
| WO2020253473A1 (zh) | 压电传感器组件及其制作方法以及显示面板和电子装置 | |
| US11329108B2 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
| TW469355B (en) | Electrical connection scheme for optical devices | |
| CN112016458A (zh) | 超声波收发结构、指纹识别模组、显示面板及显示模组 | |
| TWI725826B (zh) | 類壓電ｄ３３振動式裝置及整合其的顯示器 | |
| CN109726702B (zh) | 显示面板及其制造方法、显示装置 | |
| JP6221679B2 (ja) | 超音波デバイスおよびプローブ並びに電子機器および超音波画像装置 | |
| CN112329672A (zh) | 指纹识别模组及其制备方法、显示面板、显示装置 | |
| JP2006343921A (ja) | タッチパネルの製造方法及び電気光学装置の製造方法 | |
| CN113168504A (zh) | 指纹识别结构及显示装置 | |
| WO2021217439A1 (zh) | 超声换能器、信息采集元件及电子设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |