CN108660418B - 一种基材加工方法和目标基材、电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种基材加工方法和目标基材、电子设备，所述方法包括：将初始基材固定于镀膜挂架上；其中，所述镀膜挂架位于镀炉内；调节所述镀炉内的真空度；当所述镀炉内真空度符合预设真空度时，在镀炉内通入氩气，以及，控制所述镀膜挂架以预设速率进行旋转；在接通预设频率的振荡电源的条件下，将高折射率靶材及低折射率靶材按照预设顺序沉积至所述初始基材，获得目标基材；本发明实施例的基材加工方法，不会对环境造成污染，在使用过程中，对移动终端的信号没有影响，提高通信的效率。

Description

一种基材加工方法和目标基材、电子设备
技术领域
本发明涉及镀膜技术领域，特别是涉及一种基材加工方法和一种目标基材、一种电子设备。
背景技术
随着消费类电子产品的日新月异，各品牌之间的电子产品竞争激烈，消费者对于消费类电子产品(如移动终端)的要求也越来越高，除了移动终端的硬件规格(例如处理器、屏幕尺寸与像素、网络制式、相机像素等)外，消费者也非常看重移动终端的外观设计。
以移动终端的外置的透明保护壳为例，要做到明亮的彩色金属质感效果，目前常用的工艺有在透明保护壳上喷涂金属漆或真空金属镀膜等表面处理工艺，但市场同质化严重，缺乏新颖性。
进一步地，经过喷涂金属漆工艺处理后的透明保护壳质感较普通，且处理过程会对环境造成污染；而经过真空镀金属膜工艺处理后的透明保护壳达不到明亮颜色的效果，且壳体在使用过程会对移动终端的信号产生干扰，有氧化发黑的问题。
发明内容
本发明实施例提供一种基材的加工方法和一种目标基材、一种电子设备，而经过真空镀金属膜工艺处理后的保护壳在使用过程会对移动终端的信号产生干扰，有氧化发黑的上述问题。
为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种基材的加工方法，所述方法包括：
将初始基材固定于镀膜挂架上；其中，所述镀膜挂架位于镀炉内；
调节所述镀炉内的真空度；
当所述镀炉内真空度符合预设真空度时，在镀炉内通入氩气，以及，控制所述镀膜挂架以预设速率进行旋转；
在接通预设频率的振荡电源的条件下，将高折射率靶材及低折射率靶材按照预设顺序沉积至所述初始基材，获得目标基材。
本发明实施例还公开了一种目标基材，包括：壳体层和/或PET膜层、交替叠加的多层低折射率膜层及多层高折射率膜层；
所述壳体层和/或PET膜层、所述交替叠加的多层低折射率膜层及多层高折射率膜依次由上自下排列；其中，所述交替叠加的多层低折射率膜层及多层高折射率膜层由低折射率靶材及高折射率靶材在接通预设频率的振荡电源的条件下按照预设顺序沉积而成的。
本发明实施例还公开了一种电子设备，包括上述的目标基材。
本发明实施例包括以下优点：
本发明实施例中，所述方法应用于镀膜设备，所述镀膜设备包括镀膜挂架及镀炉，所述方法包括：将初始基材固定于所述镀膜挂架上；其中，所述镀膜挂架位于所述镀炉内；调节所述镀炉内的真空度；当所述镀炉内真空度符合预设真空度时，在镀炉内通入氩气，以及，控制所述镀膜挂架以预设速率进行旋转；在接通预设频率的振荡电源的条件下，将高折射率靶材及低折射率靶材按照预设顺序沉积至所述初始基材，获得目标基材；本发明实施例的基材加工方法，不会对环境造成污染，在使用过程中，对移动终端的信号没有影响，提高通信的效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；
图1是本发明实施例的一种基材加工方法实施例一的步骤流程图；
图2是本发明实施例的一种基材加工方法实施例二的步骤流程图；
图3是本发明实施例的一种目标基材的结构框图；
图4是本发明实施例的另一种目标基材的结构框图；
图5是本发明实施例的另一种目标基材的结构框图；
图6是本发明实施例的另一种目标基材的结构框图。
具体实施方式
为了使本发明实施例所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明实施例进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
参照图1，示出了本发明实施例的一种基材加工方法实施例一的步骤流程图，应用于镀膜设备，所述镀膜设备包括镀膜挂架及镀炉，具体可以包括如下步骤：
步骤101，将初始基材固定于所述镀膜挂架上；其中，所述镀膜挂架位于所述镀炉内；
本发明实施例中，所述基材加工方法可以应用于所述镀膜设备，所述镀膜设备可以包括镀膜挂架及镀炉，需要说明的是，所述镀膜挂架可以为圆盖形的挂架，其上包括旋转轴及圆盖；所述圆盖中具有设置有多条环形的水冷管；所述水冷管用于在沉积时针对所述初始基材进行冷却；能够有效地减少因镀膜时产生的热量而引起膜材料变形的缺陷，提高加工工艺效率。
进一步地，镀膜设备首先可以将初始基材固定于所述镀膜挂架上，其中，所述初始基材包括膜材料和/或壳体材料；优选地，所述膜材料可以包括PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯，Polyethylene terephthalate)膜层；所述壳体材料可以包括PC(Polycarbonate，聚碳酸酯)材质的壳体；进一步地，所述初始基材还可以同时由膜材料及壳体材料贴合而成；如将PET膜层覆盖于PC壳体之上组成初始基材。
步骤102，调节所述镀炉内的真空度；
实际应用到本发明实施例中，所述镀膜设备可以在初始基材固定于所述镀膜挂架之后，再行调节所述镀炉内的真空度；即针对所述镀炉进行抽真空操作，具体而言，所述镀膜设备可以采用真空泵或压缩机调节所述镀炉内的真空度，本发明实施例对此不作限制。
步骤103，当所述镀炉内真空度符合预设真空度时，在镀炉内通入氩气，以及，控制所述镀膜挂架以预设速率进行旋转；
进一步应用到本发明实施例中，当所述镀膜设备判定所述镀炉内真空度符合预设真空度时，则向镀炉内通入氩气，同时，所述镀膜设备控制所述镀膜挂架以预设速率进行旋转，镀膜挂架旋转时可以在一定程度上释放膜层的内在应力，使靶材形成的膜层与初始基材结合得更牢固，提高目标基材的使用性能。
需要说明的是，所述预设真空度可以是本领域技术人员根据实际情况而设定的任何数值，如1×10-4Pa等，本发明实施例对此不作限制。
具体应用到本发明实施例中，所述预设速率同样可以是本领域技术人员根据实际情况而设定的任何数值，如1转每分钟，或5转每分钟，或10转每分钟，本发明实施例对此不作限制。
步骤104，在接通预设频率的振荡电源的条件下，将高折射率靶材及低折射率靶材按照预设顺序沉积至所述初始基材，获得目标基材。
实际应用到本发明实施例中，当所述镀膜设备判定所述镀炉内真空度符合预设真空度，并向镀炉内通入氩气且所述镀膜挂架以预设速率开始旋转后，在接通预设频率的振荡电源的条件下，所述镀膜设备将高折射率靶材及低折射率靶材按照预设顺序依次沉积至所述初始基材，获得目标基材。
具体地，所述预设频率的振荡电源可以为大于10MHz的超高频振荡电源，如20MHz或30MHz等，本发明实施例对此不作限制；进一步地，所述镀膜设备可以将高折射率靶材及低折射率靶材交替叠加地沉积至所述初始基材，电源频率越高，镀膜效率越高，膜层也越致密，膜层附着力更强，同时温度也更低；需要说明的是，所述高折射率靶材可以包括铟、锡、铝、镍等材料，本发明实施例对此不作限制，而所述低折射率靶材可以包括二氧化硅、二氧化钛等材料，本发明实施例对此不作过多的限制。
需要说明的是，所述镀膜设备可以在初始基材的基础上先采用低折射率靶材沉积一层低折射率膜层，进一步地，在低折射率膜层的基础上采用高折射率靶材沉积一层高折射率膜层，如此交替叠加进行沉积，形成低折射率膜层与高折射率膜层交替分布的目标基材。
本发明实施例中，所述方法应用于镀膜设备，所述镀膜设备包括镀膜挂架及镀炉，所述方法包括：将初始基材固定于所述镀膜挂架上；其中，所述镀膜挂架位于所述镀炉内；调节所述镀炉内的真空度；当所述镀炉内真空度符合预设真空度时，在镀炉内通入氩气，以及，控制所述镀膜挂架以预设速率进行旋转；在接通预设频率的振荡电源的条件下，将高折射率靶材及低折射率靶材按照预设顺序沉积至所述初始基材，获得目标基材；本发明实施例的基材加工方法，不会对环境造成污染，在使用过程中，对移动终端的信号没有影响，提高通信的效率。
参照图2，示出了本发明实施例的一种基材加工方法实施例二的步骤流程图，应用于镀膜设备，所述镀膜设备包括镀膜挂架及镀炉，具体可以包括如下步骤：
步骤201，针对所述初始基材进行纹理转印；
本发明实施例中，所述镀膜设备在将初始基材固定于所述镀膜挂架之前，可以针对所述初始基材进行纹理转印；即在初始基材上添加纹理层；举例而言，可以在膜材料上进行纹理转印，形成纹理层。
步骤202，将初始基材固定于所述镀膜挂架上；其中，所述镀膜挂架位于所述镀炉内；
进一步应用到本发明实施例中，所述基材加工方法可以应用于所述镀膜设备，所述镀膜设备可以包括镀膜挂架及镀炉，需要说明的是，所述镀膜挂架可以为圆盖形的挂架，其上包括旋转轴及圆盖；所述圆盖中具有设置有多条环形的水冷管；所述水冷管用于在沉积时针对所述初始基材进行冷却，所所述镀膜挂架位于所述镀炉内；镀膜设备首先可以将初始基材固定于所述镀膜挂架上。
本发明实施例的一种优选实施例中，所述镀膜挂架内设置有一条或多条环形的水冷管，所述方法还包括：在沉积时采用所述水冷管针对所述初始基材进行冷却。
步骤203，调节所述镀炉内的真空度；
本发明实施例中，所述镀膜设备可以在初始基材固定于所述镀膜挂架之后，再行调节所述镀炉内的真空度；即针对所述镀炉进行抽真空，具体而言，所述镀膜设备可以采用真空泵或压缩机调节所述镀炉内的真空度。
步骤204，当所述镀炉内真空度下降至1×10-4Pa时，在镀炉内通入氩气，以及，控制所述镀膜挂架以预设速率进行旋转；其中，所述预设速率为1至10转每分钟；
具体而言，当所述镀炉内真空度下降至1×10-4Pa时，所述镀膜设备在镀炉内通入氩气，以及，控制所述镀膜挂架以预设速率进行旋转；其中，所述预设速率可以为1至10转每分钟，镀膜挂架旋转时可以在一定程度上释放膜层的内在应力，使靶材形成的膜层与初始基材结合得更牢固，提高目标基材的使用性能。
步骤205，在接通大于10MHz的超高频振荡电源的条件下，将高折射率靶材及低折射率靶材按照预设顺序沉积至所述初始基材；获得目标基材。
具体地，所述预设频率的振荡电源可以为大于10MHz的超高频振荡电源，所述镀膜设备可以将高折射率靶材及低折射率靶材交替叠加地沉积至所述初始基材，电源频率越高，镀膜效率越高，膜层也越致密，膜层附着力更强，同时温度也更低，需要说明的是，所述高折射率靶材可以包括铟、锡、铝、镍等材料，而所述低折射率靶材可以包括二氧化硅、二氧化钛等材料。
需要说明的是，所述镀膜设备可以在初始基材的基础上先采用低折射率靶材沉积一层低折射率膜层，进一步地，在低折射率膜层的基础上采用高折射率靶材沉积一层高折射率膜层，如此交替叠加进行沉积，形成低折射率膜层与高折射率膜层交替分布的目标基材，即在接通预设频率的振荡电源的条件下，将高折射率靶材及低折射率靶材交替叠加沉积至所述初始基材；获得目标基材。
本发明实施例中，针对所述初始基材进行纹理转印；将初始基材固定于所述镀膜挂架上；其中，所述镀膜挂架位于所述镀炉内；调节所述镀炉内的真空度；当所述镀炉内真空度下降至1×10-4Pa时，在镀炉内通入氩气，以及，控制所述镀膜挂架以预设速率进行旋转；其中，所述预设速率为1至10转每分钟；在接通大于10MHz的超高频振荡电源的条件下，将高折射率靶材及低折射率靶材按照预设顺序沉积至所述初始基材；获得目标基材；本发明实施例的基材加工方法，不会对环境造成污染，在使用过程中，对移动终端的信号没有影响，提高通信的效率；极大的扩展了产品的应用范围。
参照图3，示出了本发明实施例的一种目标基材实施例三的结构框图，具体可以包括：壳体层305和/或PET膜层301、交替叠加的多层低折射率膜层303及多层高折射率膜层304；
本发明实施例的一种优选实施例中，所述壳体层305和/或PET膜层301、所述交替叠加的多层低折射率膜层303及多层高折射率膜层304依次由上自下排列；其中，所述交替叠加的多层低折射率膜层303及多层高折射率膜层304由低折射率靶材及高折射率靶材在接通预设频率的振荡电源的条件下按照预设顺序沉积而成的。
进一步地，所述目标基材还包括纹理层302及光学胶层306；所述纹理层302位于所述壳体层305和/或PET膜层301与所述交替叠加的多层低折射率膜层303及多层高折射率膜304之间；所述壳体层305及所述光学胶层306位于所述PET膜层301之上，所述光学胶层306用于连接所述壳体层305及所述PET膜层301。
其中，所述光学胶层306可以包括OCA(光学透明胶粘剂，Optically ClearAdhesive)胶层等，本发明实施例对此不作限制。
需要说明的是，所述镀膜设备可以在初始基材的基础上先采用低折射率靶材沉积一层低折射率膜层303，进一步地，在低折射率膜层的基础上采用高折射率靶材沉积一层高折射率膜层304，如此交替叠加，形成低折射率膜层303与高折射率膜层304交替分布的目标基材；即最后一层膜层设计为低折射率膜层303，折射率膜层层数大于3层，根据需要的反射光波的波长，适当调整低折射率膜层303与高折射率膜层304的厚度，实现全可见光波段的高反射率，参照图4-6，示出了本发明实施例的另外几种的目标基材的结构框图，如图所示，所以折射率膜层的膜层厚度可以设计成连续小梯度递减形式或者连续小梯度递增形式，当然还可以设计成各个膜层厚度相同的形式，或者设计成各个膜层厚度不均匀的形式，图3中各折射率膜层的膜层厚度连续小梯度递减；而图4中各折射率膜层的膜层厚度连续小梯度递增；图5中各折射率膜层的膜层厚度相同；图6中各折射率膜层的膜层厚度各不相同；当然，还可以包括其他的膜层厚度的排列分布，本发明实施例对此不作限制，以实现较为完整的全波段光波的高反射率。需要说明的是，图3至图6的折射率膜层因位置关系并未完全标出，颜色相同的膜层即为同一种高折射率膜层或低折射率膜层。
本发明实施例中，壳体层和/或PET膜层、交替叠加的多层低折射率膜层及多层高折射率膜层；所述壳体层和/或PET膜层、所述交替叠加的多层低折射率膜层及多层高折射率膜依次由上自下排列；其中，所述交替叠加的多层低折射率膜层及多层高折射率膜层由低折射率靶材及高折射率靶材在接通预设频率的振荡电源的条件下按照预设顺序沉积而成的；本发明实施例的目标基材，不会对环境造成污染，在使用过程中，对移动终端的信号没有影响，提高通信的效率；极大的扩展了产品的应用范围。
本发明实施例还公开了一种电子设备，包括上述的目标基材。
需要说明的是，对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明实施例所必须的。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
本领域内的技术人员应明白，本发明实施例的实施例可提供为方法、装置、或计算机程序产品。因此，本发明实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明实施例是参照根据本发明实施例的方法、终端设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理终端设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理终端设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理终端设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理终端设备上，使得在计算机或其他可编程终端设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程终端设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种基材的加工方法和一种目标基材，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (7)

1.一种基材的加工方法，其特征在于，所述方法包括：
将初始基材固定于镀膜挂架上；其中，所述镀膜挂架位于镀炉内；
调节所述镀炉内的真空度；
当所述镀炉内真空度符合预设真空度时，在镀炉内通入氩气，以及，控制所述镀膜挂架以预设速率进行旋转；
在接通预设频率的振荡电源的条件下，将高折射率靶材及低折射率靶材按照预设顺序沉积至所述初始基材，获得目标基材；其中，所述目标基材中折射率膜层的膜层厚度为连续小梯度递减形式，或，连续小梯度递增形式；
其中，所述镀膜挂架内设置有一条或多条环形的水冷管，所述方法还包括：
在沉积时采用所述水冷管针对所述初始基材进行冷却；
其中，所述在接通预设频率的振荡电源的条件下，将高折射率靶材及低折射率靶材按照预设顺序沉积至所述初始基材，获得目标基材的步骤包括：
在接通大于10MHz的超高频振荡电源的条件下，将高折射率靶材及低折射率靶材按照预设顺序沉积至所述初始基材，获得目标基材。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述初始基材包括膜材料和/或壳体材料。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述当所述镀炉内真空度符合预设真空度时，在镀炉内通入氩气，以及，控制所述镀膜挂架以预设速率进行旋转的步骤包括：
当所述镀炉内真空度下降至1×10-4Pa时，在镀炉内通入氩气，以及，控制所述镀膜挂架以预设速率进行旋转；其中，所述预设速率为1至10转每分钟。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述将初始基材固定于所述镀膜挂架上的步骤之前，还包括：
针对所述初始基材进行纹理转印。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在接通预设频率的振荡电源的条件下，将高折射率靶材及低折射率靶材按照预设顺序沉积至所述初始基材，获得目标基材的步骤包括：
在接通预设频率的振荡电源的条件下，将高折射率靶材及低折射率靶材交替叠加沉积至所述初始基材，获得目标基材。
6.一种目标基材，其特征在于，包括：壳体层和/或聚对苯二甲酸乙二醇酯PET膜层、交替叠加的多层低折射率膜层及多层高折射率膜层；其中，所述目标基材中折射率膜层的膜层厚度为连续小梯度递减形式，或，连续小梯度递增形式；
所述壳体层和/或PET膜层、所述交替叠加的多层低折射率膜层及多层高折射率膜依次由上自下排列；其中，所述交替叠加的多层低折射率膜层及多层高折射率膜层由低折射率靶材及高折射率靶材在接通预设频率的振荡电源的条件下按照预设顺序沉积而成的；其中，所述预设频率的振荡电源为大于10MHz的超高频振荡电源；
其中，所述目标基材还包括纹理层及光学胶层；所述纹理层位于所述壳体层和/或PET膜层与所述交替叠加的多层低折射率膜层及多层高折射率膜之间；所述壳体层及所述光学胶层位于所述PET膜层之上，所述光学胶层用于连接所述壳体层及所述PET膜层。
7.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求6所述的目标基材。
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