CN108646521A - 一种光源直接成像聚焦光刻装置及光刻方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种光源直接成像聚焦光刻装置及光刻方法，包括光源箱体、矩阵点光源装置、成像器、光刻产品和曝光台；光源箱体内设有LED成像光源，矩阵点光源装置设有呈矩阵式紧密排布的若干发光源像素点组成的成像面板，并借助影像信息处理工具解析成像出产品原线路设计图并针对发光源像素点配电发光，形成点光源图像，成像器由若干块镜片组成，物镜把点光源图像按比例缩小，再被映射到光刻产品上；该光源直接成像聚焦光刻装置，无需使用底片或掩膜版及掩膜台的辅助，大大减少成本和设备运动所需控制的精度要求，由于可采用光纤作为发光源像素点，理论可以极限小到3‑5μm级的成像像素点，满足中端以上精度的光刻工艺要求。
Description
技术领域
本发明涉及微电子、微光学、微纳结构和光电子器件制备等微纳加工光刻技术领域，用于PCB线路成像光刻、半导体线路成像光刻、液晶线路成像光刻等需要制作集成电路的行业，更具体地，涉及一种光源直接成像聚焦光刻装置及光刻方法。
背景技术
光刻技术是集成电路制造产业的核心，决定着集成电路的元件特征尺寸。光刻技术通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，不同光刻机的成像比例不同，有5:1，也有4:1。然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图(即芯片)；一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。伴随半导体产业摩尔定律延续，极紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography,EUVL)被公认为是最具潜力的下一代光刻技术。
而光源是光刻机的核心部件之一。在光刻技术飞速发展的今天，所使用的光源也不断改进，提高精度：第一代是436nm g-line；第二代是365nm i-line；第三代是248nmKrF；第四代是193nm ArF；较新的一代是13.5nm EUV。目前，在集成电路产业使用的中高端光刻机采用的是193nmArF光源和13.5nmEUV光源。
极紫外光刻是一种以13.5nm的EUV光为工作波长的投影光刻技术，是传统投影光刻技术向更短波长的延伸，正处于产业化的临界点。作为工业制造领域尖端技术的融合，世界上只有少数几家研究机构及公司掌握此技术。目前，EUVL技术的国际垄断局面已经初步形成，对我国形成了技术封锁，将来的销售政策也难以预料。
线路板、液晶面板、半导体、光伏等有线路制作要求的行业。目前曝光成像工艺包括
1).使用传统底片；
2).DMD数字微镜芯片成像；
3).旋转多棱镜扫描等；
首先DMD及旋转多棱镜的核心技术被国外垄断。传统底片成像解析度受制于底片制作，只能达到25um，DMD成像受到DMD小镜片限制,实际10um，旋转多棱镜解析度也受制与运动和光学精度，甚至高于DMD成像的10um。
上述3种现有工艺方案均不能有效改善高精度工艺的生产要求。
现有技术1：CN 107065444A公开了一种制备亲疏图案的光刻方法，包括以下步骤：首先在基底上涂覆或喷涂带有图案的图案连接层，其次涂覆、喷涂或旋涂表面涂层，最后由紫外光或太阳光或可见光或红外光进行照射，得到亲疏图案；所述的基底的材料选自玻璃、金属、合金、不锈钢、墙体、纸张、棉织物中的任一种；所述的图案连接层为具有图案的有机硅胶或硅氧烷；所述表面涂层为尺寸为10nm～10μm微纳二氧化钛颗粒或表面修饰有低表面能物质的微纳二氧化钛颗粒。
该技术方案不需要光掩模，制备方法简单，扩大了光刻技术的使用范围，并且节省了能源，并可以制备任意尺寸的图案，实现低表面能物质的自供应，从而延长了其使用寿命，具有广泛的应用前景。
再有，现有技术2：CN 105549340B公开了一种卷对卷柔性衬底光刻方法和装置，通过对曝光紫外线传输路径及曝光方式进行设计，从而实现柔性衬底的光刻，而不需要传统柔性衬底需贴附在玻璃基板上光刻以及工艺最后的衬底剥离等工艺步骤，一方面节省了工艺设备成本，另一方面提高生产的良率与生产节拍，该装置制作工艺简单，能有效提高生产节拍，在更低的生产成本的条件下，实现柔性衬底的快速和高质量光刻制造。
该装置主要由紫外光源、柔性衬底传送系统和光刻胶涂布装置组成，结构简单，使用方便，便于维护和制造。
发明内容
本发明设计目的是：针对现有光刻技术均需要掩模对焦曝光而显影的情况，我们设计提出一种光源直接成像聚焦光刻装置及光刻方法。克服以上问题，成像解析度不受原理限制，物理极限内可以缩小线路图像解析到接近光源波长，同时减少曝光时间，提高光刻精度和效率。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种光源直接成像聚焦光刻装置，包括光源箱体、矩阵点光源装置、成像器、光刻产品和曝光台；
所述光源箱体内设有LED成像光源，用于固定和支撑所述矩阵点光源装置；
所述矩阵点光源装置设有呈矩阵式紧密排布的若干发光源像素点组成的成像面板，所述发光源像素点均准直发光，所述成像面板制作为平面或曲面，并借助计算机影像信息处理工具解析成像出产品原线路设计图并针对涉及到的发光源像素点同时或逐一配电发光，根据图像信息显示并发光形成点光源图像，替代掩模的实际作用；
所述成像器由若干块镜片组成，优选但不限于凸透镜，其设计2种光路，包含长焦距和短焦距，所述物镜把所述矩阵点光源装置呈现的点光源图像(原线路设计图)按比例缩小，再被映射到所述光刻产品上，并且物镜按照特定光学成像精度补偿各种光学误差；
所述光刻产品包括但不限于覆铜板或者半导体硅片，其贴附在所述曝光台上，所述光刻产品涂有感光材料。
技术原理：通过分析集成电路的原线路设计图图像信息在光源处形成图像，呈现在所述成像面板上。通过成像器将图像投射在涂有感光材料的覆铜板或者半导体硅片等线路制作产品上，成像光刻出需要线路制作线路产品。
进一步地，所述成像器下部设有遮光器。
进一步地，所述发光源像素点可以是激光半导体发光源、LED发光源、光纤发光源中的一种，激光半导体发光源组成光源像素点成像具有优越的光线相干性，更利于传播和聚焦；LED发光源最小可以到50um，也就是像素可以接近50um；光纤传导光线准直性优越，光纤可以接近3um，光源像素可以到达接近3um。
进一步地，每个所述发光源像素点形状可以是任何形状，优选正六边形，正六边形发光源像素点组成的成像面板呈蜂窝状。
进一步地，所述发光源像素点的光源底部及顶部配合进行光学聚光准直封装，底部选用凹面镜，顶部使用凸透镜或菲尼尔透镜。
进一步地，所述发光源像素点之间可以适当填充导光材料，减少成像黑区，提高成像曲线平滑度。
进一步地，所述影像信息处理工具可选用Adobe Photoshop、Dreamweaver、ExifShow、ACDSee、Turbo Photo等处理工具。
进一步地，所述物镜聚焦微缩比例为1:5、1:10、1:50、1:100和1:1000。
进一步地，所述光源箱体设计有光强探测器和CCD影像检测器。
另外，提供一种光源直接成像聚焦光刻方法，其包括以下步骤：
步骤S1：首先光刻装置预对位，将覆铜板或者半导体硅片贴附到曝光台上；
步骤S2：移动曝光台坐标位置，使光刻产品通过CCD影像高精度定位；
步骤S3：计算机分析预实施光刻的线路设计图，将成像信息呈现于光源面板上；
步骤S4：开启矩阵点光源装置，点亮成像光源；
步骤S5：通过成像器准确的将线路设计图聚焦在涂有感光材料的覆铜板或者半导体硅片上，形成曝光后的光刻线路设计图，达到产品光刻线路要求；
步骤S6：然后将覆铜板或者半导体硅片移除，放入下一块光刻产品继续重复以上步骤。
与现有技术相比，实施本发明的光源直接成像聚焦光刻装置，具有以下有益效果：
1.该光源直接成像聚焦光刻装置，光源寿命长，无需使用底片或掩膜版及掩膜台的辅助，大大减少成本和设备运动所需控制的精度要求，并且提升良品率；
2.成像解析度不受原理限制，由于可采用光纤作为发光源像素点，理论可以极限小到3-5μm级的成像像素点，通过成像器缩小线路图案，光线清晰度和线条平滑度都不受影响，满足中端以上精度的光刻工艺要求；
3.同时可以增大光源能量从而减少曝光时间，进一步提高工作效率；
4.该光源直接成像聚焦光刻装置反过来放大使用就是投影仪，将光源和成像集中到一起了，会大幅缩小投影单元；也省去了像液晶一样的投影底片，阻挡大部分光线。该光源直接成像原理将来可以大面积使用在穿戴产品，代替显示屏，因为这种方式的亮度会很高，平面投影和3D投影都有优势。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
图1为本实施例光源直接成像聚焦光刻装置的工作示意图；
图2为本实施例所述矩阵点光源装置的蜂窝状成像面板的示意图；
图3为本实施例所述发光源像素点的光源准直封装结构示意图；
其中，1-光源箱体，2-矩阵点光源装置，3-成像器，4-光刻产品，5-曝光台，6-遮光器，7-配电线，8-激光半导体发光源，9-凹面镜，10-凸透镜。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
实施例：
请参阅图1、图2，本实施例提出的一种光源直接成像聚焦光刻装置，包括光源箱体1、矩阵点光源装置2、成像器3、光刻产品4和曝光台5。
所述光源箱体1内设有LED成像光源、光强探测器和CCD影像检测器，所述光源箱体用于固定和支撑光源，同时承载散热等温度控制，保证光源能量及稳定性；所述光强探测器监控像素光照强度的能量均匀度；所述CCD影像检测器用于对光刻产品的定位检测。
所述矩阵点光源装置2设有呈矩阵式紧密排布的若干发光源像素点组成的成像面板，所述成像面板制作为平面或曲面，并借助Adobe Photoshop影像信息处理工具解析成像出产品原线路设计图并针对涉及到的发光源像素点，由配电线7同时配电发光，根据图像信息显示并发光形成点光源图像，具备发光性能同一性，替代掩模的实际作用。
所述成像器3由3块高精度光学凸透镜组成，其设计2种光路，包含长焦距和短焦距，所述物镜把所述矩阵点光源装置呈现的点光源图像(原线路设计图)按比例缩小，再被映射到所述光刻产品上，并且物镜还要补偿各种光学误差。
所述光刻产品4贴附在所述曝光台5上，所述光刻产品涂有感光材料，帮助蚀刻出线路设计图。
技术原理：通过分析集成电路的原线路设计图图像信息在光源处形成图像，呈现在所述成像面板上。通过成像器将图像投射在涂有感光材料的覆铜板或者半导体硅片等线路制作产品上，成像光刻出需要线路制作线路产品。
进一步的实施方案是，所述成像器3下部设有遮光器6。
进一步的实施方案是，所述发光源像素点选用激光半导体发光源8。
进一步的实施方案是，每个所述发光源像素点形状为正六边形，正六边形发光源像素点组成的矩阵点光源装置呈蜂窝状，具有成像细腻柔和、色彩融合圆滑、清晰度高的特点，可以减少像素间成像黑区，及曲线平滑度。
进一步的实时方案是，所述发光源像素点的光源底部及顶部配合进行光学聚光准直封装，底部选用凹面镜9，顶部使用凸透镜10。
进一步的实施方案是，所述发光源像素点之间可以适当填充导光材料，减少成像黑区，提高成像曲线平滑度。
进一步的实施方案是，所述物镜聚焦微缩比例包括1:5、1:10、1:50、1:100和1:1000。
该装置的光源直接成像聚焦光刻方法，其包括以下步骤：
步骤S1：首先光刻装置预对位，将覆铜板或者半导体硅片贴附到曝光台上；
步骤S2：移动曝光台坐标位置，使光刻产品通过CCD影像高精度定位；
步骤S3：计算机分析预实施光刻的线路设计图，将成像信息呈现于光源面板上；
步骤S4：开启矩阵点光源装置，点亮成像光源；
步骤S5：通过成像器准确的将线路设计图聚焦在涂有感光材料的覆铜板或者半导体硅片上，形成曝光后的光刻线路设计图，达到产品光刻线路要求；
步骤S6：然后将覆铜板或者半导体硅片移除，搬入下一块光刻产品继续重复以上操作步骤。
上面结合附图对本发明的实施方式作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施方式，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下做出各种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (9)
1.一种光源直接成像聚焦光刻装置，包括光源箱体、矩阵点光源装置、成像器、光刻产品和曝光台，其特征在于：
所述光源箱体内设有LED成像光源，用于固定和支撑所述矩阵点光源装置；
所述矩阵点光源装置设有呈矩阵式紧密排布的若干发光源像素点组成的成像面板，所述发光源像素点均准直发光，所述成像面板制作为平面或曲面，并借助计算机影像信息处理工具解析成像出产品原线路设计图并针对涉及到的发光源像素点同时或逐一配电发光，根据图像信息显示并发光形成点光源图像；
所述成像器由若干块镜片组成，所述物镜把所述矩阵点光源装置呈现的点光源图像(原线路设计图)按比例缩小，再被映射到所述光刻产品上，并且物镜按照特定光学成像精度补偿各种光学误差；
所述光刻产品包括但不限于覆铜板或者半导体硅片，其贴附在所述曝光台上，所述光刻产品涂有感光材料。
2.根据权利要求1所述的光源直接成像聚焦光刻装置，其特征在于：所述光源箱体设计有光强探测器和CCD影像检测器，所述成像器下部设有遮光器。
3.根据权利要求1所述的光源直接成像聚焦光刻装置，其特征在于：所述发光源像素点可以是激光半导体发光源、LED发光源、光纤发光源中的一种。
4.根据权利要求1或3所述的光源直接成像聚焦光刻装置，其特征在于：每个发光源像素点形状可以是任何形状，优选正六边形，正六边形发光源像素点组成的成像面板呈蜂窝状。
5.根据权利要求1或3所述的光源直接成像聚焦光刻装置，其特征在于：所述发光源像素点的光源底部及顶部配合进行光学聚光准直封装，底部选用凹面镜，顶部使用凸透镜或菲尼尔透镜。
6.根据权利要求1或3所述的光源直接成像聚焦光刻装置，其特征在于：所述发光源像素点之间可以适当填充导光材料。
7.根据权利要求1所述的光源直接成像聚焦光刻装置，其特征在于：所述影像信息处理工具可选用Adobe Photoshop、Dreamweaver、ExifShow、ACDSee、Turbo Photo等处理工具。
8.根据权利要求1所述的光源直接成像聚焦光刻装置，其特征在于：所述物镜聚焦微缩比例为1:5、1:10、1:50、1:100和1:1000。
9.根据权利要求1所述的光源直接成像聚焦光刻装置，提供一种光源直接成像聚焦光刻方法，其特征在于：该光刻方法包括以下步骤：
步骤S1：首先光刻装置预对位，将覆铜板或者半导体硅片贴附到曝光台上；
步骤S2：移动曝光台坐标位置，使光刻产品通过CCD影像高精度定位；
步骤S3：计算机分析预实施光刻的线路设计图，将成像信息呈现于光源面板上；
步骤S4：开启矩阵点光源装置，点亮成像光源；
步骤S5：通过成像器准确的将线路设计图聚焦在涂有感光材料的覆铜板或者半导体硅片上，形成曝光后的光刻线路设计图，达到产品光刻线路要求；
步骤S6：然后将覆铜板或者半导体硅片移除，放入下一块光刻产品继续重复以上步骤。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109343162A (zh) * | 2018-11-29 | 2019-02-15 | 暨南大学 | 基于超透镜的激光直写装置及其激光直写方法 |
| CN109597274A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-04-09 | 上海频微电子科技有限公司 | 一种光源直接成像光学投影装置及其方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004001508A2 (en) * | 2002-06-25 | 2003-12-31 | University Of South Florida | Method and apparatus for maskless photolithography |
| JP2007019073A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Nano System Solutions:Kk | 露光パターン形成装置及び露光装置 |
| JP2010014796A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Nsk Ltd | マスクレス露光装置 |
| CN102203674A (zh) * | 2008-09-22 | 2011-09-28 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备、可编程图案形成装置和光刻方法 |
| CN1808282B (zh) * | 2005-01-20 | 2011-11-16 | 佳能株式会社 | 曝光设备及器件制造方法 |
| US20130065185A1 (en) * | 2011-09-09 | 2013-03-14 | Donis G. Flagello | Scanning Lithography using point source imaging arrays |
| CN208521131U (zh) * | 2018-06-19 | 2019-02-19 | 上海频微电子科技有限公司 | 一种光源直接成像聚焦光刻装置 |
-
2018
- 2018-06-19 CN CN201810631554.XA patent/CN108646521A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004001508A2 (en) * | 2002-06-25 | 2003-12-31 | University Of South Florida | Method and apparatus for maskless photolithography |
| CN1808282B (zh) * | 2005-01-20 | 2011-11-16 | 佳能株式会社 | 曝光设备及器件制造方法 |
| JP2007019073A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Nano System Solutions:Kk | 露光パターン形成装置及び露光装置 |
| JP2010014796A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Nsk Ltd | マスクレス露光装置 |
| CN102203674A (zh) * | 2008-09-22 | 2011-09-28 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备、可编程图案形成装置和光刻方法 |
| US20130065185A1 (en) * | 2011-09-09 | 2013-03-14 | Donis G. Flagello | Scanning Lithography using point source imaging arrays |
| CN208521131U (zh) * | 2018-06-19 | 2019-02-19 | 上海频微电子科技有限公司 | 一种光源直接成像聚焦光刻装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109597274A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-04-09 | 上海频微电子科技有限公司 | 一种光源直接成像光学投影装置及其方法 |
| CN109343162A (zh) * | 2018-11-29 | 2019-02-15 | 暨南大学 | 基于超透镜的激光直写装置及其激光直写方法 |
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