CN108615797B - 具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件及其制备方法 - Google Patents

具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108615797B
CN108615797B CN201810400045.6A CN201810400045A CN108615797B CN 108615797 B CN108615797 B CN 108615797B CN 201810400045 A CN201810400045 A CN 201810400045A CN 108615797 B CN108615797 B CN 108615797B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
array
algan
rotary table
nano
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810400045.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108615797A (zh
Inventor
刘斌
韩涛
张�荣
陶涛
谢自力
周玉刚
修向前
陈鹏
陈敦军
郑有炓
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanjing University
Original Assignee
Nanjing University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanjing University filed Critical Nanjing University
Priority to CN201810400045.6A priority Critical patent/CN108615797B/zh
Publication of CN108615797A publication Critical patent/CN108615797A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108615797B publication Critical patent/CN108615797B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H01L33/105—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector with a resonant cavity structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件，其特征在于：在LED有源层上设置一层AlN电子阻挡层，在AlN电子阻挡层上覆盖一层p型AlGaN层，在所述p型AlGaN层上刻蚀出AlGaN圆台纳米三角阵列，在AlGaN圆台顶部或间隙内填充有金属纳米阵列。并公开了其制备方法。本发明的纳米圆台阵列相对纳米圆柱阵列而言，由于此时纳米结构的侧面不再垂直于底面，更有利于光的出射，设置于纳米圆台阵列顶部或者间隙的金属薄膜，能通过表面等离激元(SPP)的方式更进一步增强光的出射。相较于传统的常规结构和单一的垂直纳米结构，本发明能更好的增强紫外LED的发光效率，同时将几种不同的工艺结合起来，控制圆台斜面倾角，简化制备过程。

Description

具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件及其 制备方法
技术领域
本发明专利涉及微电子与光电子技术领域，具体涉及一种具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件及其制备方法。
背景技术
III-V族化合物半导体材料在发光领域有广泛的应用，通过改变组分，其发光波长可以覆盖从紫外到红外波段的各种波长区段。其中GaN的应用十分普遍，是半导体照明产业应用极其广泛的材料之一。目前高亮度蓝绿光LED已经商业化，在景观照明、大屏幕背光源、光通讯等领域都显示了强大的潜力。随着LED芯片需求持续增长，器件工艺和材料的各项进展在产业界开始逐渐成熟运用。
同时伴随着可见光领域的研究日趋成熟,研究人员把研究重点逐渐向短波长的紫外光转移。紫外LED具有光子能量高、波长短等特点，在高显色指数白光照明、高密度光学数据存贮、平版印刷、空气净化环保等领域具有广泛的应用。虽然调节AlGaN有源区发光层的Al组分，可以获得不同发光波长的深紫外LED，但是其发光效率依然很低，其原因一方面是高Al组分AlGaN材料在外延生长以及器件制作的过程中，容易出现薄膜缺陷密度高、极性混杂、难以制备欧姆接触等诸多问题，而且AlGaN材料带隙较宽，存在p型掺杂和激活效率都比较低，量子效率和功率都普遍偏低，成为其走向产业化的瓶颈；另一方面是传统的GaN材料在紫外波段的消光系数很强，有源层产生的紫外光出射效率较低。除此之外，在LED中普遍存在一种较为效率陡降问题，当LED工在小电流下时，效率随着电流的增加很快就会变得饱和，进一步增大注入电流，其发光效率会急剧下降。
在当前研究增强LED发光效率的方法中，利用表面等离激元耦合和纳米柱结构可以很好的增强LED器件的发光效率。表面等离极化激元可以通过光场调控从而提高LED的出光效率，降低光在界面发生的全反射导致的光损失。自从Okamoto观察到金属覆盖的InGaN量子阱(QW)有一个较大的光致发光增强以来，对于表面等离激元(SP)增强的发光二极管(LED)的研究已取得了很大的进步。
半导体纳米柱同常规平面薄膜材料不同，具有独特的光电性质，这使其在超小型的光电子器件制备方面有巨大的潜力。在紫外LED器件中，TM偏振光占据主导地位，这导致了大部分的光出射处于平面结构LED的逸出角度范围之外，因此平面紫外LED器件很难将光线从有源层抽取出来。半导体纳米柱结构具有相异于常规平面结构的独特光电性质，可以有效改善由于缺乏合适的外延衬底而导致的高缺陷密度，同时还可以用来改善器件的光抽取效率。
自从20世纪80年代以来许多纳米光刻技术陆续出现，其中最先进的电子束光刻技术已被广泛应用，在计算机软件控制下，具有高分辨率、高可靠性、高精度且图案高度灵活等优势。目前，EBL的分辨率达到已经可以达到10nm以下，这足以满足大多数对尺寸精度的要求。
发明内容
针对上述问题，本发明提供了一种具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件，在LED有源层上设置一层AlN电子阻挡层，在AlN电子阻挡层上覆盖一层p型AlGaN层，在所述p型AlGaN层上刻蚀出AlGaN圆台纳米三角阵列，在AlGaN圆台顶部或间隙内填充有金属纳米阵列。
优选的，其结构包括：
一蓝宝石衬底；
一生长在蓝宝石衬底上的AlN外延层；
一生长在AlN外延层上的n型AlGaN层；
一生长在n型AlGaN层上的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层；
一生长在AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层上的AlN电子阻挡层；
一生长在AlN电子阻挡层上的p型AlGaN层；
一在p型AlGaN层上刻蚀出的p型AlGaN圆台纳米三角阵列；
一生长在p型AlGaN圆台纳米阵列顶部或者间隙内的金属纳米阵列；
一导电膜层，当金属纳米阵列位于p型AlGaN圆台纳米阵列间隙时，导电膜层生长在p型AlGaN圆台纳米阵列顶部，当金属纳米阵列位于p型AlGaN圆台纳米阵列顶部时，导电膜层生长在金属纳米阵列顶部；
一p型电极Ni或Ti，制作在导电膜上；
一n型电极Ni或Ti，制作在n型AlGaN上。
优选的，当金属纳米阵列位于p型AlGaN圆台纳米阵列间隙时，还包括SiO2阵列，所述SiO2阵列位于p型AlGaN圆台纳米阵列间隙内，金属纳米阵列之下。
优选的，所述AlN外延层的厚度在1μm-2μm之间，所述n型AlGaN层的厚度在2μm-2.5μm之间，AlN电子阻挡层的厚度在2nm-8nm之间，导电膜层为镓酸锌导电膜层，厚度在500nm-800nm之间，发光波长在250nm-300nm之间。
优选的，所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层周期排布，其中x在0.5-0.8之间，y在0.3-0.6之间，量子阱周期数为5-9。
优选的，所述的圆台纳米阵列的圆台具有上窄下宽的结构，周期在500nm-600nm之间，单个纳米圆台的高度在400nm-600nm之间，上表面直径在200nm-300nm之间，下表面直径在450nm-550nm之间，p型AlGaN层的Al组分在0.5-0.8之间。
优选的，所述金属纳米阵列的金属为Al、Pd或者Al-Pd合金，当金属纳米阵列位于p型AlGaN圆台纳米阵列顶部时，圆台顶部的金属呈圆柱状，其直径与纳米圆台上表面直径相同，厚度在20nm-50nm之间，当金属纳米阵列位于p型AlGaN圆台纳米阵列间隙时，金属厚度在20nm-50nm之间。
本发明还公开了上述的具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件的制备方法，其步骤包括：
(1)用MOCVD在蓝宝石衬底c面上生长AlN外延层；
(2)在AlN外延层上，通入三甲基铝源，以SiH4作为n型掺杂，生长n型AlGaN层；
(3)在n型AlGaN层上生长AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层，周期数为5-9；
(4)在多量子阱层上生长AlN电子阻挡层；
(5)以Cp2Mg作为p型掺杂，用MOCVD在AlN电子阻挡层上生长p型AlGaN层；
(6)利用电子束光刻制备图形化电子束光刻胶，接着采用金属剥离技术，获得图形化金属薄膜，具体如下：
a)使用作图软件设计出所需的曝光图形，即周期半径一定的三角阵列；
b)在p型AlGaN层上旋涂一层copolymer光刻胶；
c)再旋涂一层PMMA光刻胶；
d)在电子束光刻系统中设置曝光图形参数及曝光剂量；
e)将样品送入真空腔室曝光；
f)样品曝光完成后取出显影；
g)用磁控溅射在样品表面溅射一层金属薄膜；
h)用PVD在金属薄膜表面蒸镀一层SiO2，在接下来的ICP刻蚀中用作掩膜；
i)丙酮超声浸泡，将电子束光刻胶上的金属薄膜剥离掉，接着在酒精溶剂中超声浸泡，用去离子水冲洗，N2吹干，获得图形化金属薄膜；
(7)利用ICP刻蚀AlGaN层，通过控制三种气体比例，得到圆台纳米阵列，其中圆台侧面倾角的控制遵循下述规则：倾角在80°-60°之间时，随着倾角变小，Cl2在总气体流量中的比例从80％逐渐变小到60％，倾角小于60°时，Cl2流量比例在50％-60％之间调控，BCl3和Ar的比例在1.5:1到2：1之间；
(8)利用MOCVD法制备导电膜层；
(9)在导电膜层上制作p-电极，在n型AlGaN上制作n-电极，材料为Ni/Au。
本发明还公开了上述的具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件的制备方法，其步骤包括：
(1)用MOCVD在蓝宝石衬底c面上生长AlN外延层；
(2)在AlN外延层上，通入三甲基铝源，以SiH4作为n型掺杂，生长n型AlGaN层；
(3)在n型AlGaN层上生长AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层，周期数为5-9；
(4)在多量子阱层上生长AlN电子阻挡层；
(5)以Cp2Mg作为p型掺杂，用MOCVD在AlN电子阻挡层上生长p型AlGaN层；
(6)利用电子束光刻制备图形化电子束光刻胶，接着采用金属剥离技术，获得图形化金属薄膜，具体如下：
a)使用作图软件设计出所需的曝光图形，即周期半径一定的三角阵列；
b)在p型AlGaN层上旋涂一层copolymer光刻胶；
c)再旋涂一层PMMA光刻胶；
d)在电子束光刻系统中设置曝光图形参数及曝光剂量；
e)将样品送入真空腔室曝光；
f)样品曝光完成后取出显影；
g)用PVD在样品表面蒸镀一层SiO2；
h)以SiO2做为掩膜，利用ICP刻蚀，刻蚀AlGaN层，得到圆柱纳米阵列；
i)用磁控溅射在样品表面溅射一层金属薄膜；
j)丙酮超声浸泡，将电子束光刻胶上的金属薄膜剥离掉，接着在酒精溶剂中超声浸泡，用去离子水冲洗，N2吹干，获得圆柱纳米阵列间隙内的金属纳米阵列；
(7)利用ICP刻蚀AlGaN层，通过控制三种气体比例，得到圆台纳米阵列；
(8)利用MOCVD法制备导电膜层；
(9)在导电膜层上制作p-电极，在n型AlGaN上制作n-电极，材料为Ni/Au。
本发明还公开了上述的具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件的制备方法，其步骤包括：
(1)用MOCVD在蓝宝石衬底c面上生长AlN外延层；
(2)在AlN外延层上，通入三甲基铝源，以SiH4作为n型掺杂，生长n型AlGaN层；
(3)在n型AlGaN层上生长AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层，周期数为5-9；
(4)在多量子阱层上生长AlN电子阻挡层；
(5)以Cp2Mg作为p型掺杂，用MOCVD在AlN电子阻挡层上生长p型AlGaN层；
(6)利用电子束光刻制备图形化电子束光刻胶，接着采用金属剥离技术，获得图形化金属薄膜，具体如下：
a)使用作图软件设计出所需的曝光图形，即周期半径一定的三角阵列；
b)在p型AlGaN层上旋涂一层copolymer光刻胶；
c)再旋涂一层PMMA光刻胶；
d)在电子束光刻系统中设置曝光图形参数及曝光剂量；
e)将样品送入真空腔室曝光；
f)样品曝光完成后取出显影；
g)用PVD在样品表面蒸镀一层SiO2；
h)以SiO2做为掩膜，利用ICP刻蚀，刻蚀AlGaN层，控制时间直到刻蚀至多量子阱层，得到圆柱纳米阵列；
i)用PVD在样品表面蒸镀一层SiO2；
j)用磁控溅射在样品表面溅射一层金属薄膜；
k)丙酮超声浸泡，将电子束光刻胶上的金属薄膜剥离掉，接着在酒精溶剂中超声浸泡，用去离子水冲洗，N2吹干，获得圆柱纳米阵列间隙内的SiO2阵列以及SiO2阵列上的金属纳米阵列；
(7)利用ICP刻蚀AlGaN层，通过控制三种气体比例，得到圆台纳米阵列；
(8)利用MOCVD法制备导电膜层；
(9)在导电膜层上制作p-电极，在n型AlGaN上制作n-电极，材料为Ni/Au。
有益效果：
传统紫外LED的出光以TM偏振为主，光更多的从侧面逸出，圆台纳米阵列结能够有效调控出射光长的分布，将TM偏振光更多的集中于顶部，光的增强作用明显。且斜面结构在尺度上与波长接近，可以在圆台内部或间隙对一定范围内的光形成驻波，有共振增强作用。设置于纳米圆台阵列顶部或者间隙的金属薄膜，能通过金属与有源区的出射光进行耦合，这种表面等离激元效应产生的波与自发辐辐射波共振，更进一步增强光的出射。在制备此紫外LED器件时，同时将几种不同的工艺结合起来，通过控制ICP气体流量参数可以得到不同斜面倾角的圆台，简化了制备过程。
附图说明
图1为实施例1中步骤(7)得到的紫外LED器件结构SEM俯视图。
图2为实施例1中紫外LED的截面示意图。
图中1-蓝宝石衬底2-AlN缓冲层3-n型AlGaN层4-多量子阱5-AlN电子阻挡层6-p型AlGaN层7-p型AlGaN圆台纳米阵列8-Al纳米阵列9-导电膜10-p电极11-n电极
图3为实施例2中紫外LED的截面示意图。
图中1-蓝宝石衬底2-AlN缓冲层3-n型AlGaN层4-多量子阱5-AlN电子阻挡层6-p型AlGaN层7-p型AlGaN圆台纳米阵列8-Al纳米阵列9-导电膜10-p电极11-n电极
图4为实施例3中紫外LED的截面示意图。
图中1-蓝宝石衬底2-AlN缓冲层3-n型AlGaN层4-多量子阱5-AlN电子阻挡层6-p型AlGaN纳米圆台阵列7-p型AlGaN 8-金属纳米阵列9-导电膜10-p电极11-n电极12-SiO2
图5为纳米圆台阵列下表面横切面示意图。
图6分别为常规紫外LED和三种实例下LED的PL谱。
图7分别为常规紫外LED和三种实例下LED的I-V特性曲线。
图8为常规紫外LED的TM模、TE模和总电场远场图。
图9为实例1紫外LED的TM模、TE模和总电场远场图。
图10为实例2紫外LED的TM模、TE模和总电场远场图。
图11为实例3紫外LED的TM模、TE模和总电场远场图。
图12为实例1紫外LED的侧面电场分布图。
图13为实例2紫外LED的侧面电场分布图。
图14为实例3紫外LED的侧面电场分布图。
下面结合附图对本发明的具体实施方式做进一步说明。
具体实施方式
实施例1
本具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件的制备方法，具体包括下面步骤：
(1)用MOCVD在蓝宝石衬底c面上生长厚度为1μm的AlN外延层，保持温度在1000℃，三甲基铝(TMAl)和氨气(NH3)分别为Al和N的前驱体,氢气(H2)为载气；
(2)在AlN外延层上，通入三甲基铝(TMAl)源，以SiH4作为n型掺杂，控制三甲基镓(TMGa)的流量为30sccm,三甲基铝(TMAl)的流量为200sccm，生长厚度为2.5μm的n型AlGaN层，Al组分为0.5；
(3)保持温度在1200℃，生长周期排布的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层，其中x＝0.6，y＝0.5，量子阱周期数为5；
(4)保持温度在1200℃，生长AlN电子阻挡层，三甲基铝(TMAl)的流量为30sccm，生长厚度为2nm；
(5)以Cp2Mg作为p型掺杂，用MOCVD在AlN阻挡层样品上生长p型AlGaN层，控制生长温度为1200℃，三甲基镓(TMGa)的流量为30sccm,三甲基铝(TMAl)的流量为200sccm，控制其厚度为500nm，Al组分为0.5。
(6)利用电子束光刻制备图形化电子束光刻胶，接着采用金属剥离技术，获得图形化金属薄膜。具体步骤如下：
a)使用作图软件L-EDIT设计出对应的曝光图形，在本专利中即三角阵列，周期500nm，直径450nm。
b)旋涂一层copolymer光刻胶(包含8％的甲基丙烯酸甲酯和92％的甲基丙烯酸)，甩胶转速2000r/min，厚度200nm，并前烘固胶，温度150℃，时间15min。
c)再旋涂一层PMMA光刻胶，甩胶转速2000r/min，胶厚100nm，并前烘固胶，温度180℃，时间10min。
d)在电子束光刻系统中曝光图形参数设置及曝光剂量等条件设置，束流大小200pA，图形分辨率设置为5nm，曝光剂量500uc/cm2。
e)将样品送入真空腔室曝光。
f)样品曝光完成后取出显影，显影条件：显影液MIBK:IPA＝4:1，时间90s，定影：IPA，30s。
g)用磁控溅射溅射30nm的金属Al薄膜。
h)用PVD蒸镀一层SiO2，在接下来的ICP刻蚀中用作掩膜。
i)丙酮超声浸泡1分钟，将电子束光刻胶上的金属Al薄膜剥离掉，接着在酒精溶剂中超声浸泡30s，用去离子水冲洗30s，N2吹干，获得图形化金属Al薄膜。
(7)利用ICP刻蚀AlGaN层，通入Cl2、BCl3和Ar的混合气体进行刻蚀，ICP刻蚀功率为1000W，RF射频功率控制为60W，Cl2气体流量为20sccm，BCl3气体流量为8sccm，Ar气体流量为5sccm，腔室压力为900mPa，温度保持在20℃，合理控制时间，保证刻蚀出的圆台高度为400nm，圆台上表面直径为200nm。
(8)利用MOCVD制备镓酸锌(ZnGa2O4)导电膜层，厚度为500nm，发光波长为250nm。
(9)制作p-电极和n-电极，材料为Ni/Au。
附图6、图9、图12表明相较于常规紫外LED，新型结构对紫外LED出光效率的增强作用明显。
实施例2
本具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件的制备方法，具体包括下面步骤：
(1)用MOCVD在蓝宝石衬底c面上生长厚度为1.5μm的AlN外延层，保持温度在1000℃，三甲基铝(TMAl)和氨气(NH3)分别为Al和N的前驱体,氢气(H2)为载气；
(2)在AlN外延层上，通入三甲基铝(TMAl)源，以SiH4作为n型掺杂，控制三甲基镓(TMGa)的流量为30sccm,三甲基铝(TMAl)的流量为220sccm，生长厚度为2.2μm的n型AlGaN层，Al组分为0.6；
(3)保持温度在1200℃，生长周期排布的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层，其中x＝0.5，y＝0.3，量子阱周期数为7；
(4)保持温度在1200℃，生长AlN电子阻挡层，三甲基铝(TMAl)的流量为30sccm，生长厚度为8nm；
(5)以Cp2Mg作为p型掺杂，用MOCVD在AlN阻挡层样品上生长p型AlGaN层，控制生长温度为1200℃，三甲基镓(TMGa)的流量为30sccm,三甲基铝(TMAl)的流量为220sccm，控制其厚度为500nm，Al组分为0.6。
(6)利用电子束光刻制备图形化电子束光刻胶，接着采用金属剥离技术，获得图形化金属薄膜。具体步骤如下：
a)使用作图软件L-EDIT设计出对应的曝光图形，在本专利中即三角阵列，周期550nm，直径500nm。
b)旋涂一层copolymer光刻胶(包含8％的甲基丙烯酸甲酯和92％的甲基丙烯酸)，甩胶转速2000r/min，厚度200nm，并前烘固胶，温度150℃，时间15min。
c)再旋涂一层PMMA光刻胶，甩胶转速2000r/min，胶厚100nm，并前烘固胶，温度180℃，时间10min。
d)在电子束光刻系统中曝光图形参数设置及曝光剂量等条件设置，束流大小200pA，图形分辨率设置为5nm，曝光剂量500uc/cm2。
e)将样品送入真空腔室曝光。
f)样品曝光完成后取出显影，显影条件：显影液MIBK:IPA＝4:1，时间90s，定影：IPA，30s。
g)使用PVD蒸镀一层SiO2。
h)利用ICP刻蚀，以SiO2做掩膜，刻蚀AlGaN层，通入Cl2、BCl3和Ar的混合气体进行刻蚀，ICP刻蚀功率为1000W，RF射频功率控制为60W，Cl2气体流量为40sccm，BCl3气体流量为8sccm，Ar气体流量为5sccm，腔室压力为900mPa，温度保持在20℃，得到圆柱纳米阵列。
i)用磁控溅射溅射50nm的Al-Pb合金薄膜。
j)丙酮超声浸泡1分钟，将电子束光刻胶上的金属Al薄膜剥离掉，接着在酒精溶剂中超声浸泡30s，用去离子水冲洗30s，N2吹干，获得纳米圆台阵列间隙的金属Al薄膜。
(7)利用ICP刻蚀，刻蚀AlGaN层，通入Cl2、BCl3和Ar的混合气体进行刻蚀，ICP刻蚀功率为1000W，RF射频功率控制为60W，Cl2气体流量为20sccm，BCl3气体流量为8sccm，Ar气体流量为5sccm，腔室压力为900mPa，温度保持在20℃，合理控制时间，保证刻蚀出的圆台高度为500nm，圆台上表面直径为250nm。
(8)利用MOCVD制备镓酸锌(ZnGa2O4)导电膜层，厚度为600nm，发光波长为280nm。
(9)制作p-电极和n-电极，材料为Ni/Au。
附图6、图10、图13表明相较于常规紫外LED，新型结构对紫外LED出光效率的增强作用明显。
实施例3
本具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件的制备方法，具体包括下面步骤：
(1)用MOCVD在蓝宝石衬底c面上生长厚度为2μm的AlN外延层，保持温度在1000℃，三甲基铝(TMAl)和氨气(NH3)分别为Al和N的前驱体,氢气(H2)为载气；
(2)在AlN外延层上，通入三甲基铝(TMAl)源，以SiH4作为n型掺杂，控制三甲基镓(TMGa)的流量为30sccm,三甲基铝(TMAl)的流量为250sccm，生长厚度为2μm的n型AlGaN层，Al组分为0.8；
(3)保持温度在1200℃，生长周期排布的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层，其中x＝0.8，y＝0.6，量子阱周期数为9；
(4)保持温度在1200℃，生长AlN电子阻挡层，三甲基铝(TMAl)的流量为30sccm，生长厚度为5nm；
(5)以Cp2Mg作为p型掺杂，用MOCVD在AlN阻挡层样品上生长p型AlGaN层，控制生长温度为1200℃，三甲基镓(TMGa)的流量为30sccm,三甲基铝(TMAl)的流量为250sccm，控制其厚度为500nm，Al组分为0.8。
(6)利用电子束光刻制备图形化电子束光刻胶，接着采用金属剥离技术，获得图形化金属薄膜。具体步骤如下：
a)使用作图软件L-EDIT设计出对应的曝光图形，在本专利中即三角阵列，周期600nm，直径550nm。
b)旋涂一层copolymer光刻胶(包含8％的甲基丙烯酸甲酯和92％的甲基丙烯酸)，甩胶转速2000r/min，厚度200nm，并前烘固胶，温度150℃，时间15min。
c)再旋涂一层PMMA光刻胶，甩胶转速2000r/min，胶厚100nm，并前烘固胶，温度180℃，时间10min。
d)在电子束光刻系统中曝光图形参数设置及曝光剂量等条件设置，束流大小200pA，图形分辨率设置为5nm，曝光剂量500uc/cm2。
e)将样品送入真空腔室曝光。
f)样品曝光完成后取出显影，显影条件：显影液MIBK:IPA＝4:1，时间90s，定影：IPA，30s。
g)使用PVD蒸镀一层SiO2。
h)利用ICP刻蚀，以SiO2做掩膜，刻蚀AlGaN层，通入Cl2和BCl3的混合气体进行刻蚀，ICP刻蚀功率为1000W，RF射频功率控制为60W，Cl2气体流量为20sccm，BCl3气体流量为8sccm，Ar气体流量为5sccm，腔室压力为900mPa，温度保持在20℃，温度保持在20℃，控制时间直到刻蚀至多量子阱层，得到圆柱纳米阵列。
i)使用PVD蒸镀一层SiO2，厚度20nm。
j)用磁控溅射溅射20nm的金属Pb薄膜。
k)丙酮超声浸泡1分钟，将电子束光刻胶上的金属Al薄膜剥离掉，接着在酒精溶剂中超声浸泡30s，用去离子水冲洗30s，N2吹干，获得纳米圆台阵列间隙的金属Al薄膜。
(7)利用ICP刻蚀，刻蚀AlGaN层，通入Cl2、BCl3和Ar的混合气体进行刻蚀，ICP刻蚀功率为1000W，RF射频功率控制为60W，Cl2气体流量为20sccm，BCl3气体流量为8sccm，Ar气体流量为5sccm，腔室压力为900mPa，温度保持在20℃，合理控制时间，保证刻蚀出的圆台高度为600nm，圆台上表面直径为300nm。
(8)利用MOCVD制备镓酸锌(ZnGa2O4)导电膜层，厚度为800nm，发光波长为300nm。
(9)制作p-电极和n-电极，材料为Ni/Au。
附图6、图10、图13表明相较于常规紫外LED，新型结构对紫外LED出光效率的增强作用明显。
本发明的保护内容不局限于以上实施例，在不背离发明构思的精神和范围下，本领域的技术人员能够想到的变化和优点都被包括在本发明中，并且以所附的权利要求书为保护范围。

Claims (10)

1.一种具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件，其特征在于：在LED有源层上设置一层AlN电子阻挡层，在AlN电子阻挡层上覆盖一层p型AlGaN层，在所述p型AlGaN层上刻蚀出AlGaN圆台纳米三角阵列，所述的圆台纳米阵列的圆台具有上窄下宽的结构，在AlGaN圆台顶部或间隙内填充有金属纳米阵列。
2.根据权利要求1所述的具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件，其结构包括：
一蓝宝石衬底；
一生长在蓝宝石衬底上的AlN外延层；
一生长在AlN外延层上的n型AlGaN层；
一生长在n型AlGaN层上的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层；
一生长在AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层上的AlN电子阻挡层；
一生长在AlN电子阻挡层上的p型AlGaN层；
一在p型AlGaN层上刻蚀出的p型AlGaN圆台纳米三角阵列；
一生长在p型AlGaN圆台纳米阵列顶部或者间隙内的金属纳米阵列；
一导电膜层，当金属纳米阵列位于p型AlGaN圆台纳米阵列间隙时，导电膜层生长在p型AlGaN圆台纳米阵列顶部，当金属纳米阵列位于p型AlGaN圆台纳米阵列顶部时，导电膜层生长在金属纳米阵列顶部；
一p型电极Ni或Ti，制作在导电膜上；
一n型电极Ni或Ti，制作在n型AlGaN上。
3.根据权利要求2所述的具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件，其特征在于：当金属纳米阵列位于p型AlGaN圆台纳米阵列间隙时，还包括SiO2阵列，所述SiO2阵列位于p型AlGaN圆台纳米阵列间隙内，金属纳米阵列之下。
4.根据权利要求2或3所述的具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件，其特征在于：所述AlN外延层的厚度在1μm-2μm之间，所述n型AlGaN层的厚度在2μm-2.5μm之间，AlN电子阻挡层的厚度在2nm-8nm之间，导电膜层为镓酸锌导电膜层，厚度在500nm-800nm之间，发光波长在250nm-300nm之间。
5.根据权利要求4所述的具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件，其特征在于：所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层周期排布，其中x在0.5-0.8之间，y在0.3-0.6之间，量子阱周期数为5-9。
6.根据权利要求5所述的具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件，其特征在于：所述的圆台纳米阵列的圆台具有上窄下宽的结构，周期在400nm-600nm之间，单个纳米圆台的高度在400nm-600nm之间，上表面直径在200nm-300nm之间，下表面直径在450nm-550nm之间，p型AlGaN层的Al组分在0.5-0.8之间。
7.根据权利要求6所述的具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件，其特征在于：所述金属纳米阵列的金属为Al、Al的合金、Pd或者Pd的合金，当金属纳米阵列位于p型AlGaN圆台纳米阵列顶部时，圆台顶部的金属呈圆柱状，其直径与纳米圆台上表面直径相同，厚度在20nm-50nm之间，当金属纳米阵列位于p型AlGaN圆台纳米阵列间隙时，金属厚度在20nm-50nm之间。
8.权利要求2-7中任一项所述的具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件的制备方法，其步骤包括：
(1)用MOCVD在蓝宝石衬底c面上生长AlN外延层；
(2)在AlN外延层上，通入三甲基铝源，以SiH4作为n型掺杂，生长n型AlGaN层；
(3)在n型AlGaN层上生长AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层，周期数为5-9；
(4)在多量子阱层上生长AlN电子阻挡层；
(5)以Cp2Mg作为p型掺杂，用MOCVD在AlN电子阻挡层上生长p型AlGaN层；
(6)利用电子束光刻制备图形化电子束光刻胶，接着采用金属剥离技术，获得图形化金属薄膜，具体如下：
a)使用作图软件设计出所需的曝光图形，即周期半径一定的三角阵列；
b)在p型AlGaN层上旋涂一层copolymer光刻胶；
c)再旋涂一层PMMA光刻胶；
d)在电子束光刻系统中设置曝光图形参数及曝光剂量；
e)将样品送入真空腔室曝光；
f)样品曝光完成后取出显影；
g)用磁控溅射在样品表面溅射一层金属薄膜；
h)用PVD在金属薄膜表面蒸镀一层SiO2，在接下来的ICP刻蚀中用作掩膜；
i)丙酮超声浸泡，将电子束光刻胶上的金属薄膜剥离掉，接着在酒精溶剂中超声浸泡，用去离子水冲洗，N2吹干，获得图形化金属薄膜；
(7)利用ICP刻蚀AlGaN层，通过控制三种气体比例，得到圆台纳米阵列；
(8)利用MOCVD法制备导电膜层；
(9)在导电膜层上制作p-电极，在n型AlGaN上制作n-电极，材料为Ni/Au。
9.权利要求2-7中任一项所述的具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件的制备方法，其步骤包括：
(1)用MOCVD在蓝宝石衬底c面上生长AlN外延层；
(2)在AlN外延层上，通入三甲基铝源，以SiH4作为n型掺杂，生长n型AlGaN层；
(3)在n型AlGaN层上生长AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层，周期数为5-9；
(4)在多量子阱层上生长AlN电子阻挡层；
(5)以Cp2Mg作为p型掺杂，用MOCVD在AlN电子阻挡层上生长p型AlGaN层；
(6)利用电子束光刻制备图形化电子束光刻胶，接着采用金属剥离技术，获得图形化金属薄膜，具体如下：
a)使用作图软件设计出所需的曝光图形，即周期半径一定的三角阵列；
b)在p型AlGaN层上旋涂一层copolymer光刻胶；
c)再旋涂一层PMMA光刻胶；
d)在电子束光刻系统中设置曝光图形参数及曝光剂量；
e)将样品送入真空腔室曝光；
f)样品曝光完成后取出显影；
g)用PVD在样品表面蒸镀一层SiO2；
h)以SiO2做为掩膜，利用ICP刻蚀，刻蚀AlGaN层，得到圆柱纳米阵列；
i)用磁控溅射在样品表面溅射一层金属薄膜；
j)丙酮超声浸泡，将电子束光刻胶上的金属薄膜剥离掉，接着在酒精溶剂中超声浸泡，用去离子水冲洗，N2吹干，获得圆柱纳米阵列间隙内的金属纳米阵列；
(7)利用ICP刻蚀AlGaN层，通过控制三种气体比例，得到圆台纳米阵列；
(8)利用MOCVD法制备导电膜层；
(9)在导电膜层上制作p-电极，在n型AlGaN上制作n-电极，材料为Ni/Au。
10.权利要求3-7中任一项所述的具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件的制备方法，其步骤包括：
(1)用MOCVD在蓝宝石衬底c面上生长AlN外延层；
(2)在AlN外延层上，通入三甲基铝源，以SiH4作为n型掺杂，生长n型AlGaN层；
(3)在n型AlGaN层上生长AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层，周期数为5-9；
(4)在多量子阱层上生长AlN电子阻挡层；
(5)以Cp2Mg作为p型掺杂，用MOCVD在AlN电子阻挡层上生长p型AlGaN层；
(6)利用电子束光刻制备图形化电子束光刻胶，接着采用金属剥离技术，获得图形化金属薄膜，具体如下：
a)使用作图软件设计出所需的曝光图形，即周期半径一定的三角阵列；
b)在p型AlGaN层上旋涂一层copolymer光刻胶；
c)再旋涂一层PMMA光刻胶；
d)在电子束光刻系统中设置曝光图形参数及曝光剂量；
e)将样品送入真空腔室曝光；
f)样品曝光完成后取出显影；
g)用PVD在样品表面蒸镀一层SiO2；
h)以SiO2做为掩膜，利用ICP刻蚀，刻蚀AlGaN层，控制时间直到刻蚀至多量子阱层，得到圆柱纳米阵列；
i)用PVD在样品表面蒸镀一层SiO2；
j)用磁控溅射在样品表面溅射一层金属薄膜；
k)丙酮超声浸泡，将电子束光刻胶上的金属薄膜剥离掉，接着在酒精溶剂中超声浸泡，用去离子水冲洗，N2吹干，获得圆柱纳米阵列间隙内的SiO2阵列以及SiO2阵列上的金属纳米阵列；
(7)利用ICP刻蚀AlGaN层，通过控制三种气体比例，得到圆台纳米阵列；
(8)利用MOCVD法制备导电膜层；
(9)在导电膜层上制作p-电极，在n型AlGaN上制作n-电极，材料为Ni/Au。
CN201810400045.6A 2018-04-28 2018-04-28 具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件及其制备方法 Active CN108615797B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810400045.6A CN108615797B (zh) 2018-04-28 2018-04-28 具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810400045.6A CN108615797B (zh) 2018-04-28 2018-04-28 具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108615797A CN108615797A (zh) 2018-10-02
CN108615797B true CN108615797B (zh) 2019-07-02

Family

ID=63661499

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810400045.6A Active CN108615797B (zh) 2018-04-28 2018-04-28 具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108615797B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110165028B (zh) * 2019-06-19 2020-05-22 厦门大学 基于局域表面等离激元增强的mis结构紫外led及其制备方法
CN110835766B (zh) * 2019-11-19 2021-03-23 南京集芯光电技术研究院有限公司 表面等离激元增强型InGaN/GaN多量子阱光电极及其制备方法
CN112216711B (zh) * 2020-09-15 2023-12-22 深圳远芯光路科技有限公司 一种GaN光传感生物传感芯片及其制备方法和应用
CN113013022B (zh) * 2021-02-22 2024-02-09 南京大学 一种可图形化的超薄硬化光刻胶介电薄膜
CN113903762B (zh) * 2021-10-08 2022-10-21 松山湖材料实验室 深紫外阵列互联micro-LED及其制备方法
CN114583031B (zh) * 2022-01-27 2024-06-21 南京邮电大学 一种基于LSPs耦合增强的紫外Micro-LED
CN115132895A (zh) * 2022-07-26 2022-09-30 湘能华磊光电股份有限公司 一种led外延片的制作方法
CN117913186A (zh) * 2023-12-26 2024-04-19 北京邮电大学 附着纳米天线的铝镓氮基发光单元及制备方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101950785A (zh) * 2010-07-28 2011-01-19 山东大学 一种GaN基LED管芯P型GaN层的结构
JP2011216555A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 発光素子
KR20110118956A (ko) * 2010-04-26 2011-11-02 전북대학교산학협력단 코어-쉘 나노입자를 이용한 표면 플라즈몬 공명-기반 발광 다이오드
CN103681996A (zh) * 2013-10-17 2014-03-26 武汉光电工业技术研究院有限公司 一种紫外发光二极管及其制备方法
CN104218127A (zh) * 2014-09-01 2014-12-17 天津工业大学 一种与等离子体激元耦合的高效GaN基LED及其制作方法
CN105405938A (zh) * 2015-12-29 2016-03-16 中国科学院半导体研究所 可见光通信用单芯片白光led及其制备方法
CN106129204A (zh) * 2016-08-02 2016-11-16 南京大学 表面等离激元增强InGaN／GaN偏振出光LED及其制备方法
CN107845708A (zh) * 2017-09-27 2018-03-27 华中科技大学鄂州工业技术研究院 一种深紫外发光二极管外延片、芯片及其制备方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011216555A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 発光素子
KR20110118956A (ko) * 2010-04-26 2011-11-02 전북대학교산학협력단 코어-쉘 나노입자를 이용한 표면 플라즈몬 공명-기반 발광 다이오드
CN101950785A (zh) * 2010-07-28 2011-01-19 山东大学 一种GaN基LED管芯P型GaN层的结构
CN103681996A (zh) * 2013-10-17 2014-03-26 武汉光电工业技术研究院有限公司 一种紫外发光二极管及其制备方法
CN104218127A (zh) * 2014-09-01 2014-12-17 天津工业大学 一种与等离子体激元耦合的高效GaN基LED及其制作方法
CN105405938A (zh) * 2015-12-29 2016-03-16 中国科学院半导体研究所 可见光通信用单芯片白光led及其制备方法
CN106129204A (zh) * 2016-08-02 2016-11-16 南京大学 表面等离激元增强InGaN／GaN偏振出光LED及其制备方法
CN107845708A (zh) * 2017-09-27 2018-03-27 华中科技大学鄂州工业技术研究院 一种深紫外发光二极管外延片、芯片及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN108615797A (zh) 2018-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108615797B (zh) 具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件及其制备方法
CN101702419B (zh) 一种GaN基LED芯片结构中p-GaN层或ITO层的表面粗化方法
CN104465917B (zh) 图案化光电基板及其制作方法
CN102157640B (zh) 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法
WO2022135304A1 (zh) 纳米图形衬底上生长的AlInGaN紫外发光二极管及其制造方法
US7521329B2 (en) Semiconductor light emitting diode having textured structure and method of manufacturing the same
CN104051587A (zh) 表面等离激元增强GaN基纳米孔LED的制备方法
CN101159307A (zh) 一种纳米结构出光面半导体发光二极管及其制备方法
WO2022135344A1 (zh) 一种提高紫外AlInGaN发光二极管TM模出光效率的方法
CN114497301B (zh) 一种微发光二极管
CN102064245A (zh) 发光二极管制造方法
Su et al. GaN-based light-emitting diodes grown on photonic crystal-patterned sapphire substrates by nanosphere lithography
CN108493309B (zh) 一种纳米柱紫外led及其制备方法与应用
CN106653973B (zh) 一种led芯片及其制作方法
CN106784183B (zh) 一种led芯片及其制作方法
CN109285927B (zh) 一种白光发光二极管及其制备方法
KR102170470B1 (ko) 그래핀 양자점 광증폭 발광소자 및 그의 제작방법
CN102487113A (zh) 提高发光效率的GaN基LED外延片及其制备与应用
CN105914278B (zh) 一种高光萃取效率的近紫外led芯片及其制备方法
CN109037267A (zh) 金属光子晶体耦合增强nano-LED阵列及制造方法
CN110176527B (zh) 一种基于mim结构的三维超结构的制备方法及其应用
CN208157443U (zh) 一种纳米柱紫外led
KR20130000262A (ko) 광효율이 향상된 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR101221075B1 (ko) 나노 임프린트를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드 제조방법과 이를 통해 제조된 발광 다이오드 소자
CN110416376A (zh) 一种能直接发射白光的半导体异质结发光芯片

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant