CN108562813A - 一种SiC Mosfet电性能的测试装置 - Google Patents
一种SiC Mosfet电性能的测试装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108562813A CN108562813A CN201810283089.5A CN201810283089A CN108562813A CN 108562813 A CN108562813 A CN 108562813A CN 201810283089 A CN201810283089 A CN 201810283089A CN 108562813 A CN108562813 A CN 108562813A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- temperature
- pressure
- voltage
- current
- test
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种SiC Mosfet电性能的测试装置，它包括机械压力设备、温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器，所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现以下步骤：步骤1、执行机械压力条件下的测试，确认是否退出测试；步骤2、执行温度条件下的测试；确认是否退出测试；步骤3、执行机械压力和温度两个条件下的电压和电流测试，确认是否退出测试；重复上述各步骤，手动控制程序结束。本发明的技术效果是：能测试SiC Mosfet器件在机械压力和温度条件下的电压和电流，构建SiC Mosfet器件上电压、电流与机械压力和温度的变化关系。
Description
技术领域
本发明属于元器件的测试技术领域，具体涉及一种SiC Mosfet电性能的测试装置。
背景技术
SiC Mosfet是一种基础的电子元器件，测试它的电性能是一项基础工作。现有的SiC Mosfet电压、电流测试都是在正常压力和温度下进行测量，还没有检测该器件在机械压力和温度条件下的电压、电流与机械压力、温度的变化关系。
发明内容
针对现有SiC Mosfet测试技术存在的不足，本发明所要解决的技术问题就是提供一种SiC Mosfet电性能的测试装置，它能测试SiC Mosfet器件在机械压力和温度条件下的电压和电流，构建SiC Mosfet器件上电压、电流与机械压力和温度的变化关系。
本发明所要解决的技术问题是通过这样的技术方案实现的，它包括机械压力设备、温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器，控制器输出端口分别由对应的控制线连接机械压力设备和温控箱，机械压力设备上的压力传感器和温控箱内的温度传感器、电压检测器、电流检测器分别通过数据线连接控制器，所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现以下步骤：
步骤1、判定是否在机械压力条件下测试电压和电流，若是，执行机械压力条件下的测试，然后确认是否退出测试；
步骤2、判定是否在温度条件下测试电压和电流，若是，执行温度条件下的测试；然后确认是否退出测试；
步骤3、执行机械压力和温度两个条件下的电压和电流测试，然后确认是否退出测试；
重复上述各步骤，手动控制程序结束。
上述步骤1中，执行机械压力条件下的测试步骤包括：
（1）、输出压力、压强参数，控制机械压力设备加压；
（2）读取压力传感器的压力、压强值；
（3）读取电压传感器的电压值和电流传感器的电流值；
（4）计算被测SiC Mosfet器件上电压和电流随压力或压强的变化关系。
上述步骤2中，执行温度条件下的测试步骤包括：
（1）、输出温度参数，控制温控箱内的温度；
（2）读取温度传感器的温度值；
（3）读取电压传感器的电压值和电流传感器的电流值；
（4）计算被测SiC Mosfet器件上电压和电流随温度的变化关系。
上述步骤3中，执行机械压力和温度两个条件下的测试步骤包括：
（1）、输出压力、压强参数，控制机械压力设备加压；输出温度参数，控制温控箱内的温度；
（2）读取压力传感器的压力、压强值并读取温度传感器的温度值；
（3）读取电压传感器的电压值和电流传感器的电流值；
（4）计算被测SiC Mosfet器件上电压和电流随压力或压强和温度的变化关系。
本发明的技术效果是：
在未退出测试的情况，能够进行多点测试，获得一些列测试数据。既能测试单一的机械压力条件下或温度条件下SiC Mosfet器件上的电压和电流，又能测在试机械压力和温度两个条件下SiC Mosfet器件上的电压和电流，改变条件参数，获得对应的电压和电流值，构建SiC Mosfet器件上电压、电流与机械压力和温度的变化关系曲线图。
附图说明
本发明的附图说明如下：
图1为本发明的主程序流程图；
图2为机械压力条件下测试的子程序流程图；
图3为温度条件下测试的子程序流程图；
图4为机械压力和温度两个条件下测试的子程序流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明：
本发明包括机械压力设备、温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器，控制器输出端口分别由对应的控制线连接机械压力设备和温控箱，机械压力设备上的压力传感器和温控箱内的温度传感器、电压检测器、电流检测器分别通过数据线连接控制器；控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序，计算机程序包括一个主程序和三个子程序。
图1所示的主程序流程如下，流程开始于步骤S01，在步骤S01中进行变量初始化，默认为0，然后：
在步骤S02，检测是否有指令输入，若是，则执行步骤S03；否则，执行步骤S09；
在步骤S03，判断是否在机械压力条件下测试，若是，则执行步骤S04，否则，执行步骤S05；
在步骤S04，执行机械压力条件下SiC Mosfet器件上的电压和电流测试，然后执行步骤S08；
在步骤S05，判断是否在温度条件下测试，若是，则执行步骤S06，否则，执行步骤S07；
在步骤S06，执行温度条件下SiC Mosfet器件上的电压和电流测试，然后执行步骤S08；
在步骤S07，执行机械压力和温度两个条件下SiC Mosfet器件上的电压和电流测试，然后执行步骤S08；
在步骤S08；确认是否退出测试，若是，则执行步骤S09，否则，执行步骤S02；
在步骤S09，手动控制程序结束。
子程序1是在机械压力下测试SiC Mosfet电压电流的流程，如图2所示，该程序流程如下：
在步骤S201，输出压力或压强参数，控制机械压力设备加压；
在步骤S202，判断压力传感器是否有更新，若是，则执行步骤S204，否则执行步骤S203；
在步骤S203，重新匹配压力传感器的输入压力或压强，即更新压力传感器，导入数据，将数据传递给显示单元，然后执行步骤S204；
在步骤S204，读取当前压力传感器输入压力或压强值；
在步骤S205，在显示器上显示压力传感器的值；
在步骤S206，检查电流电压输入是否更新，若是，则执行步骤S208，否则执行步骤S207；
在步骤S207，更新检测输入的电压、电流，然后执行步骤S208；
在步骤S208，读取检测输入的电压、电流值；
在步骤S209，计算被测SiC Mosfet器件上电压和电流随压力或压强的变化关系；
在步骤S210，转回到主程序。
子程序2是在温度条件下测试SiC Mosfet电压电流的流程，如图3所示，该程序流程如下：
在步骤S301，输出温度参数，控制温控箱的温度；
在步骤S302，判断温度传感器是否有更新，若是，则执行步骤S304，否则执行步骤S303；
在步骤S303，重新匹配温度传感器的温度，即更新温度传感器，导入数据，将数据传递给显示单元，然后执行步骤S304；
在步骤S304，读取当前温度传感器输入的温度值；
在步骤S305，在显示器上显示温度传感器的值；
在步骤S306，检查电流电压输入是否更新，若是，则执行步骤S308，否则执行步骤S307；
在步骤S307，更新检测输入的电压、电流，然后执行步骤S308；
在步骤S308，读取检测输入的电压、电流值；
在步骤S309，计算被测SiC Mosfet器件上电压和电流随温度的变化关系；
在步骤S310，转回到主程序。
子程序3是在机械压力和温度两个条件下测试SiC Mosfet电压电流的流程，如图4所示，该程序流程如下：
在步骤S401，输出压力或压强和温度参数，控制机械压力设备加压和温控箱的温度；
在步骤S402，判断温度传感器是否有更新，若是，则执行步骤S404，否则执行步骤S403；
在步骤S403，重新匹配压力传感器的输入压力或压强，温度传感器的温度即更新压力传感器和温度传感器，导入数据，将数据传递给显示单元，然后执行步骤S404；
在步骤S404，读取当前压力传感器输入压力或压强；温度传感器输入的温度；
在步骤S405，在显示器上显示压力传感器的值和温度传感器的值；
在步骤S406，检查电流电压输入是否更新，若是，则执行步骤S408，否则执行步骤S407；
在步骤S407，更新检测输入的电压、电流，然后执行步骤S408；
在步骤S408，读取检测输入的电压、电流值；
在步骤S409，计算被测SiC Mosfet器件上电压和电流随压力或压强和温度的变化关系；
在步骤S410，转回到主程序。
由于SiC Mosfet器件所受最大压强为10MPa，则本发明的机械压力设备提供最大机械压力为190KN，同时能检测SiC Mosfet器件上的最大电压为7000V，最大电流为1000A。
由于被测电流最大为1000A，选择38mm孔径的开合式霍尔传感器检测电流；由于被测电压为7000V以内的高压，用两个大电阻串联组成分压器，然后用高精度AD芯片测AD值（直流电压值），获得被测电压。
Claims (4)
1.一种SiC Mosfet电性能的测试装置，其特征是：包括机械压力设备、温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器，控制器输出端口分别由对应的控制线连接机械压力设备和温控箱，机械压力设备上的压力传感器和温控箱内的温度传感器、电压检测器、电流检测器分别通过数据线连接控制器，所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现以下步骤：
步骤1、判定是否在机械压力条件下测试电压和电流，若是，执行机械压力条件下的测试，然后确认是否退出测试；
步骤2、判定是否在温度条件下测试电压和电流，若是，执行温度条件下的测试；然后确认是否退出测试；
步骤3、执行机械压力和温度两个条件下的电压和电流测试，然后确认是否退出测试；
重复上述各步骤，手动控制程序结束。
2.根据权利要求1所述的SiC Mosfet电性能的测试装置，其特征是：所述步骤1中，执行机械压力条件下的测试步骤包括：
（1）、输出压力、压强参数，控制机械压力设备加压；
（2）读取压力传感器的压力、压强值；
（3）读取电压传感器的电压值和电流传感器的电流值；
（4）计算被测SiC Mosfet器件上电压和电流随压力或压强的变化关系。
3.根据权利要求1所述的SiC Mosfet电性能的测试装置，其特征是：所述步骤2中，执行温度条件下的测试步骤包括：
（1）、输出温度参数，控制温控箱内的温度；
（2）读取温度传感器的温度值；
（3）读取电压传感器的电压值和电流传感器的电流值；
（4）计算被测SiC Mosfet器件上电压和电流随温度的变化关系。
4.根据权利要求1所述的SiC Mosfet电性能的测试装置，其特征是：所述步骤3中，执行机械压力和温度两个条件下的测试步骤包括：
（1）、输出压力、压强参数，控制机械压力设备加压；输出温度参数，控制温控箱内的温度；
（2）读取压力传感器的压力、压强值并读取温度传感器的温度值；
（3）读取电压传感器的电压值和电流传感器的电流值；
（4）计算被测SiC Mosfet器件上电压和电流随压力或压强和温度的变化关系。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810283089.5A CN108562813A (zh) | 2018-04-02 | 2018-04-02 | 一种SiC Mosfet电性能的测试装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810283089.5A CN108562813A (zh) | 2018-04-02 | 2018-04-02 | 一种SiC Mosfet电性能的测试装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108562813A true CN108562813A (zh) | 2018-09-21 |
Family
ID=63533621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810283089.5A Pending CN108562813A (zh) | 2018-04-02 | 2018-04-02 | 一种SiC Mosfet电性能的测试装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108562813A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020123682A1 (en) * | 2018-12-14 | 2020-06-18 | General Electric Company | High voltage semiconductor devices having improved electric field suppression |
| WO2020123793A1 (en) * | 2018-12-14 | 2020-06-18 | General Electric Company | Methods of fabricating high voltage semiconductor devices having improved electric field suppression |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103792254A (zh) * | 2014-01-17 | 2014-05-14 | 中国空间技术研究院 | 用于热阻测试的高精度温控试验系统 |
| US20140266290A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Bhavin Odedara | Process detection circuit |
| CN104155335A (zh) * | 2014-04-29 | 2014-11-19 | 贵州凯里亿云电子科技有限责任公司 | 高精度自动化晶体管试验参数采集系统 |
| CN106206355A (zh) * | 2016-08-30 | 2016-12-07 | 成都汇智远景科技有限公司 | 基于石墨烯感测单元的半导体检测系统 |
-
2018
- 2018-04-02 CN CN201810283089.5A patent/CN108562813A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140266290A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Bhavin Odedara | Process detection circuit |
| CN103792254A (zh) * | 2014-01-17 | 2014-05-14 | 中国空间技术研究院 | 用于热阻测试的高精度温控试验系统 |
| CN104155335A (zh) * | 2014-04-29 | 2014-11-19 | 贵州凯里亿云电子科技有限责任公司 | 高精度自动化晶体管试验参数采集系统 |
| CN106206355A (zh) * | 2016-08-30 | 2016-12-07 | 成都汇智远景科技有限公司 | 基于石墨烯感测单元的半导体检测系统 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 汪洋等: ""ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ静态温度特性研究"", 《电力电子技术》 * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020123682A1 (en) * | 2018-12-14 | 2020-06-18 | General Electric Company | High voltage semiconductor devices having improved electric field suppression |
| WO2020123793A1 (en) * | 2018-12-14 | 2020-06-18 | General Electric Company | Methods of fabricating high voltage semiconductor devices having improved electric field suppression |
| US10892237B2 (en) | 2018-12-14 | 2021-01-12 | General Electric Company | Methods of fabricating high voltage semiconductor devices having improved electric field suppression |
| US11538769B2 (en) | 2018-12-14 | 2022-12-27 | General Electric Company | High voltage semiconductor devices having improved electric field suppression |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3318883B1 (en) | Non-contact voltage measurement system | |
| US9939459B2 (en) | System and method for performing a test on a pitot probe heating element | |
| CN104459340A (zh) | 切换式负载时域反射计去嵌入式探测器 | |
| US9927318B2 (en) | Systems and methods that allow for simultaneous sensor and signal conditioning circuit performance testing | |
| CN102393501A (zh) | 一种mosfet可靠性测试分析系统及方法 | |
| CN107783069A (zh) | 集成电路测试系统中直流测量单元的在线校准系统及方法 | |
| Kasper et al. | Electrochemical impedance spectroscopy error analysis and round robin on dummy cells and lithium-ion-batteries | |
| CN103995202B (zh) | 一种自动信号测试方法、装置及系统 | |
| KR101924149B1 (ko) | 전자기기를 위한 통합 성능검사 시스템 | |
| CN108562813A (zh) | 一种SiC Mosfet电性能的测试装置 | |
| TW201607199A (zh) | 電子裝置及其偵測方法 | |
| CN106233150B (zh) | 保护测试仪器的电路 | |
| CN102435352B (zh) | 一种微波功率量热计的控制及采集装置 | |
| CN100409016C (zh) | 印刷电路板的电容器测试方法及装置 | |
| CN102768334B (zh) | 电路分析仪的分析方法 | |
| WO2015069263A1 (en) | A method and apparatus for improving differential direct current ("dc") measurement accuracy | |
| CN104730448B (zh) | 自动测试设备资源配置方法与自动测试通道配置装置 | |
| CN216646688U (zh) | 一种半导体激光器伏安特性分析测试装置 | |
| Ji et al. | The design of data acquisition system based on virtual instrument | |
| CN210400286U (zh) | 一种标准物质应变测试模块 | |
| US11353496B2 (en) | Frequency-based built-in-test for discrete outputs | |
| CN109792148B (zh) | 保护电路 | |
| CN206002633U (zh) | 一种便携式发动机电气系统自动检测仪 | |
| CN206020556U (zh) | 发动机电气系统自动检测仪 | |
| CN109709410A (zh) | 一种基于usb的噪声源及其使用方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180921 |