CN108559947A - 掩膜板、掩膜组件及掩膜板制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种掩膜板、掩膜组件及掩膜板制作方法，该掩膜板用于张紧焊接于支撑框架上，掩膜板为电铸掩膜板，掩膜板包括蒸镀区、非蒸镀区和用于与支撑框架焊接的焊接区，至少在焊接区内掺杂有辅助离子，以提高焊接区的焊接性能，辅助离子的焊接性能优于制作掩膜板用电铸液中的抗腐蚀离子的焊接性能。上述掩膜板中，至少在焊接区内掺杂辅助离子，以提高焊接区的焊接性能，辅助离子的焊接性能优于制作掩膜板用电铸液中抗腐蚀离子的焊接性能。由于辅助离子的焊接性能较好，将辅助离子掺杂到焊接区内后，提高和焊接内焊接性能较好的离子的含量，进而提高了焊接区的焊接性能，保证掩膜板与支撑框架的焊接效果。

Description

掩膜板、掩膜组件及掩膜板制作方法

技术领域

本发明涉及显示面板制备技术领域，特别是涉及掩膜板、掩膜组件及掩膜板制作方法。

背景技术

目前OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)采用真空蒸镀技术制备有机发光层。在器件制备过程中，有机材料通过高温蒸镀淀积在位于蒸发源上方的基板上，为使有机材料按照设计蒸镀到特定的位置上，需要使用掩膜板，掩膜板上留有预先设计好的有效开口区域，通过该有效开口区域，有机材料沉积到背板上面，形成预设图形。

掩膜板一般采用蚀刻工艺或者电铸工艺制备，在实际生产中，发明人发现，采用电铸工艺制备的掩膜板的焊接性能较差，不易于张网焊接到支撑框架上，掩膜板与支撑框架的焊接效果较差。

发明内容

基于此，本发明提供了一种掩膜板，解决了电铸掩膜板焊接性能较差的问题，可以保证掩膜板与支撑框架的焊接效果。

为了实现以上目的，本发明提供了一种掩膜板。

一种掩膜板，用于张紧焊接于支撑框架上，所述掩膜板为电铸掩膜板，所述掩膜板包括蒸镀区、非蒸镀区和用于与支撑框架焊接的焊接区，至少在所述焊接区内掺杂有辅助离子，以提高所述焊接区的焊接性能，所述辅助离子的焊接性能优于制作所述掩膜板用电铸液中的抗腐蚀离子的焊接性能。

上述掩膜板中，至少在焊接区内掺杂辅助离子，以提高焊接区的焊接性能，辅助离子的焊接性能优于制作掩膜板用电铸液中抗腐蚀离子的焊接性能。由于辅助离子的焊接性能较好，将辅助离子掺杂到掩膜板的焊接区内后，提高焊接区焊接性能较好的离子的含量，进而提高了焊接区的焊接性能，保证掩膜板与支撑框架的焊接效果。

在其中一个实施例中，所述掩膜板的整体区域内掺杂有所述辅助离子。

在其中一个实施例中，所述辅助离子为磁性金属离子。

在其中一个实施例中，所述蒸镀区内掺杂有磁性金属离子，以提高所述蒸镀区的吸附性能。

在其中一个实施例中，所述磁性金属离子为铁基离子和/或镍基离子。

在其中一个实施例中，所述非蒸镀区内掺杂有非磁性离子，以降低所述非蒸镀区的吸附性能。

在其中一个实施例中，在所述掩膜板的所有离子中，所述非磁性离子的质量占比在0.5％以内。

在其中一个实施例中，所述非磁性离子为钛离子、锰离子和碳离子中的至少一种。

一种掩膜组件，包括支撑框架和至少一个上述掩膜板，所述掩膜板张紧并焊接于所述支撑框架上。

本发明还提供一种掩膜板制作方法，包括以下步骤：

提供掩膜板，所述掩膜板包括蒸镀区、非蒸镀区和用于与支撑框架焊接的焊接区；

至少在所述掩膜板的所述焊接区内掺杂辅助离子，以提高所述焊接区的焊接性能，所述辅助离子的焊接性能优于制作所述掩膜板用电铸液中的抗腐蚀离子的焊接性能。

在其中一个实施例中，所述至少在所述掩膜板的所述焊接区内掺杂金属离子的步骤具体为：

采用离子注入工艺，在所述焊接区内注入所述辅助离子；或者，

采用离子注入工艺，在所述焊接区内和所述蒸镀区内注入所述辅助离子；或者，

采用离子注入工艺，在所述掩膜板的整体区域内注入所述辅助离子。

在其中一个实施例中，还包括：

采用离子注入工艺，在所述非蒸镀区内注入非磁性离子。

附图说明

图1为本发明一实施例中掩膜组件的结构示意图；

图2本发明一实施例中掩膜板的结构示意图；

图3为本发明一实施例中掩膜板制作方法的流程示意图；

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

正如背景技术所述，采用现有技术中的电铸掩膜板，会出现焊接性能较差的问题。发明人研究发现，出现这种问题的根本原因在于，采用电铸工艺制备的掩膜板时，因为电铸液具有较强的抗腐蚀性，会减弱成型的掩膜板的焊接性能。具体地，焊接属于破坏金属本身结构的工艺过程，而电铸液中抗腐蚀离子的存在，导致最后成型的掩膜板中的金属离子不易发生变化，继而导致焊接性能较差。

如图1-2所示，基于上述原因，本发明公开了一种掩膜板100，张紧于支撑框架10上，用于蒸镀显示面板中的像素单元等。掩膜板100为电铸掩膜板，通过电铸工艺制备，厚度较薄，蒸镀效果较好。

并且，掩膜板100包括蒸镀区20、非蒸镀区40和用于与支撑框架10焊接的焊接区60。掩膜板100张紧于支撑框架10上时，蒸镀区20和非蒸镀区40位于支撑框架10中空区域所在的范围内，焊接区60用于与支撑框架10焊接。至少在焊接区60内掺杂辅助离子，以提高焊接区60的焊接性能，辅助离子的焊接性能优于制作掩膜板100用电铸液中抗腐蚀离子的焊接性能。由于辅助离子的焊接性能较好，将辅助离子掺杂到焊接区60内后，提高焊接区60内焊接性能较好离子的含量，进而提高了焊接区60的焊接性能，保证掩膜板100与支撑框架10的焊接效果。

在其中一个实施例中，掩膜板100的整体区域内掺杂有辅助离子，以提高掩膜板100整体的焊接性能。可选地，辅助离子为磁性金属离子，提高掩膜板100整体焊接性能的同时，还可提高掩膜板100的吸附性能，可以在磁场中更好地被吸附，避免掩膜板100在蒸镀过程中下垂，进一步提高蒸镀效果。

在其中一个实施例中，蒸镀区20内掺杂有辅助离子，具体地蒸镀区20内掺杂有磁性金属离子，以提高蒸镀区的吸附性能。因为磁性金属离子本身在磁场中受到的磁力较强，将磁性金属离子注入蒸镀区20后，蒸镀区20在磁场中所受到的吸附力增强，如此增强磁场对蒸镀区20的吸附性能。

并且，掩膜条100拉伸张紧于支撑框架10上后，因为蒸镀区20内开设有多个蒸镀开口，蒸镀区20整体强度较低，在受到重力作用时容易变形下垂。而本实施中，为了解决上述技术问题，增加蒸镀区20的吸附性能，使下垂量较大的蒸镀区20受到较大的吸附力，减小蒸镀区20与其周围的区域的下垂量差距，进而可以减小蒸镀区20下垂引起蒸镀区20边缘褶皱的现象。

一般情况下，掩膜板中的抗腐蚀离子多为钴离子或钛离子，因此，上述磁性金属离子可以为铁基离子和/或镍基离子，即该用于掺杂的磁性金属离子可以为铁基离子，也可以为镍基离子，还可以为铁基离子和镍基离子的混合物。

在一个实施例中，非蒸镀区40内掺杂有非磁性离子，以降低非蒸镀区40的吸附性能。非磁性离子本身无法在磁场中受到吸附力，将非磁性离子注入非蒸镀区40内后，非蒸镀区40内非磁性离子的含量增加，减弱磁场对非蒸镀区40的吸附性能。可选地，非磁性离子为钛离子、锰离子和碳离子中的至少一种，即非磁性离子可以为上述三种离子中的任意一种，或者上述三种离子中多种的混合物。

并且，掩膜条100拉伸张紧于支撑框架10上后，蒸镀区20内因为布设有多个蒸镀开口，蒸镀区20相对于其外周的非蒸镀区40强度较小，在重力作用下蒸镀区20的下垂量大于非蒸镀区40的下垂量，两区域过渡的边缘因为下垂量相差较大而容易产生褶皱。

为了解决上述问题，本实施例中，在下垂量较大的蒸镀区20内注入了磁性金属离子的基础上，还在非蒸镀区40内注入了非磁性离子，减弱下垂量较小区域的吸附能力。蒸镀区20和非蒸镀区40位于同一磁场内时，蒸镀区20受到较强的吸附力，避免其下垂量过大，非蒸镀区40受到较弱的吸附力，避免其下垂量过小，最终使两个区域的下垂量接近，使蒸镀区20和非蒸镀区40位于同一平面内，减少两个区域过渡边缘产生的褶皱。

具体地，掩膜板100的所有离子中，非磁性离子的质量占比在0.5％以内，掺杂较少量的非磁性离子，避免过多的非磁性离子对掩膜板100中的金属离子产生不利的影响。其中，掩膜板100的所有离子是指构成掩膜板100整体的多种离子。

在一个实施例中，蒸镀区20与异形显示屏的显示区匹配，蒸镀区20为异形区域。掩膜板100拉伸张紧后，异形的蒸镀区20因为重量作用下垂，与周围的非蒸镀区40的过渡边缘容易因为下垂量的差距而产生褶皱，同时在异形边缘在下垂过程中容易受力不均加剧褶皱。

本实施例中，对于异形的蒸镀区20采用上述掩膜板100，分区掺杂磁性金属离子和非磁性离子，在下垂量大的蒸镀区20注入磁性金属离子增强吸附力，在下垂量小的非蒸镀区40注入非磁性离子减弱吸附力，进而使蒸镀区20和非蒸镀区40在重力和磁力的作用下维持在接近的高度上，避免两区域的过渡边缘因为下垂量相差较大而褶皱。

本发明还提供一种掩膜组件，如图1所示，该掩膜组件包括上述掩膜板100及支撑框架10，掩膜板100张紧并焊接于支撑框架10上，可用于蒸镀显示面板的像素单元等。

如图3所示，本发明还提供一种掩膜板制作方法，具体包括以下步骤：

步骤S100，提供掩膜板100，掩膜板100包括蒸镀区20、非蒸镀区40和用于与支撑框架10焊接的焊接区60；

步骤S300，至少在掩膜板100的焊接区60内掺杂辅助离子，以提高焊接区60的焊接性能，辅助离子的焊接性能优于制作掩膜板100用电铸液中的抗腐蚀离子的焊接性能。

上述掩膜板制作方法中，首先电铸分布有多个蒸镀开口的掩膜板100，掩膜板100的厚度较薄，蒸镀效果较好。电铸得到掩膜板之后，在掩膜板100的焊接区60内注入有辅助离子，辅助离子本身具有较强的焊接性能，采用离子注入技术将焊接性能较强的铁等金属离子注入焊接区60内，提高焊接区60内辅助离子的含量，便可增强焊接区60的焊接性能，保证掩膜板100与支撑框架10的焊接效果。

在一个实施例中，至少在掩膜板100的焊接区60内掺杂辅助离子的步骤S300具体为，采用离子注入工艺，在焊接区60内注入辅助离子，增强焊接区60的焊接性能，保证掩膜板100与支撑框架10的焊接效果。

在另一实施例中，至少在掩膜板100的焊接区60内掺杂辅助离子的步骤S300具体为，采用离子注入工艺，在焊接区60内和蒸镀区20内注入辅助离子，提高焊接区60的焊接性能。同时，具体地辅助离子为磁性金属离子，因为磁性金属离子本身在磁场中受到的磁力较强，将磁性金属离子注入蒸镀区20后，蒸镀区20在磁场中所受到的吸附力增强，如此增强磁场对蒸镀区20的吸附性能。

并且，掩膜条100拉伸张紧于支撑框架10上后，因为蒸镀区20内开设有多个蒸镀开口，蒸镀区20整体强度较低，在受到重力作用时容易变形下垂。而本实施中，为了解决上述技术问题，增加蒸镀区20的吸附性能，使下垂量较大的蒸镀区20受到较大的吸附力，减小蒸镀区20与其周围的区域的下垂量差距，进而可以减小蒸镀区20下垂引起蒸镀区20边缘褶皱的现象。

在另一实施例中，至少在掩膜板100的焊接区60内掺杂辅助离子的步骤S300具体为，采用离子注入工艺，在掩膜板100的整体区域内注入辅助离子，增强掩膜板100整体的焊接性能，保证掩膜板100与支撑框架10的焊接效果。并且，当掺杂的金属离子具有磁性时，同时还可提高掩膜板100的吸附性能，避免掩膜板100在蒸镀过程中下垂。

在一个实施例中，掩膜板制作方法还包括以下步骤：

步骤S500，采用离子注入工艺，在非蒸镀区内注入非磁性离子，例如非磁性离子为钛离子、锰离子和碳离子中的至少一种。非磁性离子本身无法在磁场中受到吸附力，将非磁性离子注入非蒸镀区40内后，非蒸镀区40内非磁性离子的含量增加，减弱磁场对非蒸镀区40的吸附性能。可选地，非磁性离子为钛离子、锰离子和碳离子中的至少一种，即非磁性离子可以为上述三种离子中的任意一种，或者上述三种离子中多种的混合物。

并且，掩膜条100拉伸张紧于支撑框架10上后，蒸镀区20内因为布设有多个蒸镀开口，蒸镀区20相对于其外周的非蒸镀区40强度较小，在重力作用下蒸镀区20的下垂量大于非蒸镀区40的下垂量，两区域过渡的边缘因为下垂量相差较大而容易产生褶皱。为了解决上述问题，本实施例中，在下垂量较大的蒸镀区20内注入了辅助离子的基础上，还在非蒸镀区40内注入了非磁性离子，减弱下垂量较小区域的吸附能力。蒸镀区20和非蒸镀区40位于同一磁场内时，蒸镀区20受到较强的吸附力，避免其下垂量过大，非蒸镀区40受到较弱的吸附力，避免其下垂量过小，最终使两个区域的下垂量接近，使蒸镀区20和非蒸镀区40位于同一平面内，减少两个区域过渡边缘产生的褶皱。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (12)

1.一种掩膜板，用于张紧焊接于支撑框架上，所述掩膜板为电铸掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括蒸镀区、非蒸镀区和用于与支撑框架焊接的焊接区，至少在所述焊接区内掺杂有辅助离子，以提高所述焊接区的焊接性能，所述辅助离子的焊接性能优于制作所述掩膜板用电铸液中的抗腐蚀离子的焊接性能。

2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板的整体区域内掺杂有所述辅助离子。

3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述辅助离子为磁性金属离子。

4.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述蒸镀区内掺杂有磁性金属离子，以提高所述蒸镀区的吸附性能。

5.根据权利要求3或4所述的掩膜板，其特征在于，所述磁性金属离子为铁基离子和/或镍基离子。

6.根据权利要求4所述的掩膜板，其特征在于，所述非蒸镀区内掺杂有非磁性离子，以降低所述非蒸镀区的吸附性能。

7.根据权利要求6所述的掩膜板，其特征在于，在所述掩膜板的所有离子中，所述非磁性离子的质量占比在0.5％以内。

8.根据权利要求7所述的掩膜板，其特征在于，所述非磁性离子为钛离子、锰离子和碳离子中的至少一种。

9.一种掩膜组件，其特征在于，包括支撑框架和至少一个如权利要求1-8任意一项所述的掩膜板，所述掩膜板张紧并焊接于所述支撑框架上。

10.一种掩膜板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供掩膜板，所述掩膜板包括蒸镀区、非蒸镀区和用于与支撑框架焊接的焊接区；

至少在所述掩膜板的所述焊接区内掺杂辅助离子，以提高所述焊接区的焊接性能，所述辅助离子的焊接性能优于制作所述掩膜板用电铸液中的抗腐蚀离子的焊接性能。

11.根据权利要求10所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述至少在所述掩膜板的所述焊接区内掺杂金属离子的步骤具体为：

采用离子注入工艺，在所述焊接区内注入所述辅助离子；或者，

采用离子注入工艺，在所述焊接区内和所述蒸镀区内注入所述辅助离子；或者，

采用离子注入工艺，在所述掩膜板的整体区域内注入所述辅助离子。

12.根据权利要求10所述的掩膜板制作方法，其特征在于，还包括：

采用离子注入工艺，在所述非蒸镀区内注入非磁性离子。