CN108554578A - 一种滚筒式多晶硅破碎装置 - Google Patents

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CN108554578A CN201810219125.1A CN201810219125A CN108554578A CN 108554578 A CN108554578 A CN 108554578A CN 201810219125 A CN201810219125 A CN 201810219125A CN 108554578 A CN108554578 A CN 108554578A
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姜炎
徐灯
董开群
苏晨
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    • B02CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING; PREPARATORY TREATMENT OF GRAIN FOR MILLING
    • B02CCRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING IN GENERAL; MILLING GRAIN
    • B02C19/00Other disintegrating devices or methods
    • B02C19/0012Devices for disintegrating materials by collision of these materials against a breaking surface or breaking body and/or by friction between the material particles (also for grain)
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Abstract

本发明提供一种滚筒式多晶硅破碎装置,包括:前底座、后底座,所述前底座、后底座平行设置,所述前底座、后底座上安装有托辊,所述托辊上设有滚筒,所述滚筒一端设有驱动盘、另一端上设有手动门,驱动盘通过皮带连接于电机,滚筒通过电机带动皮带,使滚筒在托辊上转动,所述滚筒中部设有筛孔,所述筛孔外侧设有密封罩,密封罩下侧设有出料口,出料口上设有出料斗。本发明整个破碎过程均在相对密封条件进行,对环境和工作人员没有伤害,整体设备使用寿命长、操作方便。

Description

一种滚筒式多晶硅破碎装置
技术领域
本发明涉及多晶硅破碎技术领域,具体为一种滚筒式多晶硅破碎装置。
背景技术
宏观来说,多晶硅就用在两个行业:太阳能电池和半导体工业。太阳能级要求的多晶纯度是比较低的,半导体要求的多晶硅纯度是相当的高。生活中,一般太阳能电池片用的是单晶硅片,纯度只要5N-6N,即这个纯度的单晶硅是由纯度5N-6N的多晶提拉而成,而像电脑的芯片,内存……他们所要求的硅片等级要12N。太阳能和半导体行业的对于多晶的需求都是很广泛,区别在于原料的纯度,而纯度的简单差别,在技术上却是极高的差别。
多晶硅是生产单晶硅的直接原料,是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。
多晶硅的生产对纯度要求很高。目前多晶硅棒的破碎主要靠人工用碳化钨锤子敲击破碎,破碎效率低,且破碎产生的粉尘对人体健康产生严重危害。
发明内容
本发明所解决的技术问题在于提供一种滚筒式多晶硅破碎装置,以解决上述背景技术中提出的问题。
本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:一种滚筒式多晶硅破碎装置,包括:前底座、后底座,所述前底座、后底座平行设置,所述前底座、后底座上安装有托辊,所述托辊上设有滚筒,所述滚筒一端设有驱动盘、另一端上设有手动门,驱动盘通过皮带连接于电机,滚筒通过电机带动皮带,使滚筒在托辊上转动,所述滚筒中部设有筛孔,所述筛孔外侧设有密封罩,密封罩下侧设有出料口,出料口上设有出料斗。
所述密封罩上侧设有粉尘抽排管,粉尘抽排管连接于抽负压设备上。
所述滚筒包括滚筒侧部、滚筒中部,滚筒侧部倾斜设置,滚筒侧部沿滚筒侧部对称设置,滚筒中部内设有中部挡块,滚筒侧部内设有外侧挡块。
所述电机通过电机固定座安装在前底座上。
所述托辊通过托辊安装轴安装在托辊固定支架上,托辊固定支架安装在前底座、后底座上,滚筒两端设有托辊导轨,托辊导轨安装在托辊上。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明整个破碎过程均在相对密封条件进行,对环境和工作人员没有伤害,整体设备使用寿命长、操作方便。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图2为本发明的主视图示意图。
图3为本发明的右视图示意图。
图4为本发明的滚筒结构示意图。
图5为本发明的手动门安装示意图。
具体实施方式
为了使本发明的实现技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本发明。
如图1~5所示,一种滚筒式多晶硅破碎装置,包括:前底座2、后底座1,所述前底座2、后底座1平行设置,所述前底座2、后底座1上安装有托辊9,所述托辊9上设有滚筒3,所述滚筒3一端设有驱动盘6、另一端上设有手动门36,驱动盘6通过皮带11连接于电机12,滚筒3通过电机带动皮带,使滚筒在托辊上转动,所述滚筒3中部设有筛孔33,所述筛孔33外侧设有密封罩4,密封罩4下侧设有出料口5,出料口5上设有出料斗14。
所述密封罩4上侧设有粉尘抽排管10,粉尘抽排管10连接于抽负压设备上。
所述滚筒3包括滚筒侧部31、滚筒中部32,滚筒侧部31倾斜设置,滚筒侧部31沿滚筒侧部31对称设置,滚筒中部32内设有中部挡块34,滚筒侧部31内设有外侧挡块35。
所述电机12通过电机固定座13安装在前底座2上。
所述托辊9通过托辊安装轴安装在托辊固定支架11上,托辊固定支架11安装在前底座2、后底座1上,滚筒3两端设有托辊导轨8,托辊导轨8安装在托辊9上。
本发明通过电机带动皮带,使滚筒在托辊上转动,多晶硅棒料横放在滚筒组件内,手动门关闭,随滚筒的转动,棒料被滚筒内部挡块托起并一起向上转动,到达一定角度后,棒料因自身重力自由滚落,掉落到滚筒底部,利用棒料跟棒料之间的相互撞击,以及棒料和滚筒内壁、挡块的相互撞击,达到多晶硅棒、块的破碎目的。
破碎后的碎块,当直径小于筛孔直径时,硅块从筛孔内排出,排到密封罩内,并从密封罩底部的排料口排出。为防止破碎过程中粉尘污染环境,根据粉尘主要集中在上部的特点,在密封罩上部安装抽排管装置,利用负压抽采方式将密封罩内粉尘抽出另行处理。
本发明的滚筒两端部向中部倾斜,中部为凹槽形式,主要有利于棒料破碎后自动向中部聚集。一是有利于破碎后大小合格的块料及时排除,避免2次再破碎;二是可以有效利用物料之间的碰撞进行破碎,避免物料与滚筒内壁接触次数,提高物料纯度,延长滚筒内壁寿命。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明的要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (5)

1.一种滚筒式多晶硅破碎装置,包括:前底座、后底座,所述前底座、后底座平行设置,其特征在于:所述前底座、后底座上安装有托辊,所述托辊上设有滚筒,所述滚筒一端设有驱动盘、另一端上设有手动门,驱动盘通过皮带连接于电机,滚筒通过电机带动皮带,使滚筒在托辊上转动,所述滚筒中部设有筛孔,所述筛孔外侧设有密封罩,密封罩下侧设有出料口,出料口上设有出料斗。
2.根据权利要求1所述的一种滚筒式多晶硅破碎装置,其特征在于:所述密封罩上侧设有粉尘抽排管,粉尘抽排管连接于抽负压设备上。
3.根据权利要求1所述的一种滚筒式多晶硅破碎装置,其特征在于:所述滚筒包括滚筒侧部、滚筒中部,滚筒侧部倾斜设置,滚筒侧部沿滚筒侧部对称设置,滚筒中部内设有中部挡块,滚筒侧部内设有外侧挡块。
4.根据权利要求1所述的一种滚筒式多晶硅破碎装置,其特征在于:所述电机通过电机固定座安装在前底座上。
5.根据权利要求1所述的一种滚筒式多晶硅破碎装置,其特征在于:所述托辊通过托辊安装轴安装在托辊固定支架上,托辊固定支架安装在前底座、后底座上,滚筒两端设有托辊导轨,托辊导轨安装在托辊上。
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