CN108551331A - 一种基于变压器耦合匹配的毫米波低损耗倍频器 - Google Patents
一种基于变压器耦合匹配的毫米波低损耗倍频器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108551331A CN108551331A CN201810246714.9A CN201810246714A CN108551331A CN 108551331 A CN108551331 A CN 108551331A CN 201810246714 A CN201810246714 A CN 201810246714A CN 108551331 A CN108551331 A CN 108551331A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transmission line
- transformer
- pseudo
- frequency multiplier
- millimeter wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 50
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
- H03B19/06—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes
- H03B19/14—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes by means of a semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F2017/0073—Printed inductances with a special conductive pattern, e.g. flat spiral
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2804—Printed windings
- H01F2027/2809—Printed windings on stacked layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于变压器耦合匹配的毫米波低损耗倍频器，包括巴伦、变压器、伪差分放大器、漏极偏置和输出匹配网络。所述巴伦、变压器、伪差分放大器和输出匹配网络依次连接；所述巴伦的两个输出端分别与变压器的两个输入端连接，变压器的两个输出端分别与伪差分放大器的两个输入端连接；所述栅极偏置通过电阻提供，漏极偏置由级联传输线和并联接地电容组成。本发明具有倍频转换损耗低、输入阻抗匹配和栅极偏置简单、输出频率高，易于在集成工艺上单片集成实现的特点。
Description
技术领域
本发明涉及微波及毫米波电路中的倍频器，具体涉及基于集成电路工艺实现单片集成的二倍频电路，设计结构简单，可将倍频转换损耗降低。
背景技术
随着低频段资源日趋紧张，以及无线系统对高速、高精度、大容量等要求愈来愈高，无线系统工作频段朝着微波毫米波延伸成为必然趋势。比如第五代移动通信系统(5G)、汽车防撞雷达等相继规划/采用K/Ka波段、E波段(60～90GHz)等毫米波频段来开展其相应的业务应用。
单片集成电路技术凭借其高集成、高性能、低成本等优势已经在射频领域占据了主导地位，但受其器件特征频率等工艺性能的限制，在毫米波频段实现工作频率高、输出功率高及相位噪声好的信号源仍然比较困难。此时，通常需要采用高性能低频振荡器和倍频器级联的方法来产生所需要的高频信号。
倍频器在实现所需要的谐波频率输出的同时，通常采用单平衡式的差分结构来强化二倍频输出，同时获得良好的基波抑制效果。而为了取得好的转换效率，一般采用栅宽较小的晶体管来实现低的转换损耗，但随着晶体管栅宽的减小，其输入阻抗的实部会变得较小，而虚部会变得很大，此时难以在两路信号平衡的前提下实现简单、有效的匹配。比如对于单平衡的差分结构，采用常规的传输线匹配方法匹配实部很小、虚部极大的阻抗点时，其匹配阻抗轨迹需要从史密斯圆图边沿经过多次阻抗路径变换，才能到达需要的匹配点(通常为50欧姆)。这种方法会带来比较大的阻抗匹配损耗，增加了倍频器的转换损耗。此外，传输线匹配网络的射频通路上还需串联电容进行直流隔离，增加了电路设计的复杂度。
发明内容
本发明的目的是为解决倍频器电路设计中的高虚部阻抗点匹配不易问题，同时简化倍频器的设计并优化电路性能，而提出一种采用变压器耦合匹配的毫米波低损耗倍频器电路。
本发明为解决上述技术问题所采用的方案：
一种基于变压器耦合匹配的毫米波低损耗倍频器，包括巴伦、变压器、伪差分放大器、漏极偏置和输出匹配网络；
所述巴伦、变压器、伪差分放大器和输出匹配网络依次连接；所述巴伦由第一传输线、第二传输线、第三传输线和第四传输线组成；所述变压器由初级线圈和次级线圈组成，初级线圈和次级线圈均有中心抽头；
所述倍频器输入信号连接巴伦的第一传输线一端，第一传输线的一端与第三传输线的一端级联连接，第三传输线另一端开路；第二传输线一端接地，另外一端连接变压器初级线圈的一端；第四传输线的一端接地，另外一端连接变压器初级线圈的另外一端，第一传输线和第二传输线平行耦合，第三传输线和第四传输线平行耦合；变压器次级线圈的一端连接伪差分放大器其中一个晶体管的栅极，变压器次级线圈的另外一端连接伪差分放大器另外一个晶体管的栅极；变压器初级线圈的中心抽头接地，变压器次级线圈的中心抽头连接电阻的一端，电阻的另外一端外接栅极电压；两个伪差分放大器晶体管的源极分别接地，晶体管的漏极连接在一起后同时连接漏极偏置和输出匹配网络的一端；漏极偏置由级联传输线和并联接地电容组成，漏极偏置的另一端外接漏极电压；输出匹配网络的另一端输出二倍频信号。
作为优选，所述的变压器由集成电路工艺的金属线平行耦合实现，为同层金属的同层耦合结构或上下层金属的叠层耦合结构。
作为优选，所述的毫米波低损耗倍频器采用集成电路工艺实现单片集成。
本发明的优点和显著效果：
1、本发明采用变压器耦合匹配的方式，可以将实部很小、虚部极大的对应在史密斯圆图边沿的阻抗点，快速变换到合理便于匹配的阻抗位置，从而有效的解决倍频器电路设计中的高虚部阻抗点匹配问题；
2、本发明采用变压器耦合匹配的方式，直接实现了直流隔离功能，省去了隔直电容的使用，简化了倍频器的输入匹配网络并优化了电路性能。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
图2(a)为本发明实施例的变压器结构示意图；
图2(b)为本发明实施例的变压器结构的仿真结果；
图3为本发明实施例的输入阻抗匹配示意图；
图4为本发明实施例的二倍频转换损耗仿真结果；
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明，本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。
如图1所示，一种基于变压器耦合匹配的毫米波低损耗倍频器，包括巴伦、变压器、伪差分放大器、漏极偏置和输出匹配网络。毫米波低损耗倍频器采用集成电路工艺实现单片集成。
所述巴伦、变压器、伪差分放大器和输出匹配网络依次连接；所述巴伦由第一传输线1、第二传输线2、第三传输线3和第四传输线4组成，其中第一传输线1和第二传输线2平行耦合，第三传输线3和第四传输线4平行耦合，第一传输线1和第三传输线3级联连接。所述变压器由初级线圈和次级线圈组成，初级线圈和次级线圈均有中心抽头。
所述倍频器输入信号连接巴伦的第一传输线1一端，第一传输线1与第三传输线3级联连接，第三传输线3另外一端开路；第二传输线2一端接地，另外一端连接变压器初级线圈的一端；第四传输线4的一端接地，另外一端连接变压器初级线圈的另外一端；变压器次级线圈的一端连接伪差分放大器其中一个晶体管M1的栅极，变压器次级线圈的另外一端连接伪差分放大器另外一个晶体管M2的栅极；变压器初级线圈的中心抽头接地，变压器次级线圈的中心抽头连接电阻R1的一端，电阻R1的另外一端外接栅极电压VG。伪差分放大器晶体管M1和M2的源极分别接地，晶体管M1和M2的漏极连接在一起后同时连接漏极偏置和输出匹配网络的一端；漏极偏置由级联传输线L1和并联接地电容C1组成，漏极偏置的另一端外接漏极电压VD；输出匹配网络的另一端输出二倍频信号。
以E波段毫米波低损耗倍频器电路为例对本发明进行描述。
输入为33～46GHz的射频信号经过巴伦后转化为输出相位相差180°的两路差分信号，再分别经过兼有匹配作用和直流隔离的变压器进入晶体管(M1和M2)，利用晶体管的非线性特性产生奇次谐波信号的叠加和偶次谐波信号的抵消。这些叠加的偶次谐波信号中，二次谐波分量幅值最大(66～92GHz)，再将输出匹配网络匹配到二次谐波频段，从而提取出二次谐波，从而实现二倍频电路。
实施例中倍频器电路采用65nm CMOS工艺实现。为保持平衡对称，晶体管M1和M2采用同样的尺寸参数，其栅长为60nm，栅宽为48μm(包含24个叉指，每个叉指长2μm)。
实施例中变压器采用叠层平行耦合结构，其三维结构如图2(a)所示。其中，初级线圈采用了所用工艺的顶层金属(厚度3.3μm)，次级线圈采用初级线圈的下一层金属(厚度0.9μm)，两层金属之间的间距为0.6μm。两级线圈金属线宽均为4μm，单级线圈周长900μm(对应中频频率的二分之一长度)，初、次级线圈水平间距1μm。初级线圈中心抽头处接地，次级线圈中心处经一个大电阻R1(7KΩ)外接至栅电压。该变压器在30～50GHz频段的损耗约为1.2dB，如图2(b)所示。该变压器在版图上近乎完全对称，所以在工作频段内其对应的平衡性能很好，其幅度差在±0.1dB以内，相位差在180°±0.5°以内。在毫米波频段，基于CMOS工艺的该款变压器达到了低损耗、高传输效率和高平衡度的要求。
如图3所示，从史密斯圆图中阻抗变换路径上看，变压器可以将实部很小、虚部极大的对应在圆图边沿的阻抗点，有效地变换到阻抗点合理、便于匹配的位置，从而较好的解决倍频器电路设计中的高虚部阻抗点匹配问题。此外，采用变压器代替传统传输线进行阻抗匹配，既有效避免了传输线匹配结构两路信号线路的信号隔离问题，又具备直流隔离功能，省去了隔直电容的使用，简化了输入匹配网络并优化了电路性能。
实施例中的倍频器电路由级联传输线L1和并联接地电容C1组成漏极偏置电路。其中级联传输线L1由微带线实现，长度为70μm，线宽为4μm(对应特性阻抗约为50Ω)；并联接地电容C1由MIM电容实现，电容值为2pF。
采用工艺线提供的晶体管模型，经过全电路的电磁场仿真和优化，该倍频器在输入功率为5dBm时，实现了67-93GHz的二倍频输出，转换增益为-3～-6dB，3dB带宽约为33％。基波抑制大于25.6dB，三次谐波抑制大于40dB。
以上内容是结合具体的实施案例对本发明作的详细说明，不能认定本发明具体实施仅限于这些说明。对于本发明所述技术领域的技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，对本发明的各组成部件、位置关系及连接方式在不改变其功能的情况下，进行的等效变换或替代，也落入本发明的保护范围。
本发明未公开的技术属本领域公知技术。
Claims (3)
1.一种基于变压器耦合匹配的毫米波低损耗倍频器，包括巴伦、变压器、伪差分放大器、漏极偏置和输出匹配网络；
其特征在于：所述巴伦、变压器、伪差分放大器和输出匹配网络依次连接；所述巴伦由第一传输线、第二传输线、第三传输线和第四传输线组成，所述变压器由初级线圈和次级线圈组成，初级线圈和次级线圈均有中心抽头；
所述倍频器输入信号连接巴伦的第一传输线一端，第一传输线的一端与第三传输线的一端级联连接，第三传输线另一端开路；第二传输线一端接地，另外一端连接变压器初级线圈的一端；第四传输线的一端接地，另外一端连接变压器初级线圈的另外一端，第一传输线和第二传输线平行耦合，第三传输线和第四传输线平行耦合；变压器次级线圈的一端连接伪差分放大器其中一个晶体管的栅极，变压器次级线圈的另外一端连接伪差分放大器另外一个晶体管的栅极；变压器初级线圈的中心抽头接地，变压器次级线圈的中心抽头连接电阻的一端，电阻的另外一端外接栅极电压；两个伪差分放大器晶体管的源极分别接地，晶体管的漏极连接在一起后同时连接漏极偏置和输出匹配网络的一端；漏极偏置由级联传输线和并联接地电容组成，漏极偏置的另一端外接漏极电压；输出匹配网络的另一端输出二倍频信号。
2.根据权利要求1所述的一种基于变压器耦合匹配的毫米波低损耗倍频器，其特征在于：所述的变压器由集成电路工艺的金属线平行耦合实现，为同层金属的同层耦合结构或上下层金属的叠层耦合结构。
3.根据权利要求1所述的一种基于变压器耦合匹配的毫米波低损耗倍频器，其特征在于：所述的毫米波低损耗倍频器采用集成电路工艺实现单片集成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810246714.9A CN108551331A (zh) | 2018-03-23 | 2018-03-23 | 一种基于变压器耦合匹配的毫米波低损耗倍频器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810246714.9A CN108551331A (zh) | 2018-03-23 | 2018-03-23 | 一种基于变压器耦合匹配的毫米波低损耗倍频器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108551331A true CN108551331A (zh) | 2018-09-18 |
Family
ID=63516899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810246714.9A Pending CN108551331A (zh) | 2018-03-23 | 2018-03-23 | 一种基于变压器耦合匹配的毫米波低损耗倍频器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108551331A (zh) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109617530A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-04-12 | 上海奥令科电子科技有限公司 | 一种push-push注锁式倍频器电路 |
| CN110401420A (zh) * | 2019-07-04 | 2019-11-01 | 东南大学 | 一种基于有源毫米波倍频器基极偏置电压和基波输入信号功率幅度关系的毫米波倍频器电路 |
| CN112671346A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-04-16 | 电子科技大学 | 一种带跨导增强技术和双lc匹配网络的宽带倍频器 |
| CN112671344A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-04-16 | 电子科技大学 | 一种带压控电容匹配的基于变压器的自混频三倍频器 |
| CN113315474A (zh) * | 2021-05-26 | 2021-08-27 | 天津大学 | 一种基于电容耦合的谐波抑制边沿合成发射机 |
| CN113965166A (zh) * | 2021-10-27 | 2022-01-21 | 东南大学 | 一种小型化宽带二倍频器 |
| CN114824720A (zh) * | 2022-04-13 | 2022-07-29 | 电子科技大学 | 一种嵌入阻抗变换功能的紧凑型变压器威尔金森巴伦 |
| CN115314014A (zh) * | 2022-10-11 | 2022-11-08 | 广东工业大学 | 一种采用自适应偏置的八路合成堆叠式功率放大器 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5265120A (en) * | 1990-08-27 | 1993-11-23 | Axonn Corporation | Binary phase shift keying modulation system and/or frequency multiplier |
| CN1808893A (zh) * | 2005-12-06 | 2006-07-26 | 电子科技大学 | 一种镜频抑制混频器 |
| CN103281040A (zh) * | 2013-06-06 | 2013-09-04 | 电子科技大学 | 基于八路完全对称变压器功率合成的片上功率放大器 |
| CN104904115A (zh) * | 2013-01-14 | 2015-09-09 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 倍频器 |
| CN204794909U (zh) * | 2015-07-21 | 2015-11-18 | 桂林电子科技大学 | 一种用于耦合谐振无线电能传输装置的射频功率放大器 |
| CN107017847A (zh) * | 2016-01-27 | 2017-08-04 | 亚德诺半导体集团 | 减少损失的单端混频器 |
-
2018
- 2018-03-23 CN CN201810246714.9A patent/CN108551331A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5265120A (en) * | 1990-08-27 | 1993-11-23 | Axonn Corporation | Binary phase shift keying modulation system and/or frequency multiplier |
| CN1808893A (zh) * | 2005-12-06 | 2006-07-26 | 电子科技大学 | 一种镜频抑制混频器 |
| CN104904115A (zh) * | 2013-01-14 | 2015-09-09 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 倍频器 |
| CN103281040A (zh) * | 2013-06-06 | 2013-09-04 | 电子科技大学 | 基于八路完全对称变压器功率合成的片上功率放大器 |
| CN204794909U (zh) * | 2015-07-21 | 2015-11-18 | 桂林电子科技大学 | 一种用于耦合谐振无线电能传输装置的射频功率放大器 |
| CN107017847A (zh) * | 2016-01-27 | 2017-08-04 | 亚德诺半导体集团 | 减少损失的单端混频器 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| PO-HAN CHIANG等: "A 53 to 84 GHz CMOS Power Amplifier with 10.8-dBm Output", 《IEEE》 * |
| YEN-LIANG YEH等: "A W-Band Wide Locking Range and Low", 《IEEE》 * |
| YOU-TANG LEE等: "A 57–78 GHz Frequency Tripler MMIC in 65-nm CMOS", 《IEEE》 * |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109617530A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-04-12 | 上海奥令科电子科技有限公司 | 一种push-push注锁式倍频器电路 |
| CN110401420A (zh) * | 2019-07-04 | 2019-11-01 | 东南大学 | 一种基于有源毫米波倍频器基极偏置电压和基波输入信号功率幅度关系的毫米波倍频器电路 |
| CN110401420B (zh) * | 2019-07-04 | 2022-12-13 | 东南大学 | 一种基于有源毫米波倍频器基极偏置电压和基波输入信号功率幅度关系的毫米波倍频器电路 |
| CN112671346A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-04-16 | 电子科技大学 | 一种带跨导增强技术和双lc匹配网络的宽带倍频器 |
| CN112671344A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-04-16 | 电子科技大学 | 一种带压控电容匹配的基于变压器的自混频三倍频器 |
| CN112671344B (zh) * | 2020-12-18 | 2022-10-11 | 电子科技大学 | 一种带压控电容匹配的基于变压器的自混频三倍频器 |
| CN113315474A (zh) * | 2021-05-26 | 2021-08-27 | 天津大学 | 一种基于电容耦合的谐波抑制边沿合成发射机 |
| CN113315474B (zh) * | 2021-05-26 | 2022-10-25 | 天津大学 | 一种基于电容耦合的谐波抑制边沿合成发射机 |
| CN113965166A (zh) * | 2021-10-27 | 2022-01-21 | 东南大学 | 一种小型化宽带二倍频器 |
| CN114824720A (zh) * | 2022-04-13 | 2022-07-29 | 电子科技大学 | 一种嵌入阻抗变换功能的紧凑型变压器威尔金森巴伦 |
| CN115314014A (zh) * | 2022-10-11 | 2022-11-08 | 广东工业大学 | 一种采用自适应偏置的八路合成堆叠式功率放大器 |
| CN115314014B (zh) * | 2022-10-11 | 2023-01-31 | 广东工业大学 | 一种采用自适应偏置的八路合成堆叠式功率放大器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108551331A (zh) | 一种基于变压器耦合匹配的毫米波低损耗倍频器 | |
| CN113037223B (zh) | 一种具有二次谐波抑制的宽带差分射频功率放大器 | |
| CN104241795B (zh) | Marchand平衡‑不平衡转换器和使用Marchand平衡‑不平衡转换器的功率放大器 | |
| CN106656069B (zh) | 一种应用于gsm射频功率放大器的多频输出匹配网络 | |
| US9768736B2 (en) | Power amplifier cell | |
| CN110460310B (zh) | 一种超宽带高谐波抑制太赫兹倍频器 | |
| CN109639243B (zh) | 一种基于耦合环路谐振网络的f类功率放大器 | |
| CN111431488A (zh) | 射频功率放大器及通信设备 | |
| CN112653397A (zh) | 一种宽带跨导增强型低噪声放大器 | |
| CN109245726B (zh) | 一种适用于极高频的双推式倍频器 | |
| CN112019168A (zh) | 一种基于慢波微带线匹配网络的功率放大器 | |
| CN111510108A (zh) | 一种宽带低噪声高功率容限的准环形器 | |
| CN112671346A (zh) | 一种带跨导增强技术和双lc匹配网络的宽带倍频器 | |
| CN115714586A (zh) | 变压器耦合式巴伦结构及射频模组 | |
| CN110708017B (zh) | 一种Triple-push交叉耦合振荡器 | |
| CN114514704A (zh) | 用于毫米波无线通信的宽带发射器 | |
| CN113411063B (zh) | 一种适用于巴伦的谐波抑制匹配电路结构及功率放大器 | |
| Kim et al. | Analysis and design of dual-peak G max-core CMOS amplifier in D-band embedding a T-shaped network | |
| CN110233599A (zh) | 基于CMOS的E-Band微波F类功率放大器 | |
| CN108763640B (zh) | 高效率高回退的Doherty功率放大器及其设计方法 | |
| US10056870B1 (en) | Balanced distributed power amplifier for monolithic microwave integrated circuit | |
| CN105071778A (zh) | 一种基于cmos工艺实现的太赫兹功率放大器 | |
| Qureshi et al. | Odd-mode Doherty power amplifier | |
| Cripps | The evolution of the push-pull RFPA | |
| US20110304391A1 (en) | Decade bandwidth planar mmic four port transformer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180918 |