CN108531163A - 一种高量子产率蓝光钙钛矿胶体量子点材料及合成方法 - Google Patents

一种高量子产率蓝光钙钛矿胶体量子点材料及合成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108531163A
CN108531163A CN201810458966.8A CN201810458966A CN108531163A CN 108531163 A CN108531163 A CN 108531163A CN 201810458966 A CN201810458966 A CN 201810458966A CN 108531163 A CN108531163 A CN 108531163A
Authority
CN
China
Prior art keywords
preparation
blue light
quantum dots
snbr
metal halide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810458966.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108531163B (zh
Inventor
张�杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tangshan Siteng Photoelectric Technology Co.,Ltd.
Original Assignee
Ludong University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ludong University filed Critical Ludong University
Priority to CN201810458966.8A priority Critical patent/CN108531163B/zh
Publication of CN108531163A publication Critical patent/CN108531163A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108531163B publication Critical patent/CN108531163B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/61—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
    • C09K11/615—Halogenides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/61—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
    • C09K11/615—Halogenides
    • C09K11/616—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C09K11/664—Halogenides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C09K11/664—Halogenides
    • C09K11/665—Halogenides with alkali or alkaline earth metals

Abstract

本发明公开了一种高量子产率蓝光钙钛矿胶体量子点材料及合成方法。本发明利用优化的配体辅助再沉淀方法（O‑LARP），通过B位阳离子替换，改变不同的替换量，在室温环境下获得了荧光量子产率近60%，半峰宽约15nm，发光色纯度高的435nm蓝光。此方法比之高温合成方法‑热注入法，简单易行，不需要抽真空，充惰性气体等繁琐过程，成本低廉，便于推广，并且提高了蓝光荧光量子产率，以此同时，还减少了有毒元素铅的用量，减少了环境污染。本发明在LED、平板显示、太阳能电池等领域具有广阔的应用前景。

Description

一种高量子产率蓝光钙钛矿胶体量子点材料及合成方法
技术领域
本发明涉及一种高量子产率蓝光钙钛矿胶体量子点材料及合成方法，属于半导体纳米材料，光电材料制备技术领域。
背景技术
近年来兴起的卤化物钙钛矿( ABX3 )材料具有优异的光致发光和电致发光特性，在太阳能电池、场效应晶体管、LED灯、显示等领域展现了很好的应用前景；国内外的研究团队也竞相加入了钙钛矿研究行列。引人注目的是，在短短5年内，钙钛矿型太阳能电池光电转换效率已超过了20%，这种发展速度是前所未有的。与此同时，发光型钙钛矿材料的PLQY也近100%。然而，随着研究的进一步加深，许多制约其发展应用的问题也接踵而来。首当其冲的是稳定性；还有所报道的材料中铅基钙钛矿材料性能最优，而铅对环境的危害极大；另外，高PLQY的钙钛矿材料集中在绿、红光波段，蓝光所获的PLQY都相对较低。针对前两种问题，研究者做了很多工作来提高稳定性，例如表面修饰等；也研究了铅基替换元素，获得了较好的成果。对于高PLQY蓝光钙钛矿材料，研究就相对较少。因此，高PLQY蓝光钙钛矿材料的获得显得尤为重要。
目前合成钙钛矿量子点的种类有很多，而钙钛矿胶体量子点作为光学、电学器件的原材料，制备的薄膜更具均一性，制备方法简单、快捷，有利于提高光电器件的性能。钙钛矿胶体量子点的合成方法常用的为液相合成方法，在此种方法中获得高性能钙钛矿胶体量子点的方式有两种，一是高温合成，即热注入法，但是此方法一般需要惰性气体保护下合成，并且制备的前驱体溶液对环境要求也比较高，也需要在惰性气体保护下配制，实验操作相对繁琐复杂，不利于批量生产。另外一种为室温合成钙钛矿胶体量子点，此方法简单易行，不需要惰性气体保护，此方法更利于产业化，尽管影响质量的因素也随之增多，但是，还是受到研究者的青睐。
发明内容
本发明的目的在于提供一种简单的室温合成高量子产率蓝光钙钛矿胶体量子点材料，通过B位阳离子不同的替换量，获得了PLQY高达近60%，半峰宽约15nm的435nm蓝光。
本发明可通过如下技术方案实现，步骤如下。
步骤1，将金属卤化盐BX2和AX溶于二甲基甲酰胺（DMF）中，超声使其完全溶解。
步骤2，将有机配体加入到步骤1得到的金属卤化盐的DMF溶液中，混合均匀后得到反应前驱体溶液。
步骤3，将反应前驱体溶液滴入到反应溶剂中，室温搅拌使反应完全，最后离心、提纯得到蓝光钙钛矿量子点。
步骤1中，金属卤化盐BX2 为 溴化铅（PbBr2）、溴化锌（ZnBr2）或溴化亚锡（SnBr2），AX为溴化铯(CsBr)。
优选的，步骤2中，所述的有机配体为油酸与油胺的混合物，体积比为5:1~15:1。
优选的，步骤2中，所述的金属卤化盐的DMF溶液与有机配体混合物的体积比为5:1~10:1。
优选的，步骤3中，所述的反应溶剂为甲苯；搅拌速度为1000r/min。
室温温度为15~25℃。
反应体系中，金属元素Pb与Zn或Sn的摩尔比例为19:1~3:17。
与现有技术相比，本发明具有以下显著效果：本发明的制备方法可以通过简单的调控B位阳离子的替换量，获得不同光致发光峰的蓝光胶体量子点材料。
整个反应所需的原材料简单，反应时间短，操作简便，反应条件温和，重复性好，产物生成率高，有利于批量生产。
附图说明
图1为本发明实施例1制备的钙钛矿量子点的TEM图。
图2为本发明实施例7制备的钙钛矿量子点的TEM图。
图3为本发明实施例1、4、7、10与12制备的钙钛矿量子点的PL图。
图4为本发明实施例7制备的钙钛矿量子点的样品与荧光寿命图。
具体实施方式
下面对本发明的实施例作详细说明。
一种高量子产率蓝光钙钛矿胶体量子点材料及合成方法，首先将金属卤化盐BX2和AX溶解于DMF中，并加入有机配体，然后将混合液逐滴滴入到大力搅拌中的反应溶剂中，最后BX2和AX在有机配体的作用下形成蓝光钙钛矿胶体量子点材料。
实施例1。
步骤1、在20mL的平底烧瓶中分别加入10mL的甲苯，常温下，打开磁力搅拌，搅拌速度为1000r/min，搅拌在空气中进行，无需惰性气体保护。
步骤2、将金属卤化盐PbBr2、SnBr2和CsBr按摩尔比0.95:0.05:1完全溶解在5mlDMF中，超声使金属卤化盐完全溶解。
步骤3、向金属卤化盐的DMF溶液中加入0.5~1mL油酸、25~200μl油胺作为有机配体，将溶液混合均匀。
步骤4、将步骤3配好的混合液以体积比1:100逐滴滴入到甲苯中，得到的反应产物通过3000r/min离心处理5min，去除大颗粒，再将沉淀分散在甲苯中在12000r/min离心处理5min，即得到胶体量子点材料。
本实施例制得的钙钛矿胶体量子点形貌如图1所示，其光致发光见图3曲线1，发光波长为479nm。
实施例2。
与实施例1类似，区别在于步骤2中，PbBr2与SnBr2摩尔比0.90:0.1，其他条件保持一致。
实施例3。
与实施例1类似，区别在于步骤2中，PbBr2与SnBr2摩尔比0.85:0.15，其他条件保持一致。
实施例4。
与实施例1类似，区别在于步骤2中，PbBr2与SnBr2摩尔比0.80:0.20，其他条件保持一致。
本实施例制得的钙钛矿胶体量子点光致发光见图3曲线2，发光波长为449nm。
实施例5。
与实施例1类似，区别在于步骤2中，PbBr2与SnBr2摩尔比0.75:0.25，其他条件保持一致。
实施例6。
与实施例1类似，区别在于步骤2中，PbBr2与SnBr2摩尔比0.70:0.30，其他条件保持一致。
实施例7。
与实施例1类似，区别在于步骤2中，PbBr2与SnBr2摩尔比0.65:0.35，其他条件保持一致。
本实施例制得的钙钛矿胶体量子点形貌如图2所示，其光致发光见图3曲线3，发光波长为435nm，紫外灯照射样品图与荧光寿命见图4所示。
实施例8。
与实施例1类似，区别在于步骤2中，PbBr2与SnBr2摩尔比0.60:0.40，其他条件保持一致。
实施例9。
与实施例1类似，区别在于步骤2中，PbBr2与SnBr2摩尔比0.55:0.45，其他条件保持一致。
实施例10。
与实施例1类似，区别在于步骤2中，PbBr2与SnBr2摩尔比0.50:0.50，其他条件保持一致。
本实施例制得的钙钛矿胶体量子点光致发光见图3曲线4，发光波长为435nm。
实施例11。
与实施例1类似，区别在于步骤2中，PbBr2与SnBr2摩尔比0.45:0.65，其他条件保持一致。
实施例12。
与实施例1类似，区别在于步骤2中，PbBr2与SnBr2摩尔比0.40:0.60，其他条件保持一致。
本实施例制得的钙钛矿胶体量子点光致发光见图3曲线5，发光波长为446nm。
实施例13。
与实施例1类似，区别在于步骤2中，PbBr2与SnBr2摩尔比0.30:0.70，其他条件保持一致。
实施例14。
与实施例1类似，区别在于步骤2中，PbBr2与SnBr2摩尔比0.20:0.80，其他条件保持一致。
实施例15。
与实施例1类似，区别在于步骤2中，PbBr2与SnBr2摩尔比0.10:0.90，其他条件保持一致。
实施例16。
与实施例1类似，区别在于步骤2中，PbBr2与SnBr2摩尔比0:1，其他条件保持一致。
实施例17。
与实施例1类似，区别在于步骤2中，SnBr2 换成ZnBr2，其他条件保持一致。
实施例18。
与实施例2类似，区别在于步骤2中，SnBr2 换成ZnBr2，其他条件保持一致。
实施例19。
与实施例3类似，区别在于步骤2中，SnBr2 换成ZnBr2，其他条件保持一致。
实施例20。
与实施例4类似，区别在于步骤2中，SnBr2 换成ZnBr2，其他条件保持一致。
实施例21。
与实施例5类似，区别在于步骤2中，SnBr2 换成ZnBr2，其他条件保持一致。
实施例22。
与实施例6类似，区别在于步骤2中，SnBr2 换成ZnBr2，其他条件保持一致。
实施例23。
与实施例7类似，区别在于步骤2中，SnBr2 换成ZnBr2，其他条件保持一致。
实施例24。
与实施例8类似，区别在于步骤2中，SnBr2 换成ZnBr2，其他条件保持一致。
实施例25。
与实施例9类似，区别在于步骤2中，SnBr2 换成ZnBr2，其他条件保持一致。
实施例26。
与实施例10类似，区别在于步骤2中，SnBr2 换成ZnBr2，其他条件保持一致。
实施例27。
与实施例11类似，区别在于步骤2中，SnBr2 换成ZnBr2，其他条件保持一致。
实施例28。
与实施例12类似，区别在于步骤2中，SnBr2 换成ZnBr2，其他条件保持一致。
实施例29。
与实施例13类似，区别在于步骤2中，SnBr2 换成ZnBr2，其他条件保持一致。
实施例30。
与实施例14类似，区别在于步骤2中，SnBr2 换成ZnBr2，其他条件保持一致。
实施例31。
与实施例15类似，区别在于步骤2中，SnBr2 换成ZnBr2，其他条件保持一致。
实施例32。
与实施例16类似，区别在于步骤2中，SnBr2 换成ZnBr2，其他条件保持一致。
总之，通过调节 B位阳离子的替换量，对量子点的粒径大小有一定的影响，由图1与图2对比，可以看出。但是替换量过高，会对发光性能产生影响，见图3。通过实验证明，获得高量子产率蓝光钙钛矿胶体量子点的B位阳离子的最佳替换比为0.65:0.35；紫外灯照射下的样品图与荧光寿命见图4。

Claims (7)

1.一种高量子产率蓝光钙钛矿胶体量子点材料及合成方法，其特征在于，所述钙钛矿胶体量子点优化的利用配体辅助再沉淀方法，通过B位阳离子替换获得；包括如下步骤：
步骤1，将金属卤化盐BX2和AX溶于二甲基甲酰胺（DMF）中，超声使其完全溶解；
步骤2，将有机配体加入到步骤1得到的金属卤化盐的DMF溶液中，混合均匀后得到反应前驱体溶液；
步骤3，将反应前驱体溶液滴入到反应溶剂中，室温搅拌使反应完全，最后离心、提纯得到蓝光钙钛矿量子点。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1中，金属卤化盐BX2 为 溴化铅（PbBr2）、溴化锌（ZnBr2）或溴化亚锡（SnBr2），AX为溴化铯(CsBr)。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2中，所述的有机配体为油酸与油胺的混合物，体积比为5:1~15:1。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2中，所述的金属卤化盐的DMF溶液与有机配体混合物的体积比为5:1~10:1。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3中，所述的反应溶剂为甲苯。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3中，搅拌速度为1000r/min，室温温度为15~25℃。
7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，反应体系中，金属元素Pb与Zn或Sn的摩尔比例为19:1~3:17。
CN201810458966.8A 2018-05-15 2018-05-15 一种高量子产率蓝光钙钛矿胶体量子点材料及合成方法 Active CN108531163B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810458966.8A CN108531163B (zh) 2018-05-15 2018-05-15 一种高量子产率蓝光钙钛矿胶体量子点材料及合成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810458966.8A CN108531163B (zh) 2018-05-15 2018-05-15 一种高量子产率蓝光钙钛矿胶体量子点材料及合成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108531163A true CN108531163A (zh) 2018-09-14
CN108531163B CN108531163B (zh) 2020-05-26

Family

ID=63477271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810458966.8A Active CN108531163B (zh) 2018-05-15 2018-05-15 一种高量子产率蓝光钙钛矿胶体量子点材料及合成方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108531163B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110085745A (zh) * 2019-04-11 2019-08-02 宁波大学 一种高替代率高效钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN113683513A (zh) * 2021-09-18 2021-11-23 厦门大学 双溴季铵盐配体及用于铅卤钙钛矿纳米晶溶液的合成方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105331362A (zh) * 2015-12-07 2016-02-17 南京理工大学 一种室温大产率无机卤素钙钛矿荧光量子点的制备方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105331362A (zh) * 2015-12-07 2016-02-17 南京理工大学 一种室温大产率无机卤素钙钛矿荧光量子点的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
WARD VAN DER STAM, ETAL: "Highly Emissive Divalent-Ion-Doped Colloidal CsPb1−xMxBr3 Perovskite Nanocrystals through Cation Exchange", 《JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110085745A (zh) * 2019-04-11 2019-08-02 宁波大学 一种高替代率高效钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN110085745B (zh) * 2019-04-11 2023-08-01 宁波大学 一种高替代率高效钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN113683513A (zh) * 2021-09-18 2021-11-23 厦门大学 双溴季铵盐配体及用于铅卤钙钛矿纳米晶溶液的合成方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN108531163B (zh) 2020-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Shi et al. Synthesis of silane surface modified ZnO quantum dots with ultrastable, strong and tunable luminescence
CN102517024B (zh) 一种CdSeS 量子点的水相微波制备方法
Yang et al. Fast synthesize ZnO quantum dots via ultrasonic method
CN108034418B (zh) 一种全无机铅卤钙钛矿纳米复合发光材料及制备方法和应用
CN110951477B (zh) 一种核壳量子点及其制备方法
CN108998015B (zh) 一种锰掺杂铯铅卤素钙钛矿量子点的溶剂热制备方法
CN110003900A (zh) 一种高量子产率零维钙钛矿结构纯相Cs4PbBr6材料及合成方法
CN108822856B (zh) 半导体纳米晶体及其制备方法
Xu et al. Controllable synthesis of all inorganic lead halide perovskite nanocrystals and white light-emitting diodes based on CsPbBr3 nanocrystals
CN107794044A (zh) 高效发光硫硒碲锌镉/硫化锌五元合金核壳结构量子点材料及制备方法
CN109233809B (zh) 一种联合热致发光和光致发光性能的复合双功能钙钛矿材料的制备
CN108841374A (zh) 一种基于金属有机框架合成超稳定高荧光铜纳米簇的方法
CN109423286A (zh) 一种磷化铟纳米晶的制备方法
CN113717713B (zh) 一种InP量子点及其制备方法和应用
CN108531163A (zh) 一种高量子产率蓝光钙钛矿胶体量子点材料及合成方法
Zhang et al. Room-temperature quaternary alkylammonium passivation toward morphology-controllable CsPbBr3 nanocrystals with excellent luminescence and stability for white LEDs
CN109370577B (zh) 一种掺锰的卤化铅铯化合物荧光材料及其制备方法
Cui et al. Facile, low-cost, and large-scale synthesis of CsPbBr3 nanorods at room-temperature with 86% photoluminescence quantum yield
CN113845142A (zh) 一种铯铅碘钙钛矿纳米晶及其制备方法和应用
Wang et al. Synthesis of highly luminescent CsPbBr3@ Cs4PbBr6 nanocrystals via ligand-assisted reaction
CN108753284A (zh) 一种高荧光红光发射的Mn:CsPbCl3纳米簇的制备方法
CN108529665A (zh) 一种全无机钙钛矿CsSnX3纳米材料及合成方法
CN110078116B (zh) 一种钙钛矿CsPbBr3量子点及其制备方法和应用
Yang et al. EDTA-mediated morphology and tunable optical properties of Eu 3+-doped NaY (MoO 4) 2 phosphor
CN115536059A (zh) 一种CsPbBr3纳米片及其制备方法和应用

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20211104

Address after: 064100 East Road South of Linnancang Town, Yutian County, Tangshan City, Hebei Province

Patentee after: Tangshan Siteng Photoelectric Technology Co.,Ltd.

Address before: 264025 Ludong University, 186 Hongqi Middle Road, Zhifu District, Shandong, Yantai

Patentee before: LUDONG University

TR01 Transfer of patent right