CN108512403A - Mos管驱动电路、驱动芯片及电机 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种MOS管驱动电路、驱动芯片及电机，包括电荷泵、电流源、稳压电路、反相电路、电平转换电路、控制电路、第一MOS管和第一高端MOS管；其中，电荷泵用于使电荷泵的输入端和电荷泵的输出端形成预设的电压差；电流源用于为MOS管驱动电路提供电流源；稳压电路用于使第一MOS管的源极和MOS管驱动电路的输出端之间形成预设的电压差；电平转换电路用于将输入的控制信号进行电平转换和反向处理，以使经电平转换和反向处理后的控制信号与所述反相电路相匹配；反相电路用于将电平转换电路输出的电压进行反向处理；控制电路用于根据反相电路输出的电压，控制第一高端MOS管的导通和断开。本MOS管驱动电路能够可靠地控制高端N型MOS管的导通与关断。

Description

MOS管驱动电路、驱动芯片及电机

技术领域

本发明涉及驱动电路技术领域，特别涉及一种MOS管驱动电路、驱动芯片及电机。

背景技术

在直流无刷马达驱动电路中，通常使用MOS管作为开关管。在MOS管作为开关管导通时，MOS管工作在线性区。MOS管的导通电阻直接影响到MOS管的工作效率，当MOS管的导通电阻过大时，会导致芯片过热，有时甚至直接烧坏芯片。而且，现有P型MOS管所占面积比较大，一般情况下，MOS管的面积会决定芯片面积的大小，从而影响芯片的制造成本。即芯片面积越大，制造芯片所需成本越高。同时，MOS管在芯片中所占面积还会影响MOS管三个端口的寄生电容大小，一般MOS管在芯片中所占面积越大，寄生电容就越大。寄生电容通过直流电充电和放电，未充电时，处于断开状态，只有充完电，才可以导通直流电路，因此，寄生电容的大小影响充电速度从而影响到MOS管作为开关管时的导通与关断速度。

图1是常用的用于驱动直流无刷马达的MOS管驱动电路连接图，图中包括高端MOS管和低端MOS管，所述高端MOS管的栅极连接高端预驱动电路，所述高端MOS管的第一端和所述低端MOS管的第一端连接，所述高端MOS管和所述低端MOS管的连接节点与电机的一个线圈连接，所述高端MOS管的第二端与供电电源连接；所述低端MOS管的栅极连接低端预驱动电路，所述低端MOS管的第二端接地。其中，低端预驱动电路和高端预驱动电路分别控制低端MOS管和高端MOS管的开启和关闭。所述低端MOS管一般由N型MOS管构成，所述高端MOS管一般由P型MOS管构成。所述高端MOS管还可以由N型MOS管构成。对于高端MOS管来说，在芯片中N型MOS管比P型MOS管所占面积要小，所以寄生电容小，有利于提高MOS管的导通与断开的速度。当高端MOS管为P型MOS管时，高端MOS管栅极电压低于高端MOS管的源极电压，P型MOS管开启，而当高端MOS管为N型MOS管时，栅极电压需要高于源极电压N型MOS管才会开启。而在选用高端N型MOS管作为高端MOS管时，高端N型MOS管的源极与电机连接，电机电压在工作过程中有较大的变化，这不利于控制高端N型MOS管的导通与断开。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种MOS管驱动电路，旨在解决高端N型MOS管的源极连接电机时，因电机电压在工作过程中有较大的变化，而不利于控制高端N型MOS管的导通与断开的问题。

为实现上述目的，本发明提出一种MOS驱动电路，包括电荷泵、电流源、稳压电路、反相电路、电平转换电路、控制电路、第一MOS管和第一高端MOS管；其中，所述电荷泵用于使所述电荷泵的输入端和所述电荷泵的输出端形成预设的电压差；所述电流源用于为所述MOS管驱动电路提供电流源；述稳压电路用于保证所述第一MOS管的源极和所述MOS管驱动电路的输出端形成预设的电压差；所述电平转换电路用于将输入控制信号进行电平转换和反向处理，以使经电平转换和反向处理后的电压与所述反相电路相匹配；所述反相电路用于将所述电平转换电路输出的电压进行反向处理，并输出至所述控制电路；所述控制电路，用于根据所述反相电路输出的电压，控制所述第一高端MOS管的导通和断开。

优选地，所述稳压电路还用于在所述MOS管驱动电路的控制信号输入端有控制信号输入时，让所述第一MOS管的源极和栅极之间形成预设的电压差。

优选地，所述稳压电路还用于在所述第一高端MOS管的导通时，让所述第一高端MOS管的源极和栅极之间形成预设的电压差。

优选地，所述电荷泵的输入端、所述第一高端MOS管的漏极和所述MOS管驱动电路的电源输入端互连，所述电荷泵的输出端、所述电流源的输入端和所述第一MOS管的漏极互连；所述电流源的输出端、所述第一MOS管的栅极和所述稳压电路的第一输出端互连；所述第一MOS管的源极、所述稳压电路的第二输出端、所述电平转换电路的电压输入端、所述反相电路的第一输入端和所述控制电路的第一输入端互连；所述稳压电路的输入端、所述反相电路的第二输入端、所述控制电路的第二输入端、所述第一高端MOS管的源极和所述MOS管驱动电路的输出端互连；所述电平转换电路的控制信号输入端与所述MOS管驱动电路的控制信号输入端连接，所述电平转换电路的输出端和所述反相电路的电压输入端连接；所述反相电路的输出端和所述控制电路的电压输入端连接；所述控制电路的输出端和所述第一高端MOS管的栅极连接。

优选地，所述反相电路包括第二MOS管和第三MOS管，所述第二MOS管的栅极和所述第三MOS管的栅极连接，所述第二MOS管的栅极和所述第三MOS管的栅极的连接节点为所述反相电路的电压输入端，所述第二MOS管的源极为所述反相电路的电压输入端，所述第二MOS管的漏极与所述第三MOS管的漏极连接，所述第二MOS管的漏极与所述第三MOS管的漏极的连接节点为所述反相电路的输出端；所述第三MOS管的源极为所述反相电路的第二输入端。

优选地，所述稳压电路包括第一稳压管和第二稳压管，所述第一稳压管的正极和所述第二稳压管的正极连接，所述第一稳压管的正极和所述第二稳压管的正极的连接节点为所述稳压电路的第一输入端，所述第一稳压管的负极为所述稳压电路的输出端；所述第二稳压管的负极为所述稳压电路的第二输出端。

优选地，所述控制电路包括第一电阻、第二电阻、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管，所述第四MOS管的栅极与所述第五MOS管的栅极连接，所述第四MOS管的栅极与所述第五MOS管的栅极的连接节点为所述控制电路的第二输入端，所述第四MOS管的源极和所述第六MOS管的源极连接，所述第四MOS管的源极和所述第六MOS管的源极的连接节点为所述控制电路的第一输入端，所述第四MOS管的漏极、所述第一电阻的第一端和所述第六MOS管的栅极互连；所述第一电阻的第二端、所述第五MOS管的漏极和所述第七MOS管的栅极互连；所述第五MOS管的源极和所述第七MOS管的源极连接，所述第五MOS管的源极和所述第七MOS管的源极的连接节点为所述控制电路的电压输入端；所述第六MOS管的漏极与所述第二电阻的第一端连接；所述第二电阻的第二端与所述第七MOS管的漏极连接，所述第二电阻的第二端与所述第七MOS管的漏极的连接节点为所述控制电路的输出端。

优选地，所述第一高端MOS管为N型MOS管。

对应的，本发明还提出一种驱动芯片，所述驱动芯片包括如上所述的MOS管驱动电路，其中，所述MOS管驱动电路包括电荷泵、电流源、稳压电路、反相电路、电平转换电路、控制电路、第一MOS管和第一高端MOS管；所述电荷泵用于使所述电荷泵的输入端和所述电荷泵的输出端形成预设的电压差；所述电流源用于为所述MOS管驱动电路提供电流源；所述稳压电路用于保证所述第一MOS管的源极和所述MOS管驱动电路的输出端形成预设的电压差；所述电平转换电路用于将输入的控制信号进行电平转换处理，以使经电平转换处理后的电压与所述反相电路相匹配；所述反相电路用于将所述电平转换电路输出的电压进行反向处理；所述控制电路用于根据所述反相电路输出的电压，控制所述第一高端MOS管的导通和断开。

对应的，本发明还提出一种电机，该电机包括如上所述的驱动芯片。

本发明技术方案通过采用电平转换电路将输入MOS驱动电路的控制信号进行电平转换和反向处理，以使经电平转换和反向处理后的控制信号与所述反相电路相匹配，稳压电路使所述第一MOS管的源极和所述MOS管驱动电路的输出端之间形成预设的电压差，反相电路将所述电平转换电路输出的电压进行反向处理，在控制信号的作用下，控制电路根据所述反相电路输出的电压，控制所述第一高端MOS管的导通和断开。此时，在第一高端MOS管导通时，第一高端MOS管的源极和栅极之间形成预设的电压差。本发明的技术方案解决了高端N型MOS管的源极连接电机时，电机电压在工作过程中有较大的变化，不利于控制高端N型MOS管的导通与断开的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为现有技术中驱动电路驱动MOS管的电路结构示意图；

图2为本发明MOS管驱动电路一实施例的电路结构示意图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

本发明提出一种MOS管驱动电路。该MOS管驱动电路可设置于电机驱动芯片上。

如图1所示，在本MOS管驱动电路一实施例中，MOS管驱动电路包括电荷泵101、电流源102、稳压电路103、反相电路104、电平转换电路105、控制电路106、第一MOS管107和第一高端MOS管108。

电荷泵101的输入端、第一高端MOS管108的漏极和MOS管驱动电路的电源输入端301互连，电荷泵101的输出端、电流源102的输入端和第一MOS管107的漏极互连；电流源102的输出端、第一MOS管107的栅极和稳压电路103的第一输出端互连；第一MOS管107的源极、稳压电路103的第二输出端、电平转换电路105的电压输入端、反相电路104的第一输入端和控制电路106的第一输入端互连；稳压电路103的第一输入端、反相电路104的第二输入端、控制电路106的第二输入端、第一高端MOS管108的源极和MOS管驱动电路的输出端302互连；电平转换电路105的控制信号输入端与MOS管驱动电路的控制信号输入端303连接，电平转换电路105的输出端和反相电路104的电压输入端连接；反相电路104的输出端和控制电路106的电压输入端连接；控制电路106的输出端和第一高端MOS管108的栅极连接。

其中，电荷泵101用于使电荷泵101的输入端和电荷泵101的输出端形成预设的电压差。电流源102用于为MOS管驱动电路提供电流源102。稳压电路103用于保证第一MOS管107的源极和MOS管驱动电路的输出端302形成预设的电压差。电平转换电路105将输入的控制信号进行电平转换和反向处理，以使经电平转换和反向处理后的电压与反相电路104相匹配。此时，电平转换电路105改变的是电压的幅度，可以将电压从较高的幅度转换成较低的幅度，也可以将电压从较低的幅度转换成较高的幅度，只要是转换过的电压适用于反相电路104即可。反相电路104用于将电平转换电路105输出的电压进行反向处理。此时，反相电路104将输入的高电平电压反向为低电平电压，并将输入的低电平电压反向为高电平电压。控制电路106用于根据反相电路104输出的电压控制第一高端MOS管108的导通和断开。

具体地，如图1所示，电平转换电路105将输入MOS驱动电路的控制信号进行电平转换处理，以使经电平转换处理后的电压与所述反相电路相匹配，控制信号的高低电平包括一定范围的电压值(高电平一般取电源电压，低电平一般是接地电压)，输入MOS驱动电路的控制信号经过电平转换电路105转换后，电平转换电路105输出的电压值的范围不超过反相电路104内所有MOS管能承受的最大电压。反相电路104将电平转换电路输出的电压反向，即当反相电路104的输入电压为高电平电压时，反相电路104的输出电压为低电平电压。当反相电路104的输入电压为低电平电压时，反相电路104的输出电压为高电平电压。因为稳压电路103的特性，第一MOS管107的栅极电压相对MOS管驱动电路的输出端302高出一个固定电压，第一MOS管107的源极电压相对MOS管驱动电路的输出端302也高出一个固定电压，此时，根据第一MOS管107的导通电压差，计算好稳压电路103第一输入端和第一输出端之间的电压差以及稳压电路103第一输入端和和第二输出端之间的电压差，使在有控制信号输入的情况下，第一MOS管107的栅极电压和源极电压之间的电压差刚好使第一MOS管107导通，这样可以在MOS管驱动电路的控制信号输入端有输入的情况下，第一MOS管107一直处于导通状态。

当输入控制电路106的电压输入端的电压为低电平电压时，控制电路106的第二输入端与第一输出端之间的通路导通，第一高端MOS管108的源极和栅极近似短接，此时第一高端MOS管108断开。当输入控制电路106的电压输入端的电压为高电平电压时，控制电路106的第一输入端与第一输出端之间的通路导通，此时，第一高端MOS管108的栅极与稳压电路103的第二输出端电压值相等，由于稳压电路103的稳压作用，第一高端MOS管108的栅极和源极之间形成了稳定的电压差，此时第一高端MOS管108导通。

上述实施例中，MOS管驱动电路的输出端302与电机连接。因此，第一高端MOS管导通时，第一高端MOS管108的源极电压相当于电机电压，此时，由于稳压电路103的稳压作用，第一高端MOS管108的栅极和源极之间形成了稳定的电压差。因此，本发明解决了高端N型MOS管的源极连接电机时，电机电压在一个较大的幅度内变化，不利于高端N型MOS管的导通与断开的控制的问题。值得注意的是，在这一实施例中，第一MOS管、第一高端MOS管108均为N型MOS管，耐压值根据实际需要选择MOS管。

可选地，反相电路104包括第二MOS管201和第三MOS管202，第二MOS管201的栅极和第三MOS管202的栅极连接，其连接节点为反相电路104的电压输入端，第二MOS管201的源极为反相电路104的第一输入端，第二MOS管201的漏极与第三MOS管202的漏极连接，第二MOS管201的漏极与第三MOS管202的漏极的连接节点为反相电路104的输出端；第三MOS管202的源极为反相电路104的第二输入端。

其中，第二MOS管201采用P型MOS管，第三MOS采用N型MOS管，第二MOS管201的源极和第三MOS管202的源极的电压差为稳压电路103第二输出端和稳压电路103的第一输入端之间的电压差。当输入反向电路104的电平输入端的电压为低电平电压时，第二MOS管201导通，第三MOS管202断开，反相电路104的输出端输出高电平电压。当输入反相电路104的电平输入端的电压为高电平电压时，第二MOS管201断开，第三MOS管202导通，反相电路104的第一输出端输出低电平电压。此时，高低电平信号范围值根据实际应用场合得出。

可选地，稳压电路103包括第一稳压管203和第二稳压管204，第一稳压管203的正极和第二稳压管204的正极连接，，第一稳压管203的正极和第二稳压管204的正极的连接节点为稳压电路103的输入端，第一稳压管203的负极为稳压电路103的第一输出端；第二稳压管204的负极为稳压电路103的第二输出端。

其中，第一稳压管203的正端和第二稳压管204的正极的连接节点的电压值为MOS驱动电路的输出端的电压值，第一稳压管203的负与第一MOS管107的栅极连接，第二稳压管204的负与第一MOS管107的源极连接，此时，第一稳压管203和第二稳压管204的稳压值是固定的，所以第一MOS管107的栅极和源极之间是固定的电压差。在设计时，使第一稳压管203的负极的电压高于第二稳压管204的负极的电压，即第一MOS管107的栅极高于第一MOS管107的源极，此时第一MOS管107导通，并在MOS驱动电路的控制信号输入端有控制信号输入的情况下，让第一MOS管107一直保持开启状态，并且提供一定的驱动能力。

可选地，控制电路106包括第一电阻R1、第二电阻R2、第四MOS管205、第五MOS管206、第六MOS管207和第七MOS管208，第四MOS管205的栅极与第五MOS管206的栅极连接，第四MOS管205的栅极与第五MOS管206的栅极的连接节点为控制电路106的电压输入端，第四MOS管205的源极和第六MOS管207的源极连接，第四MOS管205的源极和第六MOS管207的源极的连接节点为控制电路106的第一输入端，第四MOS管205的漏极、第一电阻R1的第一端和第六MOS管207的栅极互连；第一电阻R1的第二端、第五MOS管206的漏极和第七MOS管208的栅极互连；第五MOS管206的源极和第七MOS管208的源极连接，第五MOS管206的源极和第七MOS管208的源极的连接节点为控制电路106的第二输入端；第六MOS管207的漏极与第二电阻R2的第一端连接；第二电阻R2的第二端与第七MOS管208的漏极连接，第二电阻R2的第二端与第七MOS管208的漏极的连接节点为控制电路106的输出端。控制电路106，用于根据反相电路104输出的控制信号控制第一高端MOS管108的导通和断开。

其中，当控制电路106的电压输入端的输入为低电平电压时，第四MOS管205开启，通过第一电阻R1的斜率控制作用，电压会有从高到低的缓慢斜率变化，进而第七MOS管208开启，此时，第一高端MOS管108的栅极和第一高端MOS管108的源极近似短接，第一高端MOS管108关断。

当控制电路106的电压输入端的输入为高电平电压时，第五MOS管206开启，通过第一电阻R1的斜率控制作用，电压会有从低到高的缓慢斜率变化，进而第六MOS管207开启，然后通过第二电阻R2的斜率控制作用，此时，第一高端MOS管108的栅极电压为第一MOS管107的源极电压，第一高端MOS管108的栅极电压随着第一高端MOS管108的源极电压的变化而变化，而两者之间的电压差为第二稳压管204的稳压值，让第一高端MOS管108始终保持开启状态，且由于电阻的斜率作用，使这个变化过程减慢。由于控制电路106的电压输入端的电压输入切换过程中，开关管的控制信号作用均受到电阻的斜率作用的影响，切换过程减慢，这样可以防止出现如图1中所示高端MOS功管与低端MOS管共同驱动电机时，出现的控制信号切换过快造成的高端驱动MOS功率管和低端驱动MOS功率管串通的情况。

本发明技术方案通过采用电荷泵101和电流源102稳定输入电流及电压，稳压电路103使第一MOS管107的源极与MOS管的驱动电路之间形成固定的电压差，电平转换电路105将输入MOS驱动电路的控制信号进行电平转换和反向处理，以使经电平转换处理后的电压与反相电路104相匹配，反相电路104将电平转换电路105输出的电压进行反向处理，当控制电路106控制第一高端MOS管108导通时，第一高端MOS管108的栅极电压为稳压电路103的第二输出端的电压值，第一高端MOS管108的源极电压与MOS驱动电路的输出端相同，此时由于稳压电路103的存在使第一高端MOS管108的栅极与源极之间形成固定电压差，因此解决了高端N型MOS管的源极连接电机时，电机电压在一个较大的幅度内变化，不利于高端N型MOS管的导通与断开的控制的问题。

以下，结合图1对MOS管驱动电路的原理进行阐述：

(1)当控制信号为低电平时，电平转换电路输出为高电平电压，第二MOS管201断开，第三MOS管202导通，第三MOS管202的漏极输出低电平电压。此时，第四MOS管205开启，第五MOS管206断开，第四MOS管205的漏极输出高电平电压，通过第一电阻R1的斜率控制作用，电压会有从高到低的缓慢斜率变化，进而第七MOS管208开启，第六MOS管207断开，然后通过第二电阻R2的斜率控制作用，第一高端MOS管108的栅极电压为第一MOS管107的源极电压，第一高端MOS管108的栅极和第一高端MOS管108的源极近似短接，此时第一高端MOS管108关断。

(2)当输入的控制信号为高电平时，电平转换电路输出为低电平电压，第二MOS管201导通，第三MOS管202断开，第二MOS管201的漏极输出高电平电压。此时第五MOS管206开启，第五MOS管206的漏极输出低电平电压，通过第一电阻R1的斜率控制作用，电压会有从低到高的缓慢斜率变化，进而第六MOS管207开启，然后通过第二电阻R2的斜率控制作用，此时，第一高端MOS管108的栅极电压随着第一高端MOS管108的源极电压的变化而变化，第一高端MOS管108的栅极与源极之间的电压差为第二稳压管204的稳压值，第一高端MOS管108保持开启状态。

在此过程中，第一稳压管203的正极和第二稳压管204的正极输入为MOS驱动电路的输出端电压值，第一稳压管203的负极与第一MOS管107的栅极连接，第二稳压管204的负极与第一MOS管107的源极连接，此时，第一稳压管203和第二稳压管204的稳压值是固定的，所以第一MOS管107的栅极和源极之间有固定的电压差。在设计时，使第一稳压管203的第二端电压高于第二稳压管204的第二端的电压，即第一MOS管107的栅极高于第一MOS管107的源极，能让第一MOS管107一直保持开启状态，并且提供一定的驱动能力。

以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种MOS管驱动电路，其特征在于，所述MOS管驱动电路包括电荷泵、电流源、稳压电路、反相电路、电平转换电路、控制电路、第一MOS管和第一高端MOS管；其中，

所述电荷泵，用于使所述电荷泵的输入端和所述电荷泵的输出端形成预设的电压差；

所述电流源，用于为所述MOS管驱动电路提供电流源；

所述稳压电路，用于使所述第一MOS管的源极和所述MOS管驱动电路的输出端之间形成预设的电压差；

所述电平转换电路，用于将输入MOS管驱动电路的控制信号进行电平转换和反向处理，以使经电平转换和反向处理处理后的电压与所述反相电路相匹配；

所述反相电路，用于将所述电平转换电路输出的电压进行反向处理，并输出至所述控制电路；

所述控制电路，用于根据所述反相电路输出的电压，控制所述第一高端MOS管的导通和断开。

2.如权利要求1所述的MOS管驱动电路，其特征在于，所述稳压电路还用于在所述MOS管驱动电路的控制信号输入端有控制信号输入时，让所述第一MOS管的源极和栅极之间形成预设的电压差。

3.如权利要求1所述的MOS管驱动电路，其特征在于，所述稳压电路还用于在所述第一高端MOS管的导通时，让所述第一高端MOS管的源极和栅极之间形成预设的电压差。

4.如权利要求1所述的MOS管驱动电路，其特征在于，所述电荷泵的输入端、所述第一高端MOS管的漏极和所述MOS管驱动电路的电源输入端互连，所述电荷泵的输出端、所述电流源的输入端和所述第一MOS管的漏极互连；所述电流源的输出端、所述第一MOS管的栅极和所述稳压电路的第一输出端互连；所述第一MOS管的源极、所述稳压电路的第二输出端、所述电平转换电路的电压输入端、所述反相电路的第一输入端和所述控制电路的第一输入端互连；所述稳压电路的第一输入端、所述反相电路的第二输入端、所述控制电路的第二输入端、所述第一高端MOS管的源极和所述MOS管驱动电路的输出端互连；所述电平转换电路的控制信号输入端与所述MOS管驱动电路的控制信号输入端连接，所述电平转换电路的输出端和所述反相电路的电压输入端连接；所述反相电路的输出端和所述控制电路的电压输入端连接；所述控制电路的输出端和所述第一高端MOS管的栅极连接。

5.如权利要求4所述的MOS管驱动电路，其特征在于，所述反相电路包括第二MOS管和第三MOS管，所述第二MOS管的栅极和所述第三MOS管的栅极连接，所述第二MOS管的栅极和所述第三MOS管的栅极的连接节点为所述反相电路的电压输入端，所述第二MOS管的源极为所述反相电路的第一输入端，所述第二MOS管的漏极与所述第三MOS管的漏极连接，所述第二MOS管的漏极与所述第三MOS管的漏极的连接节点为所述反相电路的输出端；所述第三MOS管的源极为所述反相电路的第二输入端。

6.如权利要求4所述的MOS管驱动电路，其特征在于，所述稳压电路包括第一稳压管和第二稳压管，所述第一稳压管的正极和所述第二稳压管的正极连接，所述第一稳压管的正极和所述第二稳压管的正极的连接节点为所述稳压电路的输入端，所述第一稳压管的负极为所述稳压电路的第一输出端；所述第二稳压管的负极为所述稳压电路的第二输出端。

7.如权利要求4所述的MOS管驱动电路，其特征在于，所述控制电路包括第一电阻、第二电阻、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管，所述第四MOS管的栅极与所述第五MOS管的栅极连接，所述第四MOS管的栅极与所述第五MOS管的栅极的连接节点为所述控制电路的第二输入端，所述第四MOS管的源极和所述第六MOS管的源极连接，所述第四MOS管的源极和所述第六MOS管的源极的连接节点为所述控制电路的第一输入端，所述第四MOS管的漏极、所述第一电阻的第一端和所述第六MOS管的栅极互连；所述第一电阻的第二端、所述第五MOS管的漏极和所述第七MOS管的栅极互连；所述第五MOS管的源极和所述第七MOS管的源极连接，所述第五MOS管的源极和所述第七MOS管的源极的连接节点为所述控制电路的电压输入端；所述第六MOS管的漏极与所述第二电阻的第一端连接；所述第二电阻的第二端与所述第七MOS管的漏极连接，所述第二电阻的第二端与所述第七MOS管的漏极的连接节点为所述控制电路的输出端。

8.如权利要求1所述的MOS管驱动电路，其特征在于，所述第一高端MOS管为N型MOS管。

9.一种驱动芯片，其特征在于，包括如权利要求1-8任意一项所述的MOS管驱动电路。

10.一种电机，其特征在于，包括如权利要求9所述的驱动芯片。