CN108511485B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种显示装置，所述显示装置包括基底以及位于基底上方并且包括多个沟道区和多个导电区的有源图案。显示装置包括基本在第一方向上延伸的多条扫描线。显示装置包括与多条扫描线交叉的数据线和驱动电压线。显示装置包括第一晶体管，第一晶体管包括多个沟道区之中的第一沟道区以及第一栅电极。显示装置包括将第一晶体管的第一栅电极和多个导电区之中的第一导电区彼此电连接的第一连接件。驱动电压线沿着与基底的上表面正交的方向与第一连接件的至少一部分叠置。

Description

显示装置
本申请要求于2017年2月27日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0025778号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明的示例性实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括发射层的显示装置。
背景技术
显示装置可以显示图像，并可以包括多个像素。作为示例，有机发光二极管显示器的像素可以包括具有阴极、阳极和有机发射层的发光二极管以及用于驱动发光二极管的多个晶体管以及至少一个电容器。
发光二极管可以包括两个电极以及设置在其间的有机发射层。从作为两个电极中的一个电极的阴极注入的电子与从作为另一电极的阳极注入的空穴可以在有机发射层中结合形成激子，从而在激子发射能量时发射光。
多个晶体管可以包括至少一个开关晶体管和至少一个驱动晶体管。开关元件可以根据扫描信号接收数据信号，并可以根据数据信号将电压传输到驱动晶体管。驱动晶体管可以直接地或间接地连接到发光二极管以控制传输到发光二极管的电流量，因此通过每个像素发射期望亮度的光。
电容器可以连接到驱动晶体管的驱动栅电极，从而保持驱动栅电极的电压。
发明内容
连接到根据本发明的示例性实施例的显示装置的驱动栅电极的电容器的电容可以稳定地保持驱动栅电极的电压，从而减少或消除诸如像素之间的颜色偏差或串扰的显示质量缺陷。
根据示例性实施例的显示装置包括基底和位于基底上方并且包括多个沟道区和多个导电区的有源图案。显示装置包括基本在第一方向上延伸的多条扫描线。显示装置包括与多条扫描线交叉的数据线和驱动电压线。显示装置包括第一晶体管，第一晶体管包括多个沟道区之中的第一沟道区以及第一栅电极。显示装置包括将第一晶体管的第一栅电极和多个导电区之中的第一导电区彼此电连接的第一连接件。驱动电压线沿着与基底的上表面正交的方向与第一连接件的至少一部分叠置。
第三晶体管可以连接到第一晶体管和第一连接件。第三晶体管可以包括多个沟道区之中的第三沟道区。驱动电压线可以沿着与基底的上表面正交的方向与第三沟道区的至少一部分叠置。
存储线可以包括第一扩展部。第一栅电极可以沿着与基底的上表面正交的方向与第一扩展部叠置，以形成第一子电容器。驱动电压线可以沿着与基底的上表面正交的方向与第一连接件叠置以形成第二子电容器。第一子电容器可以沿着与基底的上表面正交的方向与第二子电容器的一部分叠置。
第二子电容器的平面区域可以在与第一方向交叉的第二方向上延伸。
第一栅电极、第一扩展部、第一连接件和驱动电压线可以顺序地布置在基底上方。第一栅电极和第一连接件可以传输基本相同的电压。驱动电压线和第一扩展部可以传输基本相同的电压。
第一扩展部可以具有开口，第一连接件可以在开口中电连接到第一栅电极。
至少一个绝缘层可以位于有源图案和第一连接件之间。第二连接件和第三连接件可以位于至少一个绝缘层上方。有源图案的多个导电区可以包括彼此间隔开的第二导电区和第三导电区。至少一个绝缘层可以具有位于第二导电区上方的第一接触孔和位于第三导电区上方的第二接触孔。第二连接件可以通过第一接触孔电连接到第二导电区。第三连接件可以通过第二接触孔电连接到第三导电区。第三导电区在一个方向上的宽度可以大于第二导电区在所述一个方向上的宽度。
导体可以位于第三连接件上，并且可以沿着与基底的上表面正交的方向与第三连接件叠置。导体可以传输与第三连接件的电压不同的电压。
第五晶体管可以连接到第一晶体管，并且可以包括第五沟道区。第三导电区可以连接到第五沟道区。第三连接件可以电连接到驱动电压线。导体可以包括数据线。
至少一个绝缘层可以包括位于第一导电区上方的第三接触孔。第一连接件可以通过第三接触孔电连接到第一导电区。第一导电区在所述一个方向上的宽度可以大于第二导电区在所述一个方向上的宽度。
第一绝缘层可以位于包括多条扫描线和第一栅电极的第一导电层与有源图案之间。第二绝缘层可以位于第一导电层上。第二导电层可以位于第二绝缘层上并且可以包括存储线。第三绝缘层可以位于包括第一连接件的第三导电层和第二导电层之间。第四绝缘层可以位于第三导电层上方。第四导电层可以位于第四绝缘层上方，并且可以包括数据线和驱动电压线。
第三导电层可以包括初始化电压线。初始化电压线可以通过第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的接触孔电连接到多个导电区的一部分。
第四导电层可以通过第四绝缘层的接触孔电连接到第三导电层。
根据示例性实施例的显示装置包括发光元件。第六晶体管连接到发光元件。第一晶体管连接到第六晶体管。电容器连接到第一晶体管的第一栅电极。第三晶体管连接到第一晶体管。第一连接件将第三晶体管与第一栅电极彼此电连接。第一扫描线基本在第一方向上延伸。数据线和驱动电压线与第一扫描线交叉。驱动电压线沿着与第一方向正交的方向与第三晶体管的第三沟道区叠置。第三晶体管沿着与第一方向正交的方向与第一扫描线叠置。驱动电压线与第一晶体管的第一沟道区叠置。
驱动电压线可以沿着与第一方向正交的方向与第一连接件的至少一部分叠置。
存储线可以包括第一扩展部。第一栅电极可以沿着与第一方向正交的方向与第一扩展部叠置，以形成第一子电容器。驱动电压线可以沿着与第一方向正交的方向与第一连接件叠置以形成第二子电容器。
第一栅电极、第一扩展部、第一连接件和驱动电压线可以顺序地布置在基底上方。第一栅电极和第一连接件可以传输基本相同的电压。驱动电压线和第一扩展部可以传输基本相同的电压。
根据示例性实施例的显示装置包括基底以及位于基底上方并且包括多个沟道区和多个导电区的有源图案。至少一个绝缘层位于有源图案上。第一连接件和第二连接件位于至少一个绝缘层上。有源图案的多个导电区包括彼此间隔开的第一导电区和第二导电区。至少一个绝缘层具有位于第一导电区上方的第一接触孔和位于第二导电区上方的第二接触孔。第一连接件通过第一接触孔电连接到第一导电区。第二连接件通过第二接触孔电连接到第二导电区。第二导电区在一个方向上的宽度大于第一导电区在所述一个方向上的宽度。
导体可以位于第二连接件上，并且可以沿着与基底的上表面正交的方向与第二连接件叠置。导体可以传输与第二连接件的电压不同的电压。
传输驱动电压的驱动电压线和传输数据信号的数据线可以位于基底上方。导体可以包括数据线。第二连接件可以传输驱动电压。
根据本发明的示例性实施例，可以充分获得连接到显示装置的驱动栅电极的电容器的电容，使得可以稳定地保持驱动栅电极的电压，并且可以减少或消除诸如像素之间的颜色偏差和串扰的显示质量缺陷。在显示装置的制造工艺中可以获得足够的工艺余量。
附图说明
图1是根据本发明的示例性实施例的显示装置的像素的电路图，
图2是根据本发明的示例性实施例的显示装置的像素的布局图，
图3是图2中示出的显示装置沿线A1-A2截取的剖视图，
图4是图2中示出的显示装置沿线A3-A4截取的剖视图，
图5是根据本发明的示例性实施例的显示装置的像素的布局图，
图6是示出包括在根据本发明的示例性实施例的显示装置的电容器中的导体的剖视图，
图7是根据本发明的示例性实施例的显示装置的像素的布局图，
图8是根据对比示例的显示装置的剖视图，
图9是示出根据图8中示出的对比示例的显示装置中出现的缺陷的图像，
图10、图13、图16、图19、图22、图25和图28均是根据本发明的示例性实施例的显示装置的制造方法的中间工艺步骤中的显示装置的像素的布局图，
图11、图14、图17、图20、图23、图26和图29分别是图10、图13、图16、图19、图22、图25和图28中示出的中间工艺步骤中的显示装置沿线A1-A2截取的剖视图，
图12、图15、图18、图21、图24、图27和图30分别是图10、图13、图16、图19、图22、图25和图28中示出的中间工艺步骤中的显示装置沿线A3-A4截取的剖视图。
具体实施方式
下面将参照示出了本发明的示例性实施例的附图来更详细地描述本发明的示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的，在全部不脱离本发明的精神或范围的情况下，描述的实施例可以以各种不同的方式进行修改。
在附图中，为了清楚，可以夸大层、膜、面板或区域的厚度。贯穿说明书和附图，同样的附图标记可以表示同样的元件。将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，所述元件可以直接在所述另一元件上，或者可以存在中间元件。
短语“在平面上”或“在平面图中”意味着从顶部观看目标部分，短语“在剖面上(中)”意味着从侧面观看垂直切割目标部分而形成的剖面。
图1是根据本发明的示例性实施例的显示装置的像素的电路图。
下面将参照图1来更详细地描述根据本发明的示例性实施例的显示装置。
参照图1，根据本发明的示例性实施例的显示装置可以包括显示图像的多个像素PX以及多条信号线151、152、153、154、171和172。一个像素PX可以包括均分别连接到多条信号线151、152、153、154、171和172中的至少一条的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、电容器Cst以及至少一个发光二极管(LED)ED。下面将更详细地描述一个像素PX包括一个发光二极管(LED)ED的示例；然而，本发明的示例性实施例不限于此。
信号线151、152、153、154、171和172可以包括多条扫描线151、152和154、多条控制线153、多条数据线171和多条驱动电压线172。
多条扫描线151、152和154可以分别传输扫描信号GWn、GIn和GI(n+1)。扫描信号GWn、GIn和GI(n+1)可以传输使包括在像素PX中的晶体管T2、T3、T4和T7导通/截止的栅极导通电压和栅极截止电压。
连接到一个像素PX的扫描线151、152和154可以包括：传输扫描信号GWn的第一扫描线151、在与第一扫描线151的时序不同的时刻传输具有栅极导通电压的扫描信号GIn的第二扫描线152以及传输扫描信号GI(n+1)的第三扫描线154。下面将更详细地描述第二扫描线152在比第一扫描线151的时刻早的时刻传输栅极导通电压的示例；然而，本发明的示例性实施例不限于此。例如，当扫描信号GWn是在一帧期间施加的扫描信号之中的第n(n是1或更大的自然数)扫描信号Sn时，扫描信号GIn可以是诸如第(n-1)扫描信号S(n-1)的在先的扫描信号，扫描信号GI(n+1)可以是第n扫描信号Sn。然而，本发明的示例性实施例不限于此，扫描信号GI(n+1)可以是与第n扫描信号Sn不同的扫描信号。
控制线153可以传输控制信号，例如，可以传输控制包括在像素PX中的发光二极管(LED)ED的发射的发射控制信号。由控制线153传输的控制信号可以传输栅极导通电压和栅极截止电压，并且可以具有与由扫描线151、152和154传输的扫描信号的波形不同的波形。
数据线171可以传输数据信号Dm，驱动电压线172可以传输驱动电压ELVDD。数据信号Dm可以根据输入到显示装置的图像信号具有其它的电压电平，驱动电压ELVDD可以具有基本恒定的电平。
显示装置还可以包括向多条信号线151、152、154、153、171和172传输信号的驱动器。
包括在一个像素PX中的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。
第一扫描线151可以向第二晶体管T2和第三晶体管T3传输扫描信号GWn，第二扫描线152可以向第四晶体管T4传输扫描信号GIn，第三扫描线154可以向第七晶体管T7传输扫描信号GI(n+1)，控制线153可以向第五晶体管T5和第六晶体管T6传输控制信号EM。
第一晶体管T1的栅电极G1可以通过驱动栅极节点GN连接到电容器Cst的一个端子。第一晶体管T1的源电极S1可以经由第五晶体管T5连接到驱动电压线172。第一晶体管T1的漏电极D1可以经由第六晶体管T6连接到发光二极管(LED)ED的阳极。第一晶体管T1可以根据第二晶体管T2的开关操作接收由数据线171传输的数据信号Dm，以向发光二极管(LED)ED供应驱动电流Id。
第二晶体管T2的栅电极G2可以连接到第一扫描线151。第二晶体管T2的源电极S2可以连接到数据线171。第二晶体管T2的漏电极D2可以经由第五晶体管T5连接到驱动电压线172，同时连接到第一晶体管T1的源电极S1。第二晶体管T2可以根据通过第一扫描线151传输的扫描信号GWn导通，使得从数据线171传输的数据信号Dm可以传输到第一晶体管T1的源电极S1。
第三晶体管T3的栅电极G3可以连接到第一扫描线151。第三晶体管T3的源电极S3可以经由第六晶体管T6连接到发光二极管(LED)ED的阳极，同时连接到第一晶体管T1的漏电极D1。第三晶体管T3的漏电极D3可以连接到第四晶体管T4的漏电极D4、电容器Cst的一个端子和第一晶体管T1的栅电极G1。第三晶体管T3可以根据通过第一扫描线151传输的扫描信号GWn而导通，以通过将第一晶体管T1的栅电极G1和漏电极D1彼此连接来使第一晶体管T1二极管连接。
第四晶体管T4的栅电极G4可以连接到第二扫描线152。第四晶体管T4的源电极S4可以连接到初始化电压Vint。第四晶体管T4的漏电极D4可以通过第三晶体管T3的漏电极D3连接到电容器Cst的一个端子和第一晶体管T1的栅电极G1。第四晶体管T4可以根据通过第二扫描线152传输的扫描信号GIn而导通，以将初始化电压Vint传输到第一晶体管T1的栅电极G1，从而执行使第一晶体管T1的栅电极G1的电压初始化的初始化操作。
第五晶体管T5的栅电极G5可以连接到控制线153。第五晶体管T5的源电极S5可以连接到驱动电压线172。第五晶体管T5的漏电极D5可以连接到第一晶体管T1的源电极S1和第二晶体管T2的漏电极D2。
第六晶体管T6的栅电极G6可以连接到控制线153。第六晶体管T6的源电极S6可以连接到第一晶体管T1的漏电极D1和第三晶体管T3的源电极S3。第六晶体管T6的漏电极D6可以电连接到发光二极管(LED)ED的阳极。第五晶体管T5和第六晶体管T6可以根据通过控制线153传输的控制信号EM而基本上同时导通。因此，驱动电压ELVDD可以通过二极管连接的第一晶体管T1补偿，以传输到发光二极管(LED)ED。
第七晶体管T7的栅电极G7可以连接到第三扫描线154。第七晶体管T7的源电极S7可以连接到第六晶体管T6的漏电极D6和发光二极管(LED)ED的阳极。第七晶体管T7的漏电极D7可以连接到初始化电压Vint的端子和第四晶体管T4的源电极S4。
晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可以是诸如PMOS的P型沟道晶体管；然而，本发明的示例性实施例不限于此，晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7之中的至少一个可以是N型沟道晶体管。
如上所述，电容器Cst的一个端子可以连接到第一晶体管T1的栅电极G1，电容器Cst的另一端子可以连接到驱动电压线172。发光二极管(LED)ED的阴极可以连接到传输共电压ELVSS的共电压线的端子以接收共电压ELVSS。
根据本发明的示例性实施例的像素PX的结构不限于参照图1描述的结构，可以对包括在一个像素PX中的晶体管的数量和电容器的数量及其连接关系进行各种修改。
下面将参照图1来更详细地描述根据本发明的示例性实施例的显示装置的操作。
如果在初始化时间段期间通过第二扫描线152供应栅极导通电压电平的扫描信号GIn(扫描信号GIn可以是第(n-1)扫描信号S(n-1))，则第四晶体管T4导通，初始化电压Vint通过第四晶体管T4传输到第一晶体管T1的栅电极G1，第一晶体管T1被初始化电压Vint初始化。
随后，如果在数据编程和补偿时间段期间通过第一扫描线151供应栅极导通电压电平的扫描信号GWn(扫描信号GWn可以是第n扫描信号Sn)，则第二晶体管T2和第三晶体管T3导通。第一晶体管T1被导通的第三晶体管T3二极管连接，并正向偏置。因此，从自数据线171供应的数据信号Dm降低第一晶体管T1的阈值电压Vth的补偿电压可以施加到第一晶体管T1的栅电极G1。驱动电压ELVDD和补偿电压可以分别施加到电容器Cst的端子，并且电容器Cst可以充入与两个端子的电压差对应的电荷。
在发光时间段期间，从控制线153供应的控制信号EM从栅极截止电压电平改变到栅极导通电压电平，并且在一帧中，改变时间可以在扫描信号GWn施加到全部第一扫描线151之后。因此，在发光时间段期间，第五晶体管T5和第六晶体管T6导通，根据第一晶体管T1的栅电极G1的栅极电压与驱动电压ELVDD之间的电压差产生驱动电流Id，并且驱动电流Id通过第六晶体管T6供应到发光二极管(LED)ED，从而驱动电流Id流向发光二极管(LED)ED。
根据本发明的示例性实施例，在初始化时间段期间，第七晶体管T7通过第三扫描线154接收栅极导通电压电平的扫描信号GI(n+1)以导通。扫描信号GI(n+1)可以是第n扫描信号Sn。驱动电流Id的一部分作为旁路电流Ibp通过导通的第七晶体管T7流出。
下面将参照图2至图6与图1一起更详细地描述根据本发明的示例性实施例的显示装置的结构。为了描述的清楚，将首先描述根据本发明的示例性实施例的显示装置的平面结构，然后将描述显示装置的剖面结构。
图2是根据本发明的示例性实施例的显示装置的像素的布局图。图3是图2中示出的显示装置沿线A1-A2截取的剖视图。图4是图2中示出的显示装置沿线A3-A4截取的剖视图。图5是根据本发明的示例性实施例的显示装置的像素的布局图。图6是示出包括在根据本发明的示例性实施例的显示装置的电容器中的导体的剖视图。
参照图2，根据本发明的示例性实施例的显示装置的一个像素可以包括连接到多条扫描线151、152和154、控制线153、数据线171和驱动电压线172的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7以及电容器Cst。参照图2描述的结构可以在水平方向和竖直方向上重复。
多条扫描线151、152和154以及控制线153可以在同一平面上沿近似相同的方向(例如，水平方向)延伸。第一扫描线151可以位于第二扫描线152与控制线153之间。第三扫描线154可以具有与第二扫描线152的构造基本相同的构造，并且可以传输由第二扫描线152传输的扫描信号GIn的下一级的扫描信号GI(n+1)。
数据线171和驱动电压线172可以基本在竖直方向上延伸，因此与多条扫描线151、152和154以及控制线153交叉。数据线171可以传输数据信号Dm，驱动电压线172可以传输驱动电压ELVDD。驱动电压线172可以包括位于每个像素中的扩展部178。扩展部178可以在与驱动电压线172的延伸方向垂直的方向上延伸。
根据本发明的示例性实施例的显示装置可以包括存储线156和初始化电压线169。
存储线156和初始化电压线169可以基本在水平方向上延伸。存储线156可以位于第一扫描线151与控制线153之间，并且可以包括位于每个像素中的扩展部157。存储线156可以传输驱动电压ELVDD。扩展部157可以具有位于其近似中心处的开口51。
初始化电压线169传输初始化电压Vint，初始化电压线169的大部分可以位于第一扫描线151与第二扫描线152之间；然而，本发明的示例性实施例不限于此。初始化电压线169可以相对接近第二扫描线152，或者可以与第二扫描线152叠置。
多条扫描线151、152和154以及控制线153可以包括在第一导电层中。因此，当在剖面中观看时，多条扫描线151、152和154以及控制线153彼此可以位于同一层上，并且可以包括彼此相同的材料。存储线156可以包括作为与第一导电层不同的层的第二导电层。例如，第二导电层可以位于第一导电层上的层中。初始化电压线169可以包括在作为与第一导电层和第二导电层的层不同的层的第三导电层中。例如，第三导电层可以位于第二导电层上的层中。数据线171和驱动电压线172可以包括在作为与第一导电层至第三导电层不同的层的第四导电层中。因此，当在剖面中观看时，数据线171和驱动电压线172彼此可以位于同一层中，并且可以包括彼此相同的材料。例如，第四导电层可以位于第三导电层上的层中。
当初始化电压线169位于与设置有多条扫描线151、152和154以及控制线153的第一导电层不同的第三导电层中时，可以使初始化电压线169与扫描线151、152和154之间在平面上的分隔距离最小化，并且可以(例如，沿着与扫描线151、152和154的上表面正交的方向)存在在初始化电压线169与第二扫描线152之间叠置的平面。因此，可以增大空间利用效率和设计自由度，因此可以以较低的成本制造相对高分辨率的显示装置。
因为由初始化电压线169传输的电压与由扫描线151、152和154或控制线153传输的电压之间的电压差相对大，如果初始化电压线169与扫描线151、152和154或者控制线153仅分隔开一个绝缘层，则绝缘层被损坏的风险会相对大。然而，根据本发明的示例性实施例，因为第二绝缘层142和第三绝缘层143位于设置有初始化电压线169的第三导电层与诸如扫描线151、152和154或者控制线153的第一导电层之间，所以可以增大初始化电压线169与第二扫描线152之间的剖面距离，从而可以减小或消除短路发生风险，并且可以相应地使初始化电压线169和第二扫描线152之间的平面分隔距离最小化。
多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的每个沟道可以形成在一个有源图案130中，有源图案130可以以各种形状弯曲。有源图案130可以包括诸如非晶硅/多晶硅或氧化物半导体的半导体材料。
有源图案130可以包括形成半导体的多个沟道区和多个导电区。沟道区可以包括分别形成晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的每个沟道的沟道区131a、131b、131c1、131c2、131d1、131d2、131e、131f和131g中的一个或更多个。在有源图案130中，除了沟道区131a、131b、131c1、131c2、131d1、131d2、131e、131f和131g之外的剩余部分可以是导电区(见例如图3中示出的例如源区136b和漏区137b)。导电区具有比沟道区131a、131b、131c1、131c2、131d1、131d2、131e、131f和131g的载流子浓度高的载流子浓度。位于沟道区131a、131b、131c1、131c2、131d1、131d2、131e、131f和131g的各个侧处的一对导电区可以是对应的晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的源区和漏区。
第一晶体管T1可以包括沟道区131a、位于沟道区131a的各个侧处的源区136a和漏区137a以及沿着与基底110的上表面正交的方向与沟道区131a叠置的驱动栅电极155a。
沟道区131a可以弯曲至少一次。例如，第一晶体管T1的沟道区131a可以具有蜿蜒形状或之字形形状。图2示出了沟道区131a形成近似“U”形的示例；然而，本发明的示例性实施例不限于此。
驱动栅电极155a可以包括在第一导电层中，并且可以通过接触孔61连接到连接件161。接触孔61位于存储线156的扩展部157的开口51中。当在剖面中观看时，连接件161可以位于第三导电层中。连接件161可以基本在竖直方向上延伸，并且可以与第一扫描线151交叉。连接件161可以与驱动栅电极155a一起位于与驱动栅极节点GN(见例如图1)对应的位置中。
第二晶体管T2可以包括沟道区131b、位于沟道区131b的各个侧处的源区136b和漏区137b以及沿着与基底110的上表面正交的方向与沟道区131b叠置的栅电极155b。栅电极155b可以是第一扫描线151的一部分。源区136b可以通过接触孔63连接到连接件162，并且漏区137b可以连接到第一晶体管T1的源区136a。
当在剖面中观看时，连接件162可以位于第三导电层中。连接件162可以通过接触孔71连接到数据线171，使得源区136b电连接到数据线171，从而接收数据信号Dm。
第三晶体管T3可以包括可以防止漏电流的两个部分。作为示例，第三晶体管T3可以包括彼此相邻并且彼此连接的第三晶体管第一部分T3_1和第三晶体管第二部分T3_2。
第三晶体管第一部分T3_1可以包括沿着与基底110的上表面正交的方向与第一扫描线151叠置的沟道区131c1、位于沟道区131c1的各个侧处的源区136c1和漏区137c1以及沿着与基底110的上表面正交的方向与沟道区131c1叠置的栅电极155c1。栅电极155c1可以是第一扫描线151的突起部。漏区137c1可以通过接触孔62连接到连接件161。
第三晶体管第二部分T3_2可以包括沿着与基底110的上表面正交的方向与第一扫描线151叠置的沟道区131c2、位于沟道区131c2的各个侧处的源区136c2和漏区137c2以及沿着与基底110的上表面正交的方向与沟道区131c2叠置的栅电极155c2。栅电极155c2可以是第一扫描线151的一部分。第三晶体管第二部分T3_2的源区136c2可以连接到第一晶体管T1的漏区137a，并且漏区137c2可以连接到第三晶体管第一部分T3_1的源区136c1。
第四晶体管T4可以包括可以防止漏电流的两个部分。作为示例，第四晶体管T4可以包括彼此相邻并且彼此连接的第四晶体管第一部分T4_1和第四晶体管第二部分T4_2。第四晶体管第一部分T4_1和第四晶体管第二部分T4_2可以位于与第二扫描线152交叉的位置处，或者可以位于与第三扫描线154交叉的位置处(见例如图2)。
第四晶体管第一部分T4_1可以包括沿着与基底110的上表面正交的方向与第二扫描线152(或第三扫描线154)叠置的沟道区131d1、位于沟道区131d1的各个侧处的源区136d1和漏区137d1以及与沟道区131d1叠置的栅电极155d1。栅电极155d1可以是第二扫描线152(或第三扫描线154)的一部分。漏区137d1可以连接到第三晶体管第一部分T3_1的漏区137c1，并且可以通过接触孔62连接到连接件161。
第四晶体管第二部分T4_2可以包括沿着与基底110的上表面正交的方向与第二扫描线152(或第三扫描线154)叠置的沟道区131d2、位于沟道区131d2的各个侧处的源区136d2和漏区137d2以及与沟道区131d2叠置的栅电极155d2。栅电极155d2可以是第二扫描线152(或第三扫描线154)的一部分。漏区137d2可以连接到第四晶体管第一部分T4_1的源区136d1，源区136d2可以通过接触孔67连接到初始化电压线169。
第五晶体管T5可以包括沟道区131e、位于沟道区131e的各个侧处的源区136e和漏区137e以及沿着与基底110的上表面正交的方向与沟道区131e叠置的栅电极155e。栅电极155e可以是控制线153的一部分。源区136e可以通过接触孔65连接到连接件163，漏区137e可以连接到第一晶体管T1的源区136a。
当在剖面中观看时，连接件163可以位于第三导电层中。连接件163可以在水平方向上延伸以通过接触孔72连接到驱动电压线172，使得源区136e电连接到驱动电压线172，从而接收驱动电压ELVDD。连接件163也可以在竖直方向上延伸以通过接触孔64连接到存储线156的扩展部157，从而将驱动电压ELVDD传输到存储线156。
第六晶体管T6可以包括沟道区131f、位于沟道区131f的各个侧处的源区136f和漏区137f以及沿着与基底110的上表面正交的方向与沟道区131f叠置的栅电极155f。栅电极155f可以是控制线153的一部分。源区136f可以连接到第一晶体管T1的漏区137a，漏区137f通过接触孔66连接到连接件164。
当在剖面中观看时，连接件164可以位于第三导电层中。连接件164可以通过接触孔73连接到位于第四导电层中的连接件179。
第七晶体管T7可以包括沟道区131g、位于沟道区131g的各个侧处的源区136g和漏区137g以及沿着与基底110的上表面正交的方向与沟道区131g叠置的栅电极155g。栅电极155g可以是第三扫描线154的一部分。源区136g可以连接到第六晶体管T6的漏区137f，漏区137g可以通过接触孔67(见例如图2)连接到初始化电压线169，从而接收初始化电压Vint。
电容器Cst可以保持驱动栅电极155a的电压。电容器Cst可以包括第一子电容器Cst1和第二子电容器Cst2。
第一子电容器Cst1可以包括沿着与基底110的上表面正交的方向彼此叠置的作为两个端子的驱动栅电极155a和存储线156的扩展部157。存储线156的扩展部157可以在平面上具有比驱动栅电极155a的区域宽的区域，并且可以完全覆盖驱动栅电极155a的整个区域(见例如图4)。例如，参照图4，驱动栅电极155a可以位于下方，并可以沿着与基底110的上表面正交的方向被存储线156的扩展部157完全覆盖。
第二子电容器Cst2可以包括沿着与基底110的上表面正交的方向彼此叠置的作为两个端子的连接件161和驱动电压线172(例如，包括扩展部178)。驱动电压线172(例如，包括扩展部178)可以覆盖将要沿着与基底110的上表面正交的方向叠置的连接件161的大部分。扩展部178可以在水平方向上延伸，使得驱动电压线172与连接件161的大部分叠置。
根据本发明的示例性实施例，作为第一子电容器Cst1的一个端子的驱动栅电极155a电连接到作为第二子电容器Cst2的一个端子的连接件161，从而接收同一电压，作为第一子电容器Cst1的另一个端子的存储线156的扩展部157如同作为第二子电容器Cst2的另一个端子的驱动电压线172一样传输驱动电压ELVDD，因此，第一子电容器Cst1和第二子电容器Cst2在电路图中具有并联连接关系。因此，由于电容器Cst的电容即使在平面上的狭窄空间中也可以大幅增大，因此电容器Cst的电容可以增大，因此，可以减少或消除诸如像素之间的颜色偏差和串扰的显示质量缺陷。例如，即使在相对高分辨率的显示装置中，也可以增大电容器Cst的电容，使得可以稳定地保持驱动栅电极155a的电压，从而减少或消除显示质量缺陷。
参照图2，在平面上，驱动电压线172(例如，包括扩展部178)可以与第一晶体管T1的沟道区131a叠置，并且也可以沿着与基底110的上表面正交的方向与第三晶体管T3的沟道区131c1和131c2的至少一部分叠置。例如，驱动电压线172的扩展部178可以覆盖第三晶体管第一部分T3_1的沟道区131c1的整个区域，并且也可以覆盖第三晶体管第二部分T3_2的沟道区131c2的部分区域。扩展部178也可以覆盖第三晶体管第一部分T3_1的沟道区131c1与源区136c1/漏区137c1之间的边界。因此，可以通过驱动电压线172防止外部光入射到直接连接到驱动栅电极155a的第三晶体管第一部分T3_1的沟道区131c1，使得可以防止在第三晶体管第一部分T3_1中产生漏电流。因此，可以防止由于外部光引起的驱动栅电极155a的电压变化，使得可以防止诸如图像的亮度变化和色坐标变化的显示缺陷。
驱动电压线172可以覆盖第四晶体管第一部分T4_1的沟道区131d1的大部分区域。因此，可以通过驱动电压线172防止外部光入射到直接连接到驱动栅电极155a的第四晶体管第一部分T4_1的沟道区131d1，使得可以防止在第四晶体管第一部分T4_1中产生漏电流。因此，可以防止驱动栅电极155a的电压变化，使得可以防止诸如图像的亮度变化和色坐标变化的显示缺陷。
下面将参照图3和图4以及图2更详细地描述根据本发明的示例性实施例的显示装置的剖面结构。
根据本发明的示例性实施例的显示装置可以包括基底110。基底110可以包括无机绝缘材料(诸如玻璃)或者诸如塑料(诸如聚酰亚胺(PI))的有机绝缘材料，并且可以具有各种水平的柔性。
缓冲层120可以设置在基底110上。缓冲层120可以阻挡杂质从基底110转移到缓冲层120的上层(特别是有源图案130)，以用于减少或消除杂质注入到有源图案130中，并且减小施加到有源图案130的应力。缓冲层120可以包括诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料或者有机绝缘材料。可以省略一部分缓冲层120或整个缓冲层120。
有源图案130可以设置在缓冲层120上，第一绝缘层141可以设置在有源图案130上。
包括多条扫描线151、152和154、控制线153以及驱动栅电极155a的第一导电层可以设置在第一绝缘层141上。
第二绝缘层142可以位于第一导电层和第一绝缘层141上方，包括存储线156的第二导电层可以设置在第二绝缘层142上。存储线156的扩展部157可以经由第二绝缘层142与驱动栅电极155a叠置，从而形成第一子电容器Cst1。
第三绝缘层143可以设置在第二导电层和第二绝缘层142上。
第三绝缘层143可以包括位于存储线156的扩展部157上方的接触孔64。第二绝缘层142和第三绝缘层143可以包括位于驱动栅电极155a上方的接触孔61。第一绝缘层141、第二绝缘层142和第三绝缘层143可以包括接触孔62，接触孔62位于第三晶体管第一部分T3_1的漏区137c1和第四晶体管第一部分T4_1的漏区137d1彼此交汇处。接触孔63可以位于第二晶体管T2的源区136b上方。接触孔65可以位于第五晶体管T5的源区136e上方。接触孔66可以位于第六晶体管T6的漏区137f上方。接触孔67可以位于第四晶体管第二部分T4_2的源区136d2和第七晶体管T7的漏区137g彼此交汇处。
包括初始化电压线169和多个连接件161、162、163和164的第三导电层可以设置在第三绝缘层143上。
初始化电压线169可以通过接触孔67电连接到第四晶体管第二部分T4_2的源区136d2和第七晶体管T7的漏区137g。连接件161可以通过接触孔61和62电连接到驱动栅电极155a、第三晶体管第一部分T3_1的漏区137c1以及第四晶体管第一部分T4_1的漏区137d1。连接件162可以通过接触孔63电连接到第二晶体管T2的源区136b。连接件163可以通过接触孔64和65电连接到存储线156的扩展部157和第五晶体管T5的源区136e。连接件164可以通过接触孔66电连接到第六晶体管T6的漏区137f。
第四绝缘层144可以设置在第三导电层和第三绝缘层143上。
第四绝缘层144可以包括位于连接件162上方的接触孔71、位于连接件163上方的接触孔72以及位于连接件164上方的接触孔73。
第一绝缘层141、第二绝缘层142、第三绝缘层143和第四绝缘层144之中的至少一个可以包括诸如氮化硅、氧化硅的无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。
包括数据线171、驱动电压线172和连接件179的第四导电层可以设置在第四绝缘层144上。数据线171可以通过接触孔71电连接到连接件162。驱动电压线172可以通过接触孔72电连接到连接件163。连接件179可以通过接触孔73电连接到连接件164。
驱动电压线172(例如，包括扩展部178)可以沿着与基底110的上表面正交的方向与连接件161叠置。第四绝缘层144可以设置在驱动电压线172与连接件161之间。因此可以形成第二子电容器Cst2。
第一导电层、第二导电层、第三导电层和第四导电层之中的至少一个可以包括诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)和钽(Ta)或者它们之中的至少两种的合金的导电材料。
钝化层180可以设置在第四导电层和第四绝缘层144上。钝化层180可以包括诸如聚丙烯酸类树脂和聚酰亚胺类树脂的有机绝缘材料，钝化层180的上表面可以是基本平坦的。钝化层180可以包括位于连接件179上方的接触孔89。
包括多个像素电极191的第五导电层可以设置在钝化层180上。每个像素电极191可以通过接触孔89连接到连接件179，从而接收电压。多个像素电极191可以以PenTile矩阵形式布置。
像素限定层(PDL)350可以位于钝化层180和像素电极191上。像素限定层350可以包括位于每个像素电极191上方的开口。
发射层370可以位于像素电极191上。发射层370可以位于像素限定层350的开口中。发射层370可以包括有机发光材料或无机发光材料。
共电极270可以位于发射层370上。共电极270可以位于像素限定层350上，从而延伸遍及多个像素。
像素电极191、发射层370和共电极270一起可以形成发光二极管(LED)ED。
保护发光二极管(LED)ED的封装层还可以位于共电极270上。封装层可以包括交替堆叠的无机层和有机层。
参照图5，连接件161可以包括沿着与基底110的上表面正交的方向与驱动栅电极155a叠置的部分，以通过接触孔61连接到驱动栅电极155a。因此，第一子电容器Cst1的平面区域(由虚线表示)和第二子电容器Cst2的平面区域(由虚线表示)可以沿着与基底110的上表面正交的方向叠置。作为示例，第二子电容器Cst2的平面区域的下部与第一子电容器Cst1的平面区域叠置，第二子电容器Cst2的平面区域可以具有从与第一子电容器Cst1的平面区域叠置的区域向上延伸的形状。
图6示出了构成第一子电容器Cst1和第二子电容器Cst2的端子的导体的剖面布置。参照图6，电连接到驱动栅电极155a的连接件161与驱动栅电极155a接收相同的电压V1，存储线156的电连接到驱动电压线172的扩展部157与驱动电压线172接收相同的电压V2。参照剖面结构，驱动栅电极155a、存储线156的扩展部157、连接件161和驱动电压线172可以顺序地设置在基底110上。在剖面中观看时经由绝缘层彼此相邻的驱动栅电极155a和存储线156的扩展部157可以形成第一子电容器Cst1，在剖面中观看时经由绝缘层彼此相邻的连接件161和驱动电压线172可以形成第二子电容器Cst2。可以在平面上交替地布置形成第一子电容器Cst1和第二子电容器Cst2的端子的四个导体。因此，可以在相对有限的空间中有效地形成第一子电容器Cst1和第二子电容器Cst2。
连接件161可以沿着与基底110的上表面正交的方向与经由绝缘层相邻的存储线156的扩展部157叠置，从而进一步形成附加的子电容器。当还考虑附加的子电容器时，根据本发明的示例性实施例的电容器Cst可以包括彼此并联耦合的至少三个子电容器。
根据本发明的示例性实施例，并联耦合的至少两个子电容器Cst1和Cst2可以通过使用在相对有限的平面空间中位于彼此不同的导电层处的四个导体来形成，因此增大电容器Cst的电容两倍或更多。参照图5，由于至少两个子电容器Cst1和Cst2沿着与基底110的上表面正交的方向至少部分地叠置，所以可以增大空间利用效率。因此，即使显示装置具有相对高的分辨率，也可以获得具有足够电容的电容器Cst，使得可以减少或消除诸如颜色偏差和串扰的显示质量缺陷。
根据本发明的示例性实施例，可以根据需要选择第一子电容器Cst1和第二子电容器Cst2中的仅一个，因此可以增大设计的自由度。
下面将参照图7至图9以及上面描述过的附图来更详细地描述根据本发明的示例性实施例的显示装置的有源图案130。
图7是根据本发明的示例性实施例的显示装置的像素的布局图。图8是根据对比示例的显示装置的剖视图。图9是示出在根据图8中示出的对比示例的显示装置中出现的缺陷的图像。
参照图7，有源图案130的连续部分的宽度W0可以基本恒定，并且有源图案130可以在与接触孔62、63、65、66和67叠置的位置处具有平面上扩大的宽度，以电连接到不同层的构成元件。例如，有源图案130之中的第二晶体管T2的源区136b的沿着与基底110的上表面正交的方向与接触孔63叠置的端部的宽度W1(例如，水平方向宽度)可以大于周围的有源图案130的宽度。相似地，有源图案130之中的第五晶体管T5的源区136e的与接触孔65叠置的端部的宽度W2(例如，水平方向宽度)可以大于周围的有源图案130的宽度。然而，由于宽度W2大于宽度W1，因此可以增大接触孔65可以沿着与基底110的上表面正交的方向与有源图案130叠置的空间的余量。下面更详细地讨论宽度W2。
图8示出了与如上所述的图3中示出的剖视图相似的剖视图。图8示出了第五晶体管T5的源区136e的宽度与图3中示出的源区136e的宽度相比减小。图9是示出根据参照图8描述的对比示例的第五晶体管T5的源区136e的剖面的图像。
参照图8，如果第五晶体管T5的源区136e的宽度减小，则当在制造过程中产生诸如未对准的工艺错误时，接触孔65不会沿着与基底110的上表面正交的方向与有源图案130叠置，使得会形成接触孔65p(见例如图8和图9)。由于接触孔65p超出了有源图案130的边缘，使得接触孔65p也形成在缓冲层120中，因此接触孔65p的剖面会具有台阶形状。因此，位于其上的层根据接触孔65p的轮廓而具有台阶形状，使得第四绝缘层144具有向下凹陷的部分DP，并且位于第四绝缘层144上的第四导电层(例如，数据线171)具有与第四绝缘层144的凹部DP中的第三导电层(例如，连接件163)相对高的电短路的风险。
相似地，短路会产生在其它部分上，例如，有源图案130的与接触孔63叠置的周围。连接的两个导体(诸如数据线171和连接件162)可以传输基本相同的电压，使得由于短路引起的缺陷的风险低。然而，必须阻止当第五晶体管T5的源区136e的端部的宽度W2不足时产生的短路，即，传输彼此不同的电压的数据线171与连接件163之间的短路。
根据本发明的示例性实施例，在传输彼此不同的电压的第三导电层和第四导电层被短路的风险相对高的部分中(见例如图7)，可以通过将有源图案130的与接触孔65叠置的宽度W2延伸得比其它部分多来减少或消除短路的发生。
相似地，根据本发明的示例性实施例，连接件161和驱动电压线172在与接触孔62叠置的有源图案130上叠置。连接件161和驱动电压线172传输不同的电压，使得不发生短路。因此，为了在形成接触孔62时获得工艺余量使得接触孔62不偏离其在有源图案130上的预期位置，与接触孔62叠置的有源图案130(例如，第三晶体管第一部分T3_1的漏区137c1与第四晶体管第一部分T4_1的漏区137d1彼此交汇的部分)的宽度W3(在竖直方向上作为示例示出，但是其可以是水平方向上的宽度)设置为大于常规宽度W1，因此可以减小或消除产生短路的风险。
下面将参照图10至图30以及上面描述过的图1至图4来更详细地描述根据本发明的示例性实施例的显示装置的制造方法。
图10、图13、图16、图19、图22、图25和图28均是根据本发明的示例性实施例的显示装置的制造方法的中间工艺步骤中的显示装置的像素的布局图。图11、图14、图17、图20、图23、图26和图29分别是图10、图13、图16、图19、图22、图25和图28中示出的中间工艺步骤中的显示装置沿线A1-A2截取的剖视图。图12、图15、图18、图21、图24、图27和图30分别是图10、图13、图16、图19、图22、图25和图28中示出的中间工艺步骤中的显示装置沿线A3-A4截取的剖视图。
参照图10至图12，可以在基底110上沉积无机绝缘材料和/或有机绝缘材料以形成缓冲层120。在缓冲层120上沉积并图案化诸如多晶硅的半导体材料以形成半导体图案130p。图案化工艺可以包括使用用于蚀刻的光掩模通过曝光和显影形成掩模图案的光刻工艺。半导体图案130p的整个平面形状可以与上述有源图案130的平面形状相同。
参照图13至图15，可以在半导体图案130p(见例如图10至图12)上沉积诸如氮化硅、氧化硅的无机绝缘材料和/或有机绝缘材料，以形成第一绝缘层141，可以在第一绝缘层141上沉积并图案化诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)或它们之中的至少两种的合金的导电材料，以形成包括扫描线151、152和154、控制线153以及驱动栅电极155a的第一导电层。
可以通过使用第一导电层作为掩模将N型或P型杂质掺杂到半导体图案130p，以形成包括多个沟道区131a、131b、131c1、131c2、131d1、131d2、131e、131f和131g以及导电区的有源图案130。因此，如上所述，可以形成多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7。
参照图16至图18，可以在第一绝缘层141和第一导电层上沉积诸如氮化硅、氧化硅的无机绝缘材料和/或有机绝缘材料，以形成第二绝缘层142，并且可以在第二绝缘层142上沉积并图案化诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)或它们之中至少两种的合金的导电材料，以形成包括具有开口51的扩展部157和存储线156的第二导电层。
参照图19至图21，可以在第二绝缘层142和第二导电层上沉积诸如氮化硅、氧化硅的无机绝缘材料和/或有机绝缘材料，以形成第三绝缘层143。可以通过光工艺对第一绝缘层141、第二绝缘层142和第三绝缘层143进行图案化以形成穿透第一绝缘层141、第二绝缘层142和第三绝缘层143中的一些或全部的多个接触孔61、62、63、64、65、66和67。如上所述，由于可充分扩展设置有接触孔62和65的部分的有源图案130，所以接触孔62和65可以具有足够的工艺余量以仅在有源图案130上限制性地形成。
参照图22至图24，可以在第三绝缘层143上沉积并图案化诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)或它们之中的至少两种的合金的导电材料，以形成包括初始化电压线169和多个连接件161、162、163和164的第三导电层。
参照图25至图27，可以在第三绝缘层143和第三导电层上沉积诸如氮化硅、氧化硅的无机绝缘材料和/或有机绝缘材料，以形成第四绝缘层144。可以通过光工艺对第四绝缘层144进行图案化，以形成多个接触孔71、72和73。
参照图28至图30，可以在第四绝缘层144上沉积并图案化诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)或它们之中的至少两种的合金的导电材料，以形成包括数据线171、驱动电压线172和连接件179的第四导电层。
参照图2至图4，可以通过在第四导电层和第四绝缘层144上沉积有机绝缘材料来形成钝化层180。可以对钝化层180进行图案化以形成位于连接件179上方的接触孔89。
可以在钝化层180上沉积并图案化诸如ITO的导电材料，以形成包括像素电极191的第五导电层。可以在像素电极191和钝化层180上形成像素限定层350。可以顺序地形成发射层370和共电极270以形成发光二极管(LED)ED。可以形成封装发光二极管(LED)ED的封装层。
尽管已经参照本发明的示例性实施例示出并描述了本发明，但是对于本领域普通技术人员将明显的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对其进行形式和细节上的各种改变。

Claims (12)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
有源图案，位于所述基底上方，并且包括多个沟道区和多个导电区；
多条扫描线，在第一方向上延伸；
数据线和驱动电压线，与所述多条扫描线交叉；
第一晶体管，包括所述多个沟道区之中的第一沟道区和第一栅电极；
第一连接件，将所述第一晶体管的所述第一栅电极与所述多个导电区之中的第一导电区彼此电连接；以及
存储线，包括第一扩展部，
其中，所述驱动电压线沿着与所述基底的上表面正交的方向与所述第一连接件的至少一部分叠置，并且
其中，所述第一栅电极沿着与所述基底的所述上表面正交的所述方向与所述第一扩展部叠置，以形成第一子电容器，
所述驱动电压线沿着与所述基底的所述上表面正交的所述方向与所述第一连接件叠置，以形成第二子电容器，
所述第一子电容器沿着与所述基底的所述上表面正交的所述方向与所述第二子电容器的一部分叠置。
2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第三晶体管，连接到所述第一晶体管和所述第一连接件，
其中，所述第三晶体管包括所述多个沟道区之中的第三沟道区，并且
所述驱动电压线沿着与所述基底的所述上表面正交的所述方向与所述第三沟道区的至少一部分叠置。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二子电容器的平面区域在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一栅电极、所述第一扩展部、所述第一连接件和所述驱动电压线顺序地布置在所述基底上方，
所述第一栅电极和所述第一连接件传输相同的电压，并且
所述驱动电压线和所述第一扩展部传输相同的电压。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一扩展部具有开口，并且
所述第一连接件在所述开口中电连接到所述第一栅电极。
6.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
至少一个绝缘层，位于所述有源图案与所述第一连接件之间；以及
第二连接件和第三连接件，位于所述至少一个绝缘层上方，
其中，所述有源图案的所述多个导电区还包括彼此间隔开的第二导电区和第三导电区，
所述至少一个绝缘层具有位于所述第二导电区上方的第一接触孔以及位于所述第三导电区上方的第二接触孔，
所述第二连接件通过所述第一接触孔电连接到所述第二导电区，
所述第三连接件通过所述第二接触孔电连接到所述第三导电区，
所述第三导电区在一个方向上的宽度大于所述第二导电区域在所述一个方向上的宽度。
7.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括：
导体，位于所述第三连接件上，并沿着与所述基底的所述上表面正交的所述方向与所述第三连接件叠置，
其中，所述导体传输与所述第三连接件的电压不同的电压。
8.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第五晶体管，连接到所述第一晶体管，并包括第五沟道区，
其中，所述第三导电区连接到所述第五沟道区，
所述第三连接件电连接到所述驱动电压线，并且
所述导体包括所述数据线。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述至少一个绝缘层还包括位于所述第一导电区上方的第三接触孔，
所述第一连接件通过所述第三接触孔电连接到所述第一导电区，并且
所述第一导电区在所述一个方向上的宽度比所述第二导电区在所述一个方向上的宽度大。
10.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一绝缘层，位于包括所述多条扫描线和所述第一栅电极的第一导电层与所述有源图案之间；
第二绝缘层，位于所述第一导电层上；
第二导电层，位于所述第二绝缘层上，并包括所述存储线；
第三绝缘层，位于包括所述第一连接件的第三导电层与所述第二导电层之间；
第四绝缘层，位于所述第三导电层上方；以及
第四导电层，位于所述第四绝缘层上方，并包括所述数据线和所述驱动电压线。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，
所述第三导电层还包括初始化电压线，并且
所述初始化电压线通过所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层的接触孔电连接到所述多个导电区中的一部分。
12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，
所述第四导电层通过所述第四绝缘层的接触孔电连接到所述第三导电层。
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