CN108510922B - 一种阈值电压值的检测方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阈值电压值的检测方法及装置，由于同一像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值不同，且数据电压值与对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值相关，检测线在充电后的电压值与驱动晶体管的初始阈值电压值相关。在充电电压比值不满足预设阈值范围时，调整该像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值，并通过循环检测的方式使充电电压比值满足预设阈值范围，以根据调整后的数据电压值得到驱动晶体管的当前阈值电压值。在充电电压比值满足预设阈值范围时，则直接根据对检测线进行充电时输入的数据电压值即可得到驱动晶体管的当前阈值电压值，以提高检测得到的当前阈值电压值的准确性。

Description

一种阈值电压值的检测方法及装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阈值电压值的检测方法及装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)、量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)等电致发光二极管具有自发光、低能耗等优点，是当今电致发光显示面板应用研究领域的热点之一。目前，电致发光二极管一般属于电流驱动型，需要稳定的电流来驱动其发光。并且电致发光显示面板中采用像素电路来驱动电致发光二极管发光。在工艺制备中，一般会将像素电路中的驱动晶体管的尺寸与产品规格相适应，从而使制备完成的驱动晶体管具有初始阈值电压值V_th-0。然而由于器件老化等原因，会使驱动晶体管的当前阈值电压值与初始阈值电压值V_th-0不同，从而造成显示亮度差异。为了保证显示质量，可以通过外部补偿的方式，先检测得到驱动晶体管的当前阈值电压，再根据检测得到的当前阈值电压值对显示亮度进行补偿。然而，目前用于检测驱动晶体管的当前阈值电压值的方法无法避开驱动晶体管的迁移率的影响，使得检测得到的当前阈值电压值的准确性较低。

有鉴于此，如何比较准确的检测得到驱动晶体管的当前阈值电压值，是本领域技术人员亟需解决的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种阈值电压值的检测方法及装置，用以提高检测得到的驱动晶体管的当前阈值电压值的准确性。

因此，本发明实施例提供一种阈值电压值的检测方法，应用于对电致发光显示面板的像素电路中的驱动晶体管的阈值电压值进行检测，所述检测方法包括：

在预设检测周期中，控制每一像素电路向连接的检测线进行两次充电，并在每次充电后获取所述检测线上的电压值；其中，同一所述像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值不同，并且所述数据电压值与对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值相关；

根据获取的每一所述像素电路连接的检测线在两次充电后的电压值，确定每一所述像素电路对应的充电电压比值；

针对每一所述像素电路，在所述像素电路对应的充电电压比值不满足对应的预设阈值范围时，调整所述像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值，并进行下一个预设检测周期的循环，直至所述像素电路对应的充电电压比值满足预先设定的阈值范围时，根据所述像素电路对应的调整后的数据电压值，确定所述像素电路中驱动晶体管对应的当前阈值电压值；

针对每一所述像素电路，在所述像素电路对应的充电电压比值满足对应的预先设定的阈值范围时，根据所述像素电路对应的数据电压值，确定所述像素电路中驱动晶体管对应的当前阈值电压值。

可选地，在本发明实施例提供的上述检测方法中，在第一次充电时，每一所述像素电路输入一一对应的第一数据电压值；在第二次充电时，每一所述像素电路输入一一对应的第二数据电压值；其中，所述第一数据电压值等于对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值与第一检测电压值之和；所述第二数据电压值等于对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值与第二检测电压值之和；

所述调整所述像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值，具体包括：

在所述像素电路对应的充电电压比值大于所述预设阈值范围中的最大值时，将所述像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值减小相同的第一电压值后的电压值，确定为所述像素电路对应的新的第一数据电压值与新的第二数据电压值；

在所述像素电路对应的充电电压比值小于所述预设阈值范围中的最小值时，将所述像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值增加相同的第二电压值后的电压值，确定为所述像素电路对应的新的第一数据电压值与新的第二数据电压值；

所述根据所述像素电路对应的调整后的数据电压值，确定所述像素电路中驱动晶体管对应的当前阈值电压值，具体包括：

在所述像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值减小相同的第一电压值时，将所述像素电路中驱动晶体管对应的初始阈值电压值减小所述第一电压值后的电压值，确定为所述驱动晶体管对应的当前阈值电压值；

在所述像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值增加相同的第二电压值时，将所述像素电路中驱动晶体管对应的初始阈值电压值增加所述第二电压值后的电压值，确定为所述驱动晶体管对应的当前阈值电压值。

可选地，在本发明实施例提供的上述检测方法中，在第一次充电时，每一所述像素电路输入一一对应的第一数据电压值；在第二次充电时，每一所述像素电路输入一一对应的第二数据电压值；其中，所述第一数据电压值等于对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值与第一检测电压值之和；所述第二数据电压值等于对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值与第二检测电压值之和；

所述根据所述像素电路对应的数据电压值，确定所述像素电路中驱动晶体管对应的当前阈值电压值，具体包括：

将所述像素电路中驱动晶体管对应的初始阈值电压值，确定为所述驱动晶体管对应的当前阈值电压值。

可选地，在本发明实施例提供的上述检测方法中，所述控制每一像素电路向连接的检测线进行两次充电，并在每次充电后获取所述检测线上的电压值，具体包括：

在所述预设检测周期的第n个显示帧的消隐区中，根据第n行的每一所述像素电路对应的第一数据电压值，控制所述第n行的每一所述像素电路向连接的检测线进行第一次充电，并在充电后获取所述检测线上的电压值；n为大于或等于1且小于或等于N的整数，N为所述电致发光显示面板中的像素电路的总行数；

根据所述第n行的每一所述像素电路对应的第二数据电压值，控制所述第n行的每一所述像素电路向连接的检测线进行第二次充电，并在充电后获取所述检测线上的电压值。

可选地，在本发明实施例提供的上述检测方法中，所述控制每一像素电路向连接的检测线进行两次充电，并在每次充电后获取所述检测线上的电压值，具体包括：

在所述预设检测周期的第2n-1个显示帧的消隐区中，根据第n行的每一所述像素电路对应的第一数据电压值，控制所述第n行的每一所述像素电路向连接的检测线进行第一次充电，并在充电后获取所述检测线上的电压值；n为大于或等于1且小于或等于N的整数，N为所述电致发光显示面板中的像素电路的总行数；

在同一所述预设检测周期的第2n个显示帧的消隐区中，根据所述第n行的每一所述像素电路对应的第二数据电压值，控制所述第n行的每一所述像素电路向连接的检测线进行第二次充电，并在充电后获取所述检测线上的电压值。

相应地，本发明实施例还提供了一种阈值电压值的检测装置，应用于对电致发光显示面板的像素电路中的驱动晶体管的阈值电压值进行检测，所述检测装置包括：

获取单元，用于在预设检测周期中，控制每一像素电路向连接的检测线进行两次充电，并在每次充电后获取所述检测线上的电压值；其中，同一所述像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值不同，并且所述数据电压值与对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值相关；

比值确定单元，用于根据获取的每一所述像素电路连接的检测线在两次充电后的电压值，确定每一所述像素电路对应的充电电压比值；

电压确定单元，用于针对每一所述像素电路，在所述像素电路对应的充电电压比值不满足对应的预设阈值范围时，调整所述像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值，并进行下一个预设检测周期的循环，直至所述像素电路对应的充电电压比值满足预先设定的阈值范围时，根据所述像素电路对应的调整后的数据电压值，确定所述像素电路中驱动晶体管对应的当前阈值电压值；针对每一所述像素电路，在所述像素电路对应的充电电压比值满足对应的预先设定的阈值范围时，根据所述像素电路对应的数据电压值，确定所述像素电路中驱动晶体管对应的当前阈值电压值。

可选地，在本发明实施例提供的上述检测装置中，在第一次充电时，每一所述像素电路输入一一对应的第一数据电压值；在第二次充电时，每一所述像素电路输入一一对应的第二数据电压值；其中，所述第一数据电压值等于对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值与第一检测电压值之和；所述第二数据电压值等于对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值与第二检测电压值之和；

所述电压确定单元具体用于在所述像素电路对应的充电电压比值大于所述预设阈值范围中的最大值时，将所述像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值减小相同的第一电压值后的电压值，确定为所述像素电路对应的新的第一数据电压值与新的第二数据电压值；在所述像素电路对应的充电电压比值小于所述预设阈值范围中的最小值时，将所述像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值增加相同的第二电压值后的电压值，确定为所述像素电路对应的新的第一数据电压值与新的第二数据电压值；并且，在所述像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值减小相同的第一电压值时，将所述像素电路中驱动晶体管对应的初始阈值电压值减小所述第一电压值后的电压值，确定为所述驱动晶体管对应的当前阈值电压值；在所述像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值增加相同的第二电压值时，将所述像素电路中驱动晶体管对应的初始阈值电压值增加所述第二电压值后的电压值，确定为所述驱动晶体管对应的当前阈值电压值。

可选地，在本发明实施例提供的上述检测装置中，在第一次充电时，每一所述像素电路输入一一对应的第一数据电压值；在第二次充电时，每一所述像素电路输入一一对应的第二数据电压值；其中，所述第一数据电压值等于对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值与第一检测电压值之和；所述第二数据电压值等于对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值与第二检测电压值之和；

所述电压确定单元具体用于将所述像素电路中驱动晶体管对应的初始阈值电压值，确定为所述驱动晶体管对应的当前阈值电压值。

可选地，在本发明实施例提供的上述检测装置中，所述获取单元具体用于在所述预设检测周期的第n个显示帧的消隐区中，根据第n行的每一所述像素电路对应的第一数据电压值，控制所述第n行的每一所述像素电路向连接的检测线进行第一次充电，并在充电后获取所述检测线上的电压值；n为大于或等于1且小于或等于N的整数，N为所述电致发光显示面板中的像素电路的总行数；根据所述第n行的每一所述像素电路对应的第二数据电压值，控制所述第n行的每一所述像素电路向连接的检测线进行第二次充电，并在充电后获取所述检测线上的电压值。

可选地，在本发明实施例提供的上述检测装置中，所述获取单元具体用于在所述预设检测周期的第2n-1个显示帧的消隐区中，根据第n行的每一所述像素电路对应的第一数据电压值，控制所述第n行的每一所述像素电路向连接的检测线进行第一次充电，并在充电后获取所述检测线上的电压值；n为大于或等于1且小于或等于N的整数，N为所述电致发光显示面板中的像素电路的总行数；在同一所述预设检测周期的第2n个显示帧的消隐区中，根据所述第n行的每一所述像素电路对应的第二数据电压值，控制所述第n行的每一所述像素电路向连接的检测线进行第二次充电，并在充电后获取所述检测线上的电压值。

本发明有益效果如下：

本发明实施例提供的阈值电压值的检测方法及装置，由于同一像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值不同，并且数据电压值与对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值相关，因此检测线在充电后的电压值与检测线对应的像素电路中的驱动晶体管的初始阈值电压值相关，使得通过同一像素电路连接的检测线在两次充电后的电压值得到的充电电压比值与初始阈值电压值相关。从而在一个像素电路对应的充电电压比值不满足对应的预设阈值范围时，调整该像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值，并通过循环检测的方式使该像素电路对应的充电电压比值满足对应的预设阈值范围，这样可以根据调整后的数据电压值得到该像素电路中的驱动晶体管对应的当前阈值电压值。在一个像素电路对应的充电电压比值满足对应的预设阈值范围时，则直接根据对检测线进行充电时输入的数据电压值即可得到该像素电路中的驱动晶体管对应的当前阈值电压值。这样可以提高检测得到的当前阈值电压值的准确性，进而可以提高检测得到的每一像素电路中的驱动晶体管的当前阈值电压值的准确性。

附图说明

图1为本发明实施例提供的电致发光显示面板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的像素电路的结构示意图；

图3a为图2所示的像素电路的电路时序图之一；

图3b为图2所示的像素电路的电路时序图之二；

图3c为图2所示的像素电路的电路时序图之三；

图4为本发明实施例提供的阈值电压值的检测方法的流程图；

图5为本发明实施例提供的确定阈值范围的方法流程图；

图6为本发明实施例提供的阈值电压值的检测方法的具体流程图之一；

图7为本发明实施例提供的阈值电压值的检测方法的具体流程图之二；

图8为本发明实施例提供的检测装置的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本发明实施例提供的阈值电压值的检测方法及装置的具体实施方式进行详细地说明。应当理解，下面所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在具体实施时，如图1所示，电致发光显示面板可以包括多个像素单元PX与多条检测线SL。其中，每一像素单元PX包括：发光器件L以及与发光器件L电连接的像素电路10。每行中的每一像素电路10一一对应连接一条检测线SL，每列像素电路10对应连接同一条检测线SL。其中，像素单元PX可以为红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元。或者，像素单元可以为红色像素单元、绿色像素单元、蓝色像素单元以及白色像素单元。在实际应用中，像素单元的具体实施方式需要根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。并且，发光器件可以为有机发光二极管或量子点发光二极管。当然，发光器件也可以为能够实现自身发光的其他类型的电致发光二极管，在此不作限定。

如图2所示，本发明实施例提供的电致发光显示面板中的像素电路可以包括：驱动晶体管TFT1、开关晶体管TFT2，与检测线SL电连接的检测晶体管TFT3以及存储电容Cst。在进行显示发光时，该像素电路驱动发光器件L发光的电路时序图，如图3a所示。在T11阶段中，信号GATE1控制开关晶体管TFT2打开以将数据信号端DATA的数据信号写入驱动晶体管TFT1的栅极G，使其栅极电压为数据信号的电压V_data0，信号GATE2控制检测晶体管TFT3打开以将检测线SL传输的参考信号写入驱动晶体管TFT1的源极S，使其源极电压为参考信号的电压V_ref。在T12阶段中，信号GATE1控制开关晶体管TFT2截止，信号GATE2控制检测晶体管TFT3截止，驱动晶体管TFT1在其栅极电压与源极电压的控制下产生驱动发光器件L发光的电流I_L，I_L＝K(V_GS-V_th)²＝K(V_data0-V_ref-V_th-0)²；其中，V_GS代表驱动晶体管TFT1的栅源电压，

其中，C_ox代表驱动晶体管TFT1的沟道电容，μ代表驱动晶体管TFT1的迁移率，W/L代表驱动晶体管TFT1的宽长比。这样通过电流I_L驱动发光器件L发光。

然而，由于器件老化等原因，驱动晶体管的初始阈值电压V_th-0会发生变化，并且不同位置处的驱动晶体管的初始阈值电压V_th-0变化不均一，从而会导致显示面板的显示亮度均一性有差异，影响显示效果。为了提高显示效果，一般可以通过外部补偿的方式对变化后的驱动晶体管的阈值电压进行补偿计算以实现补偿。在补偿计算中，一般是先检测得到驱动晶体管的当前阈值电压值，再根据检测得到的当前阈值电压值对显示亮度进行补偿。然而，目前用于检测驱动晶体管的当前阈值电压值的方法无法避开驱动晶体管的迁移率的影响，使得检测得到的当前阈值电压值的准确性较低。

基于此，本发明实施例提供的阈值电压值的检测方法，应用于对电致发光显示面板的像素电路中的驱动晶体管的当前阈值电压值进行检测，可以提高检测得到的驱动晶体管的当前阈值电压值的准确性。

如图4所示，本发明实施例提供的阈值电压值的检测方法可以包括如下步骤：

S401、在预设检测周期中，控制每一像素电路向连接的检测线进行两次充电，并在每次充电后获取检测线上的电压值；其中，同一像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值不同，并且数据电压值与对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值相关。

S402、根据获取的每一像素电路连接的检测线在两次充电后的电压值，确定每一像素电路对应的充电电压比值；其中，针对每一像素电路，在像素电路对应的充电电压比值不满足对应的预设阈值范围时，执行步骤S403；针对每一像素电路，在像素电路对应的充电电压比值满足对应的预设阈值范围时，执行步骤S404。

S403、调整像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值，并进行下一个预设检测周期的循环，直至像素电路对应的充电电压比值满足预先设定的阈值范围时，根据像素电路对应的调整后的数据电压值，确定像素电路中驱动晶体管对应的当前阈值电压值；

S404、根据像素电路对应的数据电压值，确定像素电路中驱动晶体管对应的当前阈值电压值。

本发明实施例提供的上述阈值电压值的检测方法，由于同一像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值不同，并且数据电压值与对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值相关，因此检测线在充电后的电压值与检测线对应的像素电路中的驱动晶体管的初始阈值电压值相关，使得通过同一像素电路连接的检测线在两次充电后的电压值得到的充电电压比值与初始阈值电压值相关。从而在一个像素电路对应的充电电压比值不满足对应的预设阈值范围时，调整该像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值，并通过循环检测的方式使该像素电路对应的充电电压比值满足对应的预设阈值范围，这样可以根据调整后的数据电压值得到该像素电路中的驱动晶体管对应的当前阈值电压值。在一个像素电路对应的充电电压比值满足对应的预设阈值范围时，则直接根据对检测线进行充电时输入的数据电压值即可得到该像素电路中的驱动晶体管对应的当前阈值电压值。这样可以提高检测得到的当前阈值电压值的准确性，进而可以提高检测得到的每一像素电路中的驱动晶体管的当前阈值电压值的准确性。

在具体实施时，在本发明实施例中，对同一像素电路电连接的检测线进行两次充电的时间相同，并且同一像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值不同，从而使同一像素电路电连接的检测线在两次充电后的电压值不同。

在具体实施时，在本发明实施例中，预设检测周期可以为预先选定的时间，例如是多个显示帧对应的时长、一天、30天、2个月，或半年等。当然，在实际应用中，预设检测周期的具体实现方式需要根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。

在具体实施时，驱动晶体管的初始阈值电压值可以为在工艺制备时预先设定的参数。当然，为了提高驱动晶体管的初始阈值电压值的准确性，也可以通过检测方法来检测其初始阈值电压值，在此不作限定。

在电致发光显示面板制备过程中，一般会对电致发光显示面板进行点灯测试，以确定其发光品质，在其发光品质合格后才能作为成品出厂。因此，在电致发光显示面板出厂时，已经确定该显示面板的显示品质是合格的，因此可以在电致发光显示面板出厂时将驱动晶体管的阈值电压值作为其初始阈值电压值。在具体实施时，在本发明实施例中，确定像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值的方法可以为：

在电致发光显示面板出厂时，控制每一像素电路根据第三数据电压向连接的检测线充电，并获取每一像素电路对应的检测线充电后的电压值；

根据检测到的每一像素电路对应的电压值，确定每一像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值。

具体地，以电致发光显示面板的一行中的一个像素电路为例进行说明，其他像素电路的工作过程可以参考该示例，在此不作赘述。像素电路的结构示意图如图2所示，其电路时序图如图3b所示。在图3b中，sl代表检测线SL上的信号。

在T21阶段中，信号GATE1控制开关晶体管TFT2打开以将数据信号端DATA的第三数据信号写入驱动晶体管TFT1的栅极G，使其栅极电压为第三数据信号的第三数据电压值V_data3。驱动晶体管TFT1在其栅极电压与源极电压的控制下产生电流I₀，I₀＝K(V_GS-V_th-0)²＝K(V_data3-V_th-0)²。信号GATE2控制检测晶体管TFT3打开以导通驱动晶体管TFT2的源极S与检测线SL，控制电流I₀在时间t₀内对检测线SL充电，则检测线SL在时间t₀内可以充入电压：V_sl-0。通过检测装置，例如模数转换器(Analog-to-Digital Converter，ADC)，可以获取检测线SL上充入的电压V_sl-0。

从而根据公式I₀以及电容充电公式：I*t＝C_sl*V；其中，I代表充入电容(检测线SL浮接时可以作为电容的一个电极)的电流值，t代表充电时间，C_sl代表电容的电容值，V代表在t时间内充入电容的电压值；可以得到像素电路中的驱动晶体管TFT1的初始阈值电压值

其中，V_data3可以为补偿了驱动晶体管TFT1的迁移率μ的数值，t₀为预先选定的时间，C_sl为在工艺制备时预先确定的。当然，在检测得到电压V_sl-0后，还可以根据其他方法计算得到V_th-0，在此不作限定。

在具体实施时，阈值范围可以为根据经验获取到的范围。当前，阈值范围也可以是通过计算以确定的方法，在具体实施时，如图5所示，确定阈值范围的方法具体可以为：

S501、在电致发光显示面板出厂时，根据第n行的每一像素电路一一对应的第四数据电压值V_data4，控制第n行中每一像素电路向连接的检测线充电，并获取检测线充电后的电压值V_sl-4；其中，第四数据电压值V_data4等于对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值V_th-0与第一检测电压值V₁之和，即V_data4＝V_th-0+V₁；n为大于或等于1且小于或等于N的整数，N为电致发光显示面板中的像素电路的总行数。

具体地，以电致发光显示面板的一行中的一个像素电路为例进行说明。像素电路的结构示意图如图2所示，其电路时序图如图3c所示。在图3c中，sl代表检测线SL上的信号。

在T31阶段中，信号GATE1控制开关晶体管TFT2打开以将数据信号端DATA的第四数据信号写入驱动晶体管TFT1的栅极G，使其栅极电压为第四数据信号的第四数据电压值V_data4＝V_th-0+V₁。信号GATE2控制检测晶体管TFT3打开以将检测线SL传输的参考信号写入驱动晶体管TFT1的源极S，使其源极电压为参考信号的电压V_ref。驱动晶体管TFT1在其栅极电压与源极电压的控制下产生电流I₄，I₄＝K(V_GS-V_th-0)²＝K(V_th-0+V₁-V_ref-V_th-0)²＝K(V₁-V_ref)²。并且，由于V_ref-V_ss<V_L-th，因此，发光器件L不发光。其中，V_L-th代表发光器件L的跨压，在发光器件L两端的电压差大于或等于其跨压时，发光器件L发光。

在T32阶段中，信号GATE1控制开关晶体管TFT2截止，信号GATE2控制检测晶体管TFT3打开，以导通驱动晶体管TFT2的源极S与检测线SL，控制电流I₄在t₁时间内对检测线SL充电，则检测线在t₁时间内充入的电压为V_sl-4。通过检测装置，例如ADC，可以获取检测线SL上充入的电压值V_sl-4。

S502、根据第n行的每一像素电路一一对应的第五数据电压值V_data5＝V_th-0+V₂，控制第m行中每一像素电路向连接的检测线充电，并检测检测线充电后的电压值V_sl-5；其中，第五数据电压值V_data5等于对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值V_th-0与第二检测电压值V₂之和，即V_data5＝V_th-0+V₂。具体地，控制像素电路在t₁时间内对连接的检测线充入电压值V_sl-5的过程与步骤S501中的过程基本相同，在此不做赘述。

S503、根据检测到的第n行的每一像素电路在两次充电后的电压值，确定第n行的每一像素电路对应的初始充电电压比值。

具体地，以电致发光显示面板的一行中的一个像素电路为例进行说明。根据公式I₄与电容充电公式：I*t＝C_sl*V，可以得到电压值V_sl-4满足的公式：

根据公式I₅与电容充电公式：I*t＝C_sl*V，可以得到电压值V_sl-5满足的公式：

将这两个公式相比可得初始充电电压比值：

需要说明的是，由于检测得到的数值具有误差，因此确定的充电电压比值与初始充电电压比值不能完全相同，因此，在确定的充电电压比值与初始充电电压比值在误差允许范围内相等时，即可以确定其相等。

S504、根据第n行的每一像素电路对应的初始充电电压比值与误差允许范围，确定第n行的每一像素电路对应的阈值范围。

需要说明的是，第一检测电压值V₁与第二检测电压值V₂分别为预先选定的检测电压，且V₁≠V₂，其具体数值需要根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。

在显示面板的扫描过程中，扫描总是从图像的左上角开始，水平向前行进，同时扫描点也以较慢的速率向下移动。扫描一帧完整的图像时，在扫描点扫描完一帧后，要从图像的右下角返回到图像的左上角，开始新一帧的扫描，这一时间间隔，叫做消隐区(BlankingTime)。在消隐区时，不进行用于显示图像的数据电压的传输。为了实现信号检测，由于消隐区中并没有进行图像显示，因此消隐区的时间可以被用于进行信号检测以及确定。在具体实施时，在本发明实施例中，预设检测周期可以包括多个显示帧。

下面通过具体实施例列举本发明实施例提供的阈值电压值的检测方法，但读者应知，其具体制备过程不局限于此。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

实施例一、

在具体实施时，可以在同一个显示帧的消隐区中对同一行像素电路连接的检测线进行两次充电，这样预设检测周期可以包括N个显示帧，以实现实时检测。

在具体实施时，在第一次充电时，每一像素电路输入一一对应的第一数据电压值V_data1；在第二次充电时，每一像素电路输入一一对应的第二数据电压值V_data2。其中，第一数据电压值V_data1可以等于对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值V_th-0与第一检测电压值V₁之和，即，V_data1＝V_th-0+V₁。第二数据电压值V_data2可以等于对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值V_th-0与第二检测电压值V₂之和，即，V_data2＝V_th-0+V₂。

如图6所示，本发明实施例提供的检测方法可以具体可以包括如下步骤：

S601、在预设检测周期的第n个显示帧的消隐区中，根据第n行的每一像素电路对应的第一数据电压值：V_data1＝V_th-0+V₁，控制第n行的每一像素电路向连接的检测线进行第一次充电，并在充电后获取检测线上的电压值V_sl-1；n为大于或等于1且小于或等于N的整数，N为电致发光显示面板中的像素电路的总行数。

具体地，以电致发光显示面板的一行中的一个像素电路为例进行说明。像素电路的结构示意图如图2所示，其电路时序图如图3c所示。

在T31阶段中，信号GATE1控制开关晶体管TFT2打开以将数据信号端DATA的第一数据信号写入驱动晶体管TFT1的栅极G，使其栅极电压为第一数据信号的第一数据电压值：V_data1＝V_th-0+V₁。信号GATE2控制检测晶体管TFT3打开以将检测线SL传输的参考信号写入驱动晶体管TFT1的源极S，使其源极电压为参考信号的电压V_ref。驱动晶体管TFT1在其栅极电压与源极电压的控制下产生电流I₁，I₁＝K(V_GS-V_th-1)²＝K(V_th-0+V₁-V_ref-V_th-1)²。其中，V_th-1代表驱动晶体管TFT1的当前阈值电压值。并且，由于V_ref-V_ss<V_L-th，因此，发光器件L不发光。

在T32阶段中，信号GATE1控制开关晶体管TFT2截止，信号GATE2控制检测晶体管TFT3打开，以导通驱动晶体管TFT2的源极S与检测线SL，控制电流I₁在t₁时间内对检测线SL进行第一次充电，则检测线在t₁时间内充入的电压为V_sl-1。通过检测装置，例如ADC，可以获取检测线SL上充入的电压值V_sl-1。

当然，也可以采用图3b所示的电路时序图控制像素电路对连接的检测线进行充电，在此不作限定。

S602、在同一预设检测周期的第n个显示帧的消隐区中，根据第n行的每一像素电路对应的第二数据电压值：V_data2＝V_th-0+V₂，控制第n行的每一像素电路向连接的检测线进行第二次充电，并在充电后获取检测线上的电压值V_sl-2。具体地，控制像素电路在t₁时间内对连接的检测线充入电压值V_sl-2的过程与步骤S601中的过程基本相同，在此不做赘述。

具体地，在一个预设检测周期中的第1个显示帧的消隐区中，控制第1行像素电路对连接的检测线进行两次充电，在第2个显示帧的消隐区中，控制第2行像素电路对连接的检测线进行两次充电。在该预设检测周期中的第3至第N个显示帧的消隐区中，控制第3行至第N行像素电路对连接的检测线进行两次充电。具体地，控制像素电路对连接的检测线进行两次充电的过程参见步骤S601中的过程，在此不做赘述。

S603、根据获取的每一像素电路连接的检测线在两次充电后的电压值，确定每一像素电路对应的充电电压比值。其中，针对每一个像素电路，在像素电路对应的充电电压比值不满足预设阈值范围时，执行步骤S604至S607；其中，在像素电路对应的充电电压比值大于预设阈值范围中的最大值时，执行步骤S604至步骤S605；在像素电路对应的充电电压比值小于预设阈值范围中的最小值时，执行步骤S606至步骤S607。针对每一个像素电路，在像素电路对应的充电电压比值满足预设阈值范围时，执行步骤S608。

具体地，以电致发光显示面板的一行中的一个像素电路为例进行说明。根据公式I₁与电容充电公式：I*t＝C_sl*V，可以得到电压值V_sl-1满足的公式：

根据公式I₂与电容充电公式：I*t＝C_sl*V，可以得到电压值V_sl-2满足的公式：

将这两个公式相比可得充电电压比值：

S604、将像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值减小相同的第一电压值ΔV₁后的电压值，确定为像素电路对应的新的第一数据电压值与新的第二数据电压值。

具体地，针对一个像素电路，在该像素电路对应的充电电压比值

大于预设阈值范围中的最大值时，即V_th-0-V_th-1>0。从而将像素电路对应的第一数据电压值V_data1减小第一电压值ΔV₁后的电压值V_data1-ΔV₁作为新的第一数据电压值，将第二数据电压值V_data2减小第一电压值ΔV₁后的电压值V_data2-ΔV₁作为新的第二数据电压值，即，新的第一数据电压值为：V₁+V_th-0-ΔV₁；新的第二数据电压值为：V₂+V_th-0-ΔV₁。

S605、进行下一个预设检测周期的循环，即根据新的第一数据电压值：V₁+V_th-0-ΔV₁，执行步骤S601。根据新的第二数据电压值：V₂+V_th-0-ΔV₁执行步骤S602。并执行步骤S603，得到新的充电电压比值：

则该比值会减小，并依此进行循环，直至该像素电路对应的充电电压比值满足阈值范围时，即可以认为

与

相等。从而可以根据像素电路对应的调整后的数据电压值V₁+V_th-0-ΔV₁和/或V₂+V_th-0-ΔV₁，确定该像素电路中驱动晶体管对应的当前阈值电压值。

具体地，在该像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值减小相同的第一电压值ΔV₁时，可以将像素电路中驱动晶体管对应的初始阈值电压值V_th-0减小第一电压值ΔV₁后的电压值V_th-0-ΔV₁，确定为驱动晶体管对应的当前阈值电压值V_th-1，即V_th-1＝V_th-0-ΔV₁。

S606、将像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值增加相同的第二电压值ΔV₂后，确定为像素电路对应的新的第一数据电压值与新的第二数据电压值。

具体地，针对一个像素电路，在该像素电路对应的充电电压比值

小于预设阈值范围中的最小值时，即V_th-0-V_th-1<0。从而将像素电路对应的第一数据电压值V_data1增加第二电压值ΔV₂后的电压值V_data1+ΔV₂作为新的第一数据电压值，将第二数据电压值V_data2增加第二电压值ΔV₂后的电压值V_data2+ΔV₂作为新的第二数据电压值，即，新的第一数据电压值为：V₁+V_th-0+ΔV₂；新的第二数据电压值为：V₂+V_th-0+ΔV₂。

S607、进行下一个预设检测周期的循环，即根据新的第一数据电压值：V₁+V_th-0+ΔV₂，执行步骤S601。根据新的第二数据电压值：V₂+V_th-0+ΔV₂执行步骤S602。并执行步骤S603，得到新的充电电压比值：

则该比值会增大，并依此进行循环，直至该像素电路对应的充电电压比值满足阈值范围时，即可以认为

与

相等。从而可以根据像素电路对应的调整后的数据电压值V₁+V_th-0+ΔV₂和/或V₂+V_th-0+ΔV₂，确定该像素电路中驱动晶体管对应的当前阈值电压值。

具体地，在该像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值增加相同的第二电压值ΔV₂时，可以将该像素电路中驱动晶体管对应的初始阈值电压值V_th-0增加第二电压值ΔV₂后的电压值V_th-0+ΔV₂，确定为驱动晶体管对应的当前阈值电压值V_th-1，即V_th-1＝V_th-0+ΔV₂。

S608、根据该像素电路对应的数据电压值V₁+V_th-0和/或V₂+V_th-0，确定像素电路中驱动晶体管对应的当前阈值电压值。

具体地，由于在误差允许范围内，可以认为

与

相等，则可以将该像素电路中驱动晶体管对应的初始阈值电压值V_th-0，直接确定为驱动晶体管对应的当前阈值电压值V_th-1，即V_th-1＝V_th-0。

在具体实施时，该上述检测方法可以处于电致发光显示面板开机时的时间内，也可以是正常显示时的时间内，或者也可以是关机时的时间内，在此不作限定。

在实施例一方法中，通过得到充电电压比值，可以避免K中的迁移率μ对检测结果的影响。并且，在像素电路对检测线进行充电时，由于T32阶段中，开关晶体管TFT2截止，可以避免显示面板的寄生电容对驱动晶体管TFT1的源极电压的分压影响。从而使充电电压比值可以只与驱动晶体管TFT1的阈值电压的变化相关，进而可以提高检测得到的驱动晶体管的当前阈值电压值的准确性。

实施例二、

在具体实施时，也可以在相邻的两个显示帧的消隐区中对同一像素连接的检测线进行两次充电，这样预设检测周期可以包括2N个显示帧，也可以实现实时检测。

在具体实施时，在第一次充电时，每一像素电路输入一一对应的第一数据电压值V_data1；在第二次充电时，每一像素电路输入一一对应的第二数据电压值V_data2。其中，第一数据电压值V_data1可以等于对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值V_th-0与第一检测电压值V₁之和，即，V_data1＝V_th-0+V₁。第二数据电压值V_data2可以等于对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值V_th-0与第二检测电压值V₂之和，即，V_data2＝V_th-0+V₂。

如图7所示，本发明实施例提供的检测方法可以具体包括如下步骤：

S701、在预设检测周期的第2n-1个显示帧的消隐区中，根据第n行的每一像素电路对应的第一数据电压值：V_data1＝V_th-0+V₁，控制第n行的每一像素电路向连接的检测线进行第一次充电，并在充电后获取检测线上的电压值V_sl-1。

S702、在同一预设检测周期的第2n个显示帧的消隐区中，根据第n行的每一像素电路对应的第二数据电压值：V_data2＝V_th-0+V₂，控制第n行的每一像素电路向连接的检测线进行第二次充电，并在充电后获取检测线上的电压值V_sl-2。

具体地，在预设检测周期的第1个显示帧的消隐区中，可以根据第1行的每一像素电路对应的第一数据电压值：V_data1＝V_th-0+V₁，控制第1行的每一像素电路在时间t₁内向连接的检测线进行第一次充电，并在充电后获取检测线上的电压值V_sl-1，从而获取到第1行中的每一像素电路对应的检测线在第一次充电后的电压值V_sl-1。该第1行中的像素电路对连接的检测线进行充电，并获取到电压值V_sl-1的过程与实施例一中的步骤601中的过程基本相同，在此不作赘述。

在预设检测周期的第2个显示帧的消隐区中，可以根据第1行的每一像素电路对应的第二数据电压值：V_data2＝V_th-0+V₂，控制第1行的每一像素电路在时间t₁内向连接的检测线进行第二次充电，并在充电后获取检测线上的电压值V_sl-2，从而获取到第1行中的每一像素电路对应的检测线在第二次充电后的电压值V_sl-2。该第1行中的像素电路对连接的检测线进行第二次充电，并获取到电压值V_sl-2的过程与实施例一中的步骤602中的过程基本相同，在此不作赘述。

在该预设检测周期中的第3和第4个显示帧的消隐区中，依次控制第2行像素电路对连接的检测线进行第一次充电和第二次充电的过程，直至，在第2N-1和第2N个显示帧的消隐区中，依次控制第N行像素电路对连接的检测线进行第一次充电和第二次充电的过程，依此类推，在此不做赘述。

S703、根据获取的每一像素电路连接的检测线在两次充电后的电压值，确定每一像素电路对应的充电电压比值。其中，针对每一个像素电路，在像素电路对应的充电电压比值不满足预设阈值范围时，执行步骤S704至S707；其中，在像素电路对应的充电电压比值大于预设阈值范围中的最大值时，执行步骤S704至步骤S705；在像素电路对应的充电电压比值小于预设阈值范围中的最小值时，执行步骤S706至步骤S707。针对每一个像素电路，在像素电路对应的充电电压比值满足预设阈值范围时，执行步骤S708。

具体地，以电致发光显示面板的一行中的一个像素电路为例进行说明。根据公式I₁与电容充电公式：I*t＝C_sl*V，可以得到电压值V_sl-1满足的公式：

根据公式I₂与电容充电公式：I*t＝C_sl*V，可以得到电压值V_sl-2满足的公式：

将这两个公式相比可得充电电压比值：

S704、将像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值减小相同的第一电压值ΔV₁后的电压值，确定为像素电路对应的新的第一数据电压值与新的第二数据电压值。

具体地，针对一个像素电路，在该像素电路对应的充电电压比值

大于预设阈值范围中的最大值时，即V_th-0-V_th-1>0。从而将像素电路对应的第一数据电压值V_data1减小第一电压值ΔV₁后的电压值V_data1-ΔV₁作为新的第一数据电压值，将第二数据电压值V_data2减小第一电压值ΔV₁后的电压值V_data2-ΔV₁作为新的第二数据电压值，即，新的第一数据电压值为：V₁+V_th-0-ΔV₁；新的第二数据电压值为：V₂+V_th-0-ΔV₁。

S705、进行下一个预设检测周期的循环，即根据新的第一数据电压值：V₁+V_th-0-ΔV₁，执行步骤S701。根据新的第二数据电压值：V₂+V_th-0-ΔV₁执行步骤S702。并执行步骤S703，得到新的充电电压比值：

则该比值会减小，并依此进行循环，直至该像素电路对应的充电电压比值满足阈值范围时，即可以认为

与

相等。从而可以根据像素电路对应的调整后的数据电压值V₁+V_th-0-ΔV₁和/或V₂+V_th-0-ΔV₁，确定该像素电路中驱动晶体管对应的当前阈值电压值。

具体地，在该像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值减小相同的第一电压值ΔV₁时，可以将像素电路中驱动晶体管对应的初始阈值电压值V_th-0减小第一电压值ΔV₁后的电压值V_th-0-ΔV₁，确定为驱动晶体管对应的当前阈值电压值V_th-1，即V_th-1＝V_th-0-ΔV₁。

S706、将像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值增加相同的第二电压值ΔV₂后，确定为像素电路对应的新的第一数据电压值与新的第二数据电压值。

具体地，针对一个像素电路，在该像素电路对应的充电电压比值

小于预设阈值范围中的最小值时，即V_th-0-V_th-1<0。从而将像素电路对应的第一数据电压值V_data1增加第二电压值ΔV₂后的电压值V_data1+ΔV₂作为新的第一数据电压值，将第二数据电压值V_data2增加第二电压值ΔV₂后的电压值V_data2+ΔV₂作为新的第二数据电压值，即，新的第一数据电压值为：V₁+V_th-0+ΔV₂；新的第二数据电压值为：V₂+V_th-0+ΔV₂。

S707、进行下一个预设检测周期的循环，即根据新的第一数据电压值：V₁+V_th-0+ΔV₂，执行步骤S701。根据新的第二数据电压值：V₂+V_th-0+ΔV₂执行步骤S702。并执行步骤S703，得到新的充电电压比值：

则该比值会增大，并依此进行循环，直至该像素电路对应的充电电压比值满足阈值范围时，即可以认为

与

相等。从而可以根据像素电路对应的调整后的数据电压值V₁+V_th-0+ΔV₂和/或V₂+V_th-0+ΔV₂，确定该像素电路中驱动晶体管对应的当前阈值电压值。

具体地，在该像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值增加相同的第二电压值ΔV₂时，可以将该像素电路中驱动晶体管对应的初始阈值电压值V_th-0增加第二电压值ΔV₂后的电压值V_th-0+ΔV₂，确定为驱动晶体管对应的当前阈值电压值V_th-1，即V_th-1＝V_th-0+ΔV₂。

S708、根据该像素电路对应的数据电压值V₁+V_th-0和/或V₂+V_th-0，确定像素电路中驱动晶体管对应的当前阈值电压值。

具体地，由于在误差允许范围内，可以认为

与

相等，则可以将该像素电路中驱动晶体管对应的初始阈值电压值V_th-0，直接确定为驱动晶体管对应的当前阈值电压值V_th-1，即V_th-1＝V_th-0。

在具体实施时，该上述检测方法可以处于电致发光显示面板开机时的时间内，也可以是正常显示时的时间内，或者也可以是关机时的时间内，在此不作限定。

在实施例二方法中，通过得到充电电压比值，可以避免K中的迁移率μ对检测结果的影响。并且，在像素电路对检测线进行充电时，由于T32阶段中，开关晶体管TFT2截止，可以避免显示面板的寄生电容对驱动晶体管TFT1的源极电压的分压影响。从而使充电电压比值可以只与驱动晶体管TFT1的阈值电压的变化相关，进而可以提高检测得到的驱动晶体管的当前阈值电压值的准确性。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种阈值电压值的检测装置，应用于对电致发光显示面板的像素电路中的驱动晶体管的阈值电压值进行检测。该阈值电压值的检测装置解决问题的原理与前述阈值电压值的检测方法相似，因此该阈值电压值的检测装置的实施可以参见前述阈值电压值的检测方法的实施，重复之处在此不再赘述。

如图8所示，本发明实施例提供的阈值电压值的检测装置可以包括：

获取单元801，用于在预设检测周期中，控制每一像素电路向连接的检测线进行两次充电，并在每次充电后获取检测线上的电压值；其中，同一像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值不同，并且数据电压值与对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值相关；

比值确定单元802，用于根据获取的每一像素电路连接的检测线在两次充电后的电压值，确定每一像素电路对应的充电电压比值；

电压确定单元803，用于针对每一像素电路，在像素电路对应的充电电压比值不满足对应的预设阈值范围时，调整像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值，并进行下一个预设检测周期的循环，直至像素电路对应的充电电压比值满足预先设定的阈值范围时，根据像素电路对应的调整后的数据电压值，确定像素电路中驱动晶体管对应的当前阈值电压值；针对每一像素电路，在像素电路对应的充电电压比值满足对应的预先设定的阈值范围时，根据像素电路对应的数据电压值，确定像素电路中驱动晶体管对应的当前阈值电压值。

本发明实施例提供的检测装置，由于同一像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值不同，并且数据电压值与对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值相关，因此检测线在充电后的电压值与检测线对应的像素电路中的驱动晶体管的初始阈值电压值相关，使得通过同一像素电路连接的检测线在两次充电后的电压值得到的充电电压比值与初始阈值电压值相关。从而在一个像素电路对应的充电电压比值不满足对应的预设阈值范围时，调整该像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值，并通过循环检测的方式使该像素电路对应的充电电压比值满足对应的预设阈值范围，这样可以根据调整后的数据电压值得到该像素电路中的驱动晶体管对应的当前阈值电压值。在一个像素电路对应的充电电压比值满足对应的预设阈值范围时，则直接根据对检测线进行充电时输入的数据电压值即可得到该像素电路中的驱动晶体管对应的当前阈值电压值。这样可以提高检测得到的当前阈值电压值的准确性进而可以提高检测得到的每一像素电路中的驱动晶体管的当前阈值电压值的准确性。

在具体实施时，在本发明实施例中，对同一像素电路电连接的检测线进行两次充电的时间相同，并且同一像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值不同，从而使同一像素电路电连接的检测线在两次充电后的电压值不同。

在具体实施时，在本发明实施例中，在第一次充电时，每一像素电路输入一一对应的第一数据电压值V_data1；在第二次充电时，每一像素电路输入一一对应的第二数据电压值V_data2。其中，第一数据电压值V_data1可以等于对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值V_th-0与第一检测电压值V₁之和，即，V_data1＝V_th-0+V₁。第二数据电压值V_data2可以等于对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值V_th-0与第二检测电压值V₂之和，即，V_data2＝V_th-0+V₂。

在具体实施时，在像素电路对应的充电电压比值不满足对应的预先设定的阈值范围时，在本发明实施例中，电压确定单元具体可以用于在像素电路对应的充电电压比值大于预设阈值范围中的最大值时，将像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值减小相同的第一电压值后的电压值，确定为像素电路对应的新的第一数据电压值与新的第二数据电压值；在像素电路对应的充电电压比值小于预设阈值范围中的最小值时，将像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值增加相同的第二电压值后的电压值，确定为像素电路对应的新的第一数据电压值与新的第二数据电压值；并且，在像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值减小相同的第一电压值时，将像素电路中驱动晶体管对应的初始阈值电压值减小第一电压值后的电压值，确定为驱动晶体管对应的当前阈值电压值；在像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值增加相同的第二电压值时，将像素电路中驱动晶体管对应的初始阈值电压值增加第二电压值后的电压值，确定为驱动晶体管对应的当前阈值电压值。

在具体实施时，在像素电路对应的充电电压比值满足对应的预先设定的阈值范围时，在本发明实施例中，电压确定单元具体可以用于将像素电路中驱动晶体管对应的初始阈值电压值，确定为驱动晶体管对应的当前阈值电压值。

在具体实施时，在本发明实施例中，获取单元具体可以用于在预设检测周期的第n个显示帧的消隐区中，根据第n行的每一像素电路对应的第一数据电压值，控制第n行的每一像素电路向连接的检测线进行第一次充电，并在充电后获取检测线上的电压值；n为大于或等于1且小于或等于N的整数，N为电致发光显示面板中的像素电路的总行数；根据第n行的每一像素电路对应的第二数据电压值，控制第n行的每一像素电路向连接的检测线进行第二次充电，并在充电后获取检测线上的电压值。

当然，在具体实施时，在本发明实施例中，获取单元具体也可以用于在预设检测周期的第2n-1个显示帧的消隐区中，根据第n行的每一像素电路对应的第一数据电压值，控制第n行的每一像素电路向连接的检测线进行第一次充电，并在充电后获取检测线上的电压值；n为大于或等于1且小于或等于N的整数，N为电致发光显示面板中的像素电路的总行数；在同一预设检测周期的第2n个显示帧的消隐区中，根据第n行的每一像素电路对应的第二数据电压值，控制第n行的每一像素电路向连接的检测线进行第二次充电，并在充电后获取检测线上的电压值。

本发明实施例提供的阈值电压值的检测方法及装置，由于同一像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值不同，并且数据电压值与对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值相关，因此检测线在充电后的电压值与检测线对应的像素电路中的驱动晶体管的初始阈值电压值相关，使得通过同一像素电路连接的检测线在两次充电后的电压值得到的充电电压比值与初始阈值电压值相关。从而在一个像素电路对应的充电电压比值不满足对应的预设阈值范围时，调整该像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值，并通过循环检测的方式使该像素电路对应的充电电压比值满足对应的预设阈值范围，这样可以根据调整后的数据电压值得到该像素电路中的驱动晶体管对应的当前阈值电压值。在一个像素电路对应的充电电压比值满足对应的预设阈值范围时，则直接根据对检测线进行充电时输入的数据电压值即可得到该像素电路中的驱动晶体管对应的当前阈值电压值。这样可以提高检测得到的当前阈值电压值的准确性，进而可以提高检测得到的每一像素电路中的驱动晶体管的当前阈值电压值的准确性。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (6)

1.一种阈值电压值的检测方法，其特征在于，应用于对电致发光显示面板的像素电路中的驱动晶体管的阈值电压值进行检测，所述检测方法包括：

在预设检测周期中，控制每一像素电路向连接的检测线进行两次充电，并在每次充电后获取所述检测线上的电压值；其中，同一所述像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值不同，并且所述数据电压值与对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值相关；

根据获取的每一所述像素电路连接的检测线在两次充电后的电压值，确定每一所述像素电路对应的充电电压比值；

针对每一所述像素电路，在所述像素电路对应的充电电压比值不满足对应的预设阈值范围时，调整所述像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值，并进行下一个预设检测周期的循环，直至所述像素电路对应的充电电压比值满足预先设定的阈值范围时，根据所述像素电路对应的调整后的数据电压值，确定所述像素电路中驱动晶体管对应的当前阈值电压值；

针对每一所述像素电路，在所述像素电路对应的充电电压比值满足对应的预先设定的阈值范围时，根据所述像素电路对应的数据电压值，确定所述像素电路中驱动晶体管对应的当前阈值电压值；

在第一次充电时，每一所述像素电路输入一一对应的第一数据电压值；在第二次充电时，每一所述像素电路输入一一对应的第二数据电压值；其中，所述第一数据电压值等于对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值与第一检测电压值之和；所述第二数据电压值等于对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值与第二检测电压值之和；其中，所述第一检测电压值与所述第二检测电压值分别为预先选定的检测电压，且所述第一检测电压值不等于所述第二检测电压值；

所述调整所述像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值，具体包括：

在所述像素电路对应的充电电压比值大于所述预设阈值范围中的最大值时，将所述像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值减小相同的第一电压值后的电压值，确定为所述像素电路对应的新的第一数据电压值与新的第二数据电压值；

在所述像素电路对应的充电电压比值小于所述预设阈值范围中的最小值时，将所述像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值增加相同的第二电压值后的电压值，确定为所述像素电路对应的新的第一数据电压值与新的第二数据电压值；

所述根据所述像素电路对应的调整后的数据电压值，确定所述像素电路中驱动晶体管对应的当前阈值电压值，具体包括：

在所述像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值减小相同的第一电压值时，将所述像素电路中驱动晶体管对应的初始阈值电压值减小所述第一电压值后的电压值，确定为所述驱动晶体管对应的当前阈值电压值；

在所述像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值增加相同的第二电压值时，将所述像素电路中驱动晶体管对应的初始阈值电压值增加所述第二电压值后的电压值，确定为所述驱动晶体管对应的当前阈值电压值；

所述根据所述像素电路对应的数据电压值，确定所述像素电路中驱动晶体管对应的当前阈值电压值，具体包括：

将所述像素电路中驱动晶体管对应的初始阈值电压值，确定为所述驱动晶体管对应的当前阈值电压值。

2.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述控制每一像素电路向连接的检测线进行两次充电，并在每次充电后获取所述检测线上的电压值，具体包括：

在所述预设检测周期的第n个显示帧的消隐区中，根据第n行的每一所述像素电路对应的第一数据电压值，控制所述第n行的每一所述像素电路向连接的检测线进行第一次充电，并在充电后获取所述检测线上的电压值；n为大于或等于1且小于或等于N的整数，N为所述电致发光显示面板中的像素电路的总行数；

根据所述第n行的每一所述像素电路对应的第二数据电压值，控制所述第n行的每一所述像素电路向连接的检测线进行第二次充电，并在充电后获取所述检测线上的电压值。

3.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述控制每一像素电路向连接的检测线进行两次充电，并在每次充电后获取所述检测线上的电压值，具体包括：

在所述预设检测周期的第2n-1个显示帧的消隐区中，根据第n行的每一所述像素电路对应的第一数据电压值，控制所述第n行的每一所述像素电路向连接的检测线进行第一次充电，并在充电后获取所述检测线上的电压值；n为大于或等于1且小于或等于N的整数，N为所述电致发光显示面板中的像素电路的总行数；

在同一所述预设检测周期的第2n个显示帧的消隐区中，根据所述第n行的每一所述像素电路对应的第二数据电压值，控制所述第n行的每一所述像素电路向连接的检测线进行第二次充电，并在充电后获取所述检测线上的电压值。

4.一种阈值电压值的检测装置，其特征在于，应用于对电致发光显示面板的像素电路中的驱动晶体管的阈值电压值进行检测，所述检测装置包括：

获取单元，用于在预设检测周期中，控制每一像素电路向连接的检测线进行两次充电，并在每次充电后获取所述检测线上的电压值；其中，同一所述像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值不同，并且所述数据电压值与对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值相关；

比值确定单元，用于根据获取的每一所述像素电路连接的检测线在两次充电后的电压值，确定每一所述像素电路对应的充电电压比值；

电压确定单元，用于针对每一所述像素电路，在所述像素电路对应的充电电压比值不满足对应的预设阈值范围时，调整所述像素电路对检测线进行两次充电时输入的数据电压值，并进行下一个预设检测周期的循环，直至所述像素电路对应的充电电压比值满足预先设定的阈值范围时，根据所述像素电路对应的调整后的数据电压值，确定所述像素电路中驱动晶体管对应的当前阈值电压值；针对每一所述像素电路，在所述像素电路对应的充电电压比值满足对应的预先设定的阈值范围时，根据所述像素电路对应的数据电压值，确定所述像素电路中驱动晶体管对应的当前阈值电压值；

在第一次充电时，每一所述像素电路输入一一对应的第一数据电压值；在第二次充电时，每一所述像素电路输入一一对应的第二数据电压值；其中，所述第一数据电压值等于对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值与第一检测电压值之和；所述第二数据电压值等于对应的像素电路中驱动晶体管的初始阈值电压值与第二检测电压值之和；其中，所述第一检测电压值与所述第二检测电压值分别为预先选定的检测电压，且所述第一检测电压值不等于所述第二检测电压值；

所述电压确定单元具体用于在所述像素电路对应的充电电压比值大于所述预设阈值范围中的最大值时，将所述像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值减小相同的第一电压值后的电压值，确定为所述像素电路对应的新的第一数据电压值与新的第二数据电压值；在所述像素电路对应的充电电压比值小于所述预设阈值范围中的最小值时，将所述像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值增加相同的第二电压值后的电压值，确定为所述像素电路对应的新的第一数据电压值与新的第二数据电压值；并且，在所述像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值减小相同的第一电压值时，将所述像素电路中驱动晶体管对应的初始阈值电压值减小所述第一电压值后的电压值，确定为所述驱动晶体管对应的当前阈值电压值；在所述像素电路对应的第一数据电压值与第二数据电压值增加相同的第二电压值时，将所述像素电路中驱动晶体管对应的初始阈值电压值增加所述第二电压值后的电压值，确定为所述驱动晶体管对应的当前阈值电压值；在所述像素电路对应的充电电压比值满足对应的预先设定的阈值范围时，将所述像素电路中驱动晶体管对应的初始阈值电压值，确定为所述驱动晶体管对应的当前阈值电压值。

5.如权利要求4所述的检测装置，其特征在于，所述获取单元具体用于在所述预设检测周期的第n个显示帧的消隐区中，根据第n行的每一所述像素电路对应的第一数据电压值，控制所述第n行的每一所述像素电路向连接的检测线进行第一次充电，并在充电后获取所述检测线上的电压值；n为大于或等于1且小于或等于N的整数，N为所述电致发光显示面板中的像素电路的总行数；根据所述第n行的每一所述像素电路对应的第二数据电压值，控制所述第n行的每一所述像素电路向连接的检测线进行第二次充电，并在充电后获取所述检测线上的电压值。

6.如权利要求4所述的检测装置，其特征在于，所述获取单元具体用于在所述预设检测周期的第2n-1个显示帧的消隐区中，根据第n行的每一所述像素电路对应的第一数据电压值，控制所述第n行的每一所述像素电路向连接的检测线进行第一次充电，并在充电后获取所述检测线上的电压值；n为大于或等于1且小于或等于N的整数，N为所述电致发光显示面板中的像素电路的总行数；在同一所述预设检测周期的第2n个显示帧的消隐区中，根据所述第n行的每一所述像素电路对应的第二数据电压值，控制所述第n行的每一所述像素电路向连接的检测线进行第二次充电，并在充电后获取所述检测线上的电压值。

Images