CN108508695B - 掩膜板、阵列基板、显示器及阵列基板的制备方法 - Google Patents

掩膜板、阵列基板、显示器及阵列基板的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108508695B
CN108508695B CN201810195921.6A CN201810195921A CN108508695B CN 108508695 B CN108508695 B CN 108508695B CN 201810195921 A CN201810195921 A CN 201810195921A CN 108508695 B CN108508695 B CN 108508695B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
transmitting
region
light transmission
adjacent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810195921.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108508695A (zh
Inventor
邓竹明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201810195921.6A priority Critical patent/CN108508695B/zh
Priority to PCT/CN2018/084031 priority patent/WO2019169703A1/zh
Priority to US16/100,194 priority patent/US11099481B2/en
Publication of CN108508695A publication Critical patent/CN108508695A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108508695B publication Critical patent/CN108508695B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54Absorbers, e.g. of opaque materials

Abstract

本申请公开了一种掩膜板、阵列基板、显示器及阵列基板的制备方法,该掩膜板上间隔设置有第一透光区域以及至少两个第二透光区域,第二透光区域位于第一透光区域的两侧,且第二透光区域的面积大于第一透光区域的面积,加强色阻块边缘部分的曝光强度,从而加强色阻块边缘部分的厚度,能防止色阻块的脱落,进而提升液晶面板的显示质量。

Description

掩膜板、阵列基板、显示器及阵列基板的制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种掩膜板、阵列基板、显示器及阵列基板的制备方法。
背景技术
液晶显示面板中,部分色阻块通过全曝光形成,另一部分色阻块通过部分曝光形成。通过全曝光形成的色阻块的厚度大于通过部分曝光形成的色阻块的厚度。且,一般要求两种曝光方式形成的色阻块之间的厚度差值为0.4微米~0.6微米。
现有技术中使用的掩膜板,位于掩膜板两侧的透光区域和遮光区域与位于掩膜板中间部分的透光区域和遮光区域相同,导致通过部分曝光形成的色阻块的边缘薄中间厚。边缘薄中间厚的不均匀色阻块容易脱落,影响液晶面板的显示质量。
因此,有必要提出一种掩膜板、阵列基板、显示器及阵列基板的制备方法以解决上述技术问题。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种掩膜板、阵列基板、显示器及阵列基板的制备方法,通过使用该掩膜板进行部分曝光能够得到厚度均匀的色阻块,能防止色阻块的脱落,进而提升液晶面板的显示质量。
为了解决上述技术问题,本申请采用的第一个技术方案是提供一种掩膜板,该掩膜板上间隔设置有第一透光区域以及至少两个第二透光区域,第二透光区域位于第一透光区域的两侧,并且在掩膜板的一侧表面上,第二透光区域的面积大于第一透光区域的面积。
为了解决上述技术问题,本申请采用的第二个技术方案是提供一种阵列基板,该阵列基板包括色阻块,色阻块边缘倾斜的表面与色阻块的底面的夹角不小于70度且小于90度。
为了解决上述技术问题,本申请采用的第三个技术方案是提供一种显示器,该显示器包括阵列基板,阵列基板上包括色阻块,色阻块边缘倾斜的表面与色阻块的地面的夹角不小于70度且小于90度。
为了解决上述技术问题,本申请采用的第四个技术方案是提供一种阵列基板的制备方法,该制备方法包括:准备阵列基板;在所述阵列基板上涂布色阻层;配合掩膜板对所述色阻层进行曝光固化处理,其中,掩膜板上的间隔设置有第一透光区域以及至少两个第二透光区域,第二透光区域位于第一透光区域的两侧,并且在掩膜板的一侧表面上,第二透光区域的面积大于第一透光区域的面积,以得到厚度均匀的色阻块。
本申请的有益效果是:区别于现有技术的情况,本申请的掩膜板上间隔设置有第一透光区域以及至少两个第二透光区域,第二透光区域位于第一透光区域的两侧,且第二透光区域的面积大于第一透光区域的面积,加强色阻块边缘部分的曝光强度,从而加强色阻块边缘部分的厚度,能防止色阻块的脱落,进而提升液晶面板的显示质量。
附图说明
图1是本申请提供的掩膜板第一实施方式的结构示意图;
图2是本申请提供的掩膜板第二实施方式的结构示意图;
图3是本申请提供的掩膜板第三实施方式的结构示意图;
图4A是使用现有技术中的掩膜板形成色阻块的光照示意图;
图4B是使用本申请中的掩膜板形成色阻块的光照示意图;
图5是本申请提供的阵列基板一实施方式的结构示意图;
图6是本申请提供的阵列基板的制备方法一实施方式的具体流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,均属于本申请保护的范围。
为了使通过部分曝光形成的色阻块的厚度均匀,本申请的掩膜板上间隔设置有第一透光区域以及至少两个第二透光区域,第二透光区域位于第一透光区域的两侧,并且在该掩膜板的一侧表面上,第二透光区域的面积大于第一透光区域的面积。
为了详细说明形成厚度均匀的色阻块,下面以第一透光区域和第二透光区域为矩形开口,且通过设置第二透光区域和第一透光区域对应的矩形长度相同、第二透光区域对应的矩形宽度大于第一透光区域对应的矩形宽度使第二透光区域对应的矩形面积大于第一透光区域对应的矩形面积为例进行说明。
请参阅图1,图1是本申请提供的掩膜板第一实施方式的结构示意图。如图1所示,掩膜板10上通过遮光区域103间隔设置有三个第一透光区域101和四个第二透光区域102。第二透光区域102位于第一透光区域101的两侧。第一透光区域101和第二透光区域102为长度相同的矩形开口。掩膜板10包括上、下两个表面,在掩膜板10的任意一侧表面上,第二透光区域102对应的矩形开口的矩形宽度大于第一透光区域101对应的矩形开口的矩形宽度。优选的,第二透光区域102的矩形宽度为4微米~10微米,第一透光区域101的矩形宽度不大于4微米。
本实施例中,设置相邻的两个第二透光区域102之间的间距、第二透光区域102与相邻的第一透光区域101之间的间距以及相邻的两个第一透光区域101之间的间距相同。
本实施例中,在第一透光区域101的两侧共设置有四个第二透光区域102。其中的两个第二透光区域102位于掩膜板10的中心线104的一侧,另两个第二透光区域102位于掩膜板10的中心线104的另一侧。且,分别位于中心线104两侧的两个第二透光区域102关于中心线对称分布,进而能用于形成均匀的色阻块。
本实施例中,第一透光区域101的两侧设置有四个第二透光区域102。在其他实施例中,也可以设置其他数量的第二透光区域102,比如设置两个、三个、五个或更多数量的第二透光区域102。
本实施例中,设置第一透光区域101的数量为三个。在其他实施例中也可以设置为其他数量的第一透光区域101,具体数量在此不作限定。
本实施中的掩膜板10为铬金属掩膜板。在其他实施例中,掩膜板10的具体材质根据实际情况而定。
本实施例中,第一透光区域101对应的矩形长度和第二透光区域102对应的矩形长度相同。实际制作过程中,允许第一透光区域101的矩形长度和第二透光区域102的矩形长度存在预设范围内的偏差。
本实施例中,将第一透光区域101和第二透光区域102均设置为矩形。在其他实施例中,也可以设置第一透光区域101和第二透光区域102设置为圆形、菱形、六边形,在此不做具体限定。
请参阅图2,图2是本申请提供的掩膜板第二实施方式的结构示意图。如图2所示,掩膜板20上通过遮光区域203间隔设置有三个第一透光区域201和四个第二透光区域202。第二透光区域202对应的矩形宽度大于第一透光区域201对应的矩形宽度。位于掩膜板20的中心线204一侧的两个第二透光区域202与位于中心线204另一侧的两个第二透光区域202对称。本实施方式与上一实施方式的不同之处在于,上一实施方式中将相邻的两个第二透光区域102之间的间距、第二透光区域102与相邻的第一透光区域101之间的间距以及相邻的两个第一透光区域101之间的间距设置为相同。本实施方式中将相邻的两个第二透光区域202之间的间距、第二透光区域202与相邻的第一透光区域101之间的间距设置为相同,且设置相邻的两个第一透光区域201之间的间距小于第二透光区域202与相邻的第二透光区域202或第一透光区域201之间的间距。
具体地,本实施例中将相邻的两个第二透光区域202之间的间距、第二透光区域202与相邻的第一透光区域201之间的间距设置为6微米~10微米,设置相邻的两个第一透光区域201之间的间距不大于6微米。
优选地,将相邻的两个第二透光区域202之间的间距、第二透光区域202与相邻的第一透光区域201之间的间距设置为7微米,将相邻的两个第一透光区域201之间的间距设置为6微米。将第二透光区域202对应的矩形开口的矩形宽度设置为6微米,将第一透光区域201对应的矩形开口的矩形宽度设置为4微米。
请参阅图3,图3是本申请提供的掩膜板第三实施方式的结构示意图。如图3所示,掩膜板30上通过遮光区域303间隔设置有三个第一透光区域301和四个第二透光区域302。第二透光区域302对应的矩形宽度大于第一透光区域301对应的矩形宽度。位于掩膜板30的中心线304一侧的两个第二透光区域302与位于中心线304另一侧的两个第二透光区域302对称。本实施方式与上述两个实施方式的不同之处在于,本实施方式中将相邻的两个第二透光区域302之间的间距设置为大于第二透光区域302与相邻的第一透光区域301之间的间距,且将第二透光区域302与相邻的第一透光区域301之间的间距设置为大于相邻的两个第一透光区域301之间的间距。且,相邻的两个第二透光区域302之间的间距、第二透光区域302与相邻的第一透光区域301之间的间距范围为6微米~10微米。
具体地,本实施例中,将相邻的两个第二透光区域302之间的间距设置为8微米~10微米,将第二透光区域302与相邻的第一透光区域301之间的间距设置为6微米~8微米;或者将相邻的两个第二透光区域302之间的间距设置为9微米~10微米,将第二透光区域302与相邻的第一透光区域301之间的间距设置为6微米~9微米。相邻的两个第一透光区域301之间的间距不大于6微米。具体的设置根据实际情况而定,在此不作限定。
区别于现有技术的情况,本申请的掩膜板上间隔设置有第一透光区域以及至少两个第二透光区域,第二透光区域位于第一透光区域的两侧,且第二透光区域的面积大于第一透光区域的面积,加强色阻块边缘部分的曝光强度,从而加强色阻块边缘部分的厚度,能防止色阻块的脱落,进而提升液晶面板的显示质量。
请参阅图4A-图4B,图4A是使用现有技术中的掩膜板形成色阻块的光照示意图。图4B是使用本申请中的掩膜板形成色阻块的光照示意图。如图4A所示,现有技术中掩膜板41A的相邻两个透光区域411A通过遮光区域412A间隔开。每一透光区域411A的形状大小设置为完全相同的矩形开口,即每一透光区域411A的面积相同。且,相邻两个透光区域411A之间的间距也都相同。通过掩膜板41A进行部分曝光形成色阻块42A的过程中,照射到色阻块42A两侧边缘的紫外光能量低于中间部位的紫外光能量,从而形成的色阻块42A中间厚边缘薄。该色阻块42A边缘倾斜的表面与底面的夹角小于70度,导致该色阻块42A容易脱落。如图4B所示,本申请中掩膜板41B的相邻两个透光区域通过遮光区域412B间隔开。第二透光区域413B位于掩膜板41B的两侧,第一透光区域411B位于掩膜板41B的中间部位。且,第二透光区域413B对应的矩形面积大于第一透光区域411B对应的矩形面积。通过掩膜板41B进行部分曝光形成色阻块42B的过程中,照射到色阻块42B两侧边缘的紫外光能量不低于中间部位的紫外光能量,从而能形成厚度均匀的色阻块42B。该色阻块42B边缘倾斜的表面与底面的夹角不小于70度且小于90度,进而该色阻块42B不易脱落。
本实施例中的色阻块为蓝色色阻块。在其他实施例中,色阻块也可以为红色色阻块、绿色色阻块。
请参阅图5,图5是本申请提供的阵列基板一实施方式的结构示意图。如图5所示,本实施中的阵列基板50上包括基板501、位于基板501上的第一薄膜晶体管502和第二薄膜晶体管503、位于第一薄膜晶体管502上的第一色阻块504、位于第二薄膜晶体管503上的第二色阻块505。其中,位于第一薄膜晶体管502上的第一色阻块504通过全曝光形成。位于第二薄膜晶体管503上的第二色阻块505通过使用本申请中的掩膜板进行部分曝光形成。通过全曝光形成的第一色阻块504的厚度大于通过部分曝光形成的第二色阻块505的厚度。且,第一色阻块504与第二色阻块505的厚度之差为0.4微米~0.6微米。第二色阻块505边缘倾斜的表面与第二色阻块505的底面的夹角不小于70度且小于90度。
本实施例中的基板501为玻璃基板,在其他实施例中也可以为其他材质的基板。
本实施例中的第一薄膜晶体管502和第二薄膜晶体管503均包括栅极层、栅极层上的栅极绝缘层、栅极绝缘层上的有源层、有源层上的源极和漏极以及钝化层。
本实施例中的色阻块为蓝色色阻块,在其他实施例中也可以为红色色阻块、绿色色阻块。
区别于现有技术的情况,本申请的掩膜板上间隔设置有第一透光区域以及至少两个第二透光区域,第二透光区域位于第一透光区域的两侧,且第二透光区域的面积大于第一透光区域的面积,加强色阻块边缘部分的曝光强度,从而加强色阻块边缘部分的厚度,能防止色阻块的脱落,进而提升液晶面板的显示质量。
请参阅图6,图6是本申请提供的阵列基板的制备方法一实施方式的具体流程示意图。
步骤601:准备基板。
本实施例中选用玻璃基板,将玻璃基板切割成合适的尺寸后用丙酮、去离子水、酒精清洗干净,再在氮气的氛围下进行干燥。在其他实施例中也可以选用其他材质的基板。
步骤602:在基板上涂布色阻层。
在步骤601中得到的玻璃基板上涂布薄膜晶体管,再在薄膜晶体管上涂布色阻层。
具体地,本实施例中的薄膜晶体管包括栅极层、栅极层上的栅极绝缘层、栅极绝缘层上的有源层、有源层上的源极和漏极以及钝化层。
本实施例中在薄膜晶体管上涂布的色阻层为蓝色色阻块。在其他实施例中也可以涂布红色色阻块、绿色色阻块。
步骤603:配合掩模板对色阻层进行曝光固化处理,其中,掩模板上间隔设置有第一透光区域以及至少两个第二透光区域,第二透光区域位于第一透光区域的两侧,并且在掩模板的一侧表面上,第二透光区域的面积大于第一透光区域的面积,以得到厚度均匀的色阻块。
具体地,通过使用本申请中的掩膜板对步骤602中涂布的色阻块进行曝光、显影、固化处理,以得到厚度均匀的色阻块。
更具体地,得到的厚度均匀的色阻块边缘倾斜的表面与该色阻块的地面的夹角不小于70度且小于90度。
本实施中使用的掩膜板的第二透光区域与相邻的第二透光区域或第一透光区域之间的间距大于相邻的两个第一透光区域之间的间距。第一透光区域与第二透光区域为长度相同的矩形开口。第二透光区域的宽度为4微米~10微米,第二透光区域与相邻的第二透光区域或第一透光区域之间的间距为6微米~10微米。
本申请还提供一种显示器,该显示器包括阵列基板,阵列基板上包括色阻块,色阻块边缘倾斜的表面与色阻块的底面的夹角不小于70度且小于90度。
区别于现有技术的情况,本申请的掩膜板上间隔设置有第一透光区域以及至少两个第二透光区域,第二透光区域位于第一透光区域的两侧,且第二透光区域的面积大于第一透光区域的面积,加强色阻块边缘部分的曝光强度,从而加强色阻块边缘部分的厚度,能防止色阻块的脱落,进而提升液晶面板的显示质量。
显然,本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样,倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内,则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (2)

1.一种掩膜板,其特征在于,所述掩膜板上间隔设置有第一透光区域以及至少两个第二透光区域,所述第二透光区域位于所述第一透光区域的两侧,并且在所述掩模板的一侧表面上,所述第二透光区域的面积大于所述第一透光区域的面积;
相邻的两个所述第二透光区域之间的间距大于所述第二透光区域与相邻的所述第一透光区域之间的间距,且所述第二透光区域与相邻的所述第一透光区域之间的间距大于相邻的两个所述第一透光区域之间的间距;
所述第一透光区域与所述第二透光区域为长度相同的矩形开口;
所述第二透光区域的宽度为4微米~10微米,相邻的两个所述第二透光区域之间的间距为8微米~10微米,所述第二透光区域与相邻的所述第一透光区域之间的间距为6微米~8微米。
2.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
准备基板;
在所述基板上涂布色阻层;
配合掩模板对所述色阻层进行曝光固化处理,其中,所述掩模板上间隔设置有第一透光区域以及至少两个第二透光区域,所述第二透光区域位于所述第一透光区域的两侧,并且在所述掩模板的一侧表面上,所述第二透光区域的面积大于所述第一透光区域的面积,以得到厚度均匀的色阻块;
相邻的两个所述第二透光区域之间的间距大于所述第二透光区域与相邻的所述第一透光区域之间的间距,且所述第二透光区域与相邻的所述第一透光区域之间的间距大于相邻的两个所述第一透光区域之间的间距;
所述第一透光区域与所述第二透光区域为长度相同的矩形开口;
所述第二透光区域的宽度为4微米~10微米,相邻的两个所述第二透光区域之间的间距为8微米~10微米,所述第二透光区域与相邻的所述第一透光区域之间的间距为6微米~8微米。
CN201810195921.6A 2018-03-09 2018-03-09 掩膜板、阵列基板、显示器及阵列基板的制备方法 Active CN108508695B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810195921.6A CN108508695B (zh) 2018-03-09 2018-03-09 掩膜板、阵列基板、显示器及阵列基板的制备方法
PCT/CN2018/084031 WO2019169703A1 (zh) 2018-03-09 2018-04-23 掩膜板、阵列基板及阵列基板的制备方法
US16/100,194 US11099481B2 (en) 2018-03-09 2018-08-09 Mask plate, array substrate, and preparation method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810195921.6A CN108508695B (zh) 2018-03-09 2018-03-09 掩膜板、阵列基板、显示器及阵列基板的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108508695A CN108508695A (zh) 2018-09-07
CN108508695B true CN108508695B (zh) 2020-10-02

Family

ID=63376337

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810195921.6A Active CN108508695B (zh) 2018-03-09 2018-03-09 掩膜板、阵列基板、显示器及阵列基板的制备方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN108508695B (zh)
WO (1) WO2019169703A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109062014B (zh) 2018-09-12 2020-06-02 友达光电(昆山)有限公司 一种掩膜板组及显示面板
CN109407459B (zh) * 2018-12-14 2023-02-21 惠科股份有限公司 掩膜版及阵列基板的制备方法
CN112310322B (zh) * 2020-10-30 2022-11-08 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板和显示装置
CN115394635A (zh) * 2022-09-22 2022-11-25 闻泰通讯股份有限公司 晶圆及其制备方法、掩模版

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104040428A (zh) * 2012-02-15 2014-09-10 大日本印刷株式会社 相移掩模及使用该相移掩模的抗蚀图案形成方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5402316B2 (ja) * 2009-06-26 2014-01-29 富士ゼロックス株式会社 フォトマスク、及び光学素子の製造方法
CN102955378B (zh) * 2012-11-12 2016-08-24 上海集成电路研发中心有限公司 光刻胶形貌表征方法
CN104155845A (zh) * 2014-07-30 2014-11-19 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板检测装置和方法
CN105448699B (zh) * 2014-09-02 2018-06-12 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于形成sram鳍部的掩膜版组件以及鳍部的制作方法
CN104932138B (zh) * 2015-07-07 2018-08-28 深圳市华星光电技术有限公司 一种光罩及彩膜基板的制备方法
CN106444190B (zh) * 2016-10-31 2020-05-19 深圳市华星光电技术有限公司 一种coa基板及其制造方法、液晶面板
CN107167937B (zh) * 2017-06-01 2021-04-27 Tcl华星光电技术有限公司 一种掩膜板、彩色滤光板及其显示面板
CN107479286B (zh) * 2017-09-04 2020-08-04 深圳市华星光电技术有限公司 一种改善灰阶斜纹的过孔结构

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104040428A (zh) * 2012-02-15 2014-09-10 大日本印刷株式会社 相移掩模及使用该相移掩模的抗蚀图案形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019169703A1 (zh) 2019-09-12
CN108508695A (zh) 2018-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108508695B (zh) 掩膜板、阵列基板、显示器及阵列基板的制备方法
DE60109870T2 (de) Reflexive Flüssigkristallanzeige mit organischer Schicht, die vor Zersetzung aufgrund von Feuchtigkeitsabsorption geschützt ist
KR101453418B1 (ko) 컬러필터 기판 및 그 제조방법
DE102007023223B4 (de) Flüssigkristalldisplay, Substrat für ein solches sowie Verfahren zum Herstellen des Substrats
DE102015109591A1 (de) Flüssigkristallanzeigetafel
CN104280942B (zh) 一种掩模板
US20160170251A1 (en) Curved liquid crystal display panel and manufacturing method thereof
JP4959631B2 (ja) グレースケールマスク
US20180113354A1 (en) Color film substrate, manufacturing method thereof and display device
CN103926809B (zh) 一种基板的制备方法
CN104865729A (zh) 彩膜基板及其制作方法、隔垫物的制作方法及显示装置
CN104267518A (zh) 液晶显示面板及其制造方法
CN106773228A (zh) 显示面板的制造方法、线栅偏光片及其制造方法
WO2015149378A1 (zh) 曝光光罩以及彩色滤光片的制作方法
KR20070089092A (ko) 컬러 표시 장치
CN109407459B (zh) 掩膜版及阵列基板的制备方法
CN104199203B (zh) 液晶显示面板及其制造方法
US11099481B2 (en) Mask plate, array substrate, and preparation method thereof
CN106773352A (zh) 一种固化光罩及制作显示面板的方法
KR20120018151A (ko) 컬러 필터, 액정 표시 장치, 컬러 필터의 제조 방법
CN102707565A (zh) 一种黑矩阵的制作方法、彩色滤光片及显示装置
US20020089633A1 (en) System and method for producing thin film patterns interspersed with voids to admit light to otherwise shadowed regions
US8553195B2 (en) Substrate for a display panel, a display panel having the substrate, a method of producing the substrate, and a method of producing the display panel
US9618785B2 (en) Color filter substrate, method for manufacturing the same, display panel and display device
CN107238965A (zh) 一种显示面板及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant