CN108461632A - 钙钛矿复合结构 - Google Patents

钙钛矿复合结构 Download PDF

Info

Publication number
CN108461632A
CN108461632A CN201710092678.0A CN201710092678A CN108461632A CN 108461632 A CN108461632 A CN 108461632A CN 201710092678 A CN201710092678 A CN 201710092678A CN 108461632 A CN108461632 A CN 108461632A
Authority
CN
China
Prior art keywords
amine
gallium
composite construction
perovskite
selenide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710092678.0A
Other languages
English (en)
Inventor
蔡明志
何羽轩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Winbond Electronics Corp
Original Assignee
Winbond Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Winbond Electronics Corp filed Critical Winbond Electronics Corp
Priority to CN201710092678.0A priority Critical patent/CN108461632A/zh
Priority to US15/808,823 priority patent/US10453620B2/en
Priority to JP2018022682A priority patent/JP2018152553A/ja
Publication of CN108461632A publication Critical patent/CN108461632A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/88—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2004—Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte
    • H01G9/2018—Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte characterised by the ionic charge transport species, e.g. redox shuttles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/30—Three-dimensional structures
    • C01P2002/34—Three-dimensional structures perovskite-type (ABO3)
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

本发明提供一种钙钛矿复合结构，其包括吸光层以及位于吸光层外围的立体阻隔层。吸光层包括钙钛矿材料。立体阻隔层包括二维材料。本发明提供的钙钛矿复合结构在大气环境下稳定且具有高电子迁移率。

Description

钙钛矿复合结构
技术领域
本发明涉及一种复合结构，尤其涉及一种钙钛矿复合结构。
背景技术
有机-无机混成钙钛矿(organic-inorganic hybrids perovskite)材料由于具有高光吸收率与高电子迁移率，并可通过其组成成分的变化而改变光吸收波段，因此使用此有机-无机混成钙钛矿材料制造的太阳能电池具有高效率。但有机-无机混成钙钛矿材料受限于(1)制程环境需隔绝水气与氧气、(2)成品在大气环境下不稳定以及(3)无法顺利成长连续晶体等技术问题。
因此，开发出适合在湿式制程中使用、在大气环境下稳定且具有高电子迁移率的钙钛矿材料，是目前研究人员急欲解决的问题。
发明内容
本发明提供一种钙钛矿复合结构，其在大气环境下稳定且具有高电子迁移率。
本发明的钙钛矿复合结构，包括吸光层以及位于吸光层外围的立体阻隔层。吸光层包括钙钛矿材料。立体阻隔层包括二维材料。
在本发明的一实施例中，上述的钙钛矿材料可具有如下式(1)的结构：
ABX3(1)，
其中A为氨(ammonia，NH3)、甲胺(methylamine，CH3NH2)、乙酸甲脒(methanimidamide，CH4N2)、胺甲脒(aminomethanamidine，HNC(NH2)2)、甲脒(formamidine，HC(NH)NH2)、乙二胺(ethylenediamine，C2H4(NH2)2)、二甲胺(dimethylamine，(CH3)2NH)、咪唑(imidazole，C3H4N2)、乙脒(acetamidine，CH3CNHNH2)、丙胺(propylamine，C3H7NH2)、异丙胺(isopropylamine，iso-C3H7NH2)、三甲烯二胺(Trimethylenediamine，(CH2)3(NH2)2)、乙胺(ethylamine)、丁胺(butylamine，C4H9NH2)、异丁胺(isobutylamine，iso-C4H9NH2)、叔丁基胺(tert-Butylamine，(CH3)3CNH2)、二乙胺(diethylamine，(C2H5)2NH)、5-氨基戊酸(5-Aminovaleric acid，NH2(CH2)4COOH)、2-噻吩甲胺(thiophenemethylamine C5H7NS)、己胺(hexylamine，C6H13NH2)、苯胺(aniline，C6H5NH2)、苄胺(benzylamine，C6H5CH2NH2)、苯乙胺(phenylethylamine，C6H5C2H4NH2)、辛胺(octylamine，C8H17NH2)、癸胺(decylamine，C10H21NH2)、十二胺(dodecylamine，C12H25NH2)、十四胺(tetradecylamine，C14H29NH2)、十六胺(hexadecylamine，C16H33NH2)、油胺(oleylamine，C18H35NH2)、十八胺(octadecylamine，C18H37NH2)、二十胺(eicosylamine，C20H41NH2)、Li、Na、K、Rb、Cs或Cu；B为Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Ge、Pb或Sn；X为Cl、Br、I、氰(cyanide，CN)、氰酯(cyanate，NCO)、硫代氰酯(thiocyanate，NCS)、硒氰酸酯(selenocyanate，SeCN)或碲氰酸酯(tellurocyanate，TeCN)。
在本发明的一实施例中，上述的二维材料例如是硫化铋(bismuth sulfide，Bi2S3)、黑磷(black phosphorus)、六方氮化硼(hexagonal boron nitride，h-BN)、石墨烯(graphene)、石墨烯氧化物(graphene oxide，GO)、还原态石墨烯(reduced grapheneoxide，rGO)、硒化铟(indium selenide，In2Se3)、二硫锡铅(lead tin disulfide，PbSnS2)、磷烯(phosphorene)、硫化砷(arsenic sulfide，As2S3)、锑砷硫化物(antimony arsenicsulfide，SbAsS3)；单硫族化合物(monochalcogenides，MX)，例如铋铊碲化物(bismuththallium telluride，BiTlTe)、硫化铜(copper sulfide，CuS)、硒化镓(galliumselenide，GaSe)、镓硒碲化物(gallium selenide telluride，GaSeTe)、硫化镓(galliumsulfide，GaS)、镓硫硒化物(gallium sulfide selenide，GaSSe)、碲化镓(galliumtelluride，GaTe)、硒化锗(germanium selenide，GeSe)、硫化锗(germanium sulphide，GeS)、硒化铟(indium selenide，InSe)、碲化铟(indium telluride、InTe)、硒化铊(thallium selenide，TlSe)、硒化锡(tin selenide，SnSe)、铊镓二硫化物(thalliumgallium disulfide，TlGaS2)、铊镓二硒化物(thallium gallium diselenide，TlGaSe2)、铊铟二硫化物(thallium indium disulfide，TlInS2)；二硫族化合物(dichalcogenides，MX2)，例如二硒化铪(hafnium diselenide，HfSe2)、二硫化铪(hafnium disulfide，HfS2)、二硒化钼(molybdenum diselenide，MoSe2)、二硫化钼(molybdenum disulfide、MoS2)、钼硫硒化物(molybdenum sulfide selenide，MoSSe)、钼钨二硒化物(molybdenum tungstendiselenide，MoWSe2)、钼钨二硫化物(molybdenum tungsten disulfide，MoWS2)、二硫化钨(tungsten disulfide，WS2)、二硒化钨(tungsten diselenide，WSe2)、二硒化铼(rheniumdiselenide，ReSe2)、二硫化钽(tantalum disulfide，TaS2)、二硒化锡(tin diselenide，SnSe2)、二硫化锡(tin disulfide，SnS2)、铼钼二硫化物(rhenium molybdenum disulfide，ReMoS2)、铼铌二硒化物(rhenium niobium diselenide，ReNbSe2)、铼铌二硫化物(rheniumniobium disulfide，ReNbS2)、二碲化钨(tungsten ditelluride，WTe2)、钨硫硒化物(tungsten sulfide selenide，WSSe)、二硒化锆(zirconium diselenide，ZrSe2)、二硫化锆(zirconium disulfide，ZrS2)、二碲化锆(zirconium ditelluride，ZrTe2)；三硫族化合物(trichalcogenides，MX3)，例如三硫化钛(titanium trisulfide，TiS3)；碘化物(iodides，MI2)，例如二碘化镉(cadmium diiodide，CdI2)、二碘化铅(lead diiodide，PbI2)或其组合(含一种或两种以上)。
在本发明的一实施例中，上述的吸光层可还包括二维材料。
在本发明的一实施例中，上述的立体阻隔层还包括有机胺。
在本发明的一实施例中，上述的有机胺例如是氨、甲胺、乙酸甲脒、胺甲脒、甲脒、乙二胺、二甲胺、咪唑、乙脒、丙胺、异丙胺、三甲烯二胺、乙胺、丁胺、异丁胺、叔丁基胺、二乙胺、5-氨基戊酸、2-噻吩甲胺、己胺、苯胺、苄胺、苯乙胺、辛胺、癸胺、十二胺、十四胺、十六胺、油胺、十八胺、二十胺或其组合(含一种或两种以上)。
在本发明的一实施例中，上述的二维材料的长度例如是0.5μm至10μm。
基于上述，在本发明的钙钛矿复合结构中，位于具有钙钛矿材料的吸光层的外围的立体阻隔层可隔绝水气与空气，因此在大气环境下稳定。此外，由于本发明的钙钛矿复合结构的吸光层和/或立体阻隔层包括二维材料，因此有助于提升钙钛矿的电子传输能力。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
图1是依照本发明的实施例的钙钛矿复合结构的剖面示意图。
附图标记说明
100：钙钛矿复合结构；
110：吸光层；
120：立体阻隔层。
具体实施方式
请参照图1，本实施例的钙钛矿复合结构100包括吸光层110以及立体阻隔层120。吸光层包括钙钛矿材料。在本发明中，“钙钛矿材料”是指具有“钙钛矿结构”的材料，而非特指钙钛氧化物(CaTiO3)。也就是说，“钙钛矿材料”包含具有与钙钛氧化物相同类型的晶体结构的任何材料。上述的钙钛矿材料具有如下式(1)的结构：
ABX3 (1)，
其中A与B为阳离子，X为阴离子。所述A阳离子为一价，而B阳离子为二价。
举例来说，在本实施例中，A例如是氨、甲胺、乙酸甲脒、胺甲脒、甲脒、乙二胺、二甲胺、咪唑、乙脒、丙胺、异丙胺、三甲烯二胺、乙胺、丁胺、异丁胺、叔丁基胺、二乙胺、5-氨基戊酸、2-噻吩甲胺、己胺、苯胺、苄胺、苯乙胺、辛胺、癸胺、十二胺、十四胺、十六胺、油胺、十八胺、二十胺、Li、Na、K、Rb、Cs或Cu；B为Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Ge、Pb或Sn；X为Cl、Br、I、氰、氰酯、硫代氰酯、硒氰酸酯或碲氰酸酯，但本发明不限于此。换言之，本实施例的钙钛矿材料为选择一种无机材料搭配一种有机材料所构成的有机无机混成钙钛矿材料。
本发明的有机无机混成钙钛矿材料因为是混合而成的材料，所以同时具备有机化合物与无机晶体的特性。无机成分形成由共价与离子交互作用键结的骨架(framework)，可提供高的载子迁移率(carrier mobility)。有机成分则有助于材料的自组装机制。而且，能通过降低有机成分维度(dimensionality)与无机片材之间的电性耦合(electroniccoupling)，来调整有机无机材料的电性。
在本实施例中，吸光层110可还包括二维材料。二维材料例如是硫化铋、黑磷、六方氮化硼、石墨烯、石墨烯氧化物、还原态石墨烯、硒化铟、二硫锡铅、磷烯、硫化砷、锑砷硫化物；单硫族化合物，例如铋铊碲化物、硫化铜、硒化镓、镓硒碲化物、硫化镓、镓硫硒化物、碲化镓、硒化锗、硫化锗、硒化铟、碲化铟、硒化铊、硒化锡、铊镓二硫化物、铊镓二硒化物、铊铟二硫化物；二硫族化合物，例如二硒化铪、二硫化铪、二硒化钼、二硫化钼、钼硫硒化物、钼钨二硒化物、钼钨二硫化物、二硫化钨、二硒化钨、二硒化铼、二硫化钽、二硒化锡、二硫化锡、铼钼二硫化物、铼铌二硒化物、铼铌二硫化物、二碲化钨、钨硫硒化物、二硒化锆、二硫化锆、二碲化锆；三硫族化合物，例如三硫化钛；碘化物，例如二碘化镉、二碘化铅或其组合(含一种或两种以上)，但本发明不限于此。二维材料的长度例如是0.2μm至20μm。在本实施例中，由于吸光层110包括具有高电子迁移率的二维材料，因此有助于提升钙钛矿的电子传输能力以及光转换效率。
立体阻隔层120位于吸光层110的外围。立体阻隔层120可包括二维材料。二维材料例如是硫化铋、黑磷、六方氮化硼、石墨烯、石墨烯氧化物、还原态石墨烯、硒化铟、二硫锡铅、磷烯、硫化砷、锑砷硫化物；单硫族化合物，例如铋铊碲化物、硫化铜、硒化镓、镓硒碲化物、硫化镓、镓硫硒化物、碲化镓、硒化锗、硫化锗、硒化铟、碲化铟、硒化铊、硒化锡、铊镓二硫化物、铊镓二硒化物、铊铟二硫化物；二硫族化合物，例如二硒化铪、二硫化铪、二硒化钼、二硫化钼、钼硫硒化物、钼钨二硒化物、钼钨二硫化物、二硫化钨、二硒化钨、二硒化铼、二硫化钽、二硒化锡、二硫化锡、铼钼二硫化物、铼铌二硒化物、铼铌二硫化物、二碲化钨、钨硫硒化物、二硒化锆、二硫化锆、二碲化锆；三硫族化合物，例如三硫化钛；碘化物，例如二碘化镉、二碘化铅或其组合(含一种或两种以上)，但本发明不限于此。二维材料的长度例如是0.2μm至20μm。在本实施例中，由于立体阻隔层120包括上述的二维材料且位于吸光层110的外围，因此具有立体阻隔功能以隔绝水气。也就是说，立体阻隔层120可防止水气与空气接触吸光层110(尤其是吸光层110中的钙钛矿材料)，因此本发明的钙钛矿复合结构在大气环境下是相当稳定。
此外，在本实施例中，由于立体阻隔层120中的二维材料具有高电子迁移率，因此立体阻隔层120有助于提升钙钛矿的电子传输能力以及光转换效率。
在本实施例中，立体阻隔层120可还包括有机胺。有机胺例如是氨、甲胺、乙酸甲脒、胺甲脒、甲脒、乙二胺、二甲胺、咪唑、乙脒、丙胺、异丙胺、三甲烯二胺、乙胺、丁胺、异丁胺、叔丁基胺、二乙胺、5-氨基戊酸、2-噻吩甲胺、己胺、苯胺、苄胺、苯乙胺、辛胺、癸胺、十二胺、十四胺、十六胺、油胺、十八胺、二十胺或其组合(含一种或两种以上)。在本实施例中，立体阻隔层120中的有机胺具有类似“钝化”的功能，可防止水气与空气接触吸光层110(尤其是吸光层110中的钙钛矿材料)，因此本发明的钙钛矿复合结构在大气环境下是相当稳定。
综上所述，在本发明的钙钛矿复合结构中，位于具有钙钛矿材料的吸光层的外围的立体阻隔层可隔绝水气与空气，因此在大气环境下稳定。此外，由于本发明的钙钛矿复合结构的吸光层和/或立体阻隔层包括二维材料，因此有助于提升钙钛矿的电子传输能力。由于本发明的钙钛矿复合结构具有在大气环境稳定、具有高电子传输能力以及高光转换效率等优点，因此适合用于高灵敏度的光传感器以及太阳能电池等。
虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更改与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (7)

1.一种钙钛矿复合结构，其特征在于，包括：
吸光层，包括钙钛矿材料；以及
立体阻隔层，位于所述吸光层的外围，
其中所述立体阻隔层包括二维材料。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿复合结构，其特征在于，所述钙钛矿材料具有如下式(1)的结构：
ABX3 (1)，
其中A为氨、甲胺、乙酸甲脒、胺甲脒、甲脒、乙二胺、二甲胺、咪唑、乙脒、丙胺、异丙胺、三甲烯二胺、乙胺、丁胺、异丁胺、叔丁基胺、二乙胺、5-氨基戊酸、2-噻吩甲胺、己胺、苯胺、苄胺、苯乙胺、辛胺、癸胺、十二胺、十四胺、十六胺、油胺、十八胺、二十胺、Li、Na、K、Rb、Cs或Cu；B为Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Ge、Pb或Sn；X为Cl、Br、I、氰、氰酯、硫代氰酯、硒氰酸酯或碲氰酸酯。
3.根据权利要求1所述的钙钛矿复合结构，其特征在于，所述二维材料包括硫化铋、黑磷、六方氮化硼、石墨烯、石墨烯氧化物、还原态石墨烯、硒化铟、二硫锡铅、磷烯、硫化砷、锑砷硫化物；单硫族化合物，所述单硫族化合物为铋铊碲化物、硫化铜、硒化镓、镓硒碲化物、硫化镓、镓硫硒化物、碲化镓、硒化锗、硫化锗、硒化铟、碲化铟、硒化铊、硒化锡、铊镓二硫化物、铊镓二硒化物或铊铟二硫化物；二硫族化合物，所述二硫族化合物为二硒化铪、二硫化铪、二硒化钼、二硫化钼、钼硫硒化物、钼钨二硒化物、钼钨二硫化物、二硫化钨、二硒化钨、二硒化铼、二硫化钽、二硒化锡、二硫化锡、铼钼二硫化物、铼铌二硒化物、铼铌二硫化物、二碲化钨、钨硫硒化物、二硒化锆、二硫化锆或二碲化锆；三硫族化合物，所述三硫族化合物为三硫化钛；碘化物，所述碘化物为二碘化镉、二碘化铅或其组合。
4.根据权利要求1所述的钙钛矿复合结构，其特征在于，所述吸光层还包括所述二维材料。
5.根据权利要求4所述的钙钛矿复合结构，其特征在于，所述立体阻隔层还包括有机胺。
6.根据权利要求5所述的钙钛矿复合结构，其特征在于，所述有机胺包括氨、甲胺、乙酸甲脒、胺甲脒、甲脒、乙二胺、二甲胺、咪唑、乙脒、丙胺、异丙胺、三甲烯二胺、乙胺、丁胺、异丁胺、叔丁基胺、二乙胺、5-氨基戊酸、2-噻吩甲胺、己胺、苯胺、苄胺、苯乙胺、辛胺、癸胺、十二胺、十四胺、十六胺、油胺、十八胺、二十胺或其组合。
7.根据权利要求1或4所述的钙钛矿复合结构，其特征在于，所述二维材料的长度为0.2μm至20μm。
CN201710092678.0A 2017-02-21 2017-02-21 钙钛矿复合结构 Pending CN108461632A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710092678.0A CN108461632A (zh) 2017-02-21 2017-02-21 钙钛矿复合结构
US15/808,823 US10453620B2 (en) 2017-02-21 2017-11-09 Perovskite composite structure
JP2018022682A JP2018152553A (ja) 2017-02-21 2018-02-13 ペロブスカイト複合構造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710092678.0A CN108461632A (zh) 2017-02-21 2017-02-21 钙钛矿复合结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108461632A true CN108461632A (zh) 2018-08-28

Family

ID=63166595

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710092678.0A Pending CN108461632A (zh) 2017-02-21 2017-02-21 钙钛矿复合结构

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10453620B2 (zh)
JP (1) JP2018152553A (zh)
CN (1) CN108461632A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109627259A (zh) * 2018-11-30 2019-04-16 华中科技大学 一种新型钙钛矿功能材料及其在光电器件中的应用
CN109835946A (zh) * 2019-02-24 2019-06-04 天津大学 一种高效发光钙钛矿量子点材料及制备方法
CN110929409A (zh) * 2019-12-02 2020-03-27 西北大学 一种铯锡溴-二硫化钼复合材料光学特性的仿真方法
CN112701046A (zh) * 2020-12-29 2021-04-23 华南理工大学 钝化层及其制备方法、柔性薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板
CN114335212A (zh) * 2021-11-18 2022-04-12 北京无线电计量测试研究所 一种复合材料及其制备方法和应用
CN116995124A (zh) * 2023-09-27 2023-11-03 深圳市汉嵙新材料技术有限公司 叠层太阳电池及其制备方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102153945B1 (ko) * 2018-12-14 2020-09-09 한국과학기술원 이차원 반도체 소재를 이용한 전자소자
CN111682111B (zh) * 2020-05-20 2022-03-29 华南理工大学 以PBDB-T:ITIC:α-In2Se3为活性层的有机太阳能电池及其制备方法
CN112054123B (zh) * 2020-08-28 2024-02-20 昆山协鑫光电材料有限公司 电子传输层及制备方法、钙钛矿太阳能电池及制备方法
EP4343873A1 (en) * 2021-05-21 2024-03-27 Panasonic Holdings Corporation Solar cell and method for producing solar cell
CN113717629B (zh) * 2021-09-15 2022-04-29 广东和润新材料股份有限公司 基于氨基化磷烯的水性聚氨酯阻燃涂料及其制备方法
CN113972298B (zh) * 2021-09-29 2024-03-22 华南理工大学 一种自供电偏振可见光探测器及制备方法与应用
CN116390517B (zh) * 2023-04-18 2023-09-19 北京高德品创科技有限公司 钙钛矿发光晶体管及其制备方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN204361133U (zh) * 2015-02-12 2015-05-27 成都格莱飞科技股份有限公司 低成本石墨烯薄膜钙钛矿太阳能电池
CN105489772A (zh) * 2015-12-30 2016-04-13 常州天合光能有限公司 钙钛矿太阳电池组件封装结构及封装方法
CN105742505A (zh) * 2016-04-19 2016-07-06 中国科学院上海应用物理研究所 一种高性能钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN105789444A (zh) * 2016-01-29 2016-07-20 杭州众能光电科技有限公司 一种基于真空蒸发镀膜法的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN106025085A (zh) * 2016-07-18 2016-10-12 武汉大学 基于Spiro-OMeTAD/CuXS复合空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN106062983A (zh) * 2013-12-17 2016-10-26 埃西斯创新有限公司 包含金属卤化物钙钛矿和钝化剂的光伏装置
CN106129259A (zh) * 2016-08-30 2016-11-16 戚明海 一种以黑磷和石墨烯为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及制备方法
CN106159097A (zh) * 2015-04-19 2016-11-23 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 一种改善钙钛矿薄膜质量的新方法
CN106229327A (zh) * 2016-08-02 2016-12-14 天津工业大学 一种柔性大面积钙钛矿太阳电池组件及其制备方法
CN106252515A (zh) * 2016-09-06 2016-12-21 西安交通大学 一种含防渗透碳薄膜的高效稳定钙钛矿电池及其制备方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3984137B2 (ja) 2002-09-27 2007-10-03 株式会社東芝 色素増感型太陽電池及びその製造方法
AU2013365633B2 (en) * 2012-12-20 2017-07-27 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Ltd. Perovskite schottky type solar cell
CN103346018B (zh) 2013-06-26 2016-08-17 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 通过固液反应制备具有钙钛矿结构的碘化物太阳能电池
JP6106130B2 (ja) * 2013-07-31 2017-03-29 富士フイルム株式会社 光電変換素子および太陽電池
JP6637895B2 (ja) * 2014-02-17 2020-01-29 ユーシーエル ビジネス リミテッド ナノシートの分散液を生成する方法
US9564593B2 (en) * 2014-06-06 2017-02-07 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Solar cells comprising 2d-perovskites
GB201416042D0 (en) * 2014-09-10 2014-10-22 Oxford Photovoltaics Ltd Hybrid Organic-Inorganic Perovskite Compounds
WO2016060154A1 (ja) 2014-10-14 2016-04-21 積水化学工業株式会社 太陽電池
WO2016136729A1 (ja) * 2015-02-27 2016-09-01 富士フイルム株式会社 光電変換素子および太陽電池
JP6755678B2 (ja) * 2015-03-20 2020-09-16 積水化学工業株式会社 太陽電池
US11130910B2 (en) 2016-04-22 2021-09-28 The Trustees Of Princeton University Organic-inorganic hybrid perovskite nanocrystals and methods of making the same

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106062983A (zh) * 2013-12-17 2016-10-26 埃西斯创新有限公司 包含金属卤化物钙钛矿和钝化剂的光伏装置
CN204361133U (zh) * 2015-02-12 2015-05-27 成都格莱飞科技股份有限公司 低成本石墨烯薄膜钙钛矿太阳能电池
CN106159097A (zh) * 2015-04-19 2016-11-23 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 一种改善钙钛矿薄膜质量的新方法
CN105489772A (zh) * 2015-12-30 2016-04-13 常州天合光能有限公司 钙钛矿太阳电池组件封装结构及封装方法
CN105789444A (zh) * 2016-01-29 2016-07-20 杭州众能光电科技有限公司 一种基于真空蒸发镀膜法的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN105742505A (zh) * 2016-04-19 2016-07-06 中国科学院上海应用物理研究所 一种高性能钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN106025085A (zh) * 2016-07-18 2016-10-12 武汉大学 基于Spiro-OMeTAD/CuXS复合空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN106229327A (zh) * 2016-08-02 2016-12-14 天津工业大学 一种柔性大面积钙钛矿太阳电池组件及其制备方法
CN106129259A (zh) * 2016-08-30 2016-11-16 戚明海 一种以黑磷和石墨烯为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及制备方法
CN106252515A (zh) * 2016-09-06 2016-12-21 西安交通大学 一种含防渗透碳薄膜的高效稳定钙钛矿电池及其制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HADADIAN M , CORREA-BAEN: "Enhancing Efficiency of Perovskite Solar cells", 《ADVANCED MATERIALS》 *
WANG F , GENG W , ZHOU Y , ET AL.: "Phenylalkylamine Passivation of Organolead Halide Perovskites Enabling High-fficiency and Air㏒table Photovoltaic Cells", 《ADVANCED MATERIALS》 *

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109627259A (zh) * 2018-11-30 2019-04-16 华中科技大学 一种新型钙钛矿功能材料及其在光电器件中的应用
CN109835946A (zh) * 2019-02-24 2019-06-04 天津大学 一种高效发光钙钛矿量子点材料及制备方法
CN109835946B (zh) * 2019-02-24 2021-04-27 天津大学 一种高效发光钙钛矿量子点材料及制备方法
CN110929409A (zh) * 2019-12-02 2020-03-27 西北大学 一种铯锡溴-二硫化钼复合材料光学特性的仿真方法
CN110929409B (zh) * 2019-12-02 2021-07-27 西北大学 一种铯锡溴-二硫化钼复合材料光学特性的仿真方法
CN112701046A (zh) * 2020-12-29 2021-04-23 华南理工大学 钝化层及其制备方法、柔性薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板
CN112701046B (zh) * 2020-12-29 2021-11-23 华南理工大学 钝化层及其制备方法、柔性薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板
CN114335212A (zh) * 2021-11-18 2022-04-12 北京无线电计量测试研究所 一种复合材料及其制备方法和应用
CN114335212B (zh) * 2021-11-18 2023-09-12 北京无线电计量测试研究所 一种复合材料及其制备方法和应用
CN116995124A (zh) * 2023-09-27 2023-11-03 深圳市汉嵙新材料技术有限公司 叠层太阳电池及其制备方法
CN116995124B (zh) * 2023-09-27 2024-01-05 深圳市汉嵙新材料技术有限公司 叠层太阳电池及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20180240607A1 (en) 2018-08-23
JP2018152553A (ja) 2018-09-27
US10453620B2 (en) 2019-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10453620B2 (en) Perovskite composite structure
Nazligul et al. Recent development in earth-abundant kesterite materials and their applications
Zhang et al. Transparent p-type semiconductors: copper-based oxides and oxychalcogenides
Saha et al. Electrodeposition fabrication of chalcogenide thin films for photovoltaic applications
Murali et al. Solution processed Cu2CoSnS4 thin films for photovoltaic applications
Di Mare et al. SnS thin film solar cells: perspectives and limitations
Grundmann et al. Oxide bipolar electronics: materials, devices and circuits
Oku et al. Polysilane-inserted methylammonium lead iodide perovskite solar cells doped with formamidinium and potassium
Wang et al. First-principles study of photovoltaics and carrier mobility for non-toxic halide perovskite CH 3 NH 3 SnCl 3: theoretical prediction
Shi et al. The impact of graphene on the fabrication of thin film solar cells: Current status and future prospects
Mottakin et al. Design and modelling of eco-friendly CH3NH3SnI3-based perovskite solar cells with suitable transport layers
Gai et al. The low-dimensional three-dimensional tin halide perovskite: Film characterization and device performance
WO2020011150A1 (en) Halide abx3 perovskite particles and their application in controlling photo-flux
Choi et al. Recent progress in fabrication of antimony/bismuth chalcohalides for lead-free solar cell applications
Matsuzaki et al. Hole-doping to a Cu (I)-based semiconductor with an isovalent cation: Utilizing a complex defect as a shallow acceptor
Lye et al. A review on the progress, challenges, and performances of tin-based perovskite solar cells
Miao et al. 2D material and perovskite heterostructure for optoelectronic applications
Saleem et al. All-solution-processed UV-IR broadband trilayer photodetectors with CsPbBr3 colloidal nanocrystals as carriers-extracting layer
Tseng et al. Effects of annealing on characteristics of Cu2ZnSnSe4/CH3NH3PbI3/ZnS/IZO nanostructures for enhanced photovoltaic solar cells
Santos et al. Hydrothermal synthesis of aqueous-soluble copper indium sulfide nanocrystals and their use in quantum dot sensitized solar cells
Seroka et al. Solar energy materials-evolution and niche applications: a literature review
TWI645082B (zh) 鈣鈦礦複合結構
Wu et al. Low-temperature induced enhancement of photoelectric performance in semiconducting nanomaterials
Saif et al. Comprehensive Review on Thin Film Homojunction Solar Cells: Technologies, Progress and Challenges
Dridi et al. Growth and characterization of Cu2MnSnS4 thin films synthesized by spray pyrolysis under air atmosphere

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20180828