CN108448008A - Oled薄膜封装工艺及oled薄膜封装系统 - Google Patents

Oled薄膜封装工艺及oled薄膜封装系统 Download PDF

Info

Publication number
CN108448008A
CN108448008A CN201810323996.8A CN201810323996A CN108448008A CN 108448008 A CN108448008 A CN 108448008A CN 201810323996 A CN201810323996 A CN 201810323996A CN 108448008 A CN108448008 A CN 108448008A
Authority
CN
China
Prior art keywords
thin
oled
substrate
film
film encapsulation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810323996.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108448008B (zh
Inventor
吴疆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kunshan Mengxian Electronic Technology Co., Ltd.
Original Assignee
Shanghai Han Li Electronic Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Han Li Electronic Technology Co Ltd filed Critical Shanghai Han Li Electronic Technology Co Ltd
Priority to CN201810323996.8A priority Critical patent/CN108448008B/zh
Publication of CN108448008A publication Critical patent/CN108448008A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108448008B publication Critical patent/CN108448008B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供了一种OLED薄膜封装系统，用于封装OLED器件，包括原子层沉积技术装置、待封装OLED器件、掩膜板以及放置于所述掩膜板上方的照射源。所述待封装OLED器件包括基板及OLED层。所述掩膜板包括镂空部和遮盖部，所述镂空部包括用以在所述基板上形成薄膜封装层的开孔，所述基板上形成薄膜封装层的区域为薄膜封装区域。所述遮盖部用以遮盖所述基板的非薄膜封装区域，所述遮盖部设有通孔，且在所述掩膜板与所述基板对位时，所述通孔与所述基板的Bonding区相对应。使用该OLED薄膜封装系统的OLED薄膜封装工艺使用照射源通过所述通孔照射Bonding区以分解Bonding区的前驱体，使得Bonding区的原子层沉积反应无法进行，阻止了Bonding区的薄膜生长，简化了工艺过程，降低了生产成本。

Description

OLED薄膜封装工艺及OLED薄膜封装系统
技术领域
本发明涉及有机光电器件技术领域，尤其涉及一种OLED薄膜封装工艺及OLED薄膜封装系统。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)器件具有响应速度快、视角宽、亮度高、低功耗等优异性能，并且为自发光器件，被认为是具有很大发展前景的下一代显示技术。硅基微显示器是一种高PPI(Pixels Per Inch)显示器件，其封装方式依旧沿用盖板式、Frit和薄膜封装(Thin Film Encapsulation)三种方式。综合三种方式的优缺点，薄膜封装比较适合硅基微显示器。
原子层沉积技术，是利用反应前驱体与衬底之间的气-固相反应，来完成薄膜工艺上的需求，由于在工艺上技术可以满足非常高精度要求，因此被人们视为一种先进的半导体工艺技术。原子层沉积技术反应过程由两个半反应构成，第一个半反应是有机物与基板化学键结合，后一个半反应是等离子气体与有机物反应生成副产物与膜材分子。采用ALD得到的膜层具有超薄、致密、覆盖率高等特点，广泛应用于OLED薄膜封装。请参图1所示，目前，在ALD沉积工艺中，掩膜板(Mask)10放置于基板20上方，由于膜材分子30的钻孔能力很强，往往会穿过掩膜板10与基板20之间的间隙，在不需要沉积薄膜的Bonding区40沉积一层薄膜层，导致无法实现贴合(Bonding)，影响后端模组工段。通常需要通过干刻曝光等工艺剥离该薄膜层，增加了设备投资成本及工艺环节，提高了生产成本。
有鉴于此，有必要设计一种改进的OLED薄膜封装工艺及OLED薄膜封装系统，以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够阻止Bonding区沉积薄膜层的OLED薄膜封装工艺及OLED薄膜封装系统。
为实现上述发明目的，本发明提供了一种OLED薄膜封装工艺，用于封装OLED器件，所述OLED器件包括基板及OLED层，所述OLED薄膜封装工艺包括如下步骤：
S1，将待封装OLED器件置于原子层沉积技术装置中；
S2，提供掩膜板，所述掩膜板包括镂空部和遮盖部，所述镂空部包括用以在所述基板上形成薄膜封装层的开孔，所述基板上形成薄膜封装层的区域为薄膜封装区域，所述遮盖部用以遮盖所述基板的非薄膜封装区域，所述遮盖部设有通孔，将所述掩膜板与所述基板相对放置，当所述掩膜板与所述基板对位时，所述通孔与所述基板的Bonding区相对应；
S3，提供照射源，所述照射源通过所述通孔照射所述Bonding区；
S4，向原子层沉积技术装置中通入前驱体；
S5，向原子层沉积技术装置中通入等离子气体，在所述基板的薄膜封装区域沉积薄膜封装层，所述Bonding区无薄膜封装层生成。
作为本发明的进一步改进，所述步骤S5包括如下步骤：
S51，所述前驱体与所述基板化学键结合；
S52，向原子层沉积技术装置中通入等离子气体后，在所述基板的薄膜封装区域，所述等离子气体与所述前驱体反应生成膜材分子，所述膜材分子沉积于所述薄膜封装区域并形成薄膜封装层；在所述Bonding区，所述照射源将所述前驱体分解，所述Bonding区无薄膜封装层生成。
作为本发明的进一步改进，所述照射源为UV光或者电子束。
作为本发明的进一步改进，所述OLED薄膜封装工艺还包括以下步骤：
S6，向原子层沉积技术装置中通入惰性气体，以清洗所述原子层沉积技术装置内部。
作为本发明的进一步改进，在所述步骤S6中，所述步骤S52中被分解的前驱体的分解产物随惰性气体排出。
作为本发明的进一步改进，所述前驱体为有机物。
为实现上述发明目的，本发明还提供了一种OLED薄膜封装系统，用于封装OLED器件，所述OLED薄膜封装系统包括原子层沉积技术装置、放置于所述原子层沉积技术装置内的待封装OLED器件、与所述待封装OLED器件相对放置的掩膜板以及放置于所述掩膜板上方的照射源；所述待封装OLED器件包括基板及设于所述基板上的OLED层；所述掩膜板包括镂空部和遮盖部，所述镂空部包括用以在所述基板上形成薄膜封装层的开孔，所述基板上形成薄膜封装层的区域为薄膜封装区域；所述遮盖部用以遮盖所述基板的非薄膜封装区域，所述遮盖部设有通孔，且在所述掩膜板与所述基板对位时，所述通孔与所述基板的Bonding区相对应。
作为本发明的进一步改进，所述照射源为UV光或者电子束。
本发明的有益效果是：本发明通过在掩膜板上设置与基板的Bonding区相对应的通孔，使用照射源通过该通孔照射Bonding区以分解Bonding区的前驱体，使得Bonding区的原子层沉积反应无法进行，阻止了Bonding区的薄膜生长，简化了工艺过程，降低了生产成本。
附图说明
图1为现有技术中掩膜板与基板对位时的结构示意图。
图2为本发明OLED薄膜封装工艺的流程图。
图3为本发明OLED薄膜封装系统中掩膜板与基板对位时的结构示意图。
图4为图3中掩膜板的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述。
在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本发明，在附图中仅仅示出了与本发明的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本发明关系不大的其他细节。
另外，还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
请参阅图2至图4所示，一种OLED薄膜封装系统200，用于封装OLED器件。所述OLED薄膜封装系统100包括原子层沉积技术装置(未图示)、放置于所述原子层沉积技术装置内的待封装OLED器件、与所述待封装OLED器件相对放置的掩膜板100以及放置于所述掩膜板100上方的照射源(未标号)。所述待封装OLED器件包括基板20及设于所述基板20上的OLED层(未图示)。所述掩膜板100包括镂空部101和遮盖部102，所述镂空部101包括用以在所述基板20上形成薄膜封装层的开孔1011，所述基板20上形成薄膜封装层的区域为薄膜封装区域。所述遮盖部102用以遮盖所述基板20的非薄膜封装区域，所述遮盖部102设有通孔1021，且在所述掩膜板100与所述基板20对位时，所述通孔1021与所述基板20的Bonding区40相对应。如此设置，所述照射源可以通过所述通孔1021照射所述Bonding区40。
以下对使用所述OLED薄膜封装系统200封装OLED器件的OLED薄膜封装工艺进行描述：
一种OLED薄膜封装工艺，用于封装OLED器件，所述OLED器件包括基板20及OLED层(未图示)，所述OLED薄膜封装工艺包括如下步骤：
S1，将待封装OLED器件置于原子层沉积技术装置中；
S2，提供掩膜板100，所述掩膜板100包括镂空部101和遮盖部102，所述镂空部101包括用以控制在所述基板20上形成薄膜封装层的开孔1011，所述基板20上形成薄膜封装层的区域为薄膜封装区域，所述遮盖部102用以遮盖所述基板20的非薄膜封装区域，所述遮盖部102设有通孔1021，将所述掩膜板100与所述基板20相对放置，当所述掩膜板100与所述基板20对位时，所述通孔1021的位置与所述基板20上的Bonding区40的位置相对应；
S3，提供照射源，所述照射源通过所述通孔1021照射所述Bonding区40；
S4，向原子层沉积技术装置中通入前驱体；
S5，向原子层沉积技术装置中通入等离子气体，在所述基板20的薄膜封装区域沉积薄膜封装层，所述Bonding区40无薄膜封装层生成。
S6，向原子层沉积技术装置中通入惰性气体，以清洗所述原子层沉积技术装置内部，在所述步骤S52中被分解的前驱体的分解产物会随惰性气体一起排出原子层沉积技术装置。
所述步骤S5的具体过程包括如下步骤：
S51，所述前驱体与所述基板20化学键结合；
S52，向原子层沉积技术装置中通入等离子气体后，在所述基板20的薄膜封装区域，所述等离子气体与所述前驱体反应生成膜材分子30，所述膜材分子30沉积于所述薄膜封装区域并形成薄膜封装层；在所述Bonding区40，所述照射源将所述前驱体分解，无法生成膜材分子30，从而实现了阻止所述Bonding区40的薄膜生长。
在本发明中，所述前驱体为有机物。所述照射源为UV光或者电子束。应当理解，本领域技术人员也可以选用其他能够分解有机物从而阻止所述Bonding区40的薄膜生长的物质照射所述Bonding区40，只需保证，在所述Bonding区40无法沉积薄膜层即可。
综上所述，本发明OLED薄膜封装系统200及OLED薄膜封装工艺中使用的所述掩膜板100的遮盖部102设置有与所述Bonding区40相对应的所述通孔1021，通过该通孔1021向所述Bonding区40照射UV光或者电子束，UV光或者电子束将所述Bonding区40的前驱体分解，使得Bonding区的原子层沉积反应无法进行，阻止所述Bonding区40沉积薄膜层，从而避免了在所述Bonding区40沉积薄膜层，影响后续工段操作的现象出现，简化了工艺过程，降低了生产成本。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (8)

1.一种OLED薄膜封装工艺，用于封装OLED器件，所述OLED器件包括基板及OLED层，所述OLED薄膜封装工艺包括如下步骤：
S1，将待封装OLED器件置于原子层沉积技术装置中；
S2，提供掩膜板，所述掩膜板包括镂空部和遮盖部，所述镂空部包括用以在所述基板上形成薄膜封装层的开孔，所述基板上形成薄膜封装层的区域为薄膜封装区域，所述遮盖部用以遮盖所述基板的非薄膜封装区域，所述遮盖部设有通孔，将所述掩膜板与所述基板相对放置，当所述掩膜板与所述基板对位时，所述通孔与所述基板的Bonding区相对应；
S3，提供照射源，所述照射源通过所述通孔照射所述Bonding区；
S4，向原子层沉积技术装置中通入前驱体；
S5，向原子层沉积技术装置中通入等离子气体，在所述基板的薄膜封装区域沉积薄膜封装层，所述Bonding区无薄膜封装层生成。
2.根据权利要求1所述的OLED薄膜封装工艺，其特征在于，所述步骤S5包括如下步骤：
S51，所述前驱体与所述基板化学键结合；
S52，向原子层沉积技术装置中通入等离子气体后，在所述基板的薄膜封装区域，所述等离子气体与所述前驱体反应生成膜材分子，所述膜材分子沉积于所述薄膜封装区域并形成薄膜封装层；在所述Bonding区，所述照射源将所述前驱体分解，所述Bonding区无薄膜封装层生成。
3.根据权利要求1所述的OLED薄膜封装工艺，其特征在于：所述照射源为UV光或者电子束。
4.根据权利要求2所述的OLED薄膜封装工艺，其特征在于，所述OLED薄膜封装工艺还包括以下步骤：
S6，向原子层沉积技术装置中通入惰性气体，以清洗所述原子层沉积技术装置内部。
5.根据权利要求4所述的OLED薄膜封装工艺，其特征在于：在所述步骤S6中，所述步骤S52中被分解的前驱体的分解产物随惰性气体排出。
6.根据权利要求1所述的OLED薄膜封装工艺，其特征在于：所述前驱体为有机物。
7.一种OLED薄膜封装系统，用于封装OLED器件，其特征在于：所述OLED薄膜封装系统包括原子层沉积技术装置、放置于所述原子层沉积技术装置内的待封装OLED器件、与所述待封装OLED器件相对放置的掩膜板以及放置于所述掩膜板上方的照射源；所述待封装OLED器件包括基板及设于所述基板上的OLED层；所述掩膜板包括镂空部和遮盖部，所述镂空部包括用以在所述基板上形成薄膜封装层的开孔，所述基板上形成薄膜封装层的区域为薄膜封装区域；所述遮盖部用以遮盖所述基板的非薄膜封装区域，所述遮盖部设有通孔，且在所述掩膜板与所述基板对位时，所述通孔与所述基板的Bonding区相对应。
8.根据权利要求7所述的OLED薄膜封装系统，其特征在于：所述照射源为UV光或者电子束。
CN201810323996.8A 2018-04-12 2018-04-12 Oled薄膜封装工艺及oled薄膜封装系统 Active CN108448008B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810323996.8A CN108448008B (zh) 2018-04-12 2018-04-12 Oled薄膜封装工艺及oled薄膜封装系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810323996.8A CN108448008B (zh) 2018-04-12 2018-04-12 Oled薄膜封装工艺及oled薄膜封装系统

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108448008A true CN108448008A (zh) 2018-08-24
CN108448008B CN108448008B (zh) 2020-05-01

Family

ID=63199615

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810323996.8A Active CN108448008B (zh) 2018-04-12 2018-04-12 Oled薄膜封装工艺及oled薄膜封装系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108448008B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020057035A1 (zh) * 2018-09-20 2020-03-26 江苏长电科技股份有限公司 封装结构选择性包封的封装方法及封装设备

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1937173A (zh) * 2005-09-21 2007-03-28 索尼株式会社 半导体器件制造方法
US20110263107A1 (en) * 2009-03-05 2011-10-27 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Method of forming polycrystalline silicon layer and atomic layer deposition apparatus used for the same
TW201234417A (en) * 2010-10-21 2012-08-16 Synos Technology Inc Formation of barrier layer on device using atomic layer deposition
CN203754803U (zh) * 2014-03-28 2014-08-06 京东方科技集团股份有限公司 一种图案化装置及系统
CN104022233A (zh) * 2014-05-28 2014-09-03 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示面板的封装方法和有机发光显示面板
CN104485347A (zh) * 2014-12-23 2015-04-01 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种显示屏体的邦定方法
US20170117159A1 (en) * 2015-01-12 2017-04-27 Lam Research Corporation Integrating atomic scale processes: ald (atomic layer deposition) and ale (atomic layer etch)
CN107039600A (zh) * 2015-11-30 2017-08-11 乐金显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN107164725A (zh) * 2017-05-15 2017-09-15 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜沉积设备和薄膜沉积方法
CN107248520A (zh) * 2017-06-07 2017-10-13 京东方科技集团股份有限公司 一种掩模板、有机电致发光显示面板及其封装方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1937173A (zh) * 2005-09-21 2007-03-28 索尼株式会社 半导体器件制造方法
US20110263107A1 (en) * 2009-03-05 2011-10-27 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Method of forming polycrystalline silicon layer and atomic layer deposition apparatus used for the same
TW201234417A (en) * 2010-10-21 2012-08-16 Synos Technology Inc Formation of barrier layer on device using atomic layer deposition
CN203754803U (zh) * 2014-03-28 2014-08-06 京东方科技集团股份有限公司 一种图案化装置及系统
CN104022233A (zh) * 2014-05-28 2014-09-03 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示面板的封装方法和有机发光显示面板
CN104485347A (zh) * 2014-12-23 2015-04-01 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种显示屏体的邦定方法
US20170117159A1 (en) * 2015-01-12 2017-04-27 Lam Research Corporation Integrating atomic scale processes: ald (atomic layer deposition) and ale (atomic layer etch)
CN107039600A (zh) * 2015-11-30 2017-08-11 乐金显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN107164725A (zh) * 2017-05-15 2017-09-15 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜沉积设备和薄膜沉积方法
CN107248520A (zh) * 2017-06-07 2017-10-13 京东方科技集团股份有限公司 一种掩模板、有机电致发光显示面板及其封装方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020057035A1 (zh) * 2018-09-20 2020-03-26 江苏长电科技股份有限公司 封装结构选择性包封的封装方法及封装设备
US11784063B2 (en) 2018-09-20 2023-10-10 Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd. Packaging method and packaging device for selectively encapsulating packaging structure

Also Published As

Publication number Publication date
CN108448008B (zh) 2020-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101098859B1 (ko) 표시 장치, 표시 장치용 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US10658613B2 (en) Organic light emitting diode encapsulation structure, display apparatus and encapsulation method of organic light emitting diode
US7534635B1 (en) Getter precursors for hermetically sealed packaging
US10153329B2 (en) Method of manufacturing display panel
WO2019085115A1 (zh) Oled封装方法与oled封装结构
CN101933174A (zh) 用于制造电子器件的方法和电子器件
JP2007200839A (ja) 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP2007200854A (ja) 有機電界発光表示装置及びその製造方法
CN101533783B (zh) 薄型四侧扁平无引脚封装方法
CN105449121A (zh) Oled器件的封装方法、oled封装器件及显示装置
US10403842B2 (en) Light-emitting component and method for producing a light-emitting component
US8530928B2 (en) Encapsulated optoelectronic component and method for the production thereof
CN107706313A (zh) Oled封装结构及oled封装方法
CN110048018B (zh) 显示器封装结构及其制造方法
CN107104199A (zh) 显示面板及其制造方法
CN108448008A (zh) Oled薄膜封装工艺及oled薄膜封装系统
KR20190098533A (ko) 산화물 박막의 제조 장치와 제조 방법 및 그 산화물 박막을 포함하는 디스플레이 장치
CN107644945A (zh) 阵列基板、显示面板、显示面板的封装方法及显示装置
KR101549406B1 (ko) 발광 다이오드의 색변환용 기판 및 그 제조방법
CN106654052A (zh) 有机发光二极管器件及其封装方法
KR20180003287A (ko) 유기 발광 표시 장치
JP5880611B2 (ja) 素子製造方法および素子製造装置
US20110244141A1 (en) Method of processing multilayer film
JP2003272830A (ja) 電気素子封止方法、パッケージ及び表示素子
CN108441839A (zh) 掩膜板及其制备方法和oled薄膜封装工艺

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20190529

Address after: 215300 Room No. 188 Chenfeng Road, Yushan Town, Kunshan City, Suzhou City, Jiangsu Province

Applicant after: Kunshan Mengxian Electronic Technology Co., Ltd.

Address before: Room D1-7179, 58 Fumin Branch, Hengsha Township, Chongming District, Shanghai, 202150 (Shanghai Hengtai Economic Development Zone)

Applicant before: Shanghai Han Li Electronic Technology Co. Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant