CN108428699B - 一种具有双向大骤回scr特性超低电容的tvs器件及其制造方法 - Google Patents
一种具有双向大骤回scr特性超低电容的tvs器件及其制造方法 Download PDFInfo
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- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000010531 catalytic reduction reaction Methods 0.000 title description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 8
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0259—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using bipolar transistors as protective elements
- H01L27/0262—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using bipolar transistors as protective elements including a PNP transistor and a NPN transistor, wherein each of said transistors has its base coupled to the collector of the other transistor, e.g. silicon controlled rectifier [SCR] devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8222—Bipolar technology
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0255—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using diodes as protective elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件及其制造方法，其包括：一个GND‑IO路径上横向的PNPN结构和一个IO‑GND路径上纵向的PNPN结构，二者通过深槽隔离，每个PNPN结构都有一个降容二极管并联。本发明分别利用横向和纵向的PNPN结构实现了双向大骤回特性，而且分别串联一个降容二极管D1和D2，实现了降低电容的目的。而且表面只需要引出一个I/01，另外一个I/02从GND引出，封装简单且更容易实现，比表面多IO的打线方式封装成本更低。此特殊结构的设计实现使其具有超低的电容，超低残压，所以在保护高频数据接口电路上的应用优势十分明显。
Description
技术领域
本发明涉及半导体保护器件领域，特别涉及一种具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS(TVS，Transient Voltage Suppressors)器件及其制造方法。
背景技术
随着各类ESD电路集成度的不断增高，集成电路的线宽也随之减小。电路中以静电放电(ESD)或其他形式存在的瞬态电压也因此更容易对电子器件造成破坏。各种多功能移动终端设备不断涌现以满足人们日益增加的使用需求，对应的功能接口也在不断的升级，USB作为手机最主要的通信接口，从USB 2.0到现在最新USB3.1对数据传输的要求越来越高，主芯片的升级对端口防护提出更苛刻的要求，传统结构的ESD产品已不能满足客户应用要求。
双向大骤回SCR特性低电容TVS具有超低残压和超低电容的特性，主要是针对目前HMDI2.0和USB3.0/3.1等高速数据接口ESD保护。
双向TVS二极管，能够将来自数据线两端正负极的浪涌脉冲泄放，从而保护系统免于遭受各种形式的瞬态高压的冲击。与普通的双向TVS相比，大骤回特性的TVS采用SCR工艺(可控硅技术)实现ESD和Surge测试时超低残压的目标，其原理是当大电压击穿器件后，TVS电压快速降低到1-3V，达到超低残压的目的，在实际应用过程中具有非常可靠的双向过压保护功能，在EDS器件保护应用中具有更高的灵活性和可靠性。
普通的双向TVS大多是NPN结构,等效电路图如图1所示。双向TVS在N型硅衬底/P-外延上掺杂一层N型杂质，形成NPN结，如图2所示，普通双向TVS包括ALsicu金属层24、SiO2绝缘层23、N型掺杂层22，P-外延21,N+衬底20。目前很多端口的保护都趋于双向保护，但是普通双向TVS已经无法满足高速数据通讯端口的超低残压、超低电容的要求，所以研发出双向低残压的器件显得十分迫切。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件及其制造方法。
为解决上述技术问题，本发明产品的技术方案是：
一种具有双向大骤回SCR特性超低电容TVS的器件，其特征在于，包括：一个GND-IO路径上横向的PNPN结构和一个IO-GND路径上纵向的PNPN结构，二者通过深槽隔离，每个PNPN结构都有一个降容二极管并联。
上述具有双向大骤回SCR特性超低电容TVS的器件的制备方法，包括：
步骤A：在重掺杂N型硅衬底用光刻胶掩膜开出P型掺杂区域窗口，进行P型掺杂形成P埋层；
步骤B:生长一层轻掺杂N型外延层1；
步骤C：在轻掺杂N型外延层1上用光刻胶掩膜开出P型掺杂区域窗口，进行P型掺杂形成Pwell-1层；
步骤D：在轻掺杂N型外延层1上用光刻胶掩膜开出N型掺杂区域窗口，进行N型掺杂形成N埋层；
步骤E：生长一层更轻掺杂N型外延层2；
步骤F：用光刻胶掩膜开出P型掺杂区域窗口，进行P型掺杂离子注入,形成P型掺杂形成Pwell-2层；
步骤G：用光刻胶掩膜开出N型掺杂区域窗口，进行N型掺杂离子注入,形成N型掺杂形成Nwell层；
步骤H：用光刻胶掩膜开出P型掺杂区域窗口，进行P型掺杂离子注入,形成P型掺杂形成P+层；
步骤I：用光刻胶掩膜开出N型掺杂区域窗口，进行N型掺杂离子注入,形成N型掺杂形成N+层；
步骤J：沉积一层1.5-2μm的SiO2膜作为刻深隔离槽的掩蔽层；
步骤K：在步骤J的掩蔽层上进行光刻和二氧化硅腐蚀，刻蚀出深隔离槽的窗口，该窗口作为步骤L中干法刻蚀深隔离槽的参照位置；
步骤L：在外延上干法刻蚀深隔离槽一直延伸到N型衬底；将左边的横向PNPN结构和右边的纵向PNPN结构隔离开来；
步骤M:用二氧化硅膜填充步骤L中形成的深隔离槽；
步骤N：刻蚀孔；
步骤O：淀积金属。
步骤A中，P埋层的注入剂量在1E16到3E16之间，退火的温度在1100-1150℃之间,该层用于阻断I/O到GND的电流通路。
步骤B中，N型外延层1的厚度在3-5um，电阻率在1-20ohm之间。
步骤C中，Pwell-1层的注入剂量在1E12到3E12之间，扩散透整个外延层1。
步骤D中，N埋层的注入剂量在1E16到3E16之间，退火的温度在1100-1150℃之间。
步骤E中外延层2厚度在5-8um，浓度较外延层1更淡，接近为本征外延，电阻率在200ohm以上。
步骤F中Pwell-2层形成后应与Pwell-1层相连,Pwell-1注入剂量在1E11到1E12之间。
步骤L中，深槽的深度为10-15μm，深宽比在15:1和15:2之间。
在步骤J中包括步骤：沉积一层1.5-2μm的SiO2膜作为深隔离槽的掩蔽层，在掩蔽层上进行光刻和SiO2腐蚀，刻蚀出窗口，该定位沟槽窗口作为步骤L中干法刻蚀深槽的参照位置。
本发明分别利用横向和纵向的PNPN结构实现了双向大骤回特性，而且分别串联一个降容二极管D1和D2，实现了降低电容的目的。而且表面只需要引出一个I/01，另外一个I/02从GND引出，封装简单且更容易实现，比表面多IO的打线方式封装成本更低。此特殊结构的设计实现使其具有超低的电容，超低残压，所以在保护高频数据接口(例如HTMI2.0、Type-C接口USB3.0)电路上的应用优势十分明显。
附图说明
图1所示为普通的NPN结构双向TVS的等效电路图。
图2所示为双向TVS在N型硅衬底/P-外延上掺杂一层N型杂质形成的NPN结构。
图3为本发明具有大骤回SCR特性超低电容的TVS器件的结构图。
图4为本发明具有大骤回SCR特性超低电容的TVS器件的等效电路图。
图5-图17为本发明具有大骤回SCR特性超低电容的TVS器件制备方法步骤A到步骤O的状态示意图；图中31为N型衬底，32为P埋层，33为N型外延层1,34为Pwell-1，35为N埋层，36为N型外延层2,37为Pwell-2,38为Nwell，39为N+,40为P+，41为深槽，42为SiO2填充，43为接触孔，44为金属。
具体实施方式
如图3所示，当器件正面I/O1加正电压，I/02加负电压时，由于P埋层的存在，阻断了电流向衬底的路径，电流只能经过P+/Pwell-2/N型外延层2/Nwell/N+形成的正向二极管D1，由于Pwell-2注入剂量较淡，况且N型外延层2的电阻率高达200ohm.cm，所以此二极管由很好的降容作用，然后电流通过金属连接经过P+/Pwell-2/N埋层/Pwell-1形成的纵向的PNPN的SCR结构，由于此结构具有大骤回IV特性，电压可以回扫到1-3v，所以具备了超低残压的性能。
反之当I/02加正电压时，I/01加负电压时，N型衬底与Pwell-1处于反偏状态，电流只能从N型衬底/N型外延层1/N型外延层2/N+/P+/Pwell-2/Nwell/N+流过，Pwell-2/Nwell形成降容二极管D2，然后通过金属连接到达P+/Nwell/N型外延层2/Pwell-2/P+,P+/Nwell/N型外延层2/Pwell-2/P+构成一个横向的SCR结构。
如以上描述，构成了一种具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件，图4为其等效电路图，从图中可以看出，每个PNPN结构都有一个降容二极管并联，实现了双向大骤回的功能，能抵抗数据线两端正负极的浪涌脉冲泄放。
图5-图17为本发明的具有大骤回SCR特性超低电容的TVS器件的制备方法步骤A到步骤O的状态示意图。
以上已将本发明做详细说明，但以上所述，仅为本发明的较好的实施例，不应当限定本发明实施的范围。凡是根据本发明申请范围所作的等效变化与修饰等，都应仍然属于本发明的专利涵盖范围内。
Claims (9)
1.一种具有双向大骤回SCR特性超低电容TVS的器件的制造方法，其特征在于，该器件包括：一个GND-IO路径上横向的PNPN结构和一个IO-GND路径上纵向的PNPN结构，二者通过深槽隔离，每个PNPN结构都有一个降容二极管并联；
包括下述制备步骤：
步骤A：在重掺杂N型硅衬底用光刻胶掩膜开出P型掺杂区域窗口，进行P型掺杂形成P埋层；
步骤B：生长一层轻掺杂N型外延层（1）；
步骤C：在轻掺杂N型外延层（1）上用光刻胶掩膜开出P型掺杂区域窗口，进行P型掺杂形成第一P阱（Pwell-1）层；
步骤D：在轻掺杂N型外延层（1）上用光刻胶掩膜开出N型掺杂区域窗口，进行N型掺杂形成N埋层；
步骤E：生长一层更轻掺杂N型外延层（2）；
步骤F：用光刻胶掩膜开出P型掺杂区域窗口，进行P型掺杂离子注入，形成P型掺杂形成第二P阱（Pwell-2）层；
步骤G：用光刻胶掩膜开出N型掺杂区域窗口，进行N型掺杂离子注入,形成N型掺杂形成N阱（Nwell）层；
步骤H：用光刻胶掩膜开出P型掺杂区域窗口，进行P型掺杂离子注入，形成P型掺杂形成P+层；
步骤I：用光刻胶掩膜开出N型掺杂区域窗口，进行N型掺杂离子注入，形成N型掺杂形成N+层；
步骤J：沉积一层1.5-2μm的SiO2膜作为刻深隔离槽的掩蔽层；
步骤K：在步骤J的掩蔽层上进行光刻和二氧化硅腐蚀，刻蚀出深隔离槽的窗口，该窗口作为步骤L中干法刻蚀深隔离槽的参照位置；
步骤L：在外延上干法刻蚀深隔离槽一直延伸到N型衬底；将左边的横向PNPN结构和右边的纵向PNPN结构隔离开来；
步骤M: 用二氧化硅膜填充步骤L中形成的深隔离槽；
步骤N：刻蚀孔；
步骤O：淀积金属。
2.根据权利要求1所述的具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件的制造方法，其特征在于：步骤A中，P埋层的注入剂量在1E16到3E16之间，退火的温度在1100-1150℃之间，该P埋层用于阻断I/O到GND的电流通路。
3.根据权利要求1所述的具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件的制造方法，其特征在于：步骤B中，N型外延层（1）的厚度在3-5μm，电阻率在1-20ohm之间。
4.根据权利要求1所述的具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件的制造方法，其特征在于：步骤C中，第一P阱（Pwell-1）层的注入剂量在1E12到3E12之间，扩散透整个外延层（1）。
5.根据权利要求1所述的具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件的制造方法，其特征在于：步骤D中，N埋层的注入剂量在1E16到3E16之间，退火的温度在1100-1150℃之间。
6.根据权利要求1所述的具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件的制造方法，其特征在于：步骤E中外延层（2）厚度在5-8μm，浓度较外延层（1）更淡，接近为本征外延，电阻率在200ohm以上。
7.根据权利要求1所述的具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件的制造方法，其特征在于：步骤F中第二P阱（Pwell-2）层形成后应与第一P阱（Pwell-1）层形成纵向相连，第一P阱（Pwell-1）注入剂量在1E11到1E12之间。
8.根据权利要求1所述的具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件的制造方法，其特征在于：步骤L中，深槽的深度为10-15μm，深宽比在15:1和15:2之间。
9.根据权利要求1所述的具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件的制造方法，其特征在于：在步骤J中包括步骤：沉积一层1.5-2μm的SiO2膜作为深隔离槽的掩蔽层，在掩蔽层上进行光刻和SiO2腐蚀，刻蚀出窗口，该定位沟槽窗口作为步骤L中干法刻蚀深槽的参照位置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711108418.4A CN108428699B (zh) | 2017-11-09 | 2017-11-09 | 一种具有双向大骤回scr特性超低电容的tvs器件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711108418.4A CN108428699B (zh) | 2017-11-09 | 2017-11-09 | 一种具有双向大骤回scr特性超低电容的tvs器件及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108428699A CN108428699A (zh) | 2018-08-21 |
| CN108428699B true CN108428699B (zh) | 2023-04-28 |
Family
ID=63155778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711108418.4A Active CN108428699B (zh) | 2017-11-09 | 2017-11-09 | 一种具有双向大骤回scr特性超低电容的tvs器件及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108428699B (zh) |
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