CN108426277A - 电陶炉温度控制电路及其控制方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种电陶炉温度控制电路及其控制方法，其控制电路设有微晶玻璃板限温保护功能，并且控制电路具有非平底锅加热模式，在非平底锅加热模式下，当温度传感器探测到温度超出设定温度值时，独立将位于中心的发热圈温度及功率往下调，确保微晶玻璃板低于其限定的使用温度。本发明在各环发热圈可单独控制的基础上，增设一种非平底锅加热模式，当温度传感器探测到温度超出设定温度值时，独立将位于中心的发热圈温度及功率往下调，这样会使微晶玻璃板上的各发热区之间温差变少，即独立控制方式起到温度补偿作用，非平底器皿的加热速度变快，加温速度变短，真正实现不挑锅具的效果。

Description

电陶炉温度控制电路及其控制方法
技术领域
本发明涉及一种电陶炉，特别是一种电陶炉温度控制电路及其控制方法。
背景技术
现时市场上售卖的家用电陶炉都是使用平衡式温度控制电路，产品在使用过程中炉面温度到达设定温度值时，平衡式温度控制电路会自动把发热体（发热体至少由两环发热圈构成，各环发热圈呈涟漪状分布在电陶炉的微晶玻璃板下方，发热体中心设有热电偶）的温度及功率进行调节，确保发热系统产生的温度保持在设定的数值范围内，保证微晶玻璃板的最高耐温安全要求。工作原理：当多环结构发热体中心的热电偶感应到发热体系统温度偏高或偏低时，平衡式温度控制电路会自动调节发热体的温度及功率，使发热系统的温度保持在设定的数值范围内。但用户在使用过程中，往往出现因烹调器皿底部凹凸不平（不平的原因主要有本身不是平底锅，或者，因为加工工艺不到位导致的底面不平），烹调器皿受热效果降低，因此，影响加热效果；同时，因发热体没有充分与烹调器皿进行热交换而导致微晶玻璃板温度快速上升，为了保护微晶玻璃板，各环发热圈进行全面降温及功率降低的控制操作，所以严重影响烹调效果。
但是，在电陶炉的推广过程中，则偏重于说明电陶炉其中一个重要特点就是可以使用任何材质制造的烹调器皿，包括：瓷制的、玻璃制的、铜铁铝制的都可以直接使用，也就是说不挑锅具，但烹调器皿的底部平整度有很高要求，否则会直接影响锅具的吸热能力，热传递效率，因为锅具的升温速度与发热系统有直接关系，它们之间是通过热传递、热辐射的方式传递给烹调器皿，当烹调器皿底部凹凸不平整的情况下，发热系统上的温度没办法高效传递给锅具，造成加温速度很慢，严重影响烹调效率。因此，虽说电陶炉是不挑锅具，其实对锅具要求很高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种结构简单、合理，加热效果好，实现不挑锅具的电陶炉温度控制电路及其控制方法，以克服现有技术的不足。
本发明的目的是这样实现的：
一种电陶炉温度控制电路，所述电陶炉包括微晶玻璃板、控制电路、温度传感器和发热体，温度传感器设置在发热体中心、并与控制电路电性连接；发热体至少由两环发热圈构成，各环发热圈呈涟漪状分布在微晶玻璃板下方，其特征在于：所述控制电路分别对应各环发热圈设有独立的调温控制输出端，各环发热圈分别与对应的调温控制输出端电性连接。
本发明的目的还可以采用以下技术措施解决：
作为更具体的方案，所述发热体由三环发热圈构成，三环发热圈分别为中心环发热圈、中环发热圈和外环发热圈，中心环发热圈、中环发热圈和外环发热圈依次从中心往外分布；所述温度传感器设置在中心环发热圈的中心。上述发热体的每一环发热圈工作温度的参数不同：中心环发热圈温度最高，然后到中环发热圈，温度最低是外环发热圈。
作为进一步的方案，所述温度传感器为热电偶。
一种电陶炉温度控制电路的控制方法，其特征在于：控制电路设有微晶玻璃板限温保护功能，并且控制电路具有非平底锅加热模式，在非平底锅加热模式下，当温度传感器探测到温度超出设定温度值时，独立将位于中心的发热圈温度及功率往下调，并确保微晶玻璃板低于其限定的使用温度。
在非平底锅加热模式下，除中心的发热圈外，其余发热圈温度及功率不变。
在非平底锅加热模式下，除中心的发热圈外，其余发热圈温度及功率微调。
其余发热圈温度及功率微调是指小于中心的发热圈温度及功率往下调的幅度。
其余发热圈温度及功率往上调。
控制电路还具有平底锅加热模式，在平底锅加热模式下，当温度传感器探测到温度超出设定温度值时，同时将各环发热圈温度及功率往下调，确保微晶玻璃板低于其限定的使用温度。
本发明的有益效果如下：
（1）本发明的各环发热圈有其各自对应的调温控制输出端，从而可以实现各环发热圈单独控制；
（2）本发明在各环发热圈可单独控制的基础上，增设一种非平底锅加热模式，当温度传感器探测到温度超出设定温度值时，独立将位于中心的发热圈温度及功率往下调，这样会使微晶玻璃板上的各发热区之间温差变少，即独立控制方式起到温度补偿作用，非平底器皿的加热速度变快，加温速度变短，真正实现不挑锅具的效果。
附图说明
图1为本发明一工作状态结构示意图。
图2为本发明另一工作状态结构示意图。
图3为本发明控制电路构成图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述。
参见图1和图3所示，一种电陶炉温度控制电路，所述电陶炉3包括微晶玻璃板2、控制电路4、温度传感器8和发热体，温度传感器8设置在发热体中心、并与控制电路4电性连接；发热体至少由两环发热圈构成，各环发热圈呈涟漪状分布在微晶玻璃板2下方，所述控制电路4分别对应各环发热圈设有独立的调温控制输出端，各环发热圈分别与对应的调温控制输出端电性连接。
所述发热体由三环发热圈构成，三环发热圈分别为中心环发热圈7、中环发热圈6和外环发热圈5，中心环发热圈7、中环发热圈6和外环发热圈5依次从中心往外分布；所述温度传感器8设置在中心环发热圈7的中心。所述调温控制输出端包括中心环控制端B、中环控制端C和外环控制端D，中心环控制端B、中环控制端C和外环控制端D分别与中心环发热圈7、中环发热圈6和外环发热圈5电性连接。
所述温度传感器8为热电偶。
所述控制电路4包括相互电性连接的电源板41和控制板44，电源板41上设有电源输入区45、系统控制区42、热电偶控制端A、所述中心环控制端B、所述中环控制端C、所述外环控制端D和风扇控制端E。热电偶控制端A与温度传感器8电性连接。所述控制板44设有功能操作区43。
一种电陶炉温度控制电路的控制方法，控制电路4设有微晶玻璃板2限温保护功能，并且控制电路4具有非平底锅加热模式，在非平底锅加热模式下，当温度传感器8探测到温度超出设定温度值时，独立将位于中心的发热圈温度及功率往下调，并确保微晶玻璃板2低于其限定的使用温度。
在非平底锅加热模式下，除中心的发热圈外，其余发热圈温度及功率不变或微调。
其余发热圈温度及功率微调中的“微”是指小于中心的发热圈温度及功率往下调的幅度。更进一步的是，其余发热圈温度及功率往上微调。
控制电路4还具有平底锅加热模式，在平底锅加热模式下，当温度传感器8探测到温度超出设定温度值时，同时将各环发热圈温度及功率往下调，确保微晶玻璃板2低于其限定的使用温度。
上述发热体的每一环发热圈工作温度的参数不同：中心环发热圈7温度最高，然后到中环发热圈6，温度最低是外环发热圈5。
结合图1和图2说明电陶炉的工作原理：当电陶炉3的微晶玻璃板2上放置非平底器皿1进行加热时，在控制板44的功能操作区43选择非平底锅加热模式，当温度传感器8探测到中心环发热圈7的温度超出设定温度值时，独立将中心环发热圈7的温度及功率往下调，以确保微晶玻璃板2低于其限定的使用温度，其余发热圈（中环发热圈6和外环发热圈5）温度及功率不变或微调，这样会使微晶玻璃板上的各发热区之间温差变少，非平底器皿1的加热速度变快，加温速度变短。
结合图3所示，当换成符合要求的平底器皿9进行加热时，在控制板44的功能操作区43选择平底锅加热模式（即与现有技术的控制模式一致），当温度传感器8探测到中心环发热圈7的温度超出设定温度值时，同时将各环发热圈温度及功率往下调，确保微晶玻璃板2低于其限定的使用温度。
将上述电陶炉进行加热测试，电陶炉的总功率为2200W，加热的平底器皿9底部直径尺寸为200mm，加入2公升水，在平底锅加热模式下10-11分钟水沸腾。
当加热器皿换成非平底器皿1，非平底器皿1底部直径尺寸为200mm，加入2公升水，在非平底锅加热模式下13-14分钟水沸腾。但是，当加热器皿换成非平底器皿1，非平底器皿1底部直径尺寸为200mm，加入2公升水，在平底锅加热模式下，加热30分钟后水仍然没有沸腾。

Claims (9)

1.一种电陶炉温度控制电路，所述电陶炉包括微晶玻璃板、控制电路、温度传感器和发热体，温度传感器设置在发热体中心、并与控制电路电性连接；发热体至少由两环发热圈构成，各环发热圈呈涟漪状分布在微晶玻璃板下方，其特征在于：所述控制电路分别对应各环发热圈设有独立的调温控制输出端，各环发热圈分别与对应的调温控制输出端电性连接。
2.根据权利要求1所述电陶炉温度控制电路，其特征在于：所述发热体由三环发热圈构成，三环发热圈分别为中心环发热圈、中环发热圈和外环发热圈，中心环发热圈、中环发热圈和外环发热圈依次从中心往外分布；所述温度传感器设置在中心环发热圈的中心。
3.根据权利要求1所述电陶炉温度控制电路，其特征在于：所述温度传感器为热电偶。
4.一种根据权利要求1所述电陶炉温度控制电路的控制方法，其特征在于：控制电路设有微晶玻璃板限温保护功能，并且控制电路具有非平底锅加热模式，在非平底锅加热模式下，当温度传感器探测到温度超出设定温度值时，独立将位于中心的发热圈温度及功率往下调，并确保微晶玻璃板低于其限定的使用温度。
5.根据权利要求4所述电陶炉温度控制电路的控制方法，其特征在于：在非平底锅加热模式下，除中心的发热圈外，其余发热圈温度及功率不变。
6.根据权利要求4所述电陶炉温度控制电路的控制方法，其特征在于：在非平底锅加热模式下，除中心的发热圈外，其余发热圈温度及功率微调。
7.根据权利要求6所述电陶炉温度控制电路的控制方法，其特征在于：其余发热圈温度及功率微调是指小于中心的发热圈温度及功率往下调的幅度。
8.根据权利要求6所述电陶炉温度控制电路的控制方法，其特征在于：其余发热圈温度及功率往上调。
9.根据权利要求4所述电陶炉温度控制电路的控制方法，其特征在于：控制电路还具有平底锅加热模式，在平底锅加热模式下，当温度传感器探测到温度超出设定温度值时，同时将各环发热圈温度及功率往下调，确保微晶玻璃板低于其限定的使用温度。
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