CN203088774U - 一种采用厚膜加热的食品加工机 - Google Patents

Abstract

本实用新型针对现有食品加工机的加热方式存在加热接触面小、加热速度慢、热效率低、热惯性大、容易糊底的问题，提供一种采用厚膜加热的食品加工机。该食品加工机，在加热容器或者套设在加热容器下部侧壁表面设有通过丝网印刷的厚膜介电层，厚膜介电层上设有厚膜电阻层，厚膜电阻层具有至少一对连接电源的接入端，所述厚膜电阻层上设有绝缘层。本实用新型使得加热容器的加热接触面更大，加热更均匀，加热速度和热效率都有显著提高，避免了糊底等问题的出现，同时，加热容器外壁更加美观，占用空间更小，对食品加工机整体结构有显著的优化。

Description

一种采用厚膜加热的食品加工机

技术领域

本实用新型涉及食品加工技术领域，具体地说，涉及一种采用厚膜加热的食品加工机。 

背景技术

目前市场上的食品加工机，例如豆浆机、食品料理机等的加热方式主要有在机头（豆浆机）安装管状发热体、在杯底安装盘状包括电热管或者陶瓷加热器等发热体、在加热容器下部外围焊接发热管或者设置电磁感应线圈等等。这些加热技术的加热接触面小、加热速度慢、热效率低、热惯性大的缺陷很明显。上述加热方式在的加热过程中普遍存在糊管、糊底等问题。糊管后容易烧焦，清洗困难。

为了解决上述问题，出现了采用厚膜进行加热的食品加工机。厚膜俗称电热膜、发热膜、加热膜，其特点是热效率高、加热速度快、热惯性小。由于热惯性小，不存在刚开始加热时的预热阶段和断电后继续煮水的阶段，可以对食品加工工艺的温度控制进行精确控温。

但是现有采用厚膜加热的食品加工机，都是在食品加工机加热容器底部设置厚膜，尽管厚膜的热惯性小，但同样存在容易糊底的问题。

实用新型内容

本实用新型针对现有食品加工机的加热方式存在加热接触面小、加热速度慢、热效率低、热惯性大、容易糊底的问题，提供一种采用厚膜加热的食品加工机。

本实用新型所需要解决的技术问题，可以通过以下技术方案来实现：

一种采用厚膜加热的食品加工机，包括加热容器，其特征在于：加热容器下部侧壁表面设有厚膜介电层，厚膜介电层上设有厚膜电阻层，厚膜电阻层具有至少一对连接电源的接入端，所述厚膜电阻层上设有绝缘层，所述加热容器的热膨胀系数不大于厚膜介电层、厚膜电阻层和绝缘层的热膨胀系数。

本实用新型中，所述厚膜电阻层在厚膜介电层上形成电阻轨迹，所述电阻轨迹具有至少一对连接电源的接入端，电阻轨迹上串联有突跳式温控器。

本实用新型中，所述厚膜电阻层在厚膜介电层上形成电阻轨迹，所述电阻轨迹具有至少一对连接电源的接入端，所述电阻轨迹包括正常工作区和干烧敏感区，干烧敏感区内厚膜电阻轨迹宽度小于正常工作区内厚膜电阻轨迹宽度，突跳式温控器串联在干烧敏感区内。

本实用新型中，所述厚膜电阻层在厚膜介电层上形成电阻轨迹，所述电阻轨迹具有至少一对连接电源的接入端，所述接入端中至少其中一端与电源之间串接有突跳式温控器或者熔断体。

一种采用厚膜加热的食品加工机，包括加热容器，其特征在于：所述加热容器下部侧壁套设有导热基体，所述基体表面设有厚膜介电层，厚膜介电层上设有厚膜电阻层，厚膜电阻层具有至少一对连接电源的接入端，所述厚膜电阻层上设有绝缘层，所述导热基体的热膨胀系数不大于厚膜介电层、厚膜电阻层和绝缘层的热膨胀系数。

本实用新型中，所述导热基体设有沿其整个长度方向纵向槽，以便于将导热基体套设在加热容器下部侧壁；所述套热基体的内径小于加热容器的外径，以使得导热基体紧密的套设在加热容器下部侧壁。

本实用新型中，所述厚膜电阻层在厚膜介电层上形成电阻轨迹，所述电阻轨迹具有至少一对连接电源的接入端，电阻轨迹上串联有突跳式温控器。

本实用新型中，所述厚膜电阻层在厚膜介电层上形成电阻轨迹，所述电阻轨迹具有至少一对连接电源的接入端，所述电阻轨迹包括正常工作区和干烧敏感区，干烧敏感区内厚膜电阻轨迹宽度小于正常工作区内厚膜电阻轨迹宽度，突跳式温控器串联在干烧敏感区内。

本实用新型中，所述厚膜电阻层在厚膜介电层上形成电阻轨迹，所述电阻轨迹具有至少一对连接电源的接入端，所述接入端中至少其中一端与电源之间串接有突跳式温控器或者熔断体。

本实用新型通过在食品加工机加热容器下部侧壁直接或者间接设置厚膜，使得加热容器的加热接触面更大，加热更均匀，加热速度和热效率都有显著提高，避免了糊底等问题的出现，同时，加热容器外壁更加美观，占用空间更小，对食品加工机整体结构有显著的优化。

附图说明

以下结合附图和具体实施方式来进一步说明本实用新型。

图1为本实用新型食品加工机加热容器第一种实施方式的结构示意图。

图2为本实用新型厚膜介电层、厚膜电阻层、绝缘层以及加热容器的径向剖视图。

图3为本实用新型食品加工机加热容器第二种实施方式的结构示意图。

图4为本实用新型食品加工机加热容器第三种实施方式的结构示意图。

图5为本实用新型第三种实施方式导热基体和加热容器的径向剖视图。

图6为本实用新型第三种实施方式导热基体、厚膜介电层、厚膜电阻层、绝缘层以及加热容器的径向剖视图。

图7为本实用新型食品加工机加热容器第四种实施方式的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。

本实用新型的主旨在于，通过对现有食品加工机加热方式的分析，发现现有食品加工机存在加热接触面小、加热速度慢、热效率低、热惯性大、容易糊底的缺陷，通过本实用新型提供一种采用厚膜加热的食品加工机。

参见图1和图2，本实用新型的食品加工机为了解决现有食品加工机加热方式存在的缺陷，首先，在食品加工机的加热容器1下部侧壁表面通过丝网印刷的方式设置厚膜介电层2，丝网印刷的好处在于可以快速地将厚膜介电层2设置在加热容器下部侧壁表面，适合大规模的工业化生产。厚膜介电层2起到电绝缘的作用，在需要较高绝缘保护需求的场合，可以通过设置多层厚膜介电层2的方式来实现。

厚膜介电层2上设有厚膜电阻层3，厚膜电阻层3同样可以通过丝网印刷的方式设置在厚膜介电层2上，也可以通过直接写入的方式设置在厚膜介电层2上。前者同样是主要适用于大规模的工业化生产，后者在小规模生产时是较优的选择。

厚膜电阻层3接入电源后即可产生热量，进而实现对加热容器1内物料进行加工，厚膜电阻层3在厚膜介电层2如何排布可以是任意的，但无论采用什么样的排布方式，厚膜电阻层3应该具有至少一对接入电源的接入端，这样厚膜电阻层3通过在两接入端之间的形成电流回路，通过自身发热实现对加热容器1内物料的加热。

当然，较好的方式是，厚膜电阻层3在厚膜介电层2上形成电阻轨迹，图1示意了沿着加热容器1周向环形设置层一条电阻轨迹的方式，电阻轨迹具有一对接入端31，在本实施方式中，在接入端31处设置了电极32，通过电极32与电源（未示意）实现连接，当然可以在电源一端的连线上设置电极或者其他方式实现与接入端31的连接。形成电阻轨迹可以使得电流沿着电阻轨迹流动，电阻轨迹等宽且均匀设置可以使得厚膜电阻层3的发热更均匀，对加热容器1内物料加热更均匀。这里，电源可以是市电接入食品加工机后进行转换后直接接入的电源，也可以是市电接入食品加工机后通过其他电路或者期间间接进行供电的电源，无论采用什么样的方式，只要能实现对厚膜电阻层3的供电需求即可。

除了图1所示实施方式外，本实用新型也可以采用图3所示的实施方式对厚膜电阻层3进行设置，厚膜电阻层3沿着加热容器1长度方向往复进行设置。

可以理解的是，电阻轨迹同样可以是多条的，多条电阻轨迹可以串联、并联或者其他任何方式形成回路（如果交叉可以进行绝缘处理），根据回路的数量和设置方式，在每一条电阻轨迹上设置相应成对的接入端，实现与电源连接。由于电阻轨迹的设置方式很多，此处不可能一一进行描述，但是任意形式的电阻轨迹都应在本实用新型请求保护的范围内。

再参见图1，为了避免加热容器1水位过低时而造成干烧，本实施方式在加热容器1侧壁表面顶部的电阻轨迹处串联有突跳式温控器61，这样设置的目的在于，当加热容器1内的水位低于突跳式温控器61时，突跳式温控器61处厚膜电阻轨迹温度迅速升高，突跳式温控器61突跳可以起到避免干烧的作用，当然，突跳式温控器61也可以串联在其他位置。在安装突跳式温控器61时，较好的是在加热容器1侧壁设置一安装面62，安装面62上设置相应的安装结构，以便于将突跳式温控器61安装在安装面62上。

除此之外，还可以将厚膜电阻轨迹分为正常工作区和干烧敏感区，干烧敏感区内厚膜电阻轨迹宽度小于正常工作区内厚膜电阻轨迹宽度，突跳式温控器安装在干烧敏感区内。本实施方式中，干烧敏感区可以设置在电阻轨迹的任何位置，较好的是干烧敏感区位于在加热容器1下部侧壁的下端，本实施方式在此处设置了一突跳式温控器63，其安装方式与突跳式温控器61是相同的。可以理解的是，根据实际的需要，突跳式温控器61和63可以同时设置，也可以分别单独设置。

为了对厚膜电阻层3过热进行保护或者实现温度控制，也可以在一对接入端中，至少其中一端与电源之间串接有熔断体或者突跳式温控器。例如，只在一对接入端中的其中一端与电源之间串接一个熔断体或者突跳式温控器；在一对接入端中的两端与电源之间均串接一个熔断体或者突跳式温控器；在一对接入端中的其中一端与电源之间串接熔断体，在另一端与电源之间串接突跳式温控器；当然，还可以是在一对接入端中的其中一端与电源之间串接熔断体，通过表贴在其他温控器实现对温度的控制。对于上述的熔断体和温控器，可以采用表贴或者设置辅助固定部件的方式设置在加热容器上。

在完成厚膜电阻层3的设置后，需要对厚膜电阻层3进行绝缘处理，因此厚膜电阻层3上还设有绝缘层4，绝缘层至少应当完全覆盖厚膜电阻层3，绝缘层4同样可以采用丝网印刷或者其他方式设置在厚膜电阻层3上，绝缘层4一方面起到绝缘防止厚膜电阻层3短路的作用，另一方面对厚膜电阻层3起到保护作用，避免磨损的出现。

在加热过程中，加热容器1受热后会产生膨胀，为了避免加热容器1的膨胀使得厚膜介电层2、厚膜电阻层3以及绝缘层4过度拉伸而可能产生损坏，加热容器1的热膨胀系数最好不大于厚膜介电层2、厚膜电阻层3和绝缘层4的热膨胀系数，更优选的是加热容器1的热膨胀系数基本等于或者略小于厚膜介电层2、厚膜电阻层3和绝缘层4的热膨胀系数。上述目的可以通过对加热容器1、厚膜介电层2、厚膜电阻层3和绝缘层4适当的选材来实现，此处不再累述。

参见图4至图6，在本实施方式中，在加热容器1下部侧壁套设有导热基体5，厚膜介电层2通过丝网印刷的方式设置在导热基体5表面，然后在按照前述实施方式相同的方式在厚膜介电层2上设置厚膜电阻层3，以及进一步设置绝缘层4。这样通过对导热基体5进行加热后，对加热容器1进行间接加热，一方面可以促进加热的均匀性，另一方面相关的加热部件和导热基体5成为一个整体部件，无需与加热容器1制造为一体，从制造到安装到拆卸都比较便利，有利于提高生产效率。对于导热基体5则可以采用金属、合金以及各种导热性能好的复合材料，例如不锈钢、铝等，此处也不再进行累述。

为了便于导热基体5在加热容器1上进行安装和拆卸，本实施方式中示意了一种较优的实施方式，在导热基体5上设置了沿其整个长度方向的纵向槽51，从径向截面来看，整体上呈C形，加之导热基体5通常具有一定的弹性，导热基体5进行微小的形变后，将更加容易地套设在加热容器1下部侧壁；套热基体5的内径可以小于加热容器1的外径，这样使得导热基体5与加热容器1下部侧壁的接触更加紧密，有利于提高导热基体5和加热容器1之间的热传导。

在加热过程中，导热基体5受热后会产生膨胀，为了避免导热基体5的膨胀使得厚膜介电层2、厚膜电阻层3以及绝缘层4过度拉伸而可能产生损坏，本实施方式中导热基体5的热膨胀系数最好不大于厚膜介电层2、厚膜电阻层3和绝缘层4的热膨胀系数，更优选的是导热基体5的热膨胀系数基本等于或者略小于厚膜介电层2、厚膜电阻层3和绝缘层4的热膨胀系数。上述目的可以通过对导热基体5、厚膜介电层2、厚膜电阻层3和绝缘层4适当的选材来实现。

由于本实施方式与前所实施方式的区别主要在于，厚膜介电层2通过丝网印刷的方式设置在导热基体5表面，厚膜电阻层3如何设置在厚膜介电层2上，厚膜电阻层3形成电阻轨迹的方式，厚膜电阻层3设置接入端31的方式，绝缘层4的设置在厚膜电阻层3上的方式等等与前述的实施方式是相同的，此处也不再累述。

当需要设置突跳式温控器时（本实施方式未示意），本实施方式则是在导热基体5表面的电阻轨迹上串联突跳式温控器；将厚膜电阻轨迹分为正常工作区和干烧敏感区后，本实施方式中，干烧敏感区则较好的是位于在导热基体5的下端，并相应地设置突跳式温控器。

参见图7，本实施方式中，加热容器1与前述实施方式不同之处在于，加热容器1并非由完全竖直的侧壁和底壁构成，加热容器1的底壁与竖直侧壁之间采用锥形（也可以是弧形）的侧壁进行过渡。当不设置导热基体时，厚膜介电层、厚膜电阻层、绝缘层同样可以设置在锥形（弧形）的侧壁上，设置方式同前所的实施方式。

本实施方式中，在加热容器1竖直侧壁和和锥形侧壁外套设了导热基体5，导热基体5被分为了导热基体上部51和导热基体下部52，除了在导热基体上部51上设置厚膜介电层、厚膜电阻层、绝缘层（未示意）外，同样可以在导热基体下部52上进行设置。当然也可以只在导热基体上部51设置厚膜介电层、厚膜电阻层、绝缘层，其他部分只采用导热基体进行包裹，导热基体下部52只起到促进加热均匀的目的，可以理解的是，导热基体的下部52可以直接连同导热容器1底壁一起进行包裹。

对于本实施方式的导热基体5同样可以设置了沿其整个长度方向的纵向槽，以便于导热基体5的安装和拆卸，前所实施方式中对其基本原理已经进行了详细的描述，此处不再累述。

由于本实用新型主要涉及的是食品加工机的加热部分，因此对食品加工机其他部件并未进行过多的描述，本领域技术人员对其他部件的结构是熟知的，再结合本实用新型加热部分的描述，本实用新型已经对请求保护的食品加工机进行了充分公开。

另外，本实用新型的食品加工机可以是任何设有加热容器结构且需要对加热容器内物料进行加热的食品加工机，例如豆浆机、料理机、咖啡机、饭煲等，对于豆浆机可以是电机上置的豆浆机，也可以电机下置的豆浆机，或者其他任意形式的豆浆机。

对于加热容器，针对不同的食品加工机可以呈杯体状、桶体状或者其他其他形状，加热容器本身为单层结构时，加热组件是直接设置在加热容器下部的侧壁上的；加热容器为双层或者多层结构时，加热组件则是设置在加热容器最内层的下部侧壁上的。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。

Claims (10)

1.一种采用厚膜加热的食品加工机，包括加热容器，其特征在于：加热容器下部侧壁表面设有厚膜介电层，厚膜介电层上设有厚膜电阻层，厚膜电阻层具有至少一对连接电源的接入端，所述厚膜电阻层上设有绝缘层，所述加热容器的热膨胀系数不大于厚膜介电层、厚膜电阻层和绝缘层的热膨胀系数。

2.根据权利要求1所述的一种采用厚膜加热的食品加工机，其特征在于：所述厚膜电阻层在厚膜介电层上形成电阻轨迹，所述电阻轨迹具有至少一对连接电源的接入端，电阻轨迹上串联有突跳式温控器。

3.根据权利要求1所述的一种采用厚膜加热的食品加工机，其特征在于：所述厚膜电阻层在厚膜介电层上形成电阻轨迹，所述电阻轨迹具有至少一对连接电源的接入端，所述电阻轨迹包括正常工作区和干烧敏感区，干烧敏感区内厚膜电阻轨迹宽度小于正常工作区内厚膜电阻轨迹宽度，突跳式温控器串联在干烧敏感区内。

4.根据权利要求1所述的一种采用厚膜加热的食品加工机，其特征在于：所述厚膜电阻层在厚膜介电层上形成电阻轨迹，所述电阻轨迹具有至少一对连接电源的接入端，所述接入端中至少其中一端与电源之间串接有突跳式温控器或者熔断体。

5.一种采用厚膜加热的食品加工机，包括加热容器，其特征在于：所述加热容器下部侧壁套设有导热基体，所述基体表面设有厚膜介电层，厚膜介电层上设有厚膜电阻层，厚膜电阻层具有至少一对连接电源的接入端，所述厚膜电阻层上设有绝缘层，所述导热基体的热膨胀系数不大于厚膜介电层、厚膜电阻层和绝缘层的热膨胀系数。

6.根据权利要求5所述的一种采用厚膜加热的食品加工机，其特征在于：所述导热基体设有沿其整个长度方向纵向槽。

7.根据权利要求6所述的一种采用厚膜加热的食品加工机，其特征在于：所述套热基体的内径小于加热容器的外径。

8.根据权利要求5所述的一种采用厚膜加热的食品加工机，其特征在于：所述厚膜电阻层在厚膜介电层上形成电阻轨迹，所述电阻轨迹具有至少一对连接电源的接入端，电阻轨迹上串联有突跳式温控器。

9.根据权利要求5所述的一种采用厚膜加热的食品加工机，其特征在于：所述厚膜电阻层在厚膜介电层上形成电阻轨迹，所述电阻轨迹具有至少一对连接电源的接入端，所述电阻轨迹包括正常工作区和干烧敏感区，干烧敏感区内厚膜电阻轨迹宽度小于正常工作区内厚膜电阻轨迹宽度，突跳式温控器串联在干烧敏感区内。

10.根据权利要求5所述的一种采用厚膜加热的食品加工机，其特征在于：所述厚膜电阻层在厚膜介电层上形成电阻轨迹，所述电阻轨迹具有至少一对连接电源的接入端，所述接入端中至少其中一端与电源之间串接有突跳式温控器或者熔断体。

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