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一种具有优异循环稳定性的Si1-xMx复合薄膜负极的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种具有优异循环稳定性的Si1‑xMx复合薄膜负极的制备方法。该制备方法选用Si1‑xMx合金靶材作为靶材原料，并结合磁控溅射工艺和热处理工艺，制备得到具有优异循环稳定性的Si1‑xMx复合薄膜负极。本发明方法选用Si1‑xMx合金靶材作为靶材原料制备循环稳定性优异的Si1‑xMx复合薄膜负极，薄膜中Si与M的原子比与Si1‑xMx合金靶材的原子比非常接近，即能够通过靶材获得所需要的成分配比，而且薄膜中合金元素分布均匀；同时，热处理能有效缓解薄膜中的应力应变，且热处理的温度较低，耗能小，整体工艺简单，制备过程参数稳定，对设备要求较低，可重复性好。

Description

一种具有优异循环稳定性的Si1-xMx复合薄膜负极的制备方法
技术领域
本发明涉及Si-M复合薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种具有优异循环稳定性的Si1-xMx复合薄膜负极的制备方法。
背景技术
锂离子电池技术在可移动电子设备、电动汽车和能源储存等方面得到越来越多的应用。传统石墨(372mAh/g)电极由于比容量偏低，越来越难以满足对高性能锂离子电池的能量密度要求。Si由于具有最大质量比容量(4200mAh/g)、在地壳中含量高、绿色环保等特点，因而被认为是最有潜力的新一代负极材料。但由于Si在充放电过程中具有不良的导电性和极大的体积变化，使其在循环过程中易出现巨大的应力应变而使电极材料发生开裂和粉化。因而纯Si材料的循环稳定性很差，这严重阻碍了其作为锂离子电池负极材料的实际应用。
磁控溅射制备的Si薄膜材料具有锂离子扩散路径短、薄膜厚度均匀、结合力强的特点，能有效缓解在循环过程中的体积膨胀效应，具有比Si颗粒更高的比容量和更稳定的循环寿命。Si-M(M为Ti、Y、V等非活性金属)复合薄膜与纯Si薄膜相比，能一定程度提高薄膜的界面结合力，合金元素能有效提高薄膜导电性，并且起到抑制薄膜在充放电过程中的体积膨胀的作用。目前关于Si-M复合薄膜电极的相关研究报道主要集中在多层膜结构和多靶位共溅射的制备方法、电化学性能和相关机理的研究，而关于Si1-xMx(M为Ti、Mo或Cu)合金靶材制备复合薄膜及其热处理的研究则鲜有报道。采用Si靶和M靶多靶位制备的多层膜结构需要频繁转换靶位，而要多靶位共溅射则对磁控溅射设备要求更高，导致溅射工艺的成本较高，而且共溅射工艺参数需要不断摸索且程序复杂，Si与M的原子比很难精确调控为所需的比例。
在已有的文献中，Si-M复合薄膜电极的厚度大多集中在几百个纳米，循环几十次就出现容量的急剧衰减。这种承载量很小而且循环稳定性较差的薄膜，很难满足实际应用的要求。采用Si1-xMx合金靶材制备的复合薄膜中Si与M的原子比和靶材相同，对磁控设备要求较低，能精确获得所需要的成分配比，薄膜合金成分非常均匀，在此基础上进行的相应热处理温度较低，热处理可以缓解薄膜中的应力应变，这种方法是一种获得长循环性能Si基薄膜负极的有效手段。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供了一种具有优异循环稳定性的Si1- xMx复合薄膜负极的制备方法。该制备方法选用Si1-xMx合金靶材作为靶材原料，并结合磁控溅射工艺和热处理工艺，制备得到具有优异循环稳定性的Si1-xMx复合薄膜负极。
本发明的目的通过如下技术方案实现。
一种具有优异循环稳定性的Si1-xMx复合薄膜负极的制备方法，包括如下步骤：
(1)采用磁控溅射镀膜机，将Cu箔作为集流体粘贴在基板上，再将Si1-xMx合金靶材安装在靶位上，然后抽真空、通入高纯Ar，开始进行磁控溅射；
(2)溅射结束后，将镀在Cu箔的Si1-xMx复合薄膜取下，置于真空干燥箱中进行热处理；热处理结束后，冷至室温，得到所述具有优异循环稳定性的Sil-xMx复合薄膜负极。
优选的，步骤(1)中，所述Si1-xMx合金靶材中，M为非活性金属，包括Ti、Mo或Cu；x为M的原子占比，x＝0.10～0.30。
优选的，步骤(1)中，所述Cu箔与Si1-xMx合金靶材的距离为10～12cm。
优选的，步骤(1)中，所述抽真空是抽真空至8×10-4Pa～2×10-4Pa。
优选的，步骤(1)中，所述通入高纯Ar是通入高纯Ar至气压为0.5Pa～0.8Pa。
优选的，步骤(1)中，所述磁控溅射的射频电源的功率为100～150W，溅射的时间为30～50min。
优选的，步骤(2)中，所述热处理的温度为120～200℃，时间为6～48h。
与现有技术相比，本发明具有如下优点和有益效果：
(1)本发明方法选用Si1-xMx合金靶材作为靶材原料制备循环稳定性优异的Si1-xMx复合薄膜负极，薄膜中Si与M的原子比与Si1-xMx合金靶材的原子比非常接近，即能够通过靶材获得所需要的成分配比，而且薄膜中合金元素分布均匀；
(2)本发明方法利用磁控溅射和热处理相结合的方法制备得到循环稳定性优异的Si1-xMx复合薄膜负极，热处理能有效缓解薄膜中的应力应变，且热处理的温度较低，耗能小；
(3)本发明方法的整体工艺简单，制备过程参数稳定，对设备要求较低，可重复性好。
附图说明
图1为实施例2中热处理后的Si0.8Ti0.2复合薄膜的XRD图；
图2为实施例2中热处理后的Si0.8Ti0.2复合薄膜的横截面的SEM图；
图3a和图3b分别为实施例2中热处理后的Si0.8Ti0.2复合薄膜的Ti元素和Si元素的面扫描能谱(EDS)图；
图4为实施例2中热处理后的Si0.8Ti0.2复合薄膜装配半电池的循环曲线图。
具体实施方式
以下结合具体实施例及附图对本发明的技术方案作进一步详细的描述，但本发明的保护范围及实施方式不限于此。
具体实施例中，采用的Si1-xMx合金靶材的直径为60mm，厚度为4.5mm。
具体实施例中，采用X射线衍射(XRD)对薄膜进行物相结构分析；采用扫描电子显微镜观察薄膜的厚度；采用能谱分析薄膜表面的化学成分；将装配半电池并进行Si1-xMx复合薄膜负极的性能测试。
实施例1
具有优异循环稳定性的Si0.8Ti0.2复合薄膜负极的制备，采用的靶材为Si0.8Ti0.2合金靶材，具体步骤如下：
(1)采用磁控溅射镀膜机，将Cu箔(60cm×60cm)作为集流体用高温胶粘贴在基板上，再将Si0.8Ti0.2合金靶材安装在靶位上，Cu箔与Si0.8Ti0.2合金靶材的距离为10cm；
(2)然后启动磁控溅射镀膜机抽真空至5×10-4Pa，再通入高纯Ar至压强为0.5Pa，并进行预溅射5分钟；预溅射结束后，旋转基板正对着靶材，开始进行磁控溅射，射频电源的功率为150W，溅射的时间为30min；
(3)溅射结束后，将镀在Cu箔的Si0.8Ti0.2复合薄膜取下，置于真空干燥箱中进行热处理，热处理温度为200℃，热处理保温时间为24h；热处理结束后，随炉冷却至室温，得到具有优异循环稳定性的Si0.8Ti0.2复合薄膜负极。
实施例2
具有优异循环稳定性的Si0.8Ti0.2复合薄膜负极的制备，采用的靶材为Si0.8Ti0.2合金靶材，具体步骤如下：
(1)采用磁控溅射镀膜机，将Cu箔(60cm×60cm)作为集流体用高温胶粘贴在基板上，并采用Si片遮盖部分Cu箔，再将Si0.8Ti0.2合金靶材安装在靶位上，Cu箔与Si0.8Ti0.2合金靶材的距离为10cm；
(2)然后启动磁控溅射镀膜机抽真空至4×10-4Pa，再通入高纯Ar至压强为0.6Pa，并进行预溅射5分钟；预溅射结束后，旋转基板正对着靶材，开始进行磁控溅射，射频电源的功率为120W，溅射的时间为40min；
(3)溅射结束后，在Cu箔和Si片上沉积有相同厚度的Si0.8Ti0.2复合薄膜，将镀在Cu箔和Si片上的Si0.8Ti0.2复合薄膜取下，置于真空干燥箱中进行热处理，热处理温度为180℃，热处理保温时间为12h；热处理结束后，随炉冷却至室温，得到具有优异循环稳定性的Si0.8Ti0.2复合薄膜负极。
热处理后的Si0.8Ti0.2复合薄膜与靶材的元素比较结果如表1所示。
表1热处理后的Si0.8Ti0.2复合薄膜与靶材的元素比较结果
由表1可知，薄膜中Si与Ti的原子比与Si0.8Ti0.2合金靶材的原子比非常接近，都约为0.8∶0.2。
热处理后的Si0.8Ti0.2复合薄膜的XRD图如图1所示，由图1可知，热处理后的Si0.8Ti0.2复合薄膜以非晶结构为主。
热处理后的Si0.8Ti0.2复合薄膜的横截面的SEM图如图2所示，由图2可知，热处理后的Si0.8Ti0.2复合薄膜的厚度约为1μm，且厚度均匀一致。
热处理后的Si0.8Ti0.2复合薄膜的EDS图如图3a(Ti元素)和图3b(Si元素)所示，由图3a和图3b可知，薄膜中的Si与Ti的成分分布均匀。
热处理后的Si0.8Ti0.2复合薄膜装配半电池的循环曲线图如图4所示，由图4可知，热处理后的Si0.8Ti0.2复合薄膜装配的半电池在0.4mA/cm2的电流密度下，可逆比容量高达300μAh/cm2，且在400次循环后没有明显容量衰减，循环稳定性能优异。
实施例3
具有优异循环稳定性的Si0.87Mo0.13复合薄膜负极的制备，采用的靶材为Si0.87Mo0.13合金靶材，具体步骤如下：
(1)采用磁控溅射镀膜机，将Cu箔(60cm×60cm)作为集流体用高温胶粘贴在基板上，再将Si0.87Mo0.13合金靶材安装在靶位上，Cu箔与Si0.87Mo0.13合金靶材的距离为11cm；
(2)然后启动磁控溅射镀膜机抽真空至2×10-4Pa，再通入高纯Ar至压强为0.8Pa，并进行预溅射5分钟；预溅射结束后，旋转基板正对着靶材，开始进行磁控溅射，射频电源的功率为120W，溅射的时间为40min；
(3)溅射结束后，将镀在Cu箔的Si0.87Mo0.13复合薄膜取下，置于真空干燥箱中进行热处理，热处理温度为150℃，热处理保温时间为32h；热处理结束后，随炉冷却至室温，得到具有优异循环稳定性的Si0.87Mo0.13复合薄膜负极。
实施例4
具有优异循环稳定性的Si0.90Mo0.10复合薄膜负极的制备，采用的靶材为Si0.90Mo0.10合金靶材，具体步骤如下：
(1)采用磁控溅射镀膜机，将Cu箔(60cm×60cm)作为集流体用高温胶粘贴在基板上，再将Si0.90Mo0.10合金靶材安装在靶位上，Cu箔与Si0.90Mo0.10合金靶材的距离为11cm；
(2)然后启动磁控溅射镀膜机抽真空至4×10-4Pa，再通入高纯Ar至压强为0.6Pa，并进行预溅射5分钟；预溅射结束后，旋转基板正对着靶材，开始进行磁控溅射，射频电源的功率为130W，溅射的时间为40min；
(3)溅射结束后，将镀在Cu箔的Si0.90Mo0.10复合薄膜取下，置于真空干燥箱中进行热处理，热处理温度为120℃，热处理保温时间为48h；热处理结束后，随炉冷却至室温，得到具有优异循环稳定性的Si0.90Mo0.10复合薄膜负极。
实施例5
具有优异循环稳定性的Si0.83Cu0.17复合薄膜负极的制备，采用的靶材为Si0.83Cu0.17合金靶材，具体步骤如下：
(1)采用磁控溅射镀膜机，将Cu箔(60cm×60cm)作为集流体用高温胶粘贴在基板上，再将Si0.83Cu0.17合金靶材安装在靶位上，Cu箔与Si0.83Cu0.17合金靶材的距离为12cm；
(2)然后启动磁控溅射镀膜机抽真空至8×10-4Pa，再通入高纯Ar至压强为0.5Pa，并进行预溅射5分钟；预溅射结束后，旋转基板正对着靶材，开始进行磁控溅射，射频电源的功率为100W，溅射的时间为50min；
(3)溅射结束后，将镀在Cu箔的Si0.83Cu0.17复合薄膜取下，置于真空干燥箱中进行热处理，热处理温度为160℃，热处理保温时间为16h；热处理结束后，随炉冷却至室温，得到具有优异循环稳定性的Si0.83Cu0.17复合薄膜负极。
实施例6
具有优异循环稳定性的Si0.70Cu0.30复合薄膜负极的制备，采用的靶材为Si0.70Cu0.30合金靶材，具体步骤如下：
(1)采用磁控溅射镀膜机，将Cu箔(60cm×60cm)作为集流体用高温胶粘贴在基板上，再将Si0.70Cu0.30合金靶材安装在靶位上，Cu箔与Si0.70Cu0.30合金靶材的距离为12cm；
(2)然后启动磁控溅射镀膜机抽真空至4×10-4Pa，再通入高纯Ar至压强为0.6Pa，并进行预溅射5分钟；预溅射结束后，旋转基板正对着靶材，开始进行磁控溅射，射频电源的功率为120W，溅射的时间为40min；
(3)溅射结束后，将镀在Cu箔的Si0.70Cu0.30复合薄膜取下，置于真空干燥箱中进行热处理，热处理温度为180℃，热处理保温时间为6h；热处理结束后，随炉冷却至室温，得到具有优异循环稳定性的Si0.70Cu0.30复合薄膜负极。
实施例1～6的不同原子比的Si1-xMx合金靶材，通过改变热处理的温度和保温时间制备循环性能优异的Si1-xMx复合薄膜的技术方案列表如表2所示。
表2实施例1～6的技术方案列表
在仪器测试误差范围内，实施例1～6热处理后制备的Si1-xMx复合薄膜与靶材的元素比较结果如列表3所示。
表3实施例1～6热处理后的Si1-xMx复合薄膜与靶材的元素比较结果
由表3可知，靶材中的原子比与薄膜的原子比几乎相同，说明利用以上溅射工艺可方便地获得所需原子配比成分的薄膜。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其它的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种具有优异循环稳定性的Si1-xMx复合薄膜负极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)采用磁控溅射镀膜机，将Cu箔作为集流体粘贴在基板上，再将Si1-xMx合金靶材安装在靶位上，然后抽真空、通入高纯Ar，开始进行磁控溅射；
(2)溅射结束后，将镀在Cu的Si1-xMx复合薄膜箔取下，置于真空干燥箱中进行热处理；热处理结束后，冷至室温，得到所述具有优异循环稳定性的Si1-xMx复合薄膜负极。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述Si1-xMx合金靶材中，M为非活性金属，包括Ti、Mo或Cu；x为M的原子占比，x＝0.10～0.30。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述Cu箔与Si1-xMx合金靶材的距离为10～12cm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述抽真空是抽真空至8×10-4Pa～2×10-4Pa；所述通入高纯Ar是通入高纯Ar至气压为0.5Pa～0.8Pa。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述磁控溅射的射频电源的功率为100～150W，溅射的时间为30～50min。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述热处理的温度为120～200℃，时间为6～48h。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114094035A (zh) * 2021-11-16 2022-02-25 厦门大学 一种高循环稳定二次锌电池负极铝锌合金涂层的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002061863A1 (en) * 2001-01-31 2002-08-08 Korea Institute Of Science And Technology A lithium electrode dispersed in porous 3-dimensional current collector, its fabrication method and lithium battery comprising the same
US20040241520A1 (en) * 2003-05-31 2004-12-02 Korea Institute Of Science And Technology Method to manufacture composite polymer electrolyte membranes coated with inorganic thin films for fuel cells
CN1731599A (zh) * 2005-08-05 2006-02-08 吴孟涛 一种二次电池负极（阳极）及制作方法
CN103996821A (zh) * 2014-06-14 2014-08-20 哈尔滨工业大学 一种用于锂离子二次电池的负极薄膜及其制备方法与应用

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002061863A1 (en) * 2001-01-31 2002-08-08 Korea Institute Of Science And Technology A lithium electrode dispersed in porous 3-dimensional current collector, its fabrication method and lithium battery comprising the same
US20040241520A1 (en) * 2003-05-31 2004-12-02 Korea Institute Of Science And Technology Method to manufacture composite polymer electrolyte membranes coated with inorganic thin films for fuel cells
CN1731599A (zh) * 2005-08-05 2006-02-08 吴孟涛 一种二次电池负极（阳极）及制作方法
CN103996821A (zh) * 2014-06-14 2014-08-20 哈尔滨工业大学 一种用于锂离子二次电池的负极薄膜及其制备方法与应用

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114094035A (zh) * 2021-11-16 2022-02-25 厦门大学 一种高循环稳定二次锌电池负极铝锌合金涂层的制备方法
CN114094035B (zh) * 2021-11-16 2023-08-22 厦门大学 一种高循环稳定二次锌电池负极铝锌合金涂层的制备方法

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PB01 Publication
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
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RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180817

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