CN108400235A - Si基GaN压力传感器的制备方法 - Google Patents

Si基GaN压力传感器的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108400235A
CN108400235A CN201810167667.9A CN201810167667A CN108400235A CN 108400235 A CN108400235 A CN 108400235A CN 201810167667 A CN201810167667 A CN 201810167667A CN 108400235 A CN108400235 A CN 108400235A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon chip
gan
layer
groove
preparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810167667.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108400235B (zh
Inventor
谭鑫
吕元杰
周幸叶
宋旭波
王元刚
冯志红
徐森锋
马春雷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CETC 13 Research Institute
Original Assignee
CETC 13 Research Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CETC 13 Research Institute filed Critical CETC 13 Research Institute
Priority to CN201810167667.9A priority Critical patent/CN108400235B/zh
Publication of CN108400235A publication Critical patent/CN108400235A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108400235B publication Critical patent/CN108400235B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/02—Forming enclosures or casings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
    • H10N30/302—Sensors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

本发明适用于半导体技术领域，提供了一种Si基GaN压力传感器的制备方法，该方法包括：在第一硅片中制备凹槽；将形成所述凹槽后的所述第一硅片键合在第二硅片上，形成密封腔体；将GaN晶圆与所述密封腔体键合，其中，所述GaN晶圆包括衬底、衬底上表面的GaN缓冲层和所述GaN缓冲层上表面的势垒层，所述衬底与所述密封腔体的第一硅片的表面接触；在键合后的所述GaN晶圆上制备压力敏感单元。本发明能够实现高质量的气密性封装，极大地提升传感器的可靠性。

Description

Si基GaN压力传感器的制备方法
技术领域
本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种Si基GaN压力传感器的制备方法。
背景技术
压力传感器是一种可以把压力信号转换成可以直观获取的电信号的换能器，被广泛应用于生活的方方面面。目前半导体压力传感器主要是基于Si材料，但是Si材料温度特性差，采用扩散工艺形成的电阻在较高温度下特性会发生变化，用来隔离电阻和衬底的PN结的隔离度也会出现衰退，甚至发生穿通，导致器件彻底毁坏。通常Si材料压力传感器只能工作于温度低于120℃的环境下。
GaN禁带宽度为3.4eV，为Si材料的3倍，宽的禁带决定了GaN材料良好的高温特性，GaN材料的压力传感器可工作于温度为600℃的环境下。另外GaN材料还具有电子浓度高、电子迁移率高、抗辐照能力强等诸多优点，因此，基于GaN材料的压力传感器可以工作于极端复杂的环境。然而，由于GaN材料还只能通过异质外延的方法得到，衬底材料主要有蓝宝石、SiC、Si等。蓝宝石材料具有超高的化学稳定性，尚无有效的手段对其进行微结构加工。SiC材料虽然已经有方法进行刻蚀，但其较高的材料成本和工艺成本使其无法得到广泛应用。
Si材料是最理想的衬底材料。现有技术中，通常通过刻蚀GaN晶圆的硅衬底制备压力传感器的腔体，然而由于Si和GaN之间存在的巨大的晶格失配，通过异质外延得到的GaN材料表面存在严重的翘曲，从而导致通过现有技术制备Si基GaN压力传感器难以实现高气密性封装。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了Si基GaN压力传感器的制备方法，以解决现有技术中Si基GaN压力传感器难以实现高气密性封装的问题。
本发明实施例的提供了一种Si基GaN压力传感器的制备方法，包括：
在第一硅片中制备凹槽；
将形成所述凹槽后的所述第一硅片键合在第二硅片上，形成密封腔体；
将GaN晶圆与所述密封腔体键合，其中，所述GaN晶圆包括衬底、衬底上表面的GaN缓冲层和所述GaN缓冲层上表面的势垒层，所述衬底与所述密封腔体的第一硅片的表面接触；
在键合后的所述GaN晶圆上制备压力敏感单元。
可选的，所述将GaN晶圆与所述密封腔体键合之前，所述方法还包括：
将所述GaN晶圆的衬底减薄至预设厚度。
可选的，所述第一硅片和所述第二硅片的厚度均为450微米至550微米；所述GaN缓冲层的厚度为1微米至3微米，所述势垒层的厚度为10纳米至20纳米。
可选的，所述在第一硅片中制备凹槽，包括：
通过光刻工艺在所述第一硅片与非凹槽区对应的部分的上表面涂覆光刻胶层；其中，所述非凹槽区为所述第一硅片中除凹槽区以外的区域；
通过硅刻蚀工艺刻蚀所述第一硅片与所述凹槽区对应的部分，形成凹槽；
去除所述光刻胶层。
可选的，所述在第一硅片中制备凹槽，包括：
通过光刻工艺在所述第一硅片与非凹槽区对应的部分的上表面淀积介质层；其中，所述非凹槽区所述第一硅片中除凹槽区以外的区域；
通过刻蚀工艺刻蚀所述介质层和所述第一硅片与所述凹槽区对应的部分，形成凹槽，其中，所述第一硅片的刻蚀速率与所述介质层的刻蚀速率之比大于200:1；
去除剩余的所述介质层。
进一步的，所述介质层为二氧化硅层、氮化硅层、金属铝层或金属镍层。
可选的，所述将形成所述凹槽后的所述第一硅片键合在第二硅片上，形成密封腔体，包括：
分别对形成所述凹槽后的所述第一硅片和所述第二硅片进行抛光和表面处理；
将经过抛光和表面处理后的所述第一硅片和所述第二硅片贴合在一起；
将贴合后的所述第一硅片和所述第二硅片在在氧气或氮气气氛中在0.1kPa压强200℃至1000℃温度下进行键合，使所述第一硅片和所述第二硅片紧密贴合。
可选的，所述将GaN晶圆与所述密封腔体键合，包括：
对所述GaN晶圆和所述密封腔体进行表面处理；
在经表面处理后的所述密封腔体的第一硅片的表面和/或所述GaN晶圆的硅衬底的下表面均匀覆盖键合介质层；
将所述GaN晶圆通过所述键合介质层贴合到所述第一硅片上；
通过晶圆键合设备在在0.1kPa压强200℃至400℃温度下进行键合，使所述GaN晶圆和所述密封腔体紧密贴合。
进一步的，所述键合介质的材质为金、金锡、铜锡或环氧树脂。
可选的，所述势垒层包括InAlGaN层、AlGaN层、InGaN层、InAlN层、AlN层和InN层中的一种或两种以上的组合。
本发明实施例的有益效果为：本发明实施例通过首先在第一硅片上制备凹槽，将第一硅片键合在第二硅片上形成密封腔体，然后将GaN晶圆与密封腔体键合，再在GaN晶圆上制备制备压力敏感单元，形成压力传感器，从而实现高质量的气密性封装，极大地提升传感器的可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的Si基GaN压力传感器的制备方法实现流程示意图；
图2是本发明实施例提供的Si基GaN压力传感器的制备方法的结构示意图。
具体实施方式
以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本发明实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本发明。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本发明的描述。
为了说明本发明所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。
请参考图1，Si基GaN压力传感器的制备方法，包括：
步骤S101，在第一硅片中制备凹槽。
在本发明实施例中，请参考图2(1)和2(2)，在第一硅片201中制备凹槽202。第一硅片201的厚度为450微米至550微米，以满足深硅刻蚀和后续工艺的要求，并且，第一硅片201需要进行抛光达到一定的平整度，以满足后续键合工艺的要求。
可选的，步骤S101的具体实现方式为：通过光刻工艺在所述第一硅片与非凹槽区对应的部分的上表面涂覆光刻胶层；其中，所述非凹槽区为所述第一硅片中除凹槽区以外的区域；通过硅刻蚀工艺刻蚀所述第一硅片与所述凹槽区对应的部分，形成凹槽；去除所述光刻胶层。
在本发明实施例中，第一硅片201分为凹槽区和非凹槽区，凹槽区为凹槽202所在的区域，非凹槽区为除凹槽区以外的区域。通过光刻和刻蚀工艺制备凹槽202。首先，通过光刻工艺在第一硅片201的表面涂覆光刻胶层，然后经过曝光、显影、坚膜工艺去除光刻胶层与凹槽区对应的部分，露出待刻蚀图形，最后通过干法刻蚀工艺进行刻蚀，第一硅片201与非凹槽区对应的部分由于有光刻胶层保护不会被刻蚀掉，而第一硅片201与凹槽区对应的部分将会被部分刻蚀掉，形成凹槽202。凹槽202的形状包括但不限于圆形、矩形、C型、E型。
可选的，步骤S101的具体实现方式为：通过光刻工艺在所述第一硅片与非凹槽区对应的部分的上表面淀积介质层；其中，所述非凹槽区所述第一硅片中除凹槽区以外的区域；通过刻蚀工艺刻蚀所述介质层和所述第一硅片与所述凹槽区对应的部分，形成凹槽，其中，所述第一硅片的刻蚀速率与所述介质层的刻蚀速率之比大于200:1。
在本发明实施例中，还可以通过淀积介质层作为刻蚀掩膜层，介质层包括但不限于二氧化硅层、氮化硅层、金属铝层或金属镍层。首先，在第一硅片201与非凹槽区对应的部分的上表面淀积介质层，露出待刻蚀图形，然后通过干法刻蚀工艺或湿法腐蚀工艺进行刻蚀，其中，需要保证介质层的刻蚀速率远小于第一硅片的刻蚀速率，以避免第一硅片201与非凹槽区对应的部分被刻蚀掉，通常情况下，第一硅片201的刻蚀速率与介质层的刻蚀速率之比大于200:1。实际制备工艺中，介质层的厚度根据介质层的刻蚀速率、第一硅片201的刻蚀速率和需要刻蚀的第一硅片201的厚度进行选择。
步骤S102，将形成所述凹槽后的所述第一硅片键合在第二硅片上，形成密封腔体。
在本发明实施例中，请参考图2(3)，通过硅硅键合工艺将形成凹槽202后的第一硅片201键合在第二硅片203上，其中，凹槽202的开口对准第二硅片203，并且，第一硅片201中的凹槽202的尺寸不大于第二硅片203的尺寸，以使第一硅片201和第二硅片203键合形成密封腔体。第二硅片203的厚度为450微米至550微米。
可选的，步骤S102的具体实现方式为：分别对形成所述凹槽后的所述第一硅片和所述第二硅片进行抛光和表面处理；将经过抛光和表面处理后的所述第一硅片和所述第二硅片贴合在一起；将贴合后的所述第一硅片和所述第二硅片在在氧气或氮气气氛中在0.1kPa压强200℃至1000℃温度下进行键合，使所述第一硅片和所述第二硅片紧密贴合。
在本发明实施例中，首先，将第一硅片201和第二硅片203进行抛光和表面处理，得到洁净的表面，以满足键合工艺对表面洁净度的要求，然后，将第一硅片201和第二硅片203贴合，并在氧气或氮气气氛中在0.1kPa压强200℃至1000℃温度下进行键合，使第一硅片201和第二硅片203的键合界面发生物理化学反应，形成强的化学共价键连接，增强键合强度使第一硅片201和第二硅片203紧密贴合，形成密封腔体。
步骤S103，将GaN晶圆与所述密封腔体键合，其中，所述GaN晶圆包括衬底、衬底上表面的GaN缓冲层和所述GaN缓冲层上表面的势垒层，所述衬底与所述密封腔体的第一硅片的表面接触。
在本发明实施例中，请参考图2(4)，GaN晶圆从下至上依次包括衬底204、GaN缓冲层205和势垒层206。势垒层206包括但不限于不同组分浓度的InAlGaN层、AlGaN层、InGaN层、InAlN层、AlN层和InN层中的一种或两种以上的组合。GaN缓冲层205能够缓冲势垒层206和衬底204由于晶格失配导致的应力。衬底204为半导体领域中常见的衬底，包括但不限于SiC衬底、Si衬底、GaN衬底和蓝宝石衬底。GaN缓冲层205的厚度为1微米至3微米，势垒层206的厚度为10纳米至20纳米。
可选的，请参考图2(5)，步骤S103之前，所述方法还包括：将所述GaN晶圆的衬底204减薄至预设厚度。
在本发明实施例中，GaN晶圆的衬底204通常大于300微米，根据传感器灵敏度和量程要求，通过机械研磨或化学腐蚀将衬底204减薄至预设厚度，通常情况下，将衬底204减薄至20微米至50微米。
可选的，步骤S103的具体实现方式为：对所述GaN晶圆和所述密封腔体进行表面处理；在经表面处理后的所述密封腔体的第一硅片的表面和/或所述GaN晶圆的硅衬底的下表面均匀覆盖键合介质层；将所述GaN晶圆通过所述键合介质层贴合到所述第一硅片上；通过晶圆键合设备在在0.1kPa压强200℃至400℃温度下进行键合，使所述GaN晶圆和所述密封腔体紧密贴合。
在本发明实施例中，请参考图2(6)，首先对GaN晶圆和密封腔体进行表面处理，得到洁净的表面，以满足键合工艺对表面洁净度的要求，然后在第一硅片205与GaN晶圆的接触面和/或GaN晶圆的衬底204均匀覆盖键合介质层207，键合介质层207的材质包括但不限于金、金锡、铜锡或环氧树脂，再将GaN晶圆的衬底204与第一硅片207贴合，最后通过晶圆键合设备通过晶圆键合设备在0.1kPa压强200℃至400℃温度下进行键合，使所述GaN晶圆和所述密封腔体紧密贴合。
步骤S104，在键合后的所述GaN晶圆上制备压力敏感单元。
在本发明实施例中，请参考图2(7)，在键合后的所述GaN晶圆上制备压力敏感单元208。力敏感单元为对压力信号具有响应的GaN器件，包括但不限于高电子迁移率晶体管、惠斯顿电桥电路或肖特基环形电容。制备压力敏感单元的工艺步骤为现有技术中常规的半导体工艺，不作为本发明实施例的改进，在此不再赘述。
制备的Si基GaN压力传感器在使用时，当传感器的表面受到压力时，密封腔体形变使压力敏感单元发生形变，进而引起器件电学特性发生变化，通过测量相关电学信号，即可完成压力信号的传感。
本发明实施例通过首先在第一硅片201上制备凹槽202，将第一硅片201键合在第二硅片203上形成密封腔体，然后将GaN晶圆与密封腔体键合，再在GaN晶圆上制备压力敏感单元，形成压力传感器，从而实现高质量的气密性封装，极大地提升传感器的可靠性。
应理解，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。
以上所述实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种Si基GaN压力传感器的制备方法，其特征在于，包括：
在第一硅片中制备凹槽；
将形成所述凹槽后的所述第一硅片键合在第二硅片上，形成密封腔体；
将GaN晶圆与所述密封腔体键合，其中，所述GaN晶圆包括衬底、衬底上表面的GaN缓冲层和所述GaN缓冲层上表面的势垒层，所述衬底与所述密封腔体的第一硅片的表面接触；
在键合后的所述GaN晶圆上制备压力敏感单元。
2.如权利要求1所述的Si基GaN压力传感器的制备方法，其特征在于，所述将GaN晶圆与所述密封腔体键合之前，所述方法还包括：
将所述GaN晶圆的衬底减薄至预设厚度。
3.如权利要求1所述的Si基GaN压力传感器的制备方法，其特征在于，所述第一硅片和所述第二硅片的厚度均为450微米至550微米；所述GaN缓冲层的厚度为1微米至3微米，所述势垒层的厚度为10纳米至20纳米。
4.如权利要求1所述的Si基GaN压力传感器的制备方法，其特征在于，所述在第一硅片中制备凹槽，包括：
通过光刻工艺在所述第一硅片与非凹槽区对应的部分的上表面涂覆光刻胶层；其中，所述非凹槽区为所述第一硅片中除凹槽区以外的区域；
通过硅刻蚀工艺刻蚀所述第一硅片与所述凹槽区对应的部分，形成凹槽；
去除所述光刻胶层。
5.如权利要求1所述的Si基GaN压力传感器的制备方法，其特征在于，所述在第一硅片中制备凹槽，包括：
通过光刻工艺在所述第一硅片与非凹槽区对应的部分的上表面淀积介质层；其中，所述非凹槽区为所述第一硅片中除凹槽区以外的区域；
通过刻蚀工艺刻蚀所述介质层和所述第一硅片与所述凹槽区对应的部分，形成凹槽，其中，所述第一硅片的刻蚀速率与所述介质层的刻蚀速率之比大于200:1；
去除剩余的所述介质层。
6.如权利要求5所述的Si基GaN压力传感器的制备方法，其特征在于，所述介质层为二氧化硅层、氮化硅层、金属铝层或金属镍层。
7.如权利要求1所述的Si基GaN压力传感器的制备方法，其特征在于，所述将形成所述凹槽后的所述第一硅片键合在第二硅片上，形成密封腔体，包括：
分别对形成所述凹槽后的所述第一硅片和所述第二硅片进行抛光和表面处理；
将经过抛光和表面处理后的所述第一硅片和所述第二硅片贴合在一起；
将贴合后的所述第一硅片和所述第二硅片在在氧气或氮气气氛中在0.1kPa压强200℃至1000℃温度下进行键合，使所述第一硅片和所述第二硅片紧密贴合。
8.如权利要求1所述的Si基GaN压力传感器的制备方法，其特征在于，所述将GaN晶圆与所述密封腔体键合，包括：
对所述GaN晶圆和所述密封腔体进行表面处理；
在经表面处理后的所述密封腔体的第一硅片的表面和/或所述GaN晶圆的硅衬底的下表面均匀覆盖键合介质层；
将所述GaN晶圆通过所述键合介质层贴合到所述第一硅片上；
通过晶圆键合设备在0.1kPa压强200℃至400℃温度下进行键合，使所述GaN晶圆和所述密封腔体紧密贴合。
9.如权利要求8所述的Si基GaN压力传感器的制备方法，其特征在于，所述键合介质的材质为金、金锡、铜锡或环氧树脂。
10.如权利要求1至9任一项所述的Si基GaN压力传感器的制备方法，其特征在于，
所述势垒层包括InAlGaN层、AlGaN层、InGaN层、InAlN层、AlN层和InN层中的一种或两种以上的组合。
CN201810167667.9A 2018-02-28 2018-02-28 Si基GaN压力传感器的制备方法 Active CN108400235B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810167667.9A CN108400235B (zh) 2018-02-28 2018-02-28 Si基GaN压力传感器的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810167667.9A CN108400235B (zh) 2018-02-28 2018-02-28 Si基GaN压力传感器的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108400235A true CN108400235A (zh) 2018-08-14
CN108400235B CN108400235B (zh) 2021-06-15

Family

ID=63095743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810167667.9A Active CN108400235B (zh) 2018-02-28 2018-02-28 Si基GaN压力传感器的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108400235B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112744781A (zh) * 2019-10-29 2021-05-04 中北大学 氧化镁密封腔的制备方法
CN115117150A (zh) * 2022-08-24 2022-09-27 成都功成半导体有限公司 一种GaN HEMT功率器件及其制备方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63175482A (ja) * 1987-01-16 1988-07-19 Nissan Motor Co Ltd 圧力センサ
US4975390A (en) * 1986-12-18 1990-12-04 Nippondenso Co. Ltd. Method of fabricating a semiconductor pressure sensor
CN101551284A (zh) * 2009-04-22 2009-10-07 江苏英特神斯科技有限公司 基于硅硅直接键合的压力传感器及其制造方法
CN202305094U (zh) * 2011-07-14 2012-07-04 无锡芯感智半导体有限公司 Soi结构高温压力传感器
CN102607759A (zh) * 2011-01-14 2012-07-25 霍尼韦尔国际公司 苛刻环境压力传感器
EP2653844A1 (en) * 2012-04-18 2013-10-23 Honeywell International Inc. Integrated piezoelectric sensor for static pressure measurement
CN104931163A (zh) * 2015-06-24 2015-09-23 无锡芯感智半导体有限公司 一种双soi结构mems压力传感器芯片及其制备方法
CN106153221A (zh) * 2016-08-26 2016-11-23 沈阳仪表科学研究院有限公司 一种基于硅硅键合的高精度压力传感器的制造方法
CN106449912A (zh) * 2016-11-28 2017-02-22 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种带应力平衡结构层的GaN基复合衬底及其制备方法
CN107732001A (zh) * 2017-09-14 2018-02-23 中国电子科技集团公司第十三研究所 一种基于惠斯顿电桥结构的压力传感器及其制造方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4975390A (en) * 1986-12-18 1990-12-04 Nippondenso Co. Ltd. Method of fabricating a semiconductor pressure sensor
JPS63175482A (ja) * 1987-01-16 1988-07-19 Nissan Motor Co Ltd 圧力センサ
CN101551284A (zh) * 2009-04-22 2009-10-07 江苏英特神斯科技有限公司 基于硅硅直接键合的压力传感器及其制造方法
CN102607759A (zh) * 2011-01-14 2012-07-25 霍尼韦尔国际公司 苛刻环境压力传感器
CN202305094U (zh) * 2011-07-14 2012-07-04 无锡芯感智半导体有限公司 Soi结构高温压力传感器
EP2653844A1 (en) * 2012-04-18 2013-10-23 Honeywell International Inc. Integrated piezoelectric sensor for static pressure measurement
CN104931163A (zh) * 2015-06-24 2015-09-23 无锡芯感智半导体有限公司 一种双soi结构mems压力传感器芯片及其制备方法
CN106153221A (zh) * 2016-08-26 2016-11-23 沈阳仪表科学研究院有限公司 一种基于硅硅键合的高精度压力传感器的制造方法
CN106449912A (zh) * 2016-11-28 2017-02-22 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种带应力平衡结构层的GaN基复合衬底及其制备方法
CN107732001A (zh) * 2017-09-14 2018-02-23 中国电子科技集团公司第十三研究所 一种基于惠斯顿电桥结构的压力传感器及其制造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
何芳: ""硅直接键合技术及其在压力传感器中的应用研究"", 《东南大学硕士学位论文》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112744781A (zh) * 2019-10-29 2021-05-04 中北大学 氧化镁密封腔的制备方法
CN115117150A (zh) * 2022-08-24 2022-09-27 成都功成半导体有限公司 一种GaN HEMT功率器件及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN108400235B (zh) 2021-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108414120A (zh) Si基GaN压力传感器的制备方法
KR101920715B1 (ko) 고 전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법
KR101257274B1 (ko) 상온에서의 금속의 직접 결합
WO2017088560A1 (zh) 传感器、制备方法和多传感器系统
CN103107128B (zh) 一种三维芯片结构的金属键合的方法
CN107732001A (zh) 一种基于惠斯顿电桥结构的压力传感器及其制造方法
CN108598253A (zh) Si基GaN压力传感器的制备方法
EP2937897A3 (en) Device package and methods for the fabrication and testing thereof
CN108414121B (zh) 一种GaN压力传感器制备方法及器件
CN103811461A (zh) 内连线结构和其制作方法
CN108376735A (zh) 一种电桥式GaN压力传感器制备方法及器件
WO2017004906A1 (zh) 基于超薄膜的电容式压力传感器的制作方法
CN105006440A (zh) 一种真空键合大气加压混合键合方法
CN108400235A (zh) Si基GaN压力传感器的制备方法
TW484196B (en) Bonding pad structure
CN110002396A (zh) 一种晶圆级三层结构的封装方法
CN101707207A (zh) 门极和阴极间采用玻璃钝化保护的可控硅器件及制造方法
TW200910546A (en) Thin-film aluminum nitride encapsulant for metallic structures on integrated circuits and method of forming same
CN108389959A (zh) 一种电桥式GaN压力传感器制备方法及器件
CN104370271B (zh) 一种mems器件集成工艺
CN106783719B (zh) 一种不易变形的碳化硅基芯片背面工艺
JP6024766B2 (ja) 半導体モジュール
US10665724B2 (en) Method and apparatus for providing a transistor
CN221239603U (zh) 半导体结构
Para et al. Wafer Level Integration of 3-D Heat Sinks in Power ICs

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant