CN108388063A - 激光投射模组、深度相机和电子装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种激光投射模组、深度相机和电子装置。激光投射模组包括激光发射器、准直元件。衍射光学元件、电致变色器件和处理器。电致变色器件位于所述激光发射器的发光光路上。处理器与电致变色器件连接，处理器用于在准直元件和/或衍射光学元件破裂时，控制电致变色器件变色以阻挡激光的发射。本发明实施方式的激光投射模组、深度相机和电子装置通过在激光投射模组中设置电致变色器件，在检测到准直元件和光学元件中的任意一者破裂时，处理器会立即改变施加在电致变色器件上的电压以减小电致变色器件的透过率，从而避免因准直元件和光学元件破裂，导致发射的激光能量过大而伤害用户眼睛的问题，提升用户使用激光投射模组的安全性。

Description

激光投射模组、深度相机和电子装置
技术领域
本发明涉及成像技术领域，特别涉及一种激光投射模组、深度相机和电子装置。
背景技术
现有的一些激光发射器(例如垂直腔体激光发射器VSCEL等)会发射出聚焦信号较强的激光，这些激光经过准直元件、衍射光学元件后能量会衰减，以便满足信号强度低于对人体的伤害门限。这些激光发射器通常由玻璃或其他容易破碎的部件组成，一旦遇到摔落等情况，镜头破裂，则激光将直接发射出来，照射使用者的身体或眼睛，造成严重的安全问题。
发明内容
本发明的实施例提供了一种激光投射模组、深度相机和电子装置。
本发明实施方式的激光投射模组包括激光发射器、准直元件、衍射光学元件、电致变色器件和处理器。所述激光发射器用于发射激光。所述准直元件用于准直所述激光。所述衍射光学元件用于衍射经所述准直元件准直后的激光以形成激光图案。所述电致变色器件位于所述激光发射器的发光光路上。所述处理器与所述电致变色器件连接，所述处理器用于在所述准直元件和/或所述衍射光学元件破裂时，控制所述电致变色器件变色以阻挡所述激光的发射。
本发明实施方式的深度相机包括上述的激光投射模组、图像采集器和处理器。所述图像采集器用于采集由所述激光投射模组向目标空间中投射的激光图案，所述处理器用于处理所述激光图案以获得深度图像。
本发明实施方式的电子装置包括壳体和上述的深度相机。所述深度相机设置在所述壳体内并从所述壳体暴露以获取深度图像。
本发明实施方式的激光投射模组、深度相机和电子装置，通过在激光投射模组中设置电致变色器件，在检测到准直元件和光学元件中的任意一者破裂时，处理器会立即改变施加在电致变色器件上的电压以减小电致变色器件的透过率，从而避免因准直元件和光学元件破裂，导致发射的激光能量过大而伤害用户眼睛的问题，提升用户使用激光投射模组的安全性。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1至图3是本发明某些实施方式的激光投射模组的结构示意图。
图4和图5是本发明某些实施方式的衍射导电电极的线路示意图。
图6至图8是本发明某些实施方式的激光投射模组的结构示意图。
图9是本发明某些实施方式的衍射光学元件的剖面图。
图10是本发明某些实施方式的衍射导电电极的线路示意图。
图11是本发明某些实施方式的衍射光学元件的剖面图。
图12至图17是本发明某些实施方式的激光投射模组的结构示意图。
图18和图19是本发明某些实施方式的准直导电电极的线路示意图。
图20至图22是本发明某些实施方式的激光投射模组的结构示意图。
图23是本发明某些实施方式的准直元件的剖面图。
图24是本发明某些实施方式的准直导电电极的线路示意图。
图25是本发明某些实施方式的准直元件的剖面图。
图26至图28是本发明某些实施方式的激光投射模组的结构示意图。
图29是本发明某些实施方式的衍射光学元件的剖面图。
图30至图32是本发明某些实施方式的激光投射模组的结构示意图。
图33和图34是本发明某些实施方式的衍射导电通路的线路示意图。
图35和图36是本发明某些实施方式的衍射光学元件的剖面图。
图37是本发明某些实施方式的衍射导电通路的线路示意图。
图38是本发明某些实施方式的衍射光学元件的剖面图。
图39是本发明某些实施方式的准直元件的剖面图。
图40至图42是本发明某些实施方式的激光投射模组的结构示意图。
图43和图44是本发明某些实施方式的准直导电通路的线路示意图。
图45和图46是本发明某些实施方式的准直元件的剖面图。
图47是本发明某些实施方式的准直导电通路的线路示意图。
图48是本发明某些实施方式的准直元件的剖面图。
图49是本发明某些实施方式的激光投射模组的结构示意图。
图50至图52是本发明某些实施方式的激光投射模组的部分结构示意图。
图53是本发明某些实施方式的深度相机的结构示意图。
图54是本发明某些实施方式的电子装置的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参阅图1，本发明提供一种激光投射模组100。激光投射模组100包括激光发射器10、准直元件20、衍射光学元件30、电致变色器件40和处理器80。激光发射器10用于发射激光。准直元件20用于准直激光发射器10发射的激光。衍射光学元件30用于衍射经准直元件20准直后的激光以形成激光图案。电致变色器件40位于激光发射器10的发光光路上。处理器80与电致变色器件40连接，处理器80用于在准直元件20和/或衍射光学元件30破裂时，控制电致变色器件40变色以阻挡激光的发射。
激光投射模组100还包括镜筒50。镜筒50包括相背的顶部502及底部501，镜筒50形成有贯穿顶部502及底部501的收容腔54，激光发射器10、准直元件20收容在收容腔54内。镜筒50的侧壁51向收容腔54的收容腔54的中心延伸有环形承载台53，衍射光学元件30放置在承载台53上。
其中，电致变色器件40由电致变色材料制成。电致变色是指材料的光学属性，例如发射率、透过率、吸收率等，在外加电场的作用下发生稳定、可逆的颜色变化的现象。电致变色材料可分为两大类，一类为无机变色材料，主要集中在过渡金属氧化物，这些过渡金属氧化物通过离子和电子的共注入和共抽出，使其化学价态或晶体结构发生变化，从而实现着色和褪色的可逆変化，最常见的如MoO3、V2O5、NiO、WO3等。另一类为有机电致变色材料，通过电子的得失发生氧化-还原反应，从而实现着色和褪色的可逆変化。在本发明实施例中，可以使用具有较高变色效率和价格较低的WO3作为电致变色器件40的材料。
具体地，在准直元件20和衍射光学元件30均未破裂时，处理器80对电致变色器件40施加一定电压以使电致变色器件40具有较高的透过率，以使得激光能够从电致变色器件40透射。当处理器80检测到准直元件20破裂时，处理器80改变施加在电致变色器件40上的电压以减小电致变色器件40的透过率，从而利用电致变色器件40的低透过率遮挡发射的激光，以避免因准直元件20破裂，发射的激光能量过大而伤害用户眼睛的问题。同样地，当处理器80检测到衍射光学元件30破裂时，处理器80改变施加在电致变色器件40上的电压以减小电致变色器件40的透过率，从而利用电致变色器件40的低透过率遮挡发射的激光，以避免因衍射光学元件30破裂，发射的激光能量过大而伤害用户眼睛的问题。处理器80检测到当准直元件20和衍射光学元件30同时破裂时，处理器80同样会改变施加在电致变色器件40上的电压以减小电致变色器件40的透过率，从而利用电致变色器件40的低透过率遮挡发射的激光，以避免发射的激光能量过大而伤害用户眼睛的问题。
本发明实施方式的激光投射模组100中设置有电致变色器件40，在检测到准直元件20和衍射光学元件30中的任意一者破裂时，处理器80会立即改变施加在电致变色器件40上的电压以减小电致变色器件40的透过率，从而避免因准直元件20或衍射光学元件30破裂，导致发射的激光能量过大而伤害用户眼睛的问题，提升使用激光投射模组100的安全性。
请一并参阅图1及图4，在某些实施方式中，衍射光学元件30上形成有透光衍射导电膜31，透光衍射导电膜31上设有衍射导电电极32。衍射导电电极32通电后输出衍射电信号。处理器80还用于获取衍射导电电极32通电后输出的衍射电信号、判断衍射电信号是否处于预设衍射范围内、以及在衍射电信号不处于预设衍射范围内时确定衍射光学元件30破裂。衍射光学元件30破裂与否的判断机制如下：当衍射光学元件30处于完好状态时，透光衍射导电膜31的电阻较小，在此状态下给透光衍射导电膜31通电，即施加一定大小的电压，则此时处理器80获取到的衍射导电电极32输出的电流较大。而当衍射光学元件30破裂时，形成在衍射光学元件30上的透光衍射导电膜31也会碎裂，此时碎裂位置处的透光衍射导电膜31的电阻阻值接近无穷大，在此状态下给透光衍射导电膜31上的衍射导电电极32通电，处理器80获取到的衍射导电电极32输出的电流较小。因此，第一种方式，可以根据衍射电信号(即电流)与衍射光学元件30未破裂状态下检测到的衍射电信号(即电流)之间差异大小来判断透光衍射导电膜31是否破裂，进一步地，可根据透光衍射导电膜31的状态来判衍射光学元件30是否破裂，即，若透光衍射导电膜31破裂，则表明衍射光学元件30也破裂；若透光衍射导电膜31未破裂，则表明衍射光学元件30也未破裂。第二种方式：可根据衍射光学元件30上衍射导电电极32通电后输出的衍射电信号直接判断衍射光学元件30是否破裂，具体地，衍射导电电极32输出的衍射电信号不在预设衍射范围内时就确定透光衍射导电膜31破裂，进而判断衍射光学元件30也破裂；若衍射导电电极32输出的衍射电信号在预设衍射范围内时就确定透光衍射导电膜31未破裂，进而判断衍射光学元件30也未破裂。
透光衍射导电膜31可通过电镀等方式形成在衍射光学元件30的表面。透光衍射导电膜31的材质可以是氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)、纳米银丝、金属银线中的任意一种。氧化铟锡、纳米银丝、金属银线均具有良好的透光率及导电性能，可实现通电后的衍射电信号输出，同时不会对衍射光学元件30的出光光路产生遮挡。
具体地，衍射光学元件30包括相背的衍射入射面301和衍射出射面302。衍射光学元件30上形成有透光衍射导电膜31时，透光衍射导电膜31为单层结构，透光衍射导电膜31设置在衍射出射面302上。当电致变色器件40为薄膜结构时，电致变色器件40的位置可以是：电致变色器件40为一个，设置在透光衍射导电膜31上，即沿激光发射器10的发光方向，衍射光学元件30、透光衍射导电膜31、电致变色器件40依次排列(如图1所示)；或者，电致变色器件40为一个，设置在衍射入射面301上，即电致变色器件40、衍射光学元件30、透光衍射导电膜31沿发光方向依次排列(图未示)；或者，电致变色器件40为多个，一个设置在衍射入射面301上，一个设置在透光衍射导电膜31上，即电致变色器件40、衍射光学元件30、透光衍射导电膜31、电致变色器件40沿发光方向依次排列(图未示)；或者，在激光投射模组100包括设置在镜筒50的顶部502的保护罩70时，电致变色器件40为一个，设置在保护罩70的内表面(内表面为保护罩70与衍射光学元件30相抵触的表面，下同)，即衍射光学元件30、透光衍射导电膜31、电致变色器件40、保护罩70沿发光方向依次排列(如图2所示)；或者，在激光投射模组100包括设置在镜筒50的顶部502的保护罩70时，电致变色器件40为多个，其中一个电致变色器件40设置在保护罩70的内表面，一个设置在衍射入射面301上，即电致变色器件40、衍射光学元件30、透光衍射导电膜31、电致变色器件40、保护罩70沿发光方向依次排列(图未示)。当电致变色器件40为非薄膜片状结构时，为减小激光投射模组100的厚度，仅设置一个电致变色器件40，电致变色器件40的位置可以是：沿激光发射器10的发光方向，激光发射器10、电致变色器件40、准直元件20、衍射光学元件30、透光衍射导电膜31依次排列(如图3所示)；或者，激光发射器10、准直元件20、电致变色器件40、衍射光学元件30、透光衍射导电膜31沿发光方向依次排列(图未示)；或者，激光发射器10、准直元件20、衍射光学元件30、透光衍射导电膜31、电致变色器件40沿发光方向依次排列(图未示)。
请参阅图4，透光衍射导电膜31设置在衍射出射面302上时，衍射导电电极32可为单条，单条的衍射导电电极32包括衍射输入端321和衍射输出端322，衍射输入端321及衍射输出端322与处理器80连接并形成衍射导电回路。其中，衍射导电电极32的排布方式有多种，例如，衍射输入端321和衍射输出端322的连线方向(即衍射导电电极32的延伸方向)为透光衍射导电膜31的长度方向(如图4所示)，或者衍射导电电极32的延伸方向为透光衍射导电膜31的宽度方向(图未示)，或者衍射导电电极32的延伸方向为透光衍射导电膜31的对角线方向(图未示)。无论衍射导电电极32的排布方式是上述的哪种方式，衍射导电电极32都能跨越整个透光衍射导电膜31，可以较为准确地检测透光衍射导电膜31是否破裂。请参阅图5，透光衍射导电膜31设置在衍射出射面302上时，透光衍射导电膜31上设置的衍射导电电极32也可为多条，多条衍射导电电极32互不相交，每条衍射导电电极32包括衍射输入端321和衍射输出端322。每个衍射输入端321及每个衍射输出端322与处理器80均连接以形成一条衍射导电回路，由此，多条衍射导电电极32的衍射输入端321及衍射输出端322分别与处理器80连接以形成多条衍射导电回路。其中，多条衍射导电电极32的排布方式有多种：例如，每个衍射导电电极32的延伸方向为透光衍射导电膜31的长度方向，多条衍射导电电极32平行间隔设置(如图5所示)；或者，每个衍射导电电极32的延伸方向为透光衍射导电膜31的宽度方向，多条衍射导电电极32平行间隔设置(图未示)；或者，每个衍射导电电极32的延伸方向为透光衍射导电膜31的对角线方向，多条衍射导电电极32平行间隔设置(图未示)。无论衍射导电电极32的排布方式是上述的哪种形式，相较于设置单条衍射导电电极32而言，多条衍射导电电极32能够占据透光衍射导电膜31较多的面积，相对应地可以输出更多的衍射电信号。由于仅设置单条衍射导电电极32时，有可能存在衍射光学元件30破裂的位置与单条衍射导电电极32的位置相隔甚远，而对单条衍射导电电极32影响不大，该单条衍射导电电极32输出的电信号仍在预设衍射范围内的情况，检测准确度不高。而多条衍射导电电极32占据透光衍射导电膜31较多的面积，相对应地可以输出更多的衍射电信号，处理器80可根据较多的衍射电信号更为精确地判断透光衍射导电膜31是否破裂，进一步地判断衍射光学元件30是否破裂，提升衍射光学元件30破裂检测的准确性。在检测到透光衍射导电膜31破裂时，即认为衍射光学元件30破裂，此时处理器80即刻改变施加在电致变色器件40上的电压以减小电致变色器件40的透过率。另外，由于衍射入射面301是凹凸不平的，因此，将透光衍射导电膜31设置在衍射出射面302上的制作工艺较为简单。
请参阅图6，可以理解，单层结构的透光衍射导电膜31还可设置在衍射入射面301上。此时，当电致变色器件40为薄膜结构时，电致变色器件40的位置可以是：电致变色器件40为一个，设置在透光衍射导电膜31上，即沿激光发射器10的发光方向，电致变色器件40、透光衍射导电膜31、衍射光学元件30依次排列(如图6所示)；或者，电致变色器件40为一个，设置在衍射出射面302上，即透光衍射导电膜31、衍射光学元件30、电致变色器件40沿发光方向依次排列(图未示)；或者，电致变色器件40为多个，一个设置在透光衍射导电膜31上，一个设置在衍射出射面302上，即电致变色器件40、透光衍射导电膜31、衍射光学元件30、电致变色器件40沿发光方向依次排列(图未示)；或者，在激光投射模组100包括设置在镜筒50的顶部502的保护罩70时，电致变色器件40为一个，设置在保护罩70的内表面，透光衍射导电膜31、衍射光学元件30、电致变色器件40、保护罩70沿发光方向依次排列(如图7所示)；或者，在激光投射模组100包括设置在镜筒50的顶部502的保护罩70时，电致变色器件40为多个，其中一个设置在保护罩70的内表面，一个设置在透光衍射导电膜31上，即电致变色器件40、透光衍射导电膜31、衍射光学元件30、电致变色器件40、保护罩70沿发光方向依次排列(图未示)。当电致变色器件40为非薄膜片状结构时，为减小激光投射模组100的厚度，仅设置一个电致变色器件40，电致变色器件40的位置可以是：激光发射器10、电致变色器件40、准直元件20、透光衍射导电膜31、衍射光学元件30沿发光方向依次排列(如图8所示)；或者，激光发射器10、准直元件20、电致变色器件40、透光衍射导电膜31、衍射光学元件30沿发光方向依次排列(图未示)；或者，激光发射器10、准直元件20、透光衍射导电膜31、衍射光学元件30、电致变色器件40沿发光方向依次排列(图未示)。透光衍射导电膜31设置在衍射入射面301上时，衍射导电电极32可为单条或多条。单条或多条衍射导电电极32的排布方式与上述透光衍射导电膜31设置在衍射出射面302上的衍射导电电极32的排布方式类似，在此不再赘述。如此，处理器80可根据衍射导电电极32输出的衍射电信号判断衍射光学元件30是否破裂，并在衍射光学元件30破裂时，即可改变施加在电致变色器件40上的电压以改变电致变色器件40的透过率，从而避免激光对人眼的伤害。另外，由于衍射入射面301为衍射光栅，激光发射器10发射的激光经由衍射光栅才能形成激光图案，因此将透光衍射导电膜31设置在衍射入射面301上，使透光衍射导电膜31直接接触衍射光栅，可以提升衍射光学元件30破裂检测的准确性。
请结合图9，衍射光学元件30上形成有透光衍射导电膜31时，透光衍射导电膜31为单层架桥结构，透光衍射导电膜31设置在衍射出射面302上。此时电致变色器件40的位置与单层结构的透光衍射导电膜31设置在衍射出射面302上的位置类似，在此不再赘述。单层架桥结构的透光衍射导电膜31包括多条平行设置的第一衍射导电电极323、多条平行设置的第二衍射导电电极324和多条架桥衍射导电电极325。多条第一衍射导电电极323与多条第二衍射导电电极324纵横交错，每条第一衍射导电电极323连续不间断，每条第二衍射导电电极324在与对应的多条第一衍射导电电极323的交错处断开并与多条第一衍射导电电极323不导通。每条架桥衍射导电电极325将对应的第二衍射导电电极324的断开处导通。架桥衍射导电电极325与第一衍射导电电极323的交错位置设有衍射绝缘体326。每条第一衍射导电电极323的两端与处理器80连接以形成一条衍射导电回路，每条第二衍射导电电极324的两端与处理器80连接以形成一条衍射导电回路，由此，多条第一衍射导电电极323的两端与处理器80均分别连接以形成多条衍射导电回路，多条第二衍射导电电极324的两端与处理器80均分别连接以形成多条衍射导电回路。其中，衍射绝缘体326的材料可为具有良好的透光性和绝缘性的有机材料，衍射绝缘体326可采用丝印或黄光制程等方式进行制作。多条第一衍射导电电极323与多条第二衍射导电电极324纵横交错指的是多条第一衍射导电电极323与多条第二衍射导电电极324相互垂直交错，即第一衍射导电电极323与第二衍射导电电极324的夹角为90度。当然，在其他实施方式中，多条第一衍射导电电极323与多条第二衍射导电电极324纵横交错还可以是多条第一衍射导电电极323与多条第二衍射导电电极324相互倾斜交错。使用时，处理器80可以同时对多条第一衍射导电电极323和多条第二衍射导电电极324通电以得到多个衍射电信号，或者，处理器80可依次对多条第一衍射导电电极323和多条第二衍射导电电极324通电以得到多个衍射电信号，随后，处理器80再根据衍射电信号来判断透光衍射导电膜31是否破裂。请结合图10，当检测到编号为①的第一衍射导电电极323输出的衍射电信号不在预设衍射范围内，编号为③的第二衍射导电电极324输出的衍射电信号不在预设衍射范围内时，说明透光衍射导电膜31在编号为①的第一衍射导电电极323与编号为③的第二衍射导电电极324交错处破裂，则衍射光学元件30与透光衍射导电膜31破裂位置对应的位置也破裂。如此，单层架桥结构的透光衍射导电膜31可以更为精确地检测衍射光学元件30是否破裂以及破裂的具体位置，并在衍射光学元件30破裂时，处理器80改变施加在电致变色器件40上的电压以减小电致变色器件40的透过率。
请结合图11，衍射光学元件30上形成有透光衍射导电膜31时，透光衍射导电膜31还可包括设置在衍射入射面301上的第一衍射导电膜311和设置在衍射出射面302上的第二衍射导电膜312(简称双层结构的透光衍射导电膜31)。当电致变色器件40为薄膜结构时，电致变色器件40的位置可为：电致变色器件40为一个，设置在第一衍射导电膜311上，即沿激光发射器10的发光方向，电致变色器件40、第一衍射导电膜311、衍射光学元件30、第二衍射导电膜312依次排列(如图12所示)；或者，电致变色器件40为一个，设置在第二衍射导电膜312上，即第一衍射导电膜311、衍射光学元件30、第二衍射导电膜312、电致变色器件40沿发光方向依次排列(图未示)；或者，电致变色器件40为多个，其中一个设置在第一衍射导电膜311上，一个设置在第二衍射导电膜312上，即电致变色器件40、第一衍射导电膜311、衍射光学元件30、第二衍射导电膜312、电致变色器件40沿发光方向依次排列(图未示)；或者，在激光投射模组100包括设置在镜筒50的顶部502的保护罩70时，电致变色器件40为一个，设置在保护罩70的内表面，即第一衍射导电膜311、衍射光学元件30、第二衍射导电膜312、电致变色器件40、保护罩70沿发光方向依次排列(如图13所示)；或者，在激光投射模组100包括设置在镜筒50的顶部502的保护罩70时，电致变色器件40为多个，其中一个电致变色器件40设置在保护罩70的内表面，一个设置在第一衍射导电膜311上，即电致变色器件40、第一衍射导电膜311、衍射光学元件30、第二衍射导电膜312、电致变色器件40、保护罩70沿发光方向依次排列(图未示)。当电致变色器件40为非薄膜片状结构时，为减小激光投射模组100的厚度，仅设置一个电致变色器件40，电致变色器件40的位置可以是：激光发射器10、电致变色器件40、准直元件20、第一衍射导电膜311、衍射光学元件30、第二衍射导电膜312沿发光方向依次排列(如图14所示)；或者，激光发射器10、准直元件20、电致变色器件40、第一衍射导电膜311、衍射光学元件30、第二衍射导电膜312沿发光方向依次排列(图未示)；或者，激光发射器10、准直元件20、第一衍射导电膜311、衍射光学元件30、第二衍射导电膜312、电致变色器件40沿发光方向依次排列(图未示)。第一衍射导电膜311上设置有多条平行的第一衍射导电电极323，第二衍射导电膜312上设置有多条平行的第二衍射导电电极324。第一衍射导电电极323在衍射出射面302上的投影与第二衍射导电电极324纵横交错，每条第一衍射导电电极323的两端与处理器80连接以形成一条衍射导电回路，每条第二衍射导电电极324的两端与处理器80连接以形成一条衍射导电回路，由此，多条第一衍射导电电极323的两端与处理器80均分别连接以形成多条衍射导电回路，多条第二衍射导电电极324的两端与处理器80均分别连接以形成多条衍射导电回路。其中，第一衍射导电电极323在衍射出射面302上的投影与第二衍射导电电极324纵横交错指的是多条第一衍射导电电极323与多条第二衍射导电电极324在空间上相互垂直交错，即第一衍射导电电极323在衍射出射面302上的投影与第二衍射导电电极324的夹角为90度。当然，在其他实施方式中，多条第一衍射导电电极323在衍射出射面302上的投影与多条第二衍射导电电极324纵横交错还可以是多条第一衍射导电电极323与多条第二衍射导电电极324在空间上相互倾斜交错。使用时，处理器80可以同时对多条第一衍射导电电极323和多条第二衍射导电电极324通电以得到多个衍射电信号，或者，处理器80可依次对多条第一衍射导电电极323和多条第二衍射导电电极324通电以得到多个衍射电信号，随后，处理器80再根据衍射电信号来判断透光衍射导电膜31是否破裂，进一步判断衍射光学元件30是否破裂。同上，根据多条第一衍射导电电极323及多条第二衍射导电电极324输出的衍射电信号即可精确地检测衍射光学元件30是否破裂以及破裂的具体位置，并在衍射光学元件30破裂时，处理器80改变施加在电致变色器件40上的电压以减小电致变色器件40的透过率。
请参阅图15，在某些实施方式中，准直元件20上形成有透光准直导电膜21，透光准直导电膜21上设有准直导电电极22(如图18所示)。准直导电电极22通电后输出准直电信号。处理器80还用于获取准直导电电极22通电后输出的准直电信号、判断准直电信号是否处于预设准直范围内、以及在准直电信号不处于预设准直范围内时确定准直元件20破裂。准直元件20破裂与否的判断机制与前述的衍射光学元件30破裂与否的判断机制相同，在此不再赘述。透光准直导电膜21的制作方式及材质与前述的透光衍射导电膜31的制作方式与材质相同，在此不再赘述。
请结合图15，准直元件20包括相背的准直入射面201和准直出射面202。准直元件20上形成有透光准直导电膜21时，透光准直导电膜21为单层结构，透光准直导电膜21设置在准直出射面202上。当电致变色器件40为薄膜结构时，电致变色器件40的位置可以是：电致变色器件40为一个，设置在透光准直导电膜21上，即沿激光发射器10的发光方向，准直元件20、透光准直导电膜21、电致变色器件40依次排列(如图15所示)；或者，电致变色器件40为一个，设置在准直入射面201上，即电致变色器件40、准直元件20、透光准直导电膜21沿发光方向依次排列(图未示)；或者，电致变色器件40为多个，一个设置在准直入射面201上，一个设置在准直出射面202上，即电致变色器件40、准直元件20、透光准直导电膜21、电致变色器件40沿发光方向依次排列(图未示)；或者，在激光投射模组100包括设置在镜筒50的顶部502的保护罩70时，电致变色器件40为一个，设置在电致变色器件40的内表面，即准直元件20、透光准直导电膜21、衍射光学元件30、电致变色器件40、保护罩70沿发光方向依次排列(如图16所示)；或者，在激光投射模组100包括设置在镜筒50的顶部502的保护罩70时，电致变色器件40为多个，其中一个设置在保护罩70的内表面，一个设置在准直入射面201上，即电致变色器件40、准直元件20、透光准直导电膜21、衍射光学元件30、电致变色器件40、保护罩70沿发光方向依次排列(图未示)；或者，在激光投射模组100包括设置在镜筒50的顶部502的保护罩70时，电致变色器件40为多个，其中一个设置在保护罩70的内表面，一个设置在透光准直导电膜21上，即准直元件20、透光准直导电膜21、电致变色器件40、衍射光学元件30、电致变色器件40、保护罩70沿发光方向依次排列(图未示)；或者，在激光投射模组100包括设置在镜筒50的顶部502的保护罩70时，电致变色器件40为多个，其中一个设置在保护罩70的内表面，一个设置在透光准直导电膜21上，一个设置在准直入射面201上，即电致变色器件40、准直元件20、透光准直导电膜21、电致变色器件40、衍射光学元件30、电致变色器件40、保护罩70沿发光方向依次排列(图未示)。当电致变色器件40为非薄膜片状结构时，为减小激光投射模组100的厚度，仅设置一个电致变色器件40，电致变色器件40的位置可以是：沿激光发射器10的发光方向，激光发射器10、电致变色器件40、准直元件20、透光准直导电膜21、衍射光学元件30依次排列(如图17所示)；或者，激光发射器10、准直元件20、透光准直导电膜21、电致变色器件40、衍射光学元件30依次排列(图未示)；或者，激光发射器10、准直元件20、透光准直导电膜21、衍射光学元件30、电致变色器件40依次排列(图未示)。
透光准直导电膜21设置在准直出射面202上时，准直导电电极22可为单条，单条的准直导电电极22包括准直输入端221和准直输出端222，准直输入端221及准直输出端222与处理器80均连接并形成准直导电回路。其中，准直导电电极22的排布方式有多种，例如，准直输入端221和准直输出端222的连线方向(即准直导电电极22的延伸方向)为透光准直导电膜21的长度方向(如图18所示)，或者准直导电电极22的延伸方向为透光准直导电膜21的宽度方向(图未示)，或者准直导电电极22的延伸方向为透光准直导电膜21的对角线方向(图未示)。无论准直导电电极22的排布方式是上述的哪种方式，准直导电电极22都能跨越整个透光准直导电膜21，可以较为准确地检测透光准直导电膜21是否破裂。请参阅图19，透光准直导电膜21设置在准直出射面202上时，透光准直导电膜21上设置的准直导电电极22也可为多条，多条准直导电电极22互不相交，每条准直导电电极22包括准直输入端221和准直输出端222。每个准直输入端221及每个准直输出端222与处理器80连接以形成一条准直导电回路，由此，多条准直导电电极22的准直输入端221及准直输出端222分别与处理器80连接以形成多条准直导电回路。其中，多条准直导电电极22的排布方式有多种：例如，每个准直导电电极22的延伸方向为透光准直导电膜21的长度方向，多条准直导电电极22平行间隔设置(如图19所示)；或者，每个准直导电电极22的延伸方向为透光准直导电膜21的宽度方向，多条准直导电电极22平行间隔设置(图未示)；或者，每个准直导电电极22的延伸方向为透光准直导电膜21的对角线方向，多条准直导电电极22平行间隔设置(图未示)。无论准直导电电极22的排布方式是上述的哪种形式，相较于设置单条准直导电电极22而言，多条准直导电电极22能够占据透光准直导电膜21较多的面积，相对应地可以输出更多的准直电信号。由于仅设置单条准直导电电极22时，有可能存在准直元件20破裂的位置与单条准直导电电极22的位置相隔甚远，而对单条准直导电电极22影响不大，该单条准直导电电极22输出的电信号仍在预设准直范围内的情况，检测准确度不高。而多条准直导电电极22占据透光准直导电膜21较多的面积，相对应地可以输出更多的准直电信号，处理器80可根据较多的准直电信号更为精确地判断透光准直导电膜21是否破裂，进一步地判断准直元件20是否破裂，提升准直元件20破裂检测的准确性。在检测到透光准直导电膜21破裂时，即认为准直元件20破裂，此时处理器80即刻改变施加在电致变色器件40上的电压以减小电致变色器件40的透过率。
请结合图20，可以理解，单层结构的透光准直导电膜21还可设置在准直入射面201上。当电致变色器件40为薄膜结构时，电致变色器件40的位置可以是：电致变色器件40为一个，设置在准直出射面202上，即沿激光发射器10的发光方向，透光准直导电膜21、准直元件20、电致变色器件40依次排列(如图20所示)；或者，电致变色器件40为一个，设置在透光准直导电膜21上，即电致变色器件40、透光准直导电膜21、准直元件20沿发光方向依次排列(图未示)；或者，电致变色器件40为多个，一个设置在透光准直导电膜21上，一个设置在准直出射面202上，即电致变色器件40、透光准直导电膜21、准直元件20、电致变色器件40沿发光方向依次排列(图未示)；或者，在激光投射模组100包括设置在镜筒50的顶部502的保护罩70时，电致变色器件40为一个，一个电致变色器件40设置在保护罩70的内表面，即透光准直导电膜21、准直元件20、衍射光学元件30、电致变色器件40、保护罩70沿发光方向依次排列(如图21所示)；或者，在激光投射模组100包括设置在镜筒50的顶部502的保护罩70时，电致变色器件40为多个，其中一个设置在保护罩70的内表面，一个设置在透光准直导电膜21上，即电致变色器件40、透光准直导电膜21、准直元件20、衍射光学元件30、电致变色器件40、保护罩70沿发光方向依次排列(图未示)；或者，在激光投射模组100包括设置在镜筒50的顶部502的保护罩70时，电致变色器件40为多个，一个设置在保护罩70的内表面，一个设置在准直出射面202上，即透光准直导电膜21、准直元件20、电致变色器件40、衍射光学元件30、电致变色器件40、保护罩70沿发光方向依次排列(图未示)；或者，在激光投射模组100包括设置在镜筒50的顶部502的保护罩70时，电致变色器件40为多个，其中一个设置在保护罩70的内表面，一个设置在透光准直导电膜21上，一个设置准直出射面202上，即电致变色器件40、透光准直导电膜21、准直元件20、电致变色器件40、衍射光学元件30、电致变色器件40、保护罩70沿发光方向依次排列(图未示)。当电致变色器件40为非薄膜片状结构时，为减小激光投射模组100的厚度，仅设置一个电致变色器件40，电致变色器件40的位置可以是：沿激光发射器10的发光方向，激光发射器10、电致变色器件40、透光准直导电膜21、准直元件20、衍射光学元件30依次排列(如图22所示)；或者，激光发射器10、透光准直导电膜21、准直元件20、电致变色器件40、衍射光学元件30依次排列(图未示)；或者，激光发射器10、透光准直导电膜21、准直元件20、衍射光学元件30、电致变色器件40依次排列(图未示)。透光准直导电膜21设置在准直入射面201上时，准直导电电极22可为单条或多条。单条或多条准直导电电极22的排布方式与透光准直导电膜21设置在准直出射面202上的准直导电电极22的排布方式类似，在此不再赘述。如此，处理器80可根据准直导电电极22输出的准直电信号判断准直元件20是否破裂，并在准直元件20破裂时即刻改变施加在电致变色器件40上的电压以减小电致变色器件40的透过率。
请结合图23及图24，准直元件20上形成有透光准直导电膜21时，透光准直导电膜21为单层架桥结构，透光准直导电膜21设置在准直出射面202或准直入射面201上。单层架桥结构的透光准直导电膜21设置在准直出射面202上时，电致变色器件40的位置与上述单层结构的透光准直导电膜21设置在准直出射面202上时电致变色器件40的位置类似；单层架桥结构的透光准直导电膜21设置在准直入射面201上时，电致变色器件40的位置与上述单层结构的透光准直导电膜21设置在准直入射面201上时电致变色器件40的位置类似，在此不再赘述。单层架桥结构的透光准直导电膜21设置在准直出射面202上时，透光准直导电膜21包括多条平行设置的第一准直导电电极223、多条平行设置的第二准直导电电极224和多条架桥准直导电电极225。多条第一准直导电电极223与多条第二准直导电电极224纵横交错，每条第一准直导电电极223连续不间断，每条第二准直导电电极224在与对应的多条第一准直导电电极223的交错处断开并与多条第一准直导电电极223不导通。每条架桥准直导电电极225将对应的第二准直导电电极224的断开处导通。架桥准直导电电极225与第一准直导电电极223的交错位置设有准直绝缘体226。每条第一准直导电电极223的两端与处理器80连接以形成一条准直导电回路，每条第一准直导电电极224的两端与处理器80连接以形成一条准直导电回路，由此，多条第一准直导电电极223的两端与处理器80均分别连接以形成多准直条导电回路，多条第一准直导电电极224的两端与处理器80均分别连接以形成多条准直导电回路。其中，准直绝缘体226的材料可为具有良好的透光性和绝缘性的有机材料，准直绝缘体226可采用丝印或黄光制程等方式进行制作。此处“纵横交错”的解释与前述单层架桥结构的透光衍射导电膜31处“纵横交错”的解释类似，在此不再展开阐述。使用时，处理器80可以同时对多条第一准直导电电极223和多条第一准直导电电极224通电以得到多个准直电信号，或者，处理器80可依次对多条第一准直导电电极223和多条第一准直导电电极224通电以得到多个准直电信号，随后，处理器80再根据准直电信号来判断透光准直导电膜21是否破裂。当检测到编号为①的第一准直导电电极223输出的准直电信号不在预设准直范围内，编号为③的第一准直导电电极224输出的准直电信号不在预设准直范围内时，说明透光准直导电膜21在编号为①的第一准直导电电极223与编号为③的第一准直导电电极224交错处破裂，则准直元件20与透光准直导电膜21破裂位置对应的位置也破裂。如此，单层架桥结构的透光准直导电膜21可以更为精确地检测准直元件20是否破裂以及破裂的具体位置，并在准直元件20破裂时，处理器80改变施加在电致变色器件40上的电压以减小电致变色器件40的透过率。
请结合图25，准直元件20上形成有透光准直导电膜21时，透光准直导电膜21包括设置在准直入射面201上的第一准直导电膜211和设置在准直出射面202上的第二准直导电膜212。当电致变色器件40为薄膜结构时，电致变色器件40的位置可为：电致变色器件40设置在第一准直导电膜211上，电致变色器件40、第一准直导电膜211、准直元件20、第二准直导电膜212沿发光方向依次排列(如图26所示)；或者，电致变色器件40设置在第二准直导电膜212上，第一准直导电膜211、准直元件20、第二准直导电膜212、电致变色器件40沿发光方向依次排列(图未示)；或者，电致变色器件40为多个，一个设置在第一准直导电膜211上，一个设置在第二准直导电膜212上，电致变色器件40、第一准直导电膜211、准直元件20、第二准直导电膜212、电致变色器件40沿发光方向依次排列(图未示)；或者，在激光投射模组100包括设置在镜筒50的顶部502的保护罩70时，电致变色器件40设置在保护罩70的内表面，第一准直导电膜211、准直元件20、第二准直导电膜212、衍射光学元件30、电致变色器件40、保护罩70沿发光方向依次排列(如图27所示)；或者，在激光投射模组100包括设置在镜筒50的顶部502的保护罩70时，电致变色器件40为多个，其中一个电致变色器件40设置在保护罩70的内表面，一个设置在第一准直导电膜211上，电致变色器件40、第一准直导电膜211、准直元件20、第二准直导电膜212、衍射光学元件30、电致变色器件40、保护罩70沿发光方向依次排列(图未示)；或者，在激光投射模组100包括设置在镜筒50的顶部502的保护罩70时，电致变色器件40为多个，其中一个电致变色器件40设置在保护罩70的内表面，一个设置在第二准直导电膜212上，第一准直导电膜211、准直元件20、第二准直导电膜212、电致变色器件40、衍射光学元件30、电致变色器件40、保护罩70沿发光方向依次排列(图未示)；或者，在激光投射模组100包括设置在镜筒50的顶部502的保护罩70时，电致变色器件40为多个，其中一个电致变色器件40设置在保护罩70的内表面，一个设置在第一准直导电膜211上，一个设置在第二准直导电膜212上，电致变色器件40、第一准直导电膜211、准直元件20、第二准直导电膜212、电致变色器件40、衍射光学元件30、电致变色器件40、保护罩70沿发光方向依次排列(图未示)。当电致变色器件40为非薄膜片状结构时，为减小激光投射模组100的厚度，仅设置一个电致变色器件40，例如，如图28所示，激光发射器10、电致变色器件40、第一准直导电膜211、准直元件20、第二准直导电膜212、衍射光学元件30沿激光发射器10的发光方向依次排列。此外，非薄膜片状结构的电致变色器件40的其他排列方式与上述的激光投射模组100设置双层结构的透光衍射导电膜31，且电致变色器件40为非薄膜片状结构时的排列相同，在此不再赘述。
第一准直导电膜211上设置有多条平行的第一准直导电电极223，第二准直导电膜212上设置有多条平行的第一准直导电电极224。第一准直导电电极223在准直出射面202上的投影与第二准直导电电极224纵横交错，每条第一准直导电电极223的两端与处理器80连接以形成一条准直导电回路，每条第二准直导电电极224的两端与处理器80连接以形成一条准直导电回路，由此，多条第一准直导电电极223的两端与处理器80均分别连接以形成多条准直导电回路，多条第二准直导电电极224的两端与处理器80均分别连接以形成多条准直导电回路。此处“纵横交错”的解释与前述双层结构的透光衍射导电膜31处“纵横交错”的解释类似，在此不再展开阐述。使用时，处理器80可以同时对多条第一准直导电电极223和多条第二准直导电电极224通电以得到多个准直电信号，或者，处理器80可依次对多条第一准直导电电极223和多条第二准直导电电极224通电以得到多个准直电信号，随后，处理器80再根据准直电信号来判断透光准直导电膜21是否破裂，进一步判断准直元件20是否破裂。同上，根据多条第一准直导电电极223及多条第二准直导电电极224输出的准直电信号即可精确地检测准直元件20是否破裂以及破裂的具体位置，并在准直元件20破裂时，处理器80改变施加在电致变色器件40上的电压以减小电致变色器件40的透过率。
在某些实施方式中，当电致变色器件40为薄膜结构时，准直元件20和衍射光学元件30上均可形成有电致变色器件40。举例来说，准直入射面201上设有透光准直导电膜21，衍射入射面301上设有透光衍射导电膜31，电致变色器件40的位置可以是：电致变色器件40为多个，一个设置在透光准直导电膜21上，一个设置在衍射出射面302上，即沿激光发射器10的发光方向，电致变色器件40、透光准直导电膜21、准直元件20、透光衍射导电膜31、衍射光学元件30、电致变色器件40依次排列。此时，准直导电电极22和单层的透光准直导电膜21可为上述实施方式中的任意一种结构，衍射导电电极32和单层的透光衍射导电膜31也可为上述实施方式中的任意一种结构。如此，准直元件20上设有透光准直导电膜21，衍射光学元件30上也设置有透光衍射导电膜31，处理器80可检测到准直元件20和衍射光学元件30是否破裂，并在二者中任意一者破裂时，改变多个电致变色器件40的透过率，从而更充分地阻挡激光的发射，提升用户使用的安全性。
请参阅图29，在某些实施方式中，衍射光学元件30中可掺杂衍射导电粒子33，衍射导电粒子33形成衍射导电通路34。此时，衍射光学元件30是否破裂的判断机制如下：当衍射光学元件30处于完好状态时，相邻的衍射导电粒子33之间是接合的，此时整个衍射导电通路34的电阻较小，在此状态下给衍射导电通路34通电，即施加一定大小的电压，则此时处理器80获取到的衍射导电通路34输出的电流较大。而当衍射光学元件30破裂时，掺杂在衍射光学元件30中的衍射导电粒子33之间的接合点断开，此时整个衍射导电通路34的电阻值接近无穷大，在此状态下给衍射导电通路34通电，处理器80获取到的衍射导电通路34输出的电流较小。因此，第一种方式：可以根据衍射导电通路34通电后输出的衍射电信号(即电流)与衍射光学元件30未破裂状态下检测到的衍射电信号之间的差异大小来判断衍射光学元件30是否破裂；第二种方式：可根据衍射光学元件30中衍射导电通路34通电后输出的衍射电信号直接判断衍射光学元件30是否破裂，具体地，若衍射导电通路34输出的衍射电信号不在预设衍射范围内时就确定衍射光学元件30破裂，若衍射导电通路34输出的衍射电信号在预设衍射范围内时则确定衍射光学元件30未破裂。
具体地，衍射光学元件30包括相背的衍射入射面301和衍射出射面302。衍射光学元件30中掺杂了多个衍射导电粒子33，多个衍射导电粒子33形成一条导电通路(图29所示)或互不相交且相互绝缘的或多条衍射导电通路34(图未示)。每条衍射导电通路34包括衍射输入端341和衍射输出端342。每个衍射输入端341及每个衍射输出端342与处理器80连接并形成衍射导电回路，如此，多个衍射输入端341及多个衍射输出端342形成多条衍射导电回路。当电致变色器件40为薄膜结构时，电致变色器件40的位置可以是：电致变色器件40设置在衍射出射面302上，即准直元件20、衍射光学元件30、电致变色器件40沿发光方向依次排列(如图30所示)；或者，电致变色器件40设置在衍射入射面301上，即准直元件20、电致变色器件40、衍射光学元件30沿发光方向依次排列(图未示)；或者，电致变色器件40为两个，分别设置在衍射入射面301上及衍射出射面302上，即准直元件20、电致变色器件40、衍射光学元件30、电致变色器件40沿发光方向依次排列(图未示)；或者，当激光投射模组100包括设置在镜筒50的顶部502的保护罩70时，电致变色器件40为一个，设置在保护罩70的内表面，即准直元件20、衍射光学元件30、电致变色器件40、保护罩70沿发光方向依次排列(如图31所示)；或者，电致变色器件40为两个，分别设置在衍射入射面301上及保护罩70的内表面上，即准直元件20、电致变色器件40、衍射光学元件30、电致变色器件40、保护罩70沿发光方向依次排列(图未示)。当电致变色器件40为非薄膜片状结构时，为减小激光投射模组100的厚度，仅设置一个电致变色器件40，电致变色器件40的位置可以是：沿激光发射器10的发光方向，激光发射器10、电致变色器件40、准直元件20、衍射光学元件30依次排列(如图32所示)；或者，电致变色器件40的位置还可以是其他情形，在此不作穷举。多个衍射导电粒子33形成一条衍射导电通路34时，衍射导电通路34的排布方式有多种：例如，衍射导电通路34的延伸方向为衍射光学元件30的长度方向(若衍射光学元件30为圆形，此处的长度方向则为衍射光学元件30的第一径向，衍射光学元件30的“长度方向”的解释下同，如图33所示)；或者衍射导电通路34的延伸方向为衍射光学元件30的宽度方向(图未示)；或者，衍射导电通路34的延伸方向为衍射光学元件30的对角线方向(图未示)。无论衍射导电通路34的排布方式是上述的哪种方式，衍射导电通路34都能跨越整个衍射光学元件30，可以较为准确地检测衍射光学元件30是否破裂。多个衍射导电粒子33形成多条互不相交且相互绝缘的衍射导电通路34时，衍射导电通路34的排布方式有多种：例如，每条衍射导电通路34的延伸方向为衍射光学元件30的长度方向(如图34所示)，多条衍射导电通路34平行间隔设置，由于衍射光学元件30具有一定的厚度，因此，多条衍射导电通路34在沿衍射光学元件30的长度方向平行间隔设置后，还可以沿衍射光学元件30的厚度方向呈层叠间隔设置(如图35所示)；或者，每条衍射导电通路34的延伸方向为衍射光学元件30的宽度方向(图未示)，多条衍射导电通路34平行间隔设置；或者，每条衍射导电通路34的延伸方向为衍射入射面301的对角线方向(图未示)，多条衍射导电通路34沿衍射入射面301的对角线方向平行间隔设置；或者，每条衍射导电通路34的延伸方向为衍射入射面301与衍射出射面302的对角线方向(图未示)，多条衍射导电通路34平行间隔设置；或者，每条衍射导电通路34沿衍射光学元件30的厚度方向平行间隔设置(图未示)。无论衍射导电通路34的排布方式是上述的哪种方式，相较于设置单条衍射导电通路34而言，多条衍射导电通路34能够占据衍射光学元件30较多的体积，相应地可以输出更多的衍射电信号。由于仅设置单条衍射导电通路34时，有可能存在衍射光学元件30破裂的位置与单条衍射导电通路34的位置相隔甚远，而对单条衍射导电通路34的影响不大，该单条衍射导电通路34输出的衍射电信号仍在预设衍射范围内的情况，检测准确度不高。而多条衍射导电通路34占据衍射光学元件30较多的体积，相应地可以输出更多的衍射电信号，处理器80可根据较多的衍射电信号更为精确地判断衍射光学元件30是否破裂，提升衍射光学元件30破裂检测的准确性。另外，在检测到衍射光学元件30破裂时，处理器80可即刻改变施加在电致变色器件40上的电压以减小电致变色器件40的透过率，避免激光能量过大对用户眼睛造成伤害。
请结合图36，衍射光学元件30中掺杂了多个衍射导电粒子33，多个衍射导电粒子33形成多条衍射导电通路34，多条衍射导电通路34包括多条第一衍射导电通路343和多条第二衍射导电通路344。多条第一衍射导电通路343平行间隔设置，多条第二衍射导电通路344平行间隔设置。此时，电致变色器件40的位置与多个衍射导电粒子33形成单条导电通路时电致变色器件40的位置一致，在此不再赘述。其中，多条第一衍射导电通路343和多条第二衍射导电通路344在空间上纵横交错，每条第一衍射导电通路343包括第一衍射输入端3431和第一衍射输出端3432，每条第二衍射导电通路344包括第二衍射输入端3441和第二衍射输出端3442。每个第一衍射输入端3431及每个第一衍射输出端3432与处理器80连接以形成一条衍射导电回路，每个第二衍射输入端3441及每个第二衍射输出端3442与处理器80连接以形成一条衍射导电回路。由此，多条第一衍射导电通路343的两端与处理器80均分别连接以形成多条衍射导电回路，多条第二衍射导电通路344的两端均与处理器80分别连接以形成多条衍射导电回路。多条第一衍射导电通路343与多条第二衍射导电通路344在空间上纵横交错指的是多条第一衍射导电通路343与多条第二衍射导电通路344在空间上相互垂直交错，即第一衍射导电通路343与第二衍射导电通路344的夹角为90度。此时，多条第一衍射导电通路343的延伸方向为衍射光学元件30的长度方向，且多条第二衍射导电通路344的延伸方向为衍射光学元件30的宽度方向；或者，多条第一衍射导电通路343的延伸方向为衍射光学元件30的厚度方向，且多条第二衍射导电通路344的延伸方向为衍射光学元件30的长度方向。当然，在其他实施方式中，多条第一衍射导电通路343与多条第二衍射导电通路344在空间上纵横交错还可以是多条第一衍射导电通路343与多条第二衍射导电通路344在空间上相互倾斜交错。使用时，处理器80可以同时对多条第一衍射导电通路343和多条第二衍射导电通路344通电以得到多个电信号。或者，处理器80可依次对多条第一衍射导电通路343和多条第二衍射导电通路344通电以得到多个衍射电信号，随后，处理器80再根据衍射电信号来判断衍射光学元件30是否破裂。请结合图37，当检测到编号为②的第一衍射导电通路343输出的电信号不在预设衍射范围内，且编号为④的第二衍射导电通路344输出的衍射电信号也不在预设衍射范围内时，说明衍射光学元件30在编号为②的第一衍射导电通路343和编号为④的第二衍射导电通路344的交错处破裂，则衍射光学元件30对应的位置也破裂，如此，通过多条第一衍射导电通路343和多条第二衍射导电通路344纵横交错排布的方式可以更为精确地检测衍射光学元件30是否破裂以及破裂的具体位置。此外，请一并参阅图37和图38，由于衍射光学元件30具有一定的宽度和厚度，因此，在多条第一衍射导电通路343和多条第二衍射导电通路344在空间上相互交错形成一对相互交错的衍射导电通路对后，还可以在衍射光学元件30的宽度方向或厚度方向形成多对上述相互交错的衍射导电通路对。同样地，使用时，处理器80可以同时对多条第一衍射导电通路343和多条第二衍射导电通路344通电以得到多个衍射电信号。或者，处理器80可依次对多条第一衍射导电通路343和多条第二衍射导电通路344通电以得到多个衍射电信号，随后，处理器80再根据电信号来判断衍射光学元件30是否破裂以及破裂的具体位置。由于仅设置一对衍射导电通路对时，有可能存在衍射光学元件30破裂的位置与单对的衍射导电通路对的位置相隔甚远，而对单对的衍射导电通路对影响不大，该单对衍射导电通路对中的多条第一衍射导电通路343和多条第二衍射导电通路344输出的衍射电信号仍在预设衍射范围内的情况，检测准确度不高。而本实施方式中，多对的衍射导电通路对可以占据衍射光学元件30更多的体积，相对应地可以输出更多的衍射电信号，处理器80可根据较多的衍射电信号更为精确地判断衍射光学元件30是否破裂及破裂的具体位置，提升衍射光学元件30破裂检测的准确性。另外，在检测到衍射光学元件30破裂时，处理器80可即刻改变施加在电致变色器件40上的电压以减小电致变色器件40的透过率，避免激光能量过大对用户眼睛造成伤害。
请参阅图39，在某些实施方式中，准直元件20中可掺杂准直导电粒子23，准直导电粒子23形成准直导电通路24。此时，准直元件20破裂与否的判断机制与前述的形成衍射导电通路34的衍射光学元件30破裂与否的判断机制相同，在此不再赘述。具体地，准直元件20包括相背的准直入射面201和准直出射面202。准直元件20中掺杂了多个准直导电粒子23，多个准直导电粒子23形成一条准直导电通路24或多条互不相交且相互绝缘的准直导电通路24。每条准直导电通路24包括准直输入端241和准直输出端242。每个准直输入端241及每个准直输出端242均与处理器80连接并形成多条准直导电回路。当电致变色器件40为薄膜结构时，电致变色器件40的位置可以是：电致变色器件40设置在准直出射面202上，即准直元件20、电致变色器件40、衍射光学元件30沿发光方向依次排列(如图40所示)；或者，电致变色器件40设置在准直入射面201上，即电致变色器件40、准直元件20、衍射光学元件30沿发光方向依次排列(图未示)；或者，电致变色器件40为两个，分别设置在准直入射面201与准直出射面202上，即电致变色器件40、准直元件20、电致变色器件40、衍射光学元件30沿发光方向依次排列(图未示)；或者，当激光投射模组100包括设置在镜筒50的顶部502的保护罩70时，电致变色器件40为一个，设置在保护罩70的内表面，即准直元件20、衍射光学元件30、电致变色器件40、保护罩70沿发光方向依次排列(如图41所示)；或者，电致变色器件40为两个，分别设置在准直入射面201上及保护罩70的内表面上，即电致变色器件40、准直元件20、衍射光学元件30、电致变色器件40、保护罩70沿发光方向依次排列(图未示)；或者，电致变色器件40为两个，分别设置在准直出射面202上及保护罩70的内表面上，即准直元件20、电致变色器件40、衍射光学元件30、电致变色器件40、保护罩70沿发光方向依次排列(图未示)；或者，电致变色器件40为多个，一个设置在准直入射面201上，一个设置在准直出射面202上，一个设置在保护罩70的内表面上，即电致变色器件40、准直元件20、电致变色器件40、衍射光学元件30、电致变色器件40、保护罩70沿发光方向依次排列(图未示)。当电致变色器件40为非薄膜片状结构时，为减小激光投射模组的厚度，仅设置一个电致变色器件40，电致变色器件40的位置可以是：激光发射器10、电致变色器件40、准直元件20、衍射光学元件30沿发光方向依次排列(如图42所示)；或者，电致变色器件40的位置还可以是其他情形，在此不作穷举。当多个准直导电粒子23形成一条准直导电通路24时，准直导电通路24的排布方式有多种：例如，准直导电通路24的延伸方向为准直元件20的长度方向(若准直元件20为圆形，此处的长度方向则为准直元件20的第一径向，准直元件20的“长度方向”的解释下同，如图43所示)；或者准直导电通路24的延伸方向为准直元件20的宽度方向(图未示)；或者，准直导电通路24的延伸方向为准直元件20的对角线方向(图未示)。无论准直导电通路24的排布方式是上述的哪种方式，准直导电通路24都能跨越整个准直元件20，可以较为准确地检测准直元件20是否破裂。当多个准直导电粒子23形成多条互不相交且相互绝缘的准直导电通路24时，准直导电通路24的排布方式有多种：例如，每条准直导电通路24的延伸方向为准直元件20的长度方向(如图44所示)，多条准直导电通路24平行间隔设置，由于准直元件20具有一定的厚度，因此，多条准直导电通路24在沿准直元件20的长度方向平行间隔设置后，还可以沿准直元件20的厚度方向呈层叠间隔设置(如图45所示)；或者，每条准直导电通路24的延伸方向为准直元件20的宽度方向(图未示)，多条准直导电通路24平行间隔设置；或者，每条准直导电通路24的延伸方向为准直入射面201的对角线方向(图未示)，多条准直导电通路24平行间隔设置；或者，每条准直导电通路24的延伸方向为准直入射面201与准直出射面202的对角线方向(图未示)，多条准直导电通路24沿平行间隔设置；或者，每条准直导电通路24沿准直元件20的厚度方向平行间隔设置(图未示)。无论准直导电通路24的排布方式是上述的哪种方式，相较于设置单条准直导电通路24而言，多条准直导电通路24能够占据准直元件20较多的体积，相应地可以输出更多的准直电信号。由于仅设置单条准直导电通路24时，有可能存在准直元件20破裂的位置与单条准直导电通路24的位置相隔甚远，而对单条准直导电通路24的影响不大，该单条准直导电通路24输出的准直电信号仍在预设准直范围内的情况，检测准确度不高。而本实施方式中，多条准直导电通路24占据准直元件20较多的体积，相应地可以输出更多的准直电信号，处理器80可根据较多的准直电信号更为精确地判断准直元件20是否破裂，提升准直元件20破裂检测的准确性。另外，在检测到准直元件20破裂时，处理器80可即刻改变施加在电致变色器件40上的电压以减小电致变色器件40的透过率，避免激光能量过大对用户眼睛造成伤害。
请结合图46，准直元件20中掺杂了多个准直导电粒子23，多个准直导电粒子23形成多条准直导电通路24，多条准直导电通路24包括多条第一准直导电通路243和多条第二准直导电通路244。多条第一准直导电通路243平行间隔设置，多条第二准直导电通路244平行间隔设置。此时，电致变色器件40的位置与多个导电粒子形成一条准直导电通路24时电致变色器件40的位置类似，在此不再赘述。多条第一准直导电通路243和多条第二准直导电通路244在空间上纵横交错，每条第一准直导电通路243包括第一准直输入端2431和第一准直输出端2432，每条第二准直导电通路244包括第二准直输入端2441和第二准直输出端2442。每个第一准直输入端2431及每个第一准直输出端2432与处理器80连接以形成一条准直导电回路，每个第二准直输入端2441及每个第二准直输出端2442与处理器80连接以形成一条准直导电回路。由此，多条第一准直导电通路243的两端与处理器80均分别连接以形成多条准直导电回路，多条第二准直导电通路244的两端均与处理器80分别连接以形成多条导准直电回路。多条第一准直导电通路243与多条第二准直导电通路244在空间上纵横交错指的是多条第一准直导电通路243与多条第二准直导电通路244在空间上相互垂直交错，即第一准直导电通路243与第二准直导电通路244的夹角为90度。此时，多条第一准直导电通路243的延伸方向为准直元件20的长度方向，且多条第二准直导电通路244的延伸方向为准直元件20的宽度方向；或者，多条第一准直导电通路243的延伸方向为准直元件20的厚度方向，且多条第二准直导电通路244的延伸方向为准直元件20的长度方向。当然，在其他实施方式中，多条第一准直导电通路243与多条第二准直导电通路244在空间上纵横交错还可以是多条第一准直导电通路243与多条第二准直导电通路244在空间上相互倾斜交错。使用时，处理器80可以同时对多条第一准直导电通路243和多条第二准直导电通路244通电以得到多个准直电信号。或者，处理器80可依次对多条第一准直导电通路243和多条第二准直导电通路244通电以得到多个准直电信号，随后，处理器80再根据准直电信号来判断准直元件20是否破裂。请结合图47，当检测到编号为②的第一准直导电通路243输出的电信号不在预设准直范围内，且编号为④的第二准直导电通路244输出的电信号也不在预设准直范围内时，说明准直元件20在编号为②的第一准直导电通路243和编号为④的第二准直导电通路244的交错处破裂，则准直元件20对应的位置也破裂，如此，通过多条第一准直导电通路243和多条第二准直导电通路244纵横交错排布的方式可以更为精确地检测准直元件20是否破裂以及破裂的具体位置。此外，请一并参阅图47和图48，由于准直元件20具有一定的宽度和厚度，因此，在多条第一准直导电通路243和多条第二准直导电通路244在空间上相互交错形成一对相互交错的准直导电通路对后，还可以在准直元件20的宽度方向或厚度方向形成多对上述相互交错的准直导电通路对。同样地，使用时，处理器80可以同时对多条第一准直导电通路243和多条第二准直导电通路244通电以得到多个准直电信号。或者，处理器80可依次对多条第一准直导电通路243和多条第二准直导电通路244通电以得到多个准直电信号，随后，处理器80再根据电信号来判断准直元件20是否破裂以及破裂的具体位置。由于仅设置一对准直导电通路对时，有可能存在准直元件20破裂的位置与单对的准直导电通路对的位置相隔甚远，而对单对的准直导电通路对影响不大，该单对准直导电通路对中的多条第一准直导电通路243和多条第二准直导电通路244输出的准直电信号仍在预设准直范围内的情况，检测准确度不高。而多对的准直导电通路对可以占据准直元件20更多的体积，相对应地可以输出更多的准直电信号，处理器80可根据较多的准直电信号更为精确地判断准直元件20是否破裂及破裂的具体位置，提升准直元件20破裂检测的准确性。另外，在检测到准直元件20破裂时，处理器80可即刻改变施加在电致变色器件40上的电压以减小电致变色器件40的透过率，避免激光能量过大对用户眼睛造成伤害。
在某些实施方式中，当电致变色器件40为薄膜结构时，准直元件20和衍射光学元件30上均可形成有电致变色器件40。举例来说，准直元件20掺杂的多个准直导电粒子23形成有多条互不相交且相互绝缘的准直导电通路24，衍射光学元件30掺杂的衍射导电粒子33形成有多条在空间上纵横交错的第一衍射导电通路343和第二衍射导电通路344，电致变色器件40的位置可以是：电致变色器件40为多个，一个设置在准直入射面201上，一个设置在衍射出射面302上，即沿电致变色器件40、准直元件20、衍射光学元件30、电致变色器件40沿发光方向依次排列。当然，在其他实施方式中，准直导电通路24和衍射导电通路34可以为上述实施方式中的任意一种结构。如此，准直元件20上设有透光准直导电膜21，衍射光学元件30上也设置有透光衍射导电膜31，处理器80可检测到准直元件20和衍射光学元件30是否破裂，并在二者中任意一者破裂时，改变多个电致变色器件40的透过率，从而更充分地阻挡激光的发射，提升用户使用的安全性。
在某些实施方式中，准直元件20上可以设置透光准直导电膜21来检测准直元件20是否破裂，衍射光学元件30可以掺杂衍射导电粒子31来检测衍射光学元件30是否破裂；或者，准直元件20可以掺杂准直导电粒子23来检测准直元件20是否破裂，衍射光学元件30可以设置透光衍射导电膜31来检测衍射光学元件30是否破裂。此时，电致变色器件40的位置可以是上述任一实施方式中记载的位置。
请参阅图49，在某些实施方式中，激光投射模组100还包括基板组件60。基板组件60包括基板62及承载在基板上的电路板61。电路板61可以是硬板、软板或软硬结合板。电路板61开设有过孔611，激光发射器10承载在基板62上并收容在过孔611内。激光发射器10经由电路板61与处理器80电连接。基板62上还开设有散热孔621，激光发射器10或电路板61工作产生的热量可以由散热孔621散出，散热孔621内还可以填充导热胶，以进一步提高基板组件60的散热性能。
激光发射器10可以是垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface EmittingLaser,VCSEL)或者边发射激光器(edge-emitting laser，EEL)，在如图49所示的实施例中，激光发射器10为边发射激光器，具体地，激光发射器10可以为分布反馈式激光器(Distributed Feedback Laser，DFB)。激光发射器10用于向收容腔54内发射激光。请结合图50，激光发射器10整体呈柱状，激光发射器10远离基板组件60的一个端面形成发光面11，激光从发光面11发出，发光面11朝向准直元件20。激光发射器10固定在基板组件60上，具体地，激光发射器10可以通过封胶15粘接在基板组件60上，例如激光发射器10与发光面11相背的一面粘接在基板组件60上。请结合图49和图51，激光发射器10的侧面12也可以粘接在基板组件60上，封胶15包裹住四周的侧面12，也可以仅粘结侧面12的某一个面与基板组件60或粘结某几个面与基板组件60。此时封胶15可以为导热胶，以将激光发射器10工作产生的热量传导至基板组件60中。
激光投射模组100采用边发射激光器作为激光发射器，一方面边发射激光器较VCSEL阵列的温飘较小，另一方面，由于边发射激光器为单点发光结构，无需设计阵列结构，制作简单，激光投射模组100的成本较低。
分布反馈式激光器的激光在传播时，经过光栅结构的反馈获得功率的增益。要提高分布反馈式激光器的功率，需要通过增大注入电流和/或增加分布反馈式激光器的长度，由于增大注入电流会使得分布反馈式激光器的功耗增大并且出现发热严重的问题，因此，为了保证分布反馈式激光器能够正常工作，需要增加分布反馈式激光器的长度，导致分布反馈式激光器一般呈细长条结构。当边发射激光器的发光面11朝向准直元件20时，边发射激光器呈竖直放置，由于边发射激光器呈细长条结构，边发射激光器容易出现跌落、移位或晃动等意外，因此通过设置封胶15能够将边发射激光器固定住，防止边发射激光器发生跌落、移位或晃动等意外。
请参阅图49和图52，在某些实施方式中，激光发射器也可采用如图52所示的固定方式固定在基板组件60上。具体地，激光投射模组100包括多个支撑件16，支撑件16可以固定在基板组件60上。多个支撑件16围成收容空间160，激光发射器10收容在收容空间160内并被多个支撑件16支撑住。在安装时可以将激光发射器10直接安装在多个支撑件16之间。在一个例子中，多个支撑件16共同夹持激光发射器10，以进一步防止激光发射器10发生晃动。
在某些实施方式中，基板61可以省去，激光发射器10直接固定在电路板62上以减小激光投射模组100的整体厚度。
请参阅图53，本发明还提供一种深度相机1000。本发明实施方式的深度相机1000包括上述任意一项实施方式的激光投射模组100、图像采集器200和处理器80。其中，图像采集器200用于采集经衍射光学元件30衍射后向目标空间中投射的激光图案。处理器80分别与激光投射模组100及图像采集器200连接。处理器80用于处理激光图案以获取深度图像。此处的处理器80可以为激光投射模组100中的处理器80。
具体地，激光投射模组100通过投射窗口901向目标空间中投射激光图案，图像采集器200通过采集窗口902采集被目标物体调制后的激光图案。图像采集器200可为红外相机，处理器80采用图像匹配算法计算出该激光图案中各像素点与参考图案中的对应各个像素点的偏离值，再根据偏离值进一步获得该激光图案的深度图像。其中，图像匹配算法可为数字图像相关(Digital Image Correlation，DIC)算法。当然，也可以采用其它图像匹配算法代替DIC算法。
请参阅图54，本发明实施方式的电子装置3000包括壳体2000及上述实施方式的深度相机1000。深度相机1000设置在壳体2000内并从壳体2000暴露以获取深度图像。
本发明实施方式的电子装置3000及深度相机1000中的激光投射模组100设置有电致变色器件40，在检测到准直元件20和光学元件中的任意一者破裂时，处理器80会立即改变施加在电致变色器件40上的电压以减小电致变色器件40的透过率，从而避免因准直元件20和光学元件破裂，导致发射的激光能量过大而伤害用户眼睛的问题，提升用户使用激光投射模组100的安全性。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (19)

1.一种激光投射模组，其特征在于，所述激光投射模组包括：
激光发射器，所述激光发射器用于发射激光；
准直元件，所述准直元件用于准直所述激光；
衍射光学元件，所述衍射光学元件用于衍射经所述准直元件准直后的激光以形成激光图案；
电致变色器件，所述电致变色器件位于所述激光发射器的发光光路上；和
与所述电致变色器件连接的处理器，所述处理器用于在所述准直元件和/或所述衍射光学元件破裂时，控制所述电致变色器件变色以阻挡所述激光的发射。
2.根据权利要求1所述的激光投射模组，其特征在于，所述电致变色器件为薄膜结构，所述衍射光学元件包括相背的衍射入射面和衍射出射面，所述准直元件包括相背的准直入射面和准直出射面；
所述电致变色器件形成在所述衍射出射面上；和/或
所述电致变色器件形成在所述衍射入射面上；和/或
所述电致变色器件形成在所述准直出射面上；和/或
所述电致变色器件形成在所述准直入射面上。
3.根据权利要求1所述的激光投射模组，其特征在于，所述电致变色器件为薄膜结构，所述激光投射模组还包括镜筒及由透光材料制成的防护罩，所述镜筒包括相背的顶部及底部，所述镜筒形成有贯穿所述顶部及所述底部的收容腔，所述镜筒的侧壁向所述收容腔的中心延伸有环形承载台，所述保护罩设置在所述顶部上，所述衍射光学元件相背的两侧分别与所述保护罩及所述承载台抵触，所述电致变色器件形成在所述防护罩的与所述衍射光学元件抵触的表面上。
4.根据权利要求1所述的激光投射模组，其特征在于，所述电致变色器件为非薄膜片状结构，所述激光投射模组还包括镜筒，所述镜筒包括相背的顶部及底部，所述镜筒形成有贯穿所述顶部及所述底部的收容腔，所述镜筒的侧壁向所述收容腔的中心延伸有环形承载台，所述激光发射器、所述准直元件、及所述衍射光学元件均收容在所述收容腔内，所述衍射光学元件设置在所述承载台上；
所述电致变色器件、所述准直元件、及所述衍射光学元件依次位于所述激光发射器的发光光路上；或
所述准直元件、所述电致变色器件、及所述衍射光学元件依次位于所述激光发射器的发光光路上；或
所述准直元件、所述衍射光学元件、及所述电致变色器件依次位于所述激光发射器的发光光路上。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的激光投射模组，其特征在于，所述准直元件上还形成有透光准直导电膜，所述透光准直导电膜上设有准直导电电极，所述准直导电电极通电后用于输出准直电信号；所述处理器还用于获取所述准直电信号、判断所述准直电信号是否处于预设准直范围内、以及在所述准直电信号不处于所述预设准直范围内时确定所述准直元件破裂；和/或
所述衍射光学元件上形成有透光衍射导电膜，所述透光衍射导电膜上设有衍射导电电极，所述衍射导电电极通电后用于输出衍射电信号；所述处理器还用于获取所述衍射电信号、判断所述衍射电信号是否处于预设衍射范围内、以及在所述衍射电信号不处于所述预设衍射范围内时确定所述衍射光学元件破裂。
6.根据权利要求5所述的激光投射模组，其特征在于，所述衍射导电电极为单条，所述衍射导电电极包括衍射输入端及衍射输出端，所述衍射输入端及所述衍射输出端与所述处理器连接并形成衍射导电回路。
7.根据权利要求5所述的激光投射模组，其特征在于，所述衍射导电电极为多条，多条所述衍射导电电极互不相交，每条所述衍射导电电极包括衍射输出端及衍射输入端，每个所述衍射输入端及每个衍射输出端与所述处理器连接以形成衍射导电回路。
8.根据权利要求5所述的激光投射模组，其特征在于，所述衍射导电电极为多条，所述衍射导电电极包括多条平行设置的第一衍射导电电极、多条平行设置的第二衍射导电电极和多条架桥衍射导电电极，多条所述第一衍射导电电极与多条所述第二衍射导电电极纵横交错，每条所述第一衍射导电电极连续不间断，每条所述第二衍射导电电极在与对应的多条所述第一衍射导电电极的交错处断开并与多条所述第一衍射导电电极不导通；每条所述架桥衍射导电电极将对应的所述第二衍射导电电极的断开处导通；所述架桥衍射导电电极与所述第一衍射导电电极的交错位置设置有衍射绝缘体；每条所述第一衍射导电电极的两端与所述处理器连接以形成衍射导电回路，每条所述第二衍射导电电极的两端与所述处理器连接以形成衍射导电回路。
9.根据权利要求5所述的激光投射模组，其特征在于，所述衍射光学元件包括相背的衍射入射面和衍射出射面，当所述衍射光学元件上形成有透光衍射导电膜时，所述透光衍射导电膜包括设置在所述衍射入射面上的第一衍射导电膜和设置在所述衍射出射面上的第二衍射导电膜，所述第一衍射导电膜上设置有多条平行的第一衍射导电电极，所述第二衍射导电膜上设置有多条平行的第二衍射导电膜，所述第一衍射导电电极在所述衍射出射面上投影与所述第二衍射导电电极纵横交错，每条所述第一衍射导电电极的两端与所述处理器连接以形成衍射导电回路，每条所述第二衍射导电电极的两端与所述处理器连接以形成衍射导电回路。
10.根据权利要求5所述的激光投射模组，其特征在于，所述准直射导电电极为单条，所述准直导电电极包括准直输入端及准直输出端，所述准直输入端及所述准直输出端与所述处理器连接并形成准直导电回路。
11.根据权利要求5所述的激光投射模组，其特征在于，所述准直导电电极为多条，多条所述准直导电电极互不相交，每条所述准直导电电极包括准直输出端及准直输入端，每个所述准直输入端及每个准直输出端与所述处理器连接以形成准直导电回路。
12.根据权利要求5所述的激光投射模组，其特征在于，所述准直导电电极为多条，所述准直导电电极包括多条平行设置的第一准直导电电极、多条平行设置的第二准直导电电极和多条架桥准直导电电极，多条所述第一准直导电电极与多条所述第二准直导电电极纵横交错，每条所述第一准直导电电极连续不间断，每条所述第二准直导电电极在与对应的多条所述第一准直导电电极的交错处断开并与多条所述第一准直导电电极不导通；每条所述架桥准直导电电极将对应的所述第二准直导电电极的断开处导通；所述架桥准直导电电极与所述第一准直导电电极的交错位置设置有准直绝缘体；每条所述第一准直导电电极的两端与所述处理器连接以形成准直导电回路，每条所述第二准直导电电极的两端与所述处理器连接以形成准直导电回路。
13.根据权利要求5所述的激光投射模组，其特征在于，所述准直光学元件包括相背的准直入射面和准直出射面，当所述准直光学元件上形成有透光准直导电膜时，所述透光准直导电膜包括设置在所述准直入射面上的第一准直导电膜和设置在所述准直出射面上的第二准直导电膜，所述第一准直导电膜上设置有多条平行的第一准直导电电极，所述第二准直导电膜上设置有多条平行的第二准直导电膜，所述第一准直导电电极在所述准直出射面上投影与所述第二准直导电电极纵横交错，每条所述第一准直导电电极的两端与所述处理器连接以形成准直导电回路，每条所述第二准直导电电极的两端与所述处理器连接以形成准直导电回路。
14.根据权利要求1-4任意一项所述的激光投射模组，其特征在于，所述准直元件和/或所述衍射光学元件包括导电粒子，所述导电粒子掺杂在所述准直元件和/或所述衍射光学元件中，所述导电粒子形成导电通路，所述导电通路用于输出电信号，所述处理器用于获取所述电信号、判断所述电信号是否处于预设范围内、以及在所述电信号不处于所述预设范围内时确定所述准直元件和/或所述衍射光学元件破裂。
15.根据权利要求14所述的激光投射模组，其特征在于，所述导电通路为一条，所述导电通路包括输入端和输出端，所述输入端及所述输出端与所述处理器连接并形成导电回路。
16.根据权利要求14所述激光投射模组，其特征在于，所述导电通路为多条，多条所述导电通路互不相交，每条所述导电通路包括输入端及输出端，每个所述输入端及每个所述输出端与所述处理器连接并形成导电回路。
17.根据权利要求14所述的激光投射模组，其特征在于，所述导电通路为多条，多条所述导电通路包括多条第一导电通路和多条第二导电通路，多条所述第一导电通路平行间隔设置，多条第二所述导电通路平行间隔设置，多条所述第一导电通路和多条所述第二导电通路在空间上纵横交错，每条所述导电通路包括输入端及输出端，每个所述输入端及每个所述输出端与所述处理器连接并形成导电回路。
18.一种深度相机，其特征在于，所述深度相机包括：
权利要求1-17任意一项所述的激光投射模组；
图像采集器，所述图像采集器用于采集由所述激光投射模组向目标空间中投射的激光图案；和
所述处理器用于处理所述激光图案以获得深度图像。
19.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括：
壳体；和
权利要求18所述的深度相机，所述深度相机设置在所述壳体内并从所述壳体暴露以获取深度图像。
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