CN108369981B - 发光装置封装件和照明装置 - Google Patents

发光装置封装件和照明装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108369981B
CN108369981B CN201780004190.6A CN201780004190A CN108369981B CN 108369981 B CN108369981 B CN 108369981B CN 201780004190 A CN201780004190 A CN 201780004190A CN 108369981 B CN108369981 B CN 108369981B
Authority
CN
China
Prior art keywords
phosphor
emitting device
wavelength
light emitting
intensity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201780004190.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108369981A (zh
Inventor
金在煜
金泰镐
李兴柱
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd filed Critical Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd
Publication of CN108369981A publication Critical patent/CN108369981A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108369981B publication Critical patent/CN108369981B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7707—Germanates
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

一个实施例涉及发光装置封装件和照明装置。根据实施例的发光装置封装件可以包括封装主体(11)、设置在封装主体(11)上的发光装置25、设置在发光装置(25)上的模制构件(41)和设置在模制构件(41)中的磷光体(30)。发光装置(25)的415nm至455nm的第一波长范围的强度比相对于第一波长范围的日光源的强度可以是最多75％。发光装置(25)的465nm至495nm的第二波长范围的强度比相对于第二波长范围的日光源的强度可以是最少60％。此外，发光装置(25)的465nm至495nm的第二波长范围的强度比可以高于发光装置(25)的415nm至455nm的第一波长范围的强度比。磷光体(30)包括作为绿色磷光体的第一磷光体(31)和作为红色磷光体的第二磷光体(32)，由此实现利用发光装置(25)的发光波长作为激发波长的白色光源。

Description

发光装置封装件和照明装置
技术领域
实施例涉及发光装置封装件和照明装置。
背景技术
在发光装置中，具有将电能转换为光能的特性的P-N结二极管可以通过组合周期表第3-5族元素或2-6元素来制造，并且通过调节化合物半导体的组合比例来实现各种颜色。
例如，氮化物半导体由于高热稳定性和宽带隙能量而在光装置和高输出电子装置的发展领域引起了很多关注。特别是，使用氮化物半导体的蓝色发光装置、绿色发光装置、紫外(UV)发光装置和红色发光装置已经商业化并被广泛使用。
这样的发光装置可以实现各种颜色，例如红色、绿色、蓝色和UV，并且可以通过使用荧光材料或组合发出的各种光来实现具有良好效率的白光。因此，与荧光灯和白炽灯相比，该发光装置具有低功耗、半永久寿命、快速响应时间、安全性和环境亲和力。
实现白光的方法的示例包括使用单个芯片的方法和使用多芯片的方法。例如，在通过使用单个芯片实现白光的情况下，正在使用通过用从蓝色发光二极管(LED)或UV LED发射的光对至少一种磷光体进行激发来获得白光的方法。或者，在多芯片中，例如，存在通过组合三种类型的红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)芯片来制造多芯片的方法。
人体的视网膜包括B视锥细胞、G视锥细胞和R视锥细胞。每个电信号的电平基于三种视锥细胞被外部光激励的程度而变化，并且大脑组合电信号以确定颜色。
现有技术使用具有440nm至450nm的中心波长的蓝色LED来提高光源的能量效率。
例如，图1a是示出第一现有技术的发光装置封装件的波长光谱C1相对于日光的发射波长S的示例性图。参照图1，大约415nm至455nm的第一波长范围H的强度比HC占据的面积比大约465nm至495nm的第二波长范围B的强度比BC要大。
例如，在现有技术中，相对于日光，第一波长范围(415nm至455nm)面积的强度比HC为大约98％，第二波长范围(465nm至495nm)面积的强度比BC仅为大约54％。
此外，图1b示出了第一现有技术的发光装置封装件的波长光谱C1、施加到其上的绿色磷光体G1的波长光谱和施加到其上的红色磷光体R1的波长光谱。
根据最近的研究，在人体的视觉细胞暴露于具有大约415nm至455nm的第一波长范围H的光的情况下，眼睛危害作用施加到眼睛，并在其寿命期间累积。检查到眼睛危害作用引起年龄相关的黄斑变性并损害人的视力。年龄相关的黄斑变性是老年视力丧失的主要原因，但最近发生在年轻人身上。据了解，如果由于疾病造成视力损害，则无法恢复先前的视力。
为了降低大约415nm至455nm的第一波长范围H内的危害性，一些研究已尝试在LED前面使用滤波器或佩戴其中装有滤波器的眼镜。在该尝试中，大约415nm至455nm的第一波长范围H的对眼睛有害的波长范围被消除，另外，发生了另一问题，即，用于制造白色光源所需的蓝色范围和对控制人体的一周节律有利的大约465nm至495nm的第二波长范围B被消除。
图2示出了第一现有技术的发光装置封装件的特殊CRI数据。根据图2，作为表示光源的品质的指标之一的R9(纯红)的值为-11.9，由于此，存在产生与日光类似的反射光的问题。
图3示出了第二现有技术的发光装置封装件的波长光谱C2、施加到其上的绿色磷光体G2的波长光谱、施加到其上的第二红色磷光体R2的波长光谱和施加到其上的第三红色磷光体R3的波长光谱。通常，光致发光(PL)波长为长波长的磷光体具有比具有短波长的磷光体的光效率低的光效率，因此光通量降低。
第二现有技术通过仅使用具有短波长的第二红色磷光体R2(峰值波长为610nm)不能满足商业界的要求“R9>0”。因此，已经通过一起使用具有长波长和低能量效率的第三红色磷光体R3(峰值波长为625nm)，来尝试着改进R9指示，尽管光通量被损失。
因此，现有技术具有不能同时满足提高光通量的技术特性和用于改善(例如，R9>0)特殊CRI指数的技术特性的技术限制。
发明内容
技术问题
实施例提供了能够使对人体有害的波长范围最小化且使对人体有益的波长范围最大化的发光装置封装件和照明装置。
此外，实施例提供了既能够满足提高光通量的技术特性且又能够满足提高(例如，R9>0)特殊CRI指数的技术特性的发光装置封装件和照明装置。
技术方案
根据实施例的发光装置封装件可以包括封装主体11、设置在封装主体11上的发光装置25、设置在发光装置25上的模制构件41和设置在模制构件41中的磷光体30。
与具有415nm至455nm的第一波长范围的日光源的强度相比，发光装置的415nm至455nm的第一波长范围的强度比可以是75％或更小。
与具有465nm至495nm的第二波长范围的日光源的强度相比，发光装置的465nm至495nm的第二波长范围的强度比可以是60％或更大。
此外，在发光装置中，465nm至495nm的第二波长范围的强度比可以高于415nm至455nm的第一波长范围的强度比。
磷光体30可以包括作为绿色磷光体的第一磷光体31和作为红色磷光体的第二磷光体32，由此实现利用发光装置25的发射波长作为激发波长的白色光源。
例如，磷光体30可以包括具有515nm至570nm的发射中心波长的第一磷光体31和具有580nm至670nm的发射中心波长的第二磷光体33，由此实现利用发光装置25的发射波长作为激发波长的白色光源。
此外，磷光体30可以包括具有515nm至570nm的中心波长的第一磷光体31、具有580nm至670nm的中心波长的第二磷光体32和具有490nm至505nm的中心波长的第三磷光体33，由此实现利用发光装置的发射波长作为激发波长的白色光源。
根据实施例的照明装置可以包括发光单元，所述发光单元包括所述发光装置封装件。
有益效果
实施例可以提供能够使对人体有害的波长范围最小化且使对人体有益的波长范围最大化的发光装置封装件和照明装置。
此外，实施例可以提供既能够满足提高光通量的技术特性且又能够满足提高(例如，R9>0)特殊CRI指数的技术特性的发光装置封装件和照明装置。
附图说明
图1a和图1b是第一现有技术的发光装置封装件的波长光谱的示例性图。
图2示出了第一现有技术的发光装置封装件的CRI数据。
图3是第二现有技术的发光装置封装件的波长光谱的示例性图。
图4是根据第一实施例的发光装置封装件的剖视图。
图5a和图5b是根据第一实施例的发光装置封装件的波长光谱的示例性图。
图6示出了根据第一实施例的发光装置封装件的CRI数据。
图7a至图7c示出了通过将根据第一实施例的发光装置封装件的波长光谱与第一现有技术的发光装置封装件的波长光谱进行比较所获得的数据段。
图8是根据第二实施例的发光装置封装件的剖视图。
图9a和图9b是示出了根据第二实施例的发光装置封装件的波长光谱和第三现有技术的发光装置封装件的波长光谱的示例性图。
图10是根据实施例的照明装置的分解透视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，将理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为“在”另一层(或膜)、区域、焊盘或图案“上”时，术语“在…上”和“在…下方”包括“直接地”和“间接地”两种含义。另外，关于“在”每个层“上”和“在”每个层“下方”的参考将在附图的基础上进行，但是实施例不限于此。
(实施例)
图4是根据第一实施例的发光装置封装件的剖视图。
参照图4，实施例的发光装置封装件101可以包括主体11、多个引线框架21和23、发光装置25、磷光体30和模制构件41中的一个或更多个。
例如，发光装置封装件101可以包括主体11、设置在主体11上的多个引线框架21和23、电连接到多个引线框架21和23的发光装置25以及设置在发光装置25上并包括磷光体30的模制构件41。
主体11可以由相对于从发光装置25发射的光而言反射率高于透射率的材料(例如，反射率为70％或更大的材料)形成。在反射率为70％或更大的情况下，主体11可以被定义为非透射材料。
主体11可以由树脂类绝缘材料(例如，诸如聚邻苯二甲酰胺(PPA)的树脂材料)形成。或者，在主体11中，可以将金属氧化物添加到诸如环氧树脂或硅树脂的树脂材料中。金属氧化物可以包括TiO2、SiO2或Al2O3中的至少一种。
主体11可以包括硅类材料、环氧类材料或塑料材料，并可以由热固性树脂、高耐热材料、高耐光材料形成。
此外，可以选择性地将酸酐、抗氧化剂、脱模剂、光反射剂、无机充电剂、硬化催化剂、光稳定剂、润滑剂和二氧化钛添加到主体11中。
此外，主体11可以由从由环氧树脂、环氧改性树脂、硅树脂、硅改性树脂、丙烯酸树脂和聚氨酯树脂组成的组中选择的至少一种材料形成。例如，在主体11中，包括三缩水甘油基异氰脲酸酯和氢化双酚A二缩水甘油醚的环氧树脂以及包括六氢邻苯二甲酸酐、3-甲基六氢邻苯二甲酸酐和4-甲基六氢邻苯二甲酸酐的酸酐可作为硬化促进剂添加到环氧树脂中，乙二醇、氧化钛颜料和玻璃纤维可以作为助催化剂加入到1,8-二氮杂双环(5,4,0)十一烯-7(DBU)中，并且可以通过加热部分地进行硬化反应，由此可以使用B阶固体环氧树脂组合物。然而，本发明不限于此。
在实施例中，光阻挡材料或分散剂可以混合在主体11中，由此减少透射光的量。另外，为了使主体11具有特定功能，可以使从由分散剂、磷光材料、反射材料、光阻挡材料、光稳定剂和润滑剂组成的组中选择的至少一种材料与热固性树脂适当混合。
主体11可以包括腔15，腔15从主体11的顶部凹入特定深度并且包括敞开的上部。腔15可以设置成诸如凹杯结构、开放结构或凹进结构的形状，但是不限于此。
腔15可以具有沿向上方向逐渐变宽的宽度，从而提高光提取效率。
多个引线框架(例如，第一引线框架21和第二引线框架23)可以设置在主体11上。第一引线框架21和第二引线框架23可以设置在腔15的底部，并且第一引线框架21和第二引线框架23的外部可以通过主体11在主体11的至少一个侧表面上暴露。第一引线框架21的下部和第二引线框架23的下部可在主体11的下部处暴露，安装在电路板上并被供电。
作为第一引线框架21和第二引线框架23的示例，第一引线框架21和第二引线框架23中的至少一个或全部可以包括设置在具有凹杯形状的结构或弯曲结构中的凹槽或孔并且凹入以与主体11结合，但是不限于此。发光装置25可以设置在凹杯形状中，但不限于此。
第一引线框架21以及第二引线框架23的下部可以包括金属材料，例如钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)和磷(P)中的至少一种，并且可以由单层或多层形成。
发光装置25可以设置在第一引线框架21上，并且发光装置25可以通过粘合构件附着在第一引线框架21上，但是不限于此。发光装置25可以通过连接构件27连接到第一引线框架21和第二引线框架23中的至少一个，但是不限于此。连接构件27可以包括包含导电材料例如金属材料的导线。
发光装置25可以包括II-VI族化合物和III-V族化合物中的至少一种。发光装置25可以由例如从由GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、AlN、GaAs、AlGaAs、InP及其化合物组成的组中选择的化合物形成。
模制构件41可以设置在腔15上。根据实施例，模制构件41可以包括磷光体30。磷光体30可以包括发射具有不同峰值波长的光的磷光材料。
例如，磷光体30可以包括发射具有不同峰值波长的光的第一磷光体31和第二磷光体33。第一磷光体31可以包括一种磷光体或者两种或更多种磷光体，例如，可以包括发射具有第一峰值波长的光(例如，绿光)的绿色磷光体，其中从发光装置25发射的峰值波长作为激发波长。第二磷光体33可以发射具有第二峰值波长(例如，红色峰值波长)的光，其中从发光装置25发射的峰值波长作为激发波长。
如上所述，实施例的第一技术问题是提供能够使对人体有害的波长范围最小化且使对人体有益的波长范围最大化的发光装置封装件和照明装置，此外，实施例的第二技术问题是提供既能够满足提高光通量的技术特性且又能够满足提高(例如，R9>0)特殊CRI指数的技术特性的发光装置封装件和照明装置。
实施例已经如下有效地解决了第一技术问题和第二技术问题，将详细描述这样的技术方案和技术效果。
图5a是根据第一实施例的发光装置封装件的波长光谱E1和日光波长光谱S的示例性图。
图5b示出了根据第一实施例的发光装置封装件的波长光谱E1、其中使用的第一磷光体的波长光谱GE1、其中使用的第二磷光体的波长光谱RE1。
第一实施例可以使用在绿色波长范围内具有535nm的PL峰值波长的第一磷光体31和在红色波长范围内具有610nm的PL峰值波长的第二磷光体32，并且可以是用于实现其中色坐标是(0.3535,0.3721)并且CCT是4780K的白色光源的波长光谱，但是不限于此。
现有技术增加了对眼睛有害的第一波长范围(415nm至455nm)区域H的强度比来提高能量效率，并降低了对人体有益的第二波长范围(465nm至495nm)B的强度比。
例如，参照图1a，在现有技术中，相对于日光，第一波长范围(415nm至455nm)区域的强度HC比为大约98％，第二波长范围(465nm至495nm)区域的强度BC比仅为大约54％。
另一方面，为了解决技术问题，实施例可以进行控制，使得465nm至495nm的第二波长范围的强度BE比高于415nm至455nm的第一波长范围的强度HE比。
例如，在实施例中，可以控制发光装置25的发射波长，使得与具有415nm至455nm的第一波长范围的日光源的强度相比，415nm至455nm的第一波长范围的强度HE比为75％或更少(例如，60％或更少)，并且可以控制发光装置25的发射波长，使得与具有465nm至495nm的第二波长范围的日光源的强度相比，465nm至495nm的第二波长范围的强度BE比为60％或更大(例如80％或更大或者90％或更大)。例如，与具有465nm至495nm的第二波长范围的日光源的强度相比，发光装置25的465nm至495nm的第二波长范围的强度比可以等于或高于100％。
例如，发光装置25的415nm至455nm的第一波长范围的强度HE比可以减少约32％的日光，但是465nm至495nm的第二波长范围的强度BE比可以被控制为日光的大约104％。
此外，在实施例中，465nm至495nm的第二波长范围的强度BE比可以增加至日光的大约148％。
根据实施例，具有第二波长范围(465nm至495nm)B的光强度与日光相比增加，并且第二波长范围B区域内的光是若干代谢活动所必需的区域，并且例如对于用于保护人体的眼睛和生理节奏的瞳孔扩张或收缩来说是必要的，通过褪黑激素控制来帮助睡眠调节，并具有减轻忧郁症的作用以及增强警觉和注意力的作用，由此获得有益效果，例如提高工作表现、提高学习能力和增强记忆力。
因此，根据实施例，可以提供能够使对人体有害的波长范围(415nm至455nm)最小化并且使对人体有益的波长范围(465nm至495nm)最大化的发光装置封装件和照明装置。
图6示出了根据第一实施例的发光装置封装件的特殊CRI数据。
如上所述，现有技术仅通过仅使用具有相对短波长的第二红色磷光体R2(峰值波长为610nm)不能满足商业界的要求“R9>0”，因此，已经通过一起使用具有长波长和低能量效率的第三红色磷光体R3(峰值波长为625nm)，尝试着改进R9指示，尽管光通量损失。
因此，现有技术具有不能同时满足提高光通量的技术特征和用于改善(例如，R9>0)特殊CRI指数的技术特征的技术限制。
在根据实施例的发光装置封装件中，尽管使用作为具有高效率的短波长红色磷光体的第二磷光体32，但获得了R9值从常规的-11.9明显增加到2.7的效果。
因此，实施例可以提供能够通过同时满足用于提高光通量的技术特性和用于改进(例如，R9>0)特殊CRI指数的技术特性来克服技术限制的发光装置封装件和照明装置。
图7a至图7c示出了根据第一实施例的发光装置封装件的反射率曲线以及第一现有技术的发光装置封装件的反射率曲线。在下文中，将参照图7a至图7c详细描述在根据实施例的发光装置封装件中通过同时满足用于提高光通量的技术特性和用于改进(例如，R9>0)特殊CRI指数的技术特性来克服技术限制的技术方案原理。
参考图7a，TCS09反射率T是用于计算CRI的标准CRI样本之一，并且在日光下出现强红色，SR是日光反射率曲线，ER是根据实施例的发光装置封装件的反射率曲线，CR是现有技术的反射率曲线。
在实施例中，应当发射类似于参考日光反射SR的反射光以增加R9值。这将与现有技术进行比较。
首先，图7a示出了相对于参考日光反射SR通过比较现有技术的反射CR的分布和实施例的反射ER的分布所获得的结果，实施例显示出，与第一现有技术相比，反射光通过第二波长范围(465nm至495nm)中的A3区域与日光类似，并且通过红色磷光体发射波长范围中的B区域与日光相似。由于增加了与日光类似的反射光区域，所以获得了R9值从常规的-11.9显著增加到2.7的效果。
详细地，参照图7b，与第一现有技术的反射光区域A1相比，反射光在第二波长范围(465nm至495nm)内提高到实施例的反射光区域A2，因此，反射光通过A3区域变得更类似于日光。
此外，参照图7c，与第一现有技术的反射光CR相比，反射光在红色磷光体发射波长内提高至实施例的反射光ER，因此，反射光通过B区域更加类似于日光。
因此，由于与现有技术不同，实施例不使用具有长波长的第二红色磷光体，所以光通量不减小。因此，实施例可以提供能够通过同时满足用于提高光通量的技术特征和用于改善(例如，R9>0)特殊CRI指数的技术特性来克服技术限制的发光装置封装件和照明装置。
此外，根据实施例，可以提供能够实现照射中间CRI(Ra>80)或高CRI(Ra>90)的发光装置封装件和照明装置。
再参照图4和图5b，实施例可以包括作为绿色磷光体的第一磷光体31和作为红色磷光体的第二磷光体32，由此实现利用发光装置25的发射波长作为激发波长的白色光源。
在实施例中，作为绿色磷光体的第一磷光体31的磷光体组成可以以比作为红色磷光体的第二磷光体32高的比例形成。例如，作为绿色磷光体的第一磷光体31与作为红色磷光体的第二磷光体32的相对比例可以为85wt％至95wt％：5wt％至15wt％，但不限于此。
此外，在实施例中，磷光体与模制构件41的比例可以为20wt％至40wt％，但是不限于此。
例如，第一磷光体31可以具有515nm至570nm的发射中心波长。例如，第一磷光体31可以包括从(Y,Gd,Lu,Tb)3-x(Al,Ga)5O12:Cex、(Mg,Ca,Sr,Ba)2SiO4:Eu、(Ca,Sr)3SiO5:Eu、(La,Ca)3-xSi6N11:Cex、α-SiAlON:Eu、β-SiAlON:Eu、Ba3Si6O12N2:Eu、Ca3(Sc,Mg)2Si3O12:Ce、CaSc2O4:Eu、BaAl8O13:Eu、(Ca,Sr,Ba)Al2O4:Eu、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga,In)2S4:Eu、(Ca,Sr)8(Mg,Zn)(SiO4)4Cl2:Eu/Mn、(Ca,Sr,Ba)3MgSi2O8:Eu/Mn、(Ca,Sr,Ba)2(Mg,Zn)Si2O7:Eu、Zn2SiO4:Mn、(Y,Gd)BO3:Tb、ZnS:Cu、Cl/Al、ZnS:Ag、Cl/Al、(Sr,Ca)2Si5N8:Eu、(Li,Na,K)3ZrF7:Mn、(Li,Na,K)2(Ti,Zr)F6:Mn、(Ca,Sr,Ba)(Ti,Zr)F6:Mn、Ba0.65Zr0.35F2.7:Mn、(Sr,Ca)S:Eu、(Y,Gd)BO3:Eu、(Y,Gd)(V,P)O4:Eu、Y2O3:Eu、(Sr,Ca,Ba,Mg)5(PO4)3Cl:Eu、(Ca,Sr,Ba)MgAl10O17:Eu、(Ca,Sr,Ba)Si2O2N2:Eu和3.5MgO·0.5MgF2·GeO2:Mn中选择的一种材料或者两种或更多种材料。
第一磷光体31可以包括量子点，量子点可以包括II-VI族化合物和III-V族化合物，并且可以发射绿光。例如，量子点可以是诸如ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InP、InAs、In,Sb、AlS、AlP、AlAs、PbS、PbSe、Ge、Si、CuInS2和CuInSe2及其组合的材料。
第二磷光体33可以发射具有第二峰值波长(例如，红色峰值波长)的光，其中从发光装置25发射的光作为激发波长。第二磷光体33可以具有580nm至670nm的发射中心波长。
第二磷光体33可以包括化合物类磷光体(例如，(Ca,Sr)S:Eu2+)或氮化物类磷光体(例如，Ca1-xAlSiN3:Eu2+x)。例如，第二磷光体32可以包括组成(Sr,Ca)1-xAlSiN3:Eu2+ x(0.01≤x≤0.3)，但是不限于此。
第二磷光体32的激活剂可以是四极过渡金属离子例如Mn4+或者从各种稀土离子或过渡金属离子中选择的金属离子，例如，可以是三价稀土金属离子(例如，Eu2+、Ce3+、Pr3+、Nd3+、Sm3+、Eu3+、Gd3+、Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm3+或Yb3+)、二价稀土金属离子(例如，Sm2+、Eu2+或Yb2+)、二价过渡金属离子(例如，Mn2+)、三价过渡金属离子(例如，Cr3+或Fe3+)等。例如，第二磷光体32可以是K2Si1-xF6:Mn4+x，但不限于此。
图8是根据第二实施例的发光装置封装件102的剖视图。
第二实施例可以使用第一实施例的技术特征。
例如，根据第二实施例的发光装置封装件102可以包括封装主体11、设置在封装主体11上的发光装置25、设置在发光装置25上的模制构件41和设置在模制构件41中的磷光体30。
在下文中，将主要描述第二实施例的主要特征。
在第二实施例中，磷光体30可以包括具有515nm至570nm的中心波长的第一磷光体31、具有580nm至670nm的中心波长的第二磷光体32以及具有490nm至505nm的中心波长的第三磷光体33，由此实现利用发光装置25的发射波长作为激发波长的白色光源。
在实施例中，具有490nm至505nm的中心波长的第三磷光体33可以是青色磷光体，例如，第三磷光体33的组成可以是(Ba,Mg)3-aSi6-bO3.5-cN8.5-d(Li,Cl,F,P)1-e:Eu2+ a、(Ba,Mg,Ca,Sr)3-aSi6O3.N8:Eu2+ a、(Ba,Mg,Ca,Sr)1-aSi2O2.N2:Eu2+ a中的一种或更多种，但不限于此。
在实施例中，作为绿色磷光体的第一磷光体31的磷光体组成可以以比作为红色磷光体的第二磷光体32高的比例形成。另外，在实施例中，作为青色磷光体的第三磷光体33的磷光体组成可以以比作为红色磷光体的第二磷光体32低的比例形成。
例如，作为绿色磷光体的第一磷光体31、作为红色磷光体的第二磷光体32和作为青色磷光体的第三磷光体33的相对比例可以为70wt％至80wt％：10wt％至20wt％：5wt％至15wt％，但不限于此。
图9a是示出根据第二实施例的发光装置封装件的波长光谱E2和第三现有技术的发光装置封装件的波长光谱C3的示例性图。在根据第二实施例的发光装置封装件中，CCT可以为5164K，(Cx,Cy)可以为(0.3403,0.3426)。然而，本实施例不限于此。
根据第二实施例，可以提供能够使对人体有害的波长范围(415nm至455nm)H最小化并且使对人体有益的波长范围(465nm至495nm)最大化的发光装置封装件和照明装置。
此外，第二实施例可以提供能够通过同时满足用于提高光通量的技术特性和改善(例如R9>0)特殊CRI指数的技术特性来克服技术限制的发光装置封装件和照明装置。
此外，如下所述，第二实施例具有比第一实施例进一步增强的有益技术效果。
图9b是示出根据第二实施例的发光装置封装件的波长光谱E2、其中使用的第一磷光体的波长光谱GE2、其中使用的第二磷光体的波长光谱RE1和其中使用的第三磷光体的波长光谱CE的示例性图。
根据第二实施例，通过使用作为青色磷光体的第三磷光体33，获得了对人体有益的第二波长范围(465nm至495nm)的强度比增大了更多(BC)的技术效果。
例如，在第二实施例中，465nm至495nm的第二波长范围的强度BE比可以提高至日光的大约180％。
根据实施例的发光装置可以应用于照明单元、显示装置、背光单元、指示装置、灯、路灯、车辆照明装置、车辆显示装置、智能手表等，但是不限于此。
图10是根据实施例的照明装置的分解透视图。
根据实施例的照明装置可以包括盖2100、光源模块2200、散热构件2400、供电单元2600、内部壳体2700和插座2800。另外，根据实施例的照明装置还可以包括构件2300和支撑件2500中的一个或更多个。光源模块2200可以包括根据实施例的发光装置或发光装置封装件。
光源模块2200可以包括光源单元2210、连接板2230和连接器2250。构件2300可以设置在散热构件2400的顶部上，并且可以包括引导凹槽2310，其中多个光源单元2210和连接器2250插入引导凹槽2310。
支撑件2500可以填塞内部壳体2700的绝缘单元2710的容纳凹槽2719。因此，容纳到内部壳体2700的绝缘单元2710中的供电单元2600可以被密封。支撑件2500可以包括引导突起2510。
供电单元2600可以包括突起2610、引导部2630、基体2650和延伸部2670。内部壳体2700可以包括与供电单元2600一起的模制部。模制部可以是通过使模制液体凝固所形成的部分，供电单元2600可以固定到内部壳体2700的内部。
在上述实施例中描述的特征、结构和效果并入本公开的至少一个实施例中，但不限于仅一个实施例。此外，本领域技术人员为了另一个实施例可以容易地将在一个实施例中例示的特征、结构和效果进行组合和修改。因此，这些组合和修改应该被解释为落入本公开的范围内。
尽管已经参考其示例性实施例描述了实施例，但是应该理解的是，本领域技术人员可以设计出落入本公开原理的精神和范围内的许多其他修改和实施例。例如，在实施例中详细描述的每个元素可以被修改和实施。另外，应该认为，与修改和应用相关联的差异被包括在所附权利要求限定的实施例的范围内。
工业适用性
根据实施例的发光装置可以应用于照明单元、显示装置、背光单元、指示装置、灯、路灯、车辆照明装置、车辆显示装置、智能手表等，但是不限于此。

Claims (18)

1.一种发光装置封装件，所述发光装置封装件包括：
封装主体；
发光装置，设置在所述封装主体上；
模制构件，设置在所述发光装置上；以及
磷光体，设置在所述模制构件中，
其中，与415nm至455nm的第一波长范围内的参考日光源的波长光谱的强度相比，所述发光装置封装在415nm至455nm的第一波长范围内的波长光谱的强度比是75％或更小，
与465nm至495nm的第二波长范围内的参考日光源的波长光谱的强度相比，所述发光装置封装在465nm至495nm的第二波长范围内的波长光谱的强度比是60％或更大，
其中，所述磷光体包括具有515nm至570nm的中心波长的第一磷光体和具有580nm至670nm的中心波长的第二磷光体，由此实现利用所述发光装置的发射波长作为激发波长的白色光源，
其中，所述第一磷光体是绿色磷光体，所述第二磷光体是红色磷光体，以及
所述第一磷光体的磷光体组成在质量比例上高于所述第二磷光体。
2.根据权利要求1所述的发光装置封装件，其中，所述第一磷光体和第二磷光体的相对比例为85重量％至95重量％：5重量％至15重量％，以及
其中，与465nm至495nm的第二波长范围内的参考日光源的波长光谱的强度相比，所述发光装置封装在465nm至495nm的第二波长范围内的波长光谱的强度比是100％或更大。
3.根据权利要求1所述的发光装置封装件，其中，在465nm至495nm的第二波长范围内与参考日光源的波长光谱的强度相比的发光装置封装的波长光谱的强度比，高于在415nm至455nm的第一波长范围内与参考日光源的波长光谱的强度相比的发光装置封装的波长光谱的强度比。
4.一种发光装置封装件，所述发光装置封装件包括：
封装主体；
发光装置，设置在所述封装主体上；
模制构件，设置在所述发光装置上；以及
磷光体，设置在所述模制构件中，
其中，
在465nm至495nm的第二波长范围内与参考日光源的波长光谱的强度相比的发光装置封装的波长光谱的强度比，高于在415nm至455nm的第一波长范围内与参考日光源的波长光谱的强度相比的发光装置封装的波长光谱的强度比，
所述磷光体包括作为绿色磷光体的第一磷光体和作为红色磷光体的第二磷光体，由此实现利用所述发光装置的发射波长作为激发波长的白色光源，
其中，所述第一磷光体具有515nm至570nm的中心波长，所述第二磷光体具有580nm至670nm的中心波长，以及
所述第一磷光体的磷光体组成在质量比例上高于所述第二磷光体。
5.根据权利要求4所述的发光装置封装件，其中，所述第一磷光体和第二磷光体的相对比例为85重量％至95重量％：5重量％至15重量％，以及
其中，与465nm至495nm的第二波长范围内的参考日光源的波长光谱的强度相比，发光装置封装在465nm至495nm的第二波长范围内的波长光谱的强度比是60％或更大。
6.根据权利要求5所述的发光装置封装件，其中，在415nm至455nm的第一波长范围内与参考日光源的波长光谱的强度相比的发光装置封装的波长光谱的强度比，是在第一波长范围内的参考日光源的波长光谱的强度的75％或更小。
7.根据权利要求5所述的发光装置封装件，其中，在465nm至495nm的第二波长范围内与参考日光源的波长光谱的强度相比的发光装置封装的波长光谱的强度比，是在第二波长范围内的参考日光源的波长光谱的强度的100％或更大。
8.一种发光装置封装件，所述发光装置封装件包括：
封装主体；
发光装置，设置在所述封装主体上；
模制构件，设置在所述发光装置上；以及
磷光体，设置在所述模制构件中，
其中，
在465nm至495nm的第二波长范围内与参考日光源的波长光谱的强度相比的发光装置封装的波长光谱的强度比，高于在415nm至455nm的第一波长范围内与参考日光源的波长光谱的强度相比的发光装置封装的波长光谱的强度比，
其中，所述磷光体包括具有515nm至570nm的中心波长的第一磷光体和具有580nm至670nm的中心波长的第二磷光体，由此实现利用所述发光装置的发射波长作为激发波长的白色光源，
其中，所述第一磷光体是绿色磷光体，所述第二磷光体是红色磷光体，以及
所述第一磷光体的磷光体组成在质量比例上高于所述第二磷光体。
9.根据权利要求8所述的发光装置封装件，
其中，与在465nm至495nm的第二波长范围内的参考日光源的波长光谱的强度相比，发光装置封装在465nm至495nm的第二波长范围内的波长光谱的强度比是60％或更大。
10.根据权利要求9所述的发光装置封装件，所述发光装置封装件还包括具有490nm至505nm的中心波长的第三磷光体。
11.根据权利要求9所述的发光装置封装件，其中，在415nm至455nm的第一波长范围内与参考日光源的波长光谱的强度相比的发光装置封装的波长光谱的强度比，是在第一波长范围内的参考日光源的波长光谱的强度的75％或更小。
12.根据权利要求11所述的发光装置封装件，其中，与在415nm至455nm的第一波长范围内的参考日光源的波长光谱的强度相比，所述发光装置封装在415nm至455nm的第一波长范围内的波长光谱的强度比是60％或更小。
13.根据权利要求8所述的发光装置封装件，其中，与在465nm至495nm的第二波长范围内的参考日光源的波长光谱的强度相比，所述发光装置封装在465nm至495nm的第二波长范围内的波长光谱的强度比是80％或更大。
14.根据权利要求8所述的发光装置封装件，其中，与在465nm至495nm的第二波长范围内的参考日光源的波长光谱的强度相比，发光装置封装在465nm至495nm的第二波长范围内的波长光谱的强度比是100％或更大。
15.根据权利要求8所述的发光装置封装件，其中，所述第一磷光体和所述第二磷光体的相对比例为85重量％至95重量％：5重量％至15重量％。
16.根据权利要求10所述的发光装置封装件，其中，具有490nm至505nm的所述中心波长的所述第三磷光体是青色磷光体，所述第三磷光体的组成是(Ba,Mg)3-aSi6-bO3.5-cN8.5-d(Li,Cl,F,P)1-e:Eu2+ a、(Ba,Mg,Ca,Sr)3-aSi6O3N8:Eu2+ a、(Ba,Mg,Ca,Sr)1-aSi2O2N2:Eu2+ a中的一种或更多种。
17.根据权利要求10所述的发光装置封装件，
其中，所述第三磷光体的磷光体组成在质量比例上高于所述第二磷光体。
18.一种照明装置，所述照明装置包括根据权利要求1至17中的任一项所述的发光装置封装件。
CN201780004190.6A 2016-05-16 2017-05-16 发光装置封装件和照明装置 Active CN108369981B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160059819A KR101995000B1 (ko) 2016-05-16 2016-05-16 발광소자 패키지 및 조명장치
KR10-2016-0059819 2016-05-16
PCT/KR2017/005060 WO2017200268A1 (ko) 2016-05-16 2017-05-16 발광소자 패키지 및 조명장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108369981A CN108369981A (zh) 2018-08-03
CN108369981B true CN108369981B (zh) 2022-04-22

Family

ID=60325182

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780004190.6A Active CN108369981B (zh) 2016-05-16 2017-05-16 发光装置封装件和照明装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10454002B2 (zh)
EP (1) EP3364470B1 (zh)
JP (1) JP2019517126A (zh)
KR (1) KR101995000B1 (zh)
CN (1) CN108369981B (zh)
WO (1) WO2017200268A1 (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019139638A1 (en) * 2018-01-11 2019-07-18 Ecosense Lighting Inc Multi-channel systems for providing tunable light and functional diode emissions
US11213693B2 (en) * 2018-04-27 2022-01-04 Seoul Viosys Co., Ltd. Light source for eye therapy and light emitting device having the same
KR102654335B1 (ko) * 2018-08-17 2024-04-04 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지
US20200227484A1 (en) * 2019-01-13 2020-07-16 Innolux Corporation Lighting device
WO2020186002A1 (en) * 2019-03-13 2020-09-17 Current Lighting Solutions, Llc Horticulture lighting devices
WO2020187840A1 (de) * 2019-03-18 2020-09-24 Zumtobel Lighting Gmbh Led-modul
US11658272B2 (en) 2019-03-18 2023-05-23 Zumtobel Lighting Gmbh LED module with adjusted emission spectrum
EP3840068A1 (de) * 2019-12-18 2021-06-23 Zumtobel Lighting GmbH Weisses licht abstrahlendes led-modul
KR20200139307A (ko) * 2019-06-03 2020-12-14 삼성전자주식회사 발광장치, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
CN110335935B (zh) * 2019-06-14 2021-07-13 厦门大学 一种近紫外激发单芯片全光谱led及其制备方法
WO2024033217A1 (en) * 2022-08-09 2024-02-15 Signify Holding B.V. Led's with improved efficiency and filled spectral power distribution

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104218033A (zh) * 2014-08-09 2014-12-17 深圳市华明佰利科技有限公司 一种高s/p值led发光体
CN104253200A (zh) * 2013-06-27 2014-12-31 广镓光电股份有限公司 发光组件及制作方法
CN104409592A (zh) * 2014-11-26 2015-03-11 京东方科技集团股份有限公司 Led、导光板、背光模组和显示装置
CN105324859A (zh) * 2013-06-18 2016-02-10 夏普株式会社 光源装置以及发光装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101194375B (zh) 2005-06-15 2011-03-23 日亚化学工业株式会社 发光装置
JP2009065137A (ja) * 2007-08-09 2009-03-26 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
WO2009107535A1 (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 株式会社東芝 白色ｌｅｄランプ、バックライト、発光装置、表示装置および照明装置
JP5468600B2 (ja) * 2009-03-10 2014-04-09 株式会社東芝 白色ｌｅｄおよびそれを用いたバックライト並びにｅｂｕ規格対応液晶表示装置
US8933644B2 (en) * 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
KR20110076447A (ko) 2009-12-29 2011-07-06 삼성전자주식회사 발광 장치 및 이를 포함하는 표시 장치
EP2637224B1 (en) * 2012-03-09 2019-04-03 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light emitting device, illumination apparatus and system using same
JP2013201274A (ja) * 2012-03-23 2013-10-03 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
CN104718633B (zh) * 2012-10-04 2017-09-26 株式会社东芝 白色发光装置、照明装置、以及牙科用照明装置
JP6853614B2 (ja) * 2013-03-29 2021-03-31 株式会社朝日ラバー Ｌｅｄ照明装置、その製造方法及びｌｅｄ照明方法
EP3070146B1 (en) * 2013-11-13 2018-02-14 LG Innotek Co., Ltd. Blue-green phosphor, and light-emitting device package and lighting apparatus comprising same
CN105849920B (zh) * 2013-12-27 2020-11-06 西铁城电子株式会社 发光装置和发光装置的设计方法
JP6358457B2 (ja) * 2014-01-20 2018-07-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置、照明用光源及び照明装置
CN106104822B (zh) * 2014-04-30 2018-12-25 夏普株式会社 发光装置
CN107431112B (zh) * 2015-04-03 2020-01-10 夏普株式会社 发光装置
US10337697B2 (en) * 2015-10-20 2019-07-02 Kyocera Corporation Indoor light source and illumination apparatus
US10236425B2 (en) * 2016-03-08 2019-03-19 Glbtech Co., Ltd. White light emitting device having high color rendering
EP3893286B1 (en) * 2016-05-26 2023-01-18 Nichia Corporation Light emitting device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105324859A (zh) * 2013-06-18 2016-02-10 夏普株式会社 光源装置以及发光装置
CN104253200A (zh) * 2013-06-27 2014-12-31 广镓光电股份有限公司 发光组件及制作方法
CN104218033A (zh) * 2014-08-09 2014-12-17 深圳市华明佰利科技有限公司 一种高s/p值led发光体
CN104409592A (zh) * 2014-11-26 2015-03-11 京东方科技集团股份有限公司 Led、导光板、背光模组和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP3364470B1 (en) 2021-06-30
EP3364470A1 (en) 2018-08-22
JP2019517126A (ja) 2019-06-20
US20180323349A1 (en) 2018-11-08
WO2017200268A1 (ko) 2017-11-23
EP3364470A4 (en) 2019-04-03
KR20170129011A (ko) 2017-11-24
KR101995000B1 (ko) 2019-07-01
US10454002B2 (en) 2019-10-22
CN108369981A (zh) 2018-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108369981B (zh) 发光装置封装件和照明装置
US7586128B2 (en) Light-emitting apparatus
JP5081370B2 (ja) 発光装置
US20110012141A1 (en) Single-color wavelength-converted light emitting devices
US8178888B2 (en) Semiconductor light emitting devices with high color rendering
US20190093832A1 (en) Light emitting device with improved warm-white color point
WO2013028000A2 (ko) 고전류 구동용 발광 소자
EP2803715B1 (en) Phosphor and light emitting device package including the same
KR20170033947A (ko) 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치
US20130015461A1 (en) Light-emitting Device Capable of Producing White Light And Light Mixing Method For Producing White Light With Same
JP4654639B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
US20160056143A1 (en) Light emitting device package
KR20220027909A (ko) 발광소자 패키지 및 조명장치
KR20170123831A (ko) 형광체 조성물, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치
US9857042B2 (en) Light source module and lighting device having same
KR20170075966A (ko) 광추출 효율이 개선된 발광소자 패키지
KR102560889B1 (ko) 발광소자 패키지 및 조명장치
US9831380B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device package
KR102590034B1 (ko) 형광체 조성물, 이를 포함하는 발광소자 패키지 및 조명장치
KR102514150B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
KR102131309B1 (ko) 형광체 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR20180066414A (ko) 형광체 조성물, 이를 포함하는 발광소자 패키지 및 조명장치
KR102098318B1 (ko) 형광체 및 이를 구비한 발광 소자
KR20180089164A (ko) 형광체 조성물, 이를 포함하는 발광소자 패키지 및 조명장치
KR20200108582A (ko) 발광소자 패키지 및 조명장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20210715

Address after: 168 Changsheng North Road, Taicang City, Suzhou City, Jiangsu Province

Applicant after: Suzhou Leyu Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: Han Guoshouershi

Applicant before: LG INNOTEK Co.,Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant