CN108369943B - 功率半导体装置 - Google Patents

功率半导体装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108369943B
CN108369943B CN201580084964.1A CN201580084964A CN108369943B CN 108369943 B CN108369943 B CN 108369943B CN 201580084964 A CN201580084964 A CN 201580084964A CN 108369943 B CN108369943 B CN 108369943B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
semiconductor device
nut
power semiconductor
bolt
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201580084964.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108369943A (zh
Inventor
荒木翔子
林田幸昌
伊达龙太郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of CN108369943A publication Critical patent/CN108369943A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108369943B publication Critical patent/CN108369943B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/02—Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure
    • H05K7/06—Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure on insulating boards, e.g. wiring harnesses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1027—IV
    • H01L2924/10272—Silicon Carbide [SiC]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Connecting Device With Holders (AREA)

Abstract

目的在于提供一种能够使结构要素的配置、位置关系及尺寸具有裕度的技术。功率半导体装置具有：基板，其配置有半导体芯片；电极(2)，其一端固定于基板，该电极相对于基板设置为立置状；以及绝缘性的壳体(3)，其收容电极(2)，该壳体具有与电极(2)的另一端相对的部分。另外，功率半导体装置具有：导电性的螺母(4)，其在壳体(3)的该部分贯通地插入于壳体(3)；以及导电部件，其将电极(2)的另一端和螺母(4)电连接。

Description

功率半导体装置
技术领域
本发明涉及具有壳体的功率半导体装置。
背景技术
当前，对于从功率半导体装置的壳体内部的半导体芯片向壳体外部的电配线而言，使用将由板状的金属构成的电极贯通地插入于壳体的结构(例如，专利文献1)。具体而言，电极的一端通过焊料等与装置内部固定，电极的另一端被折弯成与壳体上表面平行。
专利文献1：日本特开2007-184315号公报
发明内容
由于位于壳体上表面的电极的另一端通过螺栓等与外部配线连接，因此针对电极等的配置、位置关系及尺寸要求一定的精度。其结果，存在电极构造变得复杂、电极的成本增加的问题，以及难以制造的问题。
因此，本发明就是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够使结构要素的配置、位置关系及尺寸具有裕度的技术。
本发明涉及的功率半导体装置具有：基板，其配置有半导体芯片；电极，其一端固定于所述基板，该电极相对于所述基板设置为立置状；绝缘性的壳体，其收容所述电极，该壳体具有与所述电极的另一端相对的部分；导电性的螺母，其在所述壳体的所述部分贯通地插入于所述壳体；以及导电部件，其将所述电极的所述另一端和所述螺母电连接。
发明的效果
根据本发明，电极与螺母通过双头螺栓等导电构件电连接。由此，能够使结构要素的配置、位置关系及尺寸具有裕度。
通过下面的详细的说明和附图，本发明的目的、特征、方案及优点会变得更加清楚。
附图说明
图1是表示关联半导体装置的结构的剖视图。
图2是表示实施方式1涉及的功率半导体装置的结构的剖视图。
图3是表示实施方式2涉及的功率半导体装置的结构的剖视图。
图4是表示实施方式3涉及的功率半导体装置的结构的剖视图。
图5是表示实施方式3涉及的功率半导体装置的结构的剖视图。
图6是表示实施方式4涉及的功率半导体装置的结构的剖视图。
具体实施方式
[实施方式1]
首先，在对本发明的实施方式1涉及的功率半导体装置进行说明之前，对与其关联的功率半导体装置(下面，记为“关联半导体装置”)进行说明。
图1是表示关联半导体装置的结构的剖视图。关联半导体装置具有：绝缘基板1，其为配置有半导体芯片(未图示)的基板；电极2；绝缘性的壳体3；以及螺母4。
下面，将半导体芯片的半导体元件设为具有高耐压性、低导通电阻、及高耐热性的由碳化硅(SiC)构成的半导体元件而进行说明，但并不限于此。例如，半导体芯片的半导体元件也可以由SiC以外的氮化镓(GaN)等宽带隙半导体、或硅(Si)构成。
电极2由金属构成，其形状为在多个位置折弯的板状。电极2的一端通过焊料等固定于半导体芯片的绝缘基板1，与在绝缘基板1配置的半导体芯片电连接。另外，电极2相对于绝缘基板1设置为立置状。
壳体3将电极2的一端覆盖。另外，壳体3被电极2贯穿，电极2的另一端位于壳体3的外部。
螺母4埋设于壳体3上部中的被电极2贯穿的贯穿孔附近。而且，电极2被折弯成电极2的另一端与壳体3上表面平行，并且电极2的另一端位于螺母4的上方。
螺母4用作与电极2的另一端(连接部)一起由用于连接外部配线(未图示)的螺栓(未图示)而卡合(螺合)的外部连接部4a。如上所述，通过连接用螺栓将电极2和外部配线连接，从而壳体3内部的半导体芯片经由电极2与外部配线电连接。
此处，为了进行这样的连接，对于电极2、壳体3处的电极2的贯穿孔、以及螺母4等而言，针对配置、位置关系及尺寸要求一定的精度。其结果，存在电极构造变得复杂、电极2的成本增加的问题。另外，在组装了壳体3等之后的电极2的弯曲工序中，有时产生由壳体破损等造成的故障，存在成品率及制造成本恶化的问题。并且，由于在组装时要求对位的精度，因此存在工作质量、工作时间依赖于操作者的熟练度的问题。与此相对，根据下面说明的本实施方式1涉及的功率半导体装置，能够解决这样的问题。
图2是表示本实施方式1涉及的功率半导体装置的结构的剖视图。下面，对本实施方式1涉及的功率半导体装置中的与关联半导体装置相同或类似的结构要素标注相同的参照标号，主要对不同的部分进行说明。
图2的功率半导体装置具有：绝缘基板1，其为配置有半导体芯片的基板；电极2；绝缘性的壳体3；螺母4；以及双头螺栓5。
本实施方式1涉及的电极2(图2)与关联半导体装置的电极2(图1)相同地，一端固定于绝缘基板1，相对于绝缘基板1设置为立置状。但是，本实施方式1涉及的电极2(图2)与关联半导体装置的电极2(图1)相比折弯的位置少，具有较简单的形状及构造。
在壳体3没有设置被电极2贯穿的贯穿孔，壳体3将电极2收容。而且，壳体3具有与电极2的另一端相对的部分。螺母4具有导电性，在壳体3中的与电极2的另一端相对的部分贯通地插入于壳体3。此外，在本实施方式1中，螺母4从壳体3的外表面凸出，从壳体3的内表面凸出。
双头螺栓5为将电极2的另一端和螺母4电连接的导电部件。双头螺栓5的一端与电极2的另一端连接(螺合)，并且双头螺栓5的另一端卡合(螺合)至螺母4的中途。作为实现上述结构的方法，设想到如下方法，即，例如通过在使螺母4以相对于壳体3能够进行某种程度的旋转的方式贯通地插入于壳体3之后，使螺母4旋转，从而实施双头螺栓5的螺钉紧固(螺合)。或者，作为实现上述结构的方法设想到如下方法，即，例如在实施了双头螺栓5的螺钉紧固(螺合)之后，对壳体进行成型。但是，实现上述结构的方法也可以通过这些以外的方法进行。
螺母4中的与双头螺栓5卡合(螺合)的部分以外的剩余部分(图2的上侧部分)用作外部连接部4a。用于连接外部配线(未图示)的螺栓(未图示)卡合(螺合)于该外部连接部4a。由此，壳体3内部的半导体芯片(未图示)经由电极2、双头螺栓5及螺母4与外部配线电连接。
[实施方式1的总结]
根据如上所述的本实施方式1，电极2和螺母4通过双头螺栓5电连接。由此，不需要在制造关联半导体装置时进行的电极的另一端处的弯曲工序，能够使电极2及螺母4等的配置、位置关系及尺寸具有裕度。其结果，能够期待电极2的成本降低以及组装性的提高。另外，通过省略电极的另一端处的弯曲工序，能够降低由壳体破损等造成的故障。
另外，根据本实施方式1，双头螺栓5的一端与电极2的另一端连接，并且双头螺栓5的另一端卡合(螺合)至螺母4的中途。由此，螺母4还可以具有能够与用于连接外部配线的螺栓进行卡合(螺合)的外部连接部4a的功能。
另外，根据本实施方式1，螺母4从壳体3的外表面凸出，从壳体3的内表面凸出。由此，即使在双头螺栓5短的情况下，也能够提高使双头螺栓5卡合(螺合)于螺母4的可靠性。另外，能够降低外部配线和螺母4之间的连接故障乃至断线故障。
[实施方式2]
图3是表示本发明的实施方式2涉及的功率半导体装置的结构的剖视图。下面，对本实施方式2涉及的功率半导体装置中的与实施方式1相同或类似的结构要素标注相同的参照标号，主要对不同的部分进行说明。
就本实施方式2涉及的功率半导体装置而言，作为将电极2和螺母4电连接的导电部件，取代双头螺栓5，具有螺栓6。螺栓6的一端(头部)与电极2的另一端连接，并且螺栓6的另一端卡合(螺合)至螺母4的中途。
[实施方式2的总结]
根据如上所述的本实施方式2，能够得到与实施方式1相同的效果。另外，通过使用螺栓6，从而能够将接合部强化，因此能够提高功率半导体装置的可靠性。
[实施方式3]
图4及图5是表示本发明的实施方式3涉及的功率半导体装置的结构的剖视图。下面，对本实施方式3涉及的功率半导体装置中的与实施方式1相同或类似的结构要素标注相同的参照标号，主要对不同的部分进行说明。
对于本实施方式3涉及的功率半导体装置而言，作为将电极2和螺母4电连接的导电部件，取代双头螺栓5，具有香蕉插头7。香蕉插头7的一端与电极2的另一端连接，并且香蕉插头7的另一端卡合(嵌合)至螺母4的中途。此外，图4表示香蕉插头7的卡合(嵌合)前，图5表示香蕉插头7的卡合(嵌合)后。
[实施方式3的总结]
根据如上所述的本实施方式3，能够得到与实施方式1相同的效果。另外，通过具有香蕉插头7，从而不需要螺钉紧固，因此能够使组装性提高。另外，还能够期待部件数量的降低。
[实施方式4]
图6是表示本发明的实施方式4涉及的功率半导体装置的结构的剖视图。下面，对本实施方式4涉及的功率半导体装置中的与实施方式1相同或类似的结构要素标注相同的参照标号，主要对不同的部分进行说明。
对于本实施方式4涉及的功率半导体装置而言，作为将电极2和螺母4电连接的导电部件，取代双头螺栓5，具有用于连接外部配线的螺栓8。螺栓8的头部配置于壳体3的外侧，螺栓8的中间部贯通地插入于螺母4，螺栓8的螺纹端部与电极2的另一端连接。
另外，在本实施方式4涉及的电极2的另一端设置有弹性部即弹簧2a。而且，螺栓8的螺纹端部与电极2的弹簧2a连接。
[实施方式4的总结]
根据如上所述的本实施方式4，能够得到与实施方式1相同的效果。另外，通过将用于连接外部配线的螺栓8贯通地插入于螺母4，能够降低部件数量。
另外，根据本实施方式4，螺栓8的螺纹端部与在电极2的另一端设置的弹簧2a连接。由此，即使将螺栓8过度螺合，也能够抑制电极2的损伤。
此外，本发明可以在其发明的范围内将各实施方式自由地组合，对各实施方式适当进行变形、省略。
虽然对本发明进行了详细说明，但上述说明在全部的方面都是例示，本发明并不限定于此。应当理解为，在不脱离本发明的范围的情况下，会设想到未例示的无数的变形例。
标号的说明
1绝缘基板，2电极，2a弹簧，3壳体，4螺母，5双头螺栓，6、8螺栓，7香蕉插头。

Claims (6)

1.一种功率半导体装置，其具有：
基板，其配置有半导体芯片；
电极，其一端固定于所述基板，该电极相对于所述基板设置为立置状；
绝缘性的壳体，其收容所述电极，该壳体具有与所述电极的另一端相对的部分；
导电性的螺母，其在所述壳体的所述部分贯通地插入于所述壳体；以及
导电部件，其将所述电极的所述另一端和所述螺母电连接，
所述电极与所述螺母分离开，
所述螺母具有将所述壳体的内侧与外侧连通的孔，
所述导电部件的一端与所述电极的所述另一端连接，
所述导电部件的另一端卡合至所述螺母的所述孔的中途。
2.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其中，
所述导电部件包含双头螺栓、螺栓、或者香蕉插头。
3.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其中，
所述导电部件包含用于连接外部配线的螺栓，该螺栓的头部配置于所述壳体的外侧，中间部贯通地插入于所述螺母，螺纹端部与所述电极的所述另一端连接。
4.根据权利要求3所述的功率半导体装置，其中，
在所述电极的所述另一端设置弹性部，
所述螺栓的所述螺纹端部与所述电极的所述弹性部连接。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的功率半导体装置，其中，
所述螺母从所述壳体的外表面凸出，从所述壳体的内表面凸出。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的功率半导体装置，其中，
所述半导体芯片由碳化硅构成。
CN201580084964.1A 2015-12-04 2015-12-04 功率半导体装置 Active CN108369943B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2015/084132 WO2017094180A1 (ja) 2015-12-04 2015-12-04 パワー半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108369943A CN108369943A (zh) 2018-08-03
CN108369943B true CN108369943B (zh) 2021-07-06

Family

ID=58796564

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580084964.1A Active CN108369943B (zh) 2015-12-04 2015-12-04 功率半导体装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10483175B2 (zh)
JP (1) JP6336220B2 (zh)
CN (1) CN108369943B (zh)
DE (1) DE112015007166T5 (zh)
WO (1) WO2017094180A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6760127B2 (ja) 2017-02-24 2020-09-23 三菱電機株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103430306A (zh) * 2011-03-16 2013-12-04 富士电机株式会社 半导体模块及其制造方法
CN104919589A (zh) * 2012-10-15 2015-09-16 富士电机株式会社 半导体装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1052661A (zh) * 1963-01-30 1900-01-01
US4278990A (en) * 1979-03-19 1981-07-14 General Electric Company Low thermal resistance, low stress semiconductor package
JPH09321216A (ja) * 1996-05-27 1997-12-12 Toshiba Corp 電力用半導体装置
JP4092071B2 (ja) * 2000-11-30 2008-05-28 三菱電機株式会社 半導体パワーモジュール
JP4569473B2 (ja) 2006-01-04 2010-10-27 株式会社日立製作所 樹脂封止型パワー半導体モジュール
JP2007235004A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP5479703B2 (ja) * 2008-10-07 2014-04-23 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
CN104136480B (zh) * 2012-03-16 2017-05-31 住友电木株式会社 封装用树脂组合物和使用该封装用树脂组合物的电子装置
JP5812974B2 (ja) * 2012-12-05 2015-11-17 三菱電機株式会社 半導体装置
JP6421050B2 (ja) * 2015-02-09 2018-11-07 株式会社ジェイデバイス 半導体装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103430306A (zh) * 2011-03-16 2013-12-04 富士电机株式会社 半导体模块及其制造方法
CN104919589A (zh) * 2012-10-15 2015-09-16 富士电机株式会社 半导体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2017094180A1 (ja) 2018-02-22
WO2017094180A1 (ja) 2017-06-08
US20180261517A1 (en) 2018-09-13
US10483175B2 (en) 2019-11-19
DE112015007166T5 (de) 2018-08-09
CN108369943A (zh) 2018-08-03
JP6336220B2 (ja) 2018-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7396261B2 (en) Contact maker for power semiconductor modules and disc cells
KR101853168B1 (ko) 접지 스트랩, 스프링력 단자, 및 스크류 러그 단자를 갖는 단자 블럭
US9263820B2 (en) Electrical press-fit pin for a semiconductor module
CN101764310B (zh) 连接器
US9318817B2 (en) Cable connectors of an electrical module
US20110117755A1 (en) Bussed electrical center with combination electrical and mechanical connection
US20120077360A1 (en) Connector
US9350091B2 (en) Electrical connector and conductive terminal thereof
US20070207679A1 (en) Electric contact
TW201339586A (zh) 具有絕緣構件之電氣連接器
US9004956B2 (en) Conducting wire terminal seat
US10181665B2 (en) Substrate connecting structure
US9598061B2 (en) Electrohydraulic or electromechanical motor vehicle control device
US20120052734A1 (en) Connector
CN108369943B (zh) 功率半导体装置
US20160013572A1 (en) Connector
US10854999B1 (en) Angled electrical header connectors
KR101580792B1 (ko) 절연관통형 리드선 접속 전력용 피뢰기
US11050169B2 (en) Wiring terminal and corresponding electrical component
US20180124919A1 (en) Contact arrangement, preferably for a power electronics system
KR102405730B1 (ko) 인쇄 회로 기판에 금속 부품을 고정하기 위한 연결 요소
JP2009193677A (ja) アダプタ、ソケット、電子装置および実装方法
JP2018181593A (ja) 導通固定ピン及びこれを用いた導通固定方法
JP6499531B2 (ja) 電気コネクタ
JPWO2015193944A1 (ja) 端子接続構造

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant