CN108347227B - 一种ab类放大器 - Google Patents

一种ab类放大器 Download PDF

Info

Publication number
CN108347227B
CN108347227B CN201810071387.8A CN201810071387A CN108347227B CN 108347227 B CN108347227 B CN 108347227B CN 201810071387 A CN201810071387 A CN 201810071387A CN 108347227 B CN108347227 B CN 108347227B
Authority
CN
China
Prior art keywords
input signal
signal
class
amplifier
stage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810071387.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108347227A (zh
Inventor
许瑞瑜
吕元复
陈胜豪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MediaTek Inc
Original Assignee
MediaTek Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by MediaTek Inc filed Critical MediaTek Inc
Publication of CN108347227A publication Critical patent/CN108347227A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108347227B publication Critical patent/CN108347227B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3211—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in differential amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
    • H03F1/223—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively with MOSFET's
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H03F3/3001—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor with field-effect transistors
    • H03F3/3022—CMOS common source output SEPP amplifiers
    • H03F3/3023—CMOS common source output SEPP amplifiers with asymmetrical driving of the end stage
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45183—Long tailed pairs
    • H03F3/45188—Non-folded cascode stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45183—Long tailed pairs
    • H03F3/45192—Folded cascode stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/4521—Complementary long tailed pairs having parallel inputs and being supplied in parallel
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/4521—Complementary long tailed pairs having parallel inputs and being supplied in parallel
    • H03F3/45219—Folded cascode stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/165—A filter circuit coupled to the input of an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/168—Two amplifying stages are coupled by means of a filter circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45028—Indexing scheme relating to differential amplifiers the differential amplifier amplifying transistors are folded cascode coupled transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45134—Indexing scheme relating to differential amplifiers the whole differential amplifier together with other coupled stages being fully differential realised
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45296—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising one or more discrete capacitive elements, e.g. a transistor coupled as capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45298—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising one or more combinations of discrete capacitor and resistor elements, e.g. active elements using a transistor as a capacitor or as a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45302—Indexing scheme relating to differential amplifiers the common gate stage of a cascode dif amp being controlled

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明实施例提供一种AB类放大器，其包括：叠接级，具有滤波器，所述叠接级用于接收输入信号，以产生第一驱动信号和第二驱动信号；其中所述滤波器对所述输入信号滤波，以产生滤波的输入信号，并且所述第一驱动信号和所述第二驱动信号中至少一个是根据所述滤波的输入信号产生的；以及输出级，耦接到所述叠接级，用于根据所述第一驱动信号和所述第二驱动信号，产生输出信号。使用本发明的技术方案能够改善AB类放大器的失真/非线性。

Description

一种AB类放大器
技术领域
本发明是关于电路技术领域，特别涉及具有滤波器的叠接级的AB类放大器，用于提高非线性。
背景技术
静态AB类放大器由于其良好的驱动负载的效率而广泛的应用在滤波器设计中。然而，静态AB类放大器通常具有位于输出级之前的级，以将适当的DC电平设置到输出级，并且因为跨导(transconductance)和这级的输出电阻随着信号摆动而变化，跨导和输出电阻的变化会产生失真。该失真在高频时不能被环路增益抑制，这意味着AB类放大器的线性度主要受该级的失真/非线性的影响。另外，由于三阶互调失真(third-order intermodulationdistortion，IM3)在联邦通信委员会(Federal Communications Commission，FCC)规范中具有严格的要求，为了满足FCC要求，改善AB类放大器的失真/非线性是重要的。
发明内容
本发明的目的是提供一种AB类放大器，该AB类放大器能减少失真，以解决上述问题。
本发明实施例提供一种AB类放大器，其包括：叠接级，具有滤波器，所述叠接级用于接收输入信号，以产生第一驱动信号和第二驱动信号；其中所述滤波器对所述输入信号滤波，以产生滤波的输入信号，并且所述第一驱动信号和所述第二驱动信号中至少一个是根据所述滤波的输入信号产生的；以及输出级，耦接到所述叠接级，用于根据所述第一驱动信号和所述第二驱动信号，产生输出信号。
本发明实施例提供另一种AB类放大器，其包括：输入级，用于接收输入信号，以产生放大的输入信号；具有滤波器的叠接级，与所述输入级耦接，所述叠接级用于接收放大的输入信号，以产生第一驱动信号和第二驱动信号；其中所述滤波器对所述放大的输入信号滤波，以产生滤波的输入信号，并且所述第一驱动信号和所述第二驱动信号中至少一个是根据所述滤波的输入信号产生的；以及输出级，耦接到具有滤波器的所述叠接级，用于根据所述第一驱动信号和所述第二驱动信号，产生输出信号。
本发明实施例提供的AB类放大器通过具有滤波器的叠接级，产生滤波的输入信号，使得AB类放大器的至少一个驱动信号是根据滤波的输入信号产生的，能够改善AB类放大器的失真/非线性。
结合附图阅读以下对本发明实施例的详细描述，本发明的许多目的，特征和优点将变得显而易见。然而，这里使用的附图是为了描述的目的，不应被认为是限制性的。
附图说明
在阅读以下详细描述和附图之后，本发明的上述目的和优点对于本领域普通技术人员来说将变得更加显而易见，其中：
图1是本发明一实施例提供的AB类放大器的示意图；
图2是本发明一实施例提供的叠接级(cascode)的示意图；
图3是本发明另一实施例提供的叠接级(cascode)的示意图；
图4是本发明另一实施例提供的叠接级(cascode)的示意图；
图5是本发明另一实施例提供的AB类放大器的示意图；
图6是本发明另一实施例提供的AB类放大器的示意图。
具体实施方式
具体实施方式所使用的特定术语指特定的元件。本领域技术人员应当理解的是，生产商可以对一元件使用不同的名字。本申请不以元件采用不同名字来区分元件，而是以元件功能的不同来区分元件。在如下具体实施方式以及权利要求中，术语“包含”以及“包括”是一开放式限定，应该被理解成“包括但不限于”。术语“耦接”应该被理解为直接或者间接的电连接。相应的，如果一个装置被耦接到另一个装置，该耦接可以是一直接的电连接，也可以是通过采用其他装置或者连接的一间接的电连接。
图1是本发明一实施例提供的AB类放大器100的示意图。如图1所示，AB类放大器100包括：输入级110，两个叠接级(cascode)120_1和120_2，和两个输出级130_1和130_2。在该例子中，AB类放大器100是静态AB放大器，这意味着该AB类放大器100一直作为AB类操作。
输入级110包括2个P型金属氧化物半导体(PMOS)MP1和MP2和3个电流源I1，I2和I3，其中电流源I1耦接在供电电压VDD和PMOS MP1和PMOS MP2的源极之间，并且电流源I2和I3分别耦接在地电压和PMOS MP1和PMOS MP2的漏极之间。输入级110接收差分输入信号Vip和Vin，以产生放大的差分输入信号Von和Vop。叠接级120_1用于根据放大的输入信号Von产生驱动信号Von_p和Von_n，并且叠接级120_2用于根据放大的输入信号Vop产生驱动信号Vop_p和Vop_n。输出级130_1包括PMOS MOP1和NMOS MON1，用于根据驱动信号Von_p和Von_n产生输出信号Vout_N；以及输出级130_2包括PMOS MOP2和NMOS MON2，用于根据驱动信号Vop_p和Vop_n产生输出信号Vout_P，其中，输出信号Vout_P和Vout_N是差分信号对。
关于叠接级120_1和120_2的操作，叠接级120_1用于产生具有适当的DC电平的驱动信号Von_p和Von_n，以使输出级130_1作为AB类输出级操作，并且叠接级120_1进一步包括滤波器(例如高通滤波器)来使驱动信号Von_p和Von_n具有放大的输入信号Von的AC分量。相似的，叠接级120_2用于产生具有适当的DC电平的驱动信号Vop_p和Vop_n，以使输出级130_2作为AB类输出级操作，并且叠接级120_2进一步包括滤波器(例如高通滤波器)来使驱动信号Vop_p和Vop_n具有放大的输入信号Vop的AC分量。通过使驱动信号Von_p，Von_n，Vop_p和Vop_n具有放大的输入信号Von和Vop的AC分量，输出级130_1和130_2的增益在高频处被提高，放大的输入信号Von和Vop的电压摆幅能被减少以改进AB类放大器100的失真/非线性。
图2示出本发明一实施例提供的叠接级120_1的示意图。如图2的例子所示，叠接级120_1包括高通滤波器222，PMOS MFP1，NMOS MFN1和两个电流源I4和I5，其中高通滤波器222包括电容器C1和电阻器R1。在图2所示出的叠接级120_1的操作中，PMOS MFP1的栅极被由电阻器R1和电容器C1对偏置电压Vbp分压所得到的偏置电压偏置，并且NMOS MFN1的栅极被偏置电压Vbn偏置，并且PMOS MFP1和NMOS MFN1用于提供适当的DC偏移给驱动信号Von_p，以使得输出级130_1的PMOS MOP1工作在饱和区(saturation region)。并且放大的输入信号Von作为驱动信号Von_n。此外，当放大的输入信号Von具有高频，放大的输入信号Von的高频AC分量允许被输入到PMOS MFP1的栅极，并且PMOS MFP1作为源极跟随器(sourcefollower)，使得驱动信号Von_p具有由放大的输入信号Von提供的高频AC分量。所以，由于驱动信号Von_p在高频处具有由放大的输入信号Von提供的高频AC分量，所以可以认为叠接级120_1为输出级130_1提供了额外的增益，并且放大后的输入信号Von的电压摆幅可以被减小，并且由于放大的输入信号Von具有较低的电压摆动，改善了AB类放大器100的失真/非线性。
此外，因为当放大的输入信号Von具有低频率时，AB类放大器100的线性度足够好，所以高通滤波器222的转角(corner)能够被选择在较高频率上，例如40MHz，并且电阻器R1和电容器C1可以被设计得更小以节省制造成本。
图2的电路仅仅是示例性目的，不是对本发明的限制。例如，只要PMOS MFP1能接收放大的输入信号Von的高频AC分量，高通(high-pass)滤波器222也可以具有其他电路设计，或者高通滤波器222可以替换为带通(band-pass)滤波器。此外，一个或者多个晶体管能被放置在电流源I4和PMOS MFP1的源极(NMOS MFN1的漏极)之间，一个或者多个晶体管能被放置在电流源I5和PMOS MFP1的漏极(NMOS MFN1的源极)之间，一个或者多个晶体管能放置在PMOS MOP1和供电电压VDD之间，和/或一个或者多个晶体管被放置在NMOS MON1和地电压之间。这些替代的设计也将落入本发明的范围内。
图3示出本发明另一实施例提供的叠接级120_1的示意图。在图3所示的例子中，叠接级120_1包括：高通滤波器322，PMOS MFP2，NMOS MFN2,和两个电流源I6和I7，其中高通滤波器322包括电容器C2和电阻器R2。在图3所示出的叠接级120_1的操作中，NMOS MFN2的栅极被由电阻器R2和电容器C2对偏置电压Vbn分压所得到的偏置电压偏置，并且PMOS MFP2的栅极被偏置电压Vbp偏置，并且放大的输入信号Von作为驱动信号Von_p。此外，当放大的输入信号Von具有高频，放大的输入信号Von的高频AC分量允许被输入到NMOS MFN2的栅极，并且NMOS MFN2作为源极跟随器，使得驱动信号Von_n具有由放大的输入信号Von提供的高频AC分量。所以，由于驱动信号Von_n在高频处具有由放大的输入信号Von提供的高频AC分量，所以可以认为叠接级120_1为输出级130_1提供了额外的增益，并且放大后的输入信号Von的电压摆幅可以被减小，并且由于放大的输入信号Von具有较低的电压摆动，改善了AB类放大器100的失真/非线性。
图4是本发明另一实施例提供的叠接级120_1的示意图。在图4的例子中，叠接级120_1包括：高通滤波器422和424，PMOS MFP3，NMOS MFN3,和两个电流源I8和I9，其中高通滤波器422包括电容器C3和电阻器R3，以及该高通滤波器424包括电容器C4和电阻器R4。在图4所示的叠接级120_1的操作中，PMOS MFP3的栅极被由电阻器R3和电容器C3对偏置电压Vbp分压所得到的偏置电压偏置，并且NMOS MFN3的栅极被由电阻器R4和电容器C4对偏置电压Vbn分压所得到的偏置电压偏置。图4所示的例子是图2和图3所示的例子的合并。相似的，图4中示出的放大的输入信号Von的电压摆幅可以被减小，并且由于放大的输入信号Von具有较低的电压摆动，改善了AB类放大器100的失真/非线性。
图5是本发明另一实施例提供的AB类放大器500的示意图。如图5所示，AB类放大器500包括输入级510，叠接级520_1和520_2，以及输出级530_1和530_2。在该例子中，AB类放大器500是静态AB类放大器，也就是说，AB类放大器500总是作为AB类操作。
输入级510包括2个NMOS MN1和MN2，3个电流源I1’、I2’和I3’，其中，电流源I1’耦接在地电压和NMOS MN1和MN2的源极之间，电流源I2’和I3’分别耦接在供电电压VDD和NMOSMN1和MN2的漏极之间。输入级510用于接收差分输入信号Vip和Vin，以产生差分的放大的输入信号Von和Vop。叠接级520_1用于根据放大的输入信号Von产生驱动信号Von_p和Von_n，叠接级520_2用于根据放大的输入信号Vop产生驱动信号Vop_p和Vop_n。输出级530_1包括PMOS MOP1和NMOS MON1，并且用于根据驱动信号Von_p和Von_n产生输出信号Vout_N；输出级530_2包括PMOS MOP2和NMOS MON2，并且用于根据驱动信号Vop_p和Vop_n产生输出信号Vout_P，其中，输出信号Vout_N和Vout_P是差分信号对。
除了输入级510之外，AB类放大器500与图1中的AB类放大器100相似，并且叠接级520_1和520_2的操作和电路设计可以根据图2-4所示例子实现。此处省略进一步的详细描述。
图6示出本发明另一实施例提供的AB类放大器600的示意图。如图6所示，AB类放大器600包括输入级610，叠接级620_1和620_2，以及输出级630_1和630_2。在该例子中，AB类放大器600是静态AB类放大器，也就是说，AB类放大器600总是作为AB类操作。
输入级610包括2个PMOS MP1’和MP2’，2个NMOS MN1’和MN2’，和2个电流源I1”和I2”，其中，电流源I1”耦接在供电电压VDD和PMOS MP1和MP2的源极之间，电流源I2”耦接在地电压和NMOS MN1和MN2的源极之间。输入级610用于接收差分输入信号Vip和Vin，以产生放大的差分输入信号。叠接级620_1用于根据放大的输入信号产生驱动信号Von_p和Von_n，以及叠接级620_2用于根据放大的输入信号产生驱动信号Vop_p和Vop_n。输出级630_1包括PMOS MOP1和NMOS MON1，并且用于根据驱动信号Von_p和Von_n产生Vout_N；并且输出级630_2包括PMOS MOP2和NMOS MON2，用于根据驱动信号Vop_p和Vop_n产生输出信号Vout_P，其中，输出信号Vout_N和Vout_P是差分信号对。
除了输入级610之外，AB类放大器600与图1和图5中的AB类放大器相似，其中，输入级610是包括NMOS和PMOS的互补(complementary)输入级。叠接级620_1和620_2的操作和电路设计可以根据图2-4所示例子实现。此处省略进一步的详细描述。
简而言之，在本发明的AB类放大器中，通过使用具有高通滤波器的叠接级，AC分量被输入到叠接级的一个或者多个晶体管中，以增加AB类放大器的增益，并且在叠接级处的信号的电压摆幅能被降低，并且由于较低的电压摆动，改善了AB类放大器100的失真/非线性。
尽管已使用实用和优选的实施例描述了本发明，但是应该理解的是，本发明不必限于所公开的实施例。相反的，旨在覆盖包括在所附权利要求书的精神和范围内的各种修改和类似的布置，这些附加的权利要求将被赋予最宽泛的解释以涵盖所有这样的修改和类似的结构。

Claims (24)

1.一种AB类放大器，其特征在于，包括：
叠接级，具有滤波器，所述叠接级用于接收输入信号，以产生第一驱动信号和第二驱动信号；其中所述滤波器对所述输入信号滤波，以产生滤波的输入信号，并且所述第一驱动信号和所述第二驱动信号中至少一个是根据所述滤波的输入信号产生的；以及
输出级，耦接到所述叠接级，用于根据所述第一驱动信号和所述第二驱动信号，产生输出信号；
其中，所述叠接级包括：
P型晶体管，其中，所述滤波的输入信号被输入到所述P型晶体管的栅极，以在所述P型晶体管的源极产生第一驱动信号；其中，所述第一驱动信号包括所述输入信号的高频交流分量；
N型晶体管，所述P型晶体管和所述N型晶体管用于提供DC偏移给所述第一驱动信号。
2.根据权利要求1所述的AB类放大器，其特征在于，所述滤波器是高通滤波器。
3.根据权利要求1所述的AB类放大器，其特征在于，所述第二驱动信号包括所述输入信号的交流分量。
4.根据权利要求1所述的AB类放大器，其特征在于，所述滤波器是高通滤波器，所述叠接级包括输入端，用于接收所述输入信号，并且所述滤波器包括：
电容器，耦接在所述输入端和所述P型晶体管的栅极之间；
电阻器，耦接在偏置电压和所述P型晶体管的栅极之间。
5.根据权利要求1所述的AB类放大器，其特征在于，所述输出级包括：以叠接方式连接的P型输出晶体管和N型输出晶体管，其中，P型输出晶体管接收第一驱动信号，N型输出晶体管接收作为所述第二驱动信号的所述输入信号，以产生所述输出信号。
6.根据权利要求1所述的AB类放大器，其特征在于，所述AB类放大器是静态AB类放大器。
7.根据权利要求1所述的AB类放大器，其特征在于，还包括：
输入级，用于接收输入信号，以产生放大的输入信号；
所述叠接级，与所述输入级耦接，所述叠接级用于接收放大的输入信号，以产生所述第一驱动信号和所述第二驱动信号；其中所述叠接级的所述滤波器对所述放大的输入信号滤波，以产生所述滤波的输入信号。
8.根据权利要求7所述的AB类放大器，其特征在于，所述第二驱动信号包括所述放大的输入信号的交流分量；所述第一驱动信号包括所述放大的输入信号的高频交流分量。
9.一种AB类放大器，其特征在于，包括：
叠接级，具有滤波器，所述叠接级用于接收输入信号，以产生第一驱动信号和第二驱动信号；其中所述滤波器对所述输入信号滤波，以产生滤波的输入信号，并且所述第一驱动信号和所述第二驱动信号中至少一个是根据所述滤波的输入信号产生的；以及
输出级，耦接到所述叠接级，用于根据所述第一驱动信号和所述第二驱动信号，产生输出信号；
其中，所述叠接级包括：
N型晶体管，其中所述滤波的输入信号被输入到所述N型晶体管的栅极，以在所述N型晶体管的源极处产生第二驱动信号；其中，所述第二驱动信号包括所述输入信号的高频交流分量；
P型晶体管，所述N型晶体管和所述P型晶体管用于提供DC偏移给所述第二驱动信号。
10.根据权利要求9所述的AB类放大器，其特征在于，所述滤波器是高通滤波器。
11.根据权利要求9所述的AB类放大器，其特征在于，所述第一驱动信号包括所述输入信号的交流分量。
12.根据权利要求9所述的AB类放大器，其特征在于，所述滤波器是高通滤波器，所述叠接级包括输入端，用于接收所述输入信号，并且所述滤波器包括：
电容器，耦接在所述输入端和所述N型晶体管的栅极之间；
电阻器，耦接在偏置电压和所述N型晶体管的栅极之间。
13.根据权利要求9所述的AB类放大器，其特征在于，所述输出级包括以叠接方式连接的P型输出晶体管和N型输出晶体管，其中所述N型输出晶体管接收所述第二驱动信号，所述P型输出晶体管接收作为所述第一驱动信号的所述输入信号，以产生所述输出信号。
14.根据权利要求9所述的AB类放大器，其特征在于，所述AB类放大器是静态AB类放大器。
15.根据权利要求9所述的AB类放大器，其特征在于，还包括：
输入级，用于接收输入信号，以产生放大的输入信号；
所述叠接级，与所述输入级耦接，所述叠接级用于接收放大的输入信号，以产生所述第一驱动信号和所述第二驱动信号；其中所述叠接级的所述滤波器对所述放大的输入信号滤波，以产生所述滤波的输入信号。
16.根据权利要求15所述的AB类放大器，其特征在于，所述第一驱动信号包括所述放大的输入信号的交流分量；所述第二驱动信号包括所述放大的输入信号的高频交流分量。
17.一种AB类放大器，其特征在于，包括：
叠接级，具有滤波器，所述叠接级用于接收输入信号，以产生第一驱动信号和第二驱动信号；其中所述滤波器对所述输入信号滤波，以产生滤波的输入信号，并且所述第一驱动信号和所述第二驱动信号中至少一个是根据所述滤波的输入信号产生的；以及
输出级，耦接到所述叠接级，用于根据所述第一驱动信号和所述第二驱动信号，产生输出信号；其中，所述叠接级包括：
P型晶体管，其中所述滤波的输入信号被输入到所述P型晶体管的栅极，以在所述P型晶体管的源极处产生所述第一驱动信号；
N型晶体管，其中所述滤波的输入信号被输入到所述N型晶体管的栅极，以在所述N型晶体管的源极处产生所述第二驱动信号；
其中，所述第一驱动信号和所述第二驱动信号包括所述输入信号的高频交流分量。
18.根据权利要求17所述的AB类放大器，其特征在于，所述滤波器是高通滤波器。
19.根据权利要求17所述的AB类放大器，其特征在于，所述叠接级包括输入端，用于接收所述输入信号，所述滤波器包括：
第一电容器，耦接在所述输入端和所述P型晶体管的栅极之间；
第一电阻器，耦接在第一偏置电压和所述P型晶体管的栅极之间；
第二电容器，耦接在所述输入端和所述N型晶体管的栅极之间；
第二电阻器，耦接在第二偏置电压和所述N型晶体管的栅极之间。
20.根据权利要求17所述的AB类放大器，其特征在于，所述输出级包括以叠接方式连接的P型输出晶体管和N型输出晶体管，其中P型输出晶体管接收所述第一驱动信号，并且所述N型输出晶体管接收所述第二驱动信号，以产生所述输出信号。
21.根据权利要求17所述的AB类放大器，其特征在于，所述AB类放大器是静态AB类放大器。
22.根据权利要求17所述的AB类放大器，其特征在于，还包括：
输入级，用于接收输入信号，以产生放大的输入信号；
所述叠接级，与所述输入级耦接，所述叠接级用于接收放大的输入信号，以产生所述第一驱动信号和所述第二驱动信号；其中所述叠接级的所述滤波器对所述放大的输入信号滤波，以产生所述滤波的输入信号。
23.根据权利要求22所述的AB类放大器，其特征在于，所述第一驱动信号和所述第二驱动信号包括所述放大的输入信号的高频交流分量。
24.根据权利要求22所述的AB类放大器，其特征在于，所述输出级包括：以叠接方式连接的P型输出晶体管和N型输出晶体管，其中，所述P型输出晶体管接收第一驱动信号，所述N型输出晶体管接收所述第二驱动信号，以产生所述输出信号。
CN201810071387.8A 2017-01-25 2018-01-25 一种ab类放大器 Active CN108347227B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762450104P 2017-01-25 2017-01-25
US62/450,104 2017-01-25
US15/841,321 US10574193B2 (en) 2017-01-25 2017-12-14 Class AB amplifier having cascode stage with filter for improving linearity
US15/841,321 2017-12-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108347227A CN108347227A (zh) 2018-07-31
CN108347227B true CN108347227B (zh) 2022-04-08

Family

ID=60953745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810071387.8A Active CN108347227B (zh) 2017-01-25 2018-01-25 一种ab类放大器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10574193B2 (zh)
EP (1) EP3355471B1 (zh)
CN (1) CN108347227B (zh)
TW (1) TWI637591B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101677230A (zh) * 2008-09-15 2010-03-24 联发科技（新加坡）私人有限公司 三级频率补偿运算放大器
TW201105030A (en) * 2009-07-22 2011-02-01 Ralink Technology Corp Operational amplifier having DC offset cancellation capability
CN103248324A (zh) * 2013-04-23 2013-08-14 南京邮电大学 一种高线性度低噪声放大器
CN103532503A (zh) * 2013-09-18 2014-01-22 清华大学 功率放大器
CN106230392A (zh) * 2016-07-18 2016-12-14 东南大学 一种偏置节点自适应的高线性包络跟踪功率放大器

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5786731A (en) 1996-03-29 1998-07-28 National Semiconductor Corporation Class AB complementary transistor output stage having large output swing and large output drive
US6300831B1 (en) 1999-12-21 2001-10-09 Texas Instruments Incorporated Compensating a Gm-boosted folded-cascode amplifier
US7414473B1 (en) * 2006-07-27 2008-08-19 Linear Technology Corporation Class AB folded-cascode amplifier having cascode compensation
US8890611B2 (en) * 2012-02-08 2014-11-18 Mediatek Inc. Operational amplifier circuits
US8890610B2 (en) * 2012-03-28 2014-11-18 Texas Instruments Incorporated Compensation circuitry and method for amplifiers driving large capacitive loads
EP2667506A1 (en) 2012-05-24 2013-11-27 ST-Ericsson SA Two-stage operational amplifier in class ab
US9590571B2 (en) 2012-10-02 2017-03-07 Knowles Electronics, Llc Single stage buffer with filter
TW201601453A (zh) * 2014-06-27 2016-01-01 瑞昱半導體股份有限公司 功率放大器及ａｂ類功率放大器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101677230A (zh) * 2008-09-15 2010-03-24 联发科技（新加坡）私人有限公司 三级频率补偿运算放大器
TW201105030A (en) * 2009-07-22 2011-02-01 Ralink Technology Corp Operational amplifier having DC offset cancellation capability
CN103248324A (zh) * 2013-04-23 2013-08-14 南京邮电大学 一种高线性度低噪声放大器
CN103532503A (zh) * 2013-09-18 2014-01-22 清华大学 功率放大器
CN106230392A (zh) * 2016-07-18 2016-12-14 东南大学 一种偏置节点自适应的高线性包络跟踪功率放大器

Also Published As

Publication number Publication date
TWI637591B (zh) 2018-10-01
CN108347227A (zh) 2018-07-31
TW201828593A (zh) 2018-08-01
US20180212572A1 (en) 2018-07-26
EP3355471B1 (en) 2022-05-04
US10574193B2 (en) 2020-02-25
EP3355471A1 (en) 2018-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8040187B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
US7948294B2 (en) Mixer with high linearity
US20160344344A1 (en) Apparatus and methods for compensating an operational amplifier
TWI548205B (zh) Balanced upscale mixer
KR20070003286A (ko) 버퍼 증폭기
KR100740951B1 (ko) 하이브리드 발룬 장치 및 수신기
US9531335B2 (en) Method and circuitry for CMOS transconductor linearization
US8274320B2 (en) Signal processing circuit with improved linearity
CN108347227B (zh) 一种ab类放大器
US7693503B2 (en) Mixer having filtering module to filter out low-frequency components to minimize noise
CN109861675B (zh) 数字信号毛刺消除电路
US9716499B2 (en) Current amplifier and transmitter using the same
US20230055295A1 (en) Low-noise amplifier (lna) with high power supply rejection ratio (psrr)
US20240039478A1 (en) Circuit with a pseudo class-ab structure
CN110661494A (zh) 高频放大电路及半导体设备
KR101592936B1 (ko) 저잡음 증폭기
WO2003049280A1 (en) A low noise electronic circuit
JP2015019328A (ja) 増幅回路
CN113595512B (zh) 高线性度低噪声放大器
US11664774B2 (en) Operational amplifier using single-stage amplifier with slew-rate enhancement and associated method
US9692375B2 (en) Boosting amplifier gain without clipping signal envelope
JP4774845B2 (ja) 復調回路
JP2015154443A (ja) 利得可変型増幅器
CN114077272A (zh) 一种射频功率整流器电路
CN115833755A (zh) 一种信号解调电路及数字隔离电路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant