CN108346719A - 一种复合图形衬底及其制作方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 43
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 32
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 claims 1
- 230000012010 growth Effects 0.000 abstract description 14
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 9
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 8
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 description 3
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001025261 Neoraja caerulea Species 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
本发明提供一种复合图形衬底及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：S1：提供一蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底表面沉积AlxGa1‑xN缓冲层，0≤X≤1；S2：在缓冲层表面沉积低折射率介质层，低折射率介质层的折射率小于1.8；S3：刻蚀低折射率介质层，得到凹陷结构，凹陷结构暴露出缓冲层。本发明获得的复合图形衬底，可以直接放入量产MOCVD中进行生产；使用复合图形衬底生长的外延片在对光的提取效率较同种规格的蓝宝石图形衬底提高3‑5％；使用复合图形衬底生长的外延片，特别适合通过激光剥离方法制作垂直LED芯片，并且剥离后的蓝宝石衬底可以重复利用。
Description
技术领域
本发明涉及半导体材料领域，特别是涉及一种复合图形衬底及其制作方法。
背景技术
半导体发光二极管(light-emission diodes,LEDS)因其具有体积小、能耗低、寿命长、环保耐用等优点，蓝、绿光GaN基LED芯片在显示、照明领域发展迅速；国内LED照明已经取代普通照明约30％份额，为继续提高LED在照明市场普及率，需要继续提升LED在光亮度、光品质方面的性能。目前主流蓝绿GaN基LED外延片95％以上都是使用蓝宝石基板做衬底材料，蓝宝石衬底因硬度大、透光率高、工艺成熟等特点，在今后主流LED市场仍将会是最主要的衬底材料。目前采用的蓝宝石衬底基本上都是进行了图形化(PatternedSapphireSubstrate,PSS)加工后再用于LED外延生长。因为在PSS衬底上生长氮化镓外延层可以减少外延缺陷，提高外延层晶体质量以提高LED电学特性；另外，蓝宝石的折射率为1.8，氮化镓的折射率为2.5，由于折射率的差异，当光从氮化镓外延层进入蓝宝石图形衬底时，会形成全反射，从而改善GaN基发光二极管出光率。基于PSS衬底的外延材料制成的LED器件参数表明，其20A/cm2电流密度下相同尺寸芯片的光功率相比蓝宝石平片衬底制作的器件光功率增加约30％，因此采用PSS衬底是提高氮化镓基发光二极管出光效率的一种有效方法。随着GaN基LED外延及芯片加工技术进步，目前主流蓝光LED内量子效率已经提高到80％以上，外量子效率仅达到约60％，因GaN基LED物理特性的限制，内量子效率的提升已经非常难，现在主要通过提高LED芯片的光的提取效率以提高芯片的外量子效率。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种复合图形衬底及其制作方法，该复合图形衬底减小芯片内部光的折射，提高光的反射，提高LED芯片的出光效率，并且可以提高生产效率，降低生产成本。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种复合图形衬底的制作方法，至少包括以下步骤：
S1：提供一蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底表面沉积AlxGa1-xN缓冲层，0≤X≤1；
S2：在所述缓冲层表面沉积低折射率介质层，所述低折射率介质层的折射率小于1.8；
S3：刻蚀所述低折射率介质层，得到凹陷结构，所述凹陷结构暴露出所述缓冲层。
于本发明的一实施方式中，所述凹陷结构将所述低折射率介质层分割为若干介质柱。
于本发明的一实施方式中，所述介质柱的横截面包括圆形、椭圆形或多边形。
于本发明的一实施方式中，所述介质柱的横截面积自下而上一致，或者自下而上逐渐减小，且所述介质柱的横截面积范围是1-1000μm2。
于本发明的一实施方式中，在步骤S1中，所述缓冲层的沉积速率为5-50nm/min，沉积温度为300-1000℃；所述缓冲层厚度为20-200nm。
于本发明的一实施方式中，在步骤S1中，采用化学气相沉积法制备所述缓冲层。
于本发明的一实施方式中，复合图形衬底的制作方法，还包括以下特征的任意一项或多项：
1)在步骤S2中，所述低折射率介质层的材料为氧化硅或氮化硅；
2)在步骤S2中，沉积所述低折射率介质层的速率温度为300-1000℃；所述低折射率介质层的厚度为1-4μm。
于本发明的一实施方式中，在步骤S3中，在刻蚀所述低折射率介质层的过程中，包括以下步骤：
S3-1：在所述低折射率介质层上制备掩模图形；
S3-2：刻蚀所述低折射率介质层，将所述掩模图形转移至所述低折射率介质层上。
于本发明的一实施方式中，在步骤S3-2中，刻蚀的深度不小于所述低折射率介质层的厚度，并且刻蚀后位于所述凹陷结构底部的缓冲层厚度不小于10nm。
本发明还公开一种如上述所述的复合图形衬底的制作方法获得的复合图形衬底。
为了提高LED的出光效率，本发明提出一种利用低于蓝宝石折射率材料为介质制作图形衬底的方案，通过低折射率介质取代蓝宝石制作成图形衬底，以减小芯片内部光的折射，提高光的反射，提高LED芯片的出光效率。根据光的传播原理，光从光密介质(折射率n2)传到光疏介质(折射率n1)时，在光线入射角等于全反射临界角时，光线只发生反射，不发生折射；全反射临界角ic为：ic＝arcsin n1/n2；在蓝宝石图形衬底的GaN外延层内，蓝宝石折射率n1＝1.8，GaN折射率n2＝2.5，ic1＝arcsin n1/n2＝arcsin1.8/2.5＝46.1°，则入射角大于46.1°时，入射的光会发生全反射。当使用折射率低于蓝宝石的材料制作成图形衬底时，全反射的入射角会变小，那反射光的占比增大，比如使用SiO2作为介质制作成图形衬底时，图形尺寸规格与蓝宝石图形衬底相同条件下，因SiO2的折射率n1＝1.4，则全反射临界角ic2＝34.1°，因此相比较蓝宝石图形衬底，利用SiO2的图形衬底，对光的反射范围增加46.1°-34.1°＝12°，以图形衬底的图形规格为2.8*0.2*1.7来估算，使用SiO2的图形衬底后对光的反射会增加约4.8％。使用低折射率介质制作图形衬底，不仅可以提升LED芯片光的提取效率，而且图形衬底的加工效率提升20-30％，生产成本降低约10％。
如上所述，本发明提供一种复合图形衬底及其制作方法，具有以下有益效果：
本发明获得的复合图形衬底，可以直接放入量产MOCVD中进行生产；此种复合图案衬底在外延生长过程具可避免原位低温缓冲层生长过程，由原来的先低温后高温的二部生长方法，变为直接高温生长的一部生长法，单炉可以节约生长时间0.5-1h，产出率可以提升10％以上；使用复合图形衬底生长的外延片在对光的提取效率较同种规格的蓝宝石图形衬底提高3-5％；使用复合图形衬底生长的外延片，特别适合通过激光剥离方法制作垂直LED芯片，并且剥离后的蓝宝石衬底可以重复利用。
附图说明
图1显示为本发明的复合图形衬底的制作方法流程示意图。
图2～图3显示为本发明的复合图形衬底的制造方法步骤S1所呈现的结构示意图。
图4显示为本发明的复合图形衬底的制造方法步骤S2所呈现的结构示意图。
图5显示为本发明获得具有圆锥状介质柱的复合图形衬底结构示意图。
图6显示为本发明获得具有圆柱状介质柱的复合图形衬底结构示意图。
图7显示为本发明的具有圆柱状介质柱复合图形衬底的OM俯视结构示意图。
元件标号说明
1 蓝宝石衬底
2 缓冲层
3 低折射率介质层
4 圆柱状介质柱
5 圆锥状介质柱
S1～S5 步骤
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图7，需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
如图1所示，本发明提供了一种复合图形衬底的制作方法，包括以下步骤：
S1：提供一蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底表面沉积缓冲层；
S2：在缓冲层表面沉积低折射率介质层；
S3：刻蚀低折射率介质层，获得复合图形衬底；
S4：清洗复合图形衬底，然后检测、分档和收集。
在步骤S1中，请参阅图2至图3，提供一蓝宝石衬底1，在蓝宝石衬底表面沉积一层多晶缓冲层。在本实施例中，蓝宝石衬底1的表面为平直面。
缓冲层2优选为低温AlxGa1-xN层(0≤X≤1)，采用低温化学气相沉积法例如等离子增强化学气相沉积法(PECVD)制备而成。缓冲层2的沉积速率为5-50nm/min，沉积温度为300-1000℃，缓冲层2沉积厚度为20-200nm。在本实施例中，缓冲层2为为Al0.1Ga0.9N缓冲层，缓冲层2的沉积速率为7nm/min，沉积温度为550℃，缓冲层2沉积厚度为30nm。
在步骤S2中，请参阅图4，在缓冲层2表面沉积一层致密的低折射率介质层3。介质层的折射率要求小于蓝宝石折射率，具有良好的透光性。作为示例，低折射率介质层3的材料为氧化硅或氮化硅。低折射率介质层3的折射率小于1.8。
在步骤S2中，低折射率介质层3沉积的速率沉积温度为300-1000℃；低折射率介质层3的厚度为1-4μm。在本实施例中，低折射率介质层3沉积的速率沉积温度为400℃；低折射率介质层3的厚度为2.5μm。
在步骤S3中，刻蚀低折射率介质层3，得到凹陷结构，凹陷结构暴露出缓冲层2。凹陷结构将低折射率介质层分割为若干介质柱。介质柱的横截面包括圆形、椭圆形或多边形。在本实施例中，介质柱的横截面为圆形。介质柱的横截面积自下而上一致，或者自下而上逐渐减小，且介质柱的横截面积范围是1-1000μm2。
在步骤S3中，在刻蚀所述低折射率介质层的过程中，包括以下步骤：
S3-1：在低折射率介质层上制备掩模图形；
S3-2：刻蚀低折射率介质层，将掩模图形转移至低折射率介质层上。
在步骤S3-1中，在低折射率介质层3表面上制备掩模图形：通过涂光刻胶、曝光、坚膜、显影等黄光过程，在低折射率介质层3薄膜上，制作需要的掩模图形，掩模图形的形状、高度、直径依据需要制作的图形调整。作为示例，掩模图形的形状为圆柱形或圆锥形。作为示例，SiO2介质层上制作高度2.5μm，下圆直径2μm，上圆直径1.4μm的掩模图形。
在步骤S3-2中，采用ICP(ICP即离子束辅助自由基)刻蚀低折射率介质层3，采用分部刻蚀法、刻蚀速率先快后慢，选用含氟基气体，比如CHF3、BCl3或CHF3/BCl3混合气体的任意一种作为ICP刻蚀气体。作为示例，当低折射率介质层3材质为SiO2时，采用CHF3/BCl3混合气体为刻蚀气。
在步骤S3-2中，刻蚀的深度不小于低折射率介质层3的深度，并且刻蚀后位于凹陷结构底部的缓冲层2厚度不小于10nm。要求介质柱之间空白区域的缓冲层2表面要露出。在本实施例中，SiO2图形刻蚀深度为2.50-2.52μm。
在步骤S4中，介质柱呈圆锥形或圆柱形。如图5、图6、图7所示，图5显示为具有圆锥状介质柱5的复合图形衬底结构示意图。图6显示为具有圆柱状介质柱4的复合图形衬底结构示意图。图7显示为使用SiO2为介质层制作的具有圆柱状介质柱4的复合图形衬底的OM俯视结构示意图。
在步骤S4中，对刻蚀后复合图形衬底，通过Plasma、清洗、烘干等工序后清洁衬底表面，并利用OM、SEM、AOI设备对图形形状、大小、缺陷情况进行检测，并根据需要进行分档收集。
综上所述，将本发明获得的复合图形衬底可直接放入量产MOCVD中进行生产；复合图形衬底在外延生长过程可避免原位低温缓冲层生长过程，由原来的先低温后高温的二步生长方法，变为直接高温生长的一步生长法，单炉可以节约生长时间0.5-1小时，产出率可以提升10％以上；使用复合图形衬底生长的外延片在对光的提取效率较同种规格的蓝宝石图形衬底提高3-5％；而且因AlxGa1-xN缓冲层和低折射率介质层界面易于剥离，使用复合图形衬底的外延片，特别适合通过激光剥离方法制作垂直LED芯片，并且剥离后的蓝宝石衬底可以重复利用。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (10)
1.一种复合图形衬底的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
S1：提供一蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底表面沉积AlxGa1-xN缓冲层，0≤X≤1；
S2：在所述缓冲层表面沉积低折射率介质层，所述低折射率介质层的折射率小于1.8；
S3：刻蚀所述低折射率介质层，得到凹陷结构，所述凹陷结构暴露出所述缓冲层。
2.根据权利要求1所述的复合图形衬底的制作方法，其特征在于：所述凹陷结构将所述低折射率介质层分割为若干介质柱。
3.根据权利要求2所述的复合图形衬底的制作方法，其特征在于：所述介质柱的横截面包括圆形、椭圆形或多边形。
4.根据权利要求2所述的复合图形衬底的制作方法，其特征在于：所述介质柱的横截面积自下而上一致，或者自下而上逐渐减小，且所述介质柱的横截面积范围是1-1000μm2。
5.根据权利要求1所述的复合图形衬底的制作方法，其特征在于，在步骤S1中，所述缓冲层的沉积速率为5-50nm/min，沉积温度为300-1000℃；所述缓冲层厚度为20-200nm。
6.根据权利要求1或5所述的复合图形衬底的制作方法，其特征在于，在步骤S1中，采用化学气相沉积法制备所述缓冲层。
7.根据权利要求1所述的复合图形衬底的制作方法，其特征在于，还包括以下特征的任意一项或多项：
1)在步骤S2中，所述低折射率介质层的材料为氧化硅或氮化硅；
2)在步骤S2中，沉积所述低折射率介质层的速率温度为300-1000℃；所述低折射率介质层的厚度为1-4μm。
8.根据权利要求1所述的复合图形衬底的制作方法，其特征在于，在步骤S3中，在刻蚀所述低折射率介质层的过程中，包括以下步骤：
S3-1：在所述低折射率介质层上制备掩模图形；
S3-2：刻蚀所述低折射率介质层，将所述掩模图形转移至所述低折射率介质层上。
9.根据权利要求8所述的复合图形衬底的制作方法，其特征在于，在步骤S3-2中，刻蚀的深度不小于所述低折射率介质层的厚度，并且刻蚀后位于所述凹陷结构底部的缓冲层厚度不小于10nm。
10.一种如权利要求1至9任一所述的复合图形衬底的制作方法获得的复合图形衬底。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710056035.0A CN108346719A (zh) | 2017-01-25 | 2017-01-25 | 一种复合图形衬底及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710056035.0A CN108346719A (zh) | 2017-01-25 | 2017-01-25 | 一种复合图形衬底及其制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108346719A true CN108346719A (zh) | 2018-07-31 |
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ID=62962278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710056035.0A Pending CN108346719A (zh) | 2017-01-25 | 2017-01-25 | 一种复合图形衬底及其制作方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN108346719A (zh) |
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- 2017-01-25 CN CN201710056035.0A patent/CN108346719A/zh active Pending
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