CN108336120A - 一种阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置，该阵列基板包括：位于基板边框区域的GOA电路区域，GOA电路区域包括第一源漏极层；位于GOA电路区域上的平坦层；形成于平坦层上的第二源漏极层，第二源漏极层与边框区域对应的部分设有初始化信号走线通道和阴极信号走线通道；形成于第二源漏极层上、且部分与第二源漏极层搭接的阴极层，且阴极层与第二源漏极层的搭接区域在基板的正投影与GOA电路区域在基板的正投影至少部分重叠。上述阵列基板中，阴极层与第二源漏极层进行竖向搭接，阴极层与第二源漏极层形成的搭接区域与GOA电路区域在垂直于基板的方向上竖向设置，大大减少了占用的边框宽度，有利于实现窄边框设计，且减小压降影响。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
在传统的AMOLED显示器边框区域的设计中，一般采用源漏极层和阳极层搭接，然后设置阴极层与阳极层搭接，驱动电路给阴极层提供阴极信号，如图1所示，其中驱动电路区域和源漏极与阳极层的搭接区域横向并行设置，这样就会影响边框的宽度，使得边框的宽度尺寸较大，且为了减小源漏极层与阳极层搭接产生的压降，就还需要增加源漏极层与阳极层的搭接宽度，进而更加影响显示器边框的宽度，导致边框的宽度增大，从而会影响显示器的外观美感，以及影响使用者的应用感受，所以，怎样对边框区域设置缓解边框宽度过大的状况是目前亟需解决的问题。
发明内容
本发明提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，该阵列基板中，设置阴极层与第二源漏极层进行竖向搭接，且阴极层与第二源漏极层形成的搭接区域与GOA电路区域在垂直于基板的方向上竖向设置，大大减少了占用的边框宽度，有利于实现窄边框设计，且减小压降影响。
为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：
一种阵列基板，包括基板，所述基板包括边框区域和有效显示区域，包括：位于所述基板边框区域的GOA电路区域，所述GOA电路区域包括第一源漏极层；
位于所述GOA电路区域上的平坦层；
形成于所述平坦层上的第二源漏极层，所述第二源漏极层与所述边框区域对应的部分设有初始化信号走线通道和阴极信号走线通道；
形成于所述第二源漏极层上、且部分与所述第二源漏极层搭接的阴极层，且所述阴极层与所述第二源漏极层的搭接区域在所述基板的正投影与所述GOA电路区域在所述基板的正投影至少部分重叠。
上述阵列基板中，在基板的边框区域中设有GOA电路区域，在GOA电路区域设置有第一源漏极层，在第一源漏极层上设置平坦层，第二源漏极层形成于平坦层上，且在第二源漏极层中与边框区域对应的部位设有初始化信号走线通道和阴极信号走线通道，在第二源漏极层上设置有阴极层，阴极层中位于边框区域的部位的一部分与第二源漏极层搭接，其中，以垂直于基板设置膜层结构的表面的方向为竖向，以平行于基板设置膜层结构的表面的方向为水平方向，则，阴极层与第二源漏极层直接接触形成竖向搭接，增加了阴极层与第二源漏极层的接触面积，减小压降，且阴极层与第二源漏极层形成阴极层与第二源漏极层且阴极层与第二源漏极层的搭接区域在基板上的正投影与GOA电路区域在基板上的正投影至少部分重叠，即，阴极层与第二源漏极层的搭接区域与GOA电路区域形成竖向设置，相对于现有技术中GOA电路区域与源漏极与阳极层在同一水平方向的横向设置，大大减少占用的边框宽度，进而可以实现窄边框设计。
上述阵列基板中，设置阴极层与第二源漏极层进行竖向搭接，阴极层与第二源漏极层形成的搭接区域与GOA电路区域在垂直于基板的方向上竖向设置，大大减少了占用的边框宽度，有利于实现窄边框设计，且减小压降影响。
优选地，所述第二源漏极层位于所述搭接区域的部位设有多个凹槽结构，且所述阴极层位于所述搭接区域的部位中的一部分置于所述多个凹槽结构内以与所述第二源漏极层搭接。
优选地，在所述基板的有效显示区域，所述第二源漏极层与所述阴极层之间形成有像素结构和用于限定所述像素结构中子像素的像素定义层，所述像素定义层中的至少一部分设有沿垂直于所述基板的方向贯穿所述像素定义层的通孔，且所述阴极层通过所述通孔与所述第二源漏极层接触连接。
优选地，所述像素结构包括有机电致发光层。
优选地，所述基板为PI基板。
优选地，所述平坦层为PI材料，且所述像素定义层为PI材料。
优选地，所述阵列基板还包括形成于所述第二源漏极层和所述阴极层之间的阳极层。
本发明还提供了一种显示面板，包括如上述技术方案中所述的任意一种阵列基板。
本发明还提供了一种显示装置，包括如上述技术方案中所述的任意一种显示面板。
附图说明
图1为现有技术中的阵列基板的边框区域的膜层结构示意图；
图2为本发明实施例提供的阵列基板的局部结构示意图；
图标：1-基板；2-GOA电路区域；3-平坦层；4-第二源漏极层；5-阴极层；6-阳极层；7-像素定义层；8-电致发光层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图2，本发明实施例提供的一种阵列基板，包括基板1，基板1包括边框区域和有效显示区域，包括：位于基板1边框区域的GOA电路区域2，GOA电路区域2包括第一源漏极层；位于GOA电路区域2上的平坦层3；形成于平坦层3上的第二源漏极层4，第二源漏极层4与边框区域对应的部分设有初始化信号走线通道和阴极信号走线通道；形成于第二源漏极层4上、且部分与第二源漏极层4搭接的阴极层5，且阴极层5与第二源漏极层4的搭接区域在基板1的正投影与GOA电路区域2在基板1的正投影至少部分重叠。
上述阵列基板中，在基板1的边框区域中设有GOA电路区域2，在GOA电路区域2设置有第一源漏极层，在第一源漏极层上设置平坦层3，第二源漏极层4形成于平坦层3上，且在第二源漏极层4中与边框区域对应的部位设有初始化信号走线通道和阴极信号走线通道，在第二源漏极层4上设置有阴极层5，阴极层5中位于边框区域的部位的一部分与第二源漏极层4搭接，其中，以垂直于基板1设置膜层结构的表面的方向为竖向，以平行于基板1设置膜层结构的表面的方向为水平方向，则，阴极层5与第二源漏极层4直接接触形成竖向搭接，增加了阴极层5与第二源漏极层4的接触面积，减小压降，且阴极层5与第二源漏极层4形成阴极层5与第二源漏极层4且阴极层5与第二源漏极层4的搭接区域在基板1上的正投影与GOA电路区域2在基板1上的正投影至少部分重叠，即，阴极层5与第二源漏极层4的搭接区域与GOA电路区域2形成竖向设置，相对于现有技术中GOA电路区域2与源漏极与阳极层6在同一水平方向的横向设置，大大减少占用的边框宽度，进而可以实现窄边框设计。
上述阵列基板中，设置阴极层5与第二源漏极层4进行竖向搭接，阴极层5与第二源漏极层4形成的搭接区域与GOA电路区域2在垂直于基板1的方向上竖向设置，大大减少了占用的边框宽度，有利于实现窄边框设计，且减小压降影响。
其中，如图2所示，为了进一步减小阴极层5与第二源漏极层4搭接区域沿边框区域的宽度方向的尺寸，第二源漏极层4位于搭接区域的部位设有多个凹槽结构，且阴极层5位于搭接区域的部位中的一部分置于多个凹槽结构内以与第二源漏极层4搭接。第二源漏极层4位于搭接区域的部位设置多个凹槽结构，阴极层5位于搭接区域的部位沿第二源漏极层4位于搭接区域的部位设置，且阴极层5位于搭接区域的部位中的一部分置于凹槽结构中与第二源漏极层4接触，可以增大阴极层5与第二源漏极层4的接触面积，有利于减少压降，所以，可以在保证阴极层5与第二源漏极层4有足够的接触面积状况下，进一步减小阴极层5与第二源漏极层4沿边框区域的宽度方向的搭接距离，进而有利于缩小占用的边框宽度尺寸，有利于窄边框设计。
参考图2所示，在基板1的有效显示区域，如图2中A-A区域，第二源漏极层4与阴极层5之间形成有像素结构和用于限定像素结构中子像素的像素定义层7，像素定义层7中的至少一部分设有沿垂直于基板1的方向贯穿像素定义层7的通孔，且阴极层5通过通孔与第二源漏极层4接触连接。在基板1的有效显示区域，阴极层5通过像素定义层7中的通孔与第二源漏极层4接触连接，增加了阴极层5与第二源漏极层4的接触面积，可以减少压降，降低压降的影响，提高上述阵列基板形成的显示面板的发光均一性，且阴极层5位于有效显示区域的部位中的一部分与第二源漏极层4位于有效显示区域的部位有接触连接，可以进一步增大阴极层5与第二源漏极层4的接触面积，可以减少压降，则，可以缩小阴极层5与第二源漏极层4在边框区域的沿边框宽度方向的搭接尺寸，可以进一步减少占用的边框宽度尺寸，有利于实现窄边框设计。
具体地，像素定义层7中位于子像素与子像素之间部位均设置通孔以便于阴极层5与第二源漏极层4通过通孔接触连接，增大阴极层5与第二源漏极层4的接触面积，从而可以更进一步缩小阴极层5与第二源漏极层4在边框区域的沿边框宽度方向的搭接尺寸，减少占用的边框宽度尺寸，有利于实现窄边框设计。
上述阵列基板中，像素结构包括有机电致发光层8。
具体地，上述阵列基板中，基板1为PI基板，即上述阵列基板为柔性阵列基板，需要说明的是，基板1也可以是其他材料，本实施例不做局限。
上述阵列基板中，平坦层3为PI材料，且像素定义层7为PI材料，平坦层3与像素定义层7设置为柔性材料，有利于柔性阵列基板的制备。
具体地，上述阵列基板中还包括形成于第二源漏极层4和阴极层5之间的阳极层6。
本发明实施例还提供了一种显示面板，包括上述实施例中的任意一种阵列基板。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例中的任意一种显示面板。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (9)
1.一种阵列基板，包括基板，所述基板包括边框区域和有效显示区域，其特征在于，包括：位于所述基板边框区域的GOA电路区域，所述GOA电路区域包括第一源漏极层；
位于所述GOA电路区域上的平坦层；
形成于所述平坦层上的第二源漏极层，所述第二源漏极层与所述边框区域对应的部分设有初始化信号走线通道和阴极信号走线通道；
形成于所述第二源漏极层上、且部分与所述第二源漏极层搭接的阴极层，且所述阴极层与所述第二源漏极层的搭接区域在所述基板的正投影与所述GOA电路区域在所述基板的正投影至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二源漏极层位于所述搭接区域的部位设有多个凹槽结构，且所述阴极层位于所述搭接区域的部位中的一部分置于所述多个凹槽结构内以与所述第二源漏极层搭接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述基板的有效显示区域，所述第二源漏极层与所述阴极层之间形成有像素结构和用于限定所述像素结构中子像素的像素定义层，所述像素定义层中的至少一部分设有沿垂直于所述基板的方向贯穿所述像素定义层的通孔，且所述阴极层通过所述通孔与所述第二源漏极层接触连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述像素结构包括有机电致发光层。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述基板为PI基板。
6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦层为PI材料，且所述像素定义层为PI材料。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括形成于所述第二源漏极层和所述阴极层之间的阳极层。
8.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的显示面板。
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