CN108321644A - 一种耐高压射频同轴连接器 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种耐高压射频同轴连接器,包括螺套、第一外壳、第二外壳、插针和衬套;绝缘子固定在第一外壳的第一凸环之间,插针的插入端插入式的固定在绝缘子中,插针的外壁上设有一圈第四凸环,第四凸环位于插针的插入端和接插端的连接处,第四凸环的前端面与绝缘子的后端面压合设置,插针的接插端设置在第一外壳的第二通道中;衬套的后端轴向设有若干条形槽、使衬套的后端形成夹爪结构,衬套的前端设置在第一外壳的第三通道中、且与第二凸环压合设置,衬套的后端通过第二外壳的第三凸环压合夹爪结构锁紧;螺套固定在第一外壳的前端,本发明导电系数高,能承受6000V以上的高压,稳定性好,安全性高。
Description
技术领域
本发明涉及一种射频同轴连接器,具体涉及一种耐高压射频同轴连接器。
背景技术
射频电缆是各种无线电通信系统及电子设备中不可缺少的元件,在无线通信与广播、电视、雷达、导航、计算机及仪表等方面广泛的应用,同轴电缆是由内、外导体组成,两个导体同轴布置,传输信号完全限制在外导体内,外导体接地作为屏蔽层传输线,从而保证屏蔽性能好,传输损耗低,抗干扰性强,使用频带宽,射频同轴连接器是将射频同轴电缆与设备或不同类型电缆进行连接的元件,作为传输线电气连接或分离的元件,属于机电一体化产品。
在射频电路中,要保持稳定的预定阻抗和电容或需要屏蔽外界的电气干扰,就必须用同轴连接器来互联。随着通讯行业的发展,对电子器件的要求越来越高,传统的射频同轴连接器作为设备输入、输出的端口,在恶劣的环境中产品性能的稳定性、一致性和可靠性得不到保障。
发明内容
本发明针对上述问题提出了一种耐高压射频同轴连接器,导电系数高,能承受6000V以上的高压,稳定性好,安全性高。
具体的技术方案如下:
一种耐高压射频同轴连接器,包括螺套、第一外壳、第二外壳、插针和衬套;
第一外壳中自前向后依次设置第一通道、第二通道和第三通道,第一通道的半径为r1,第二通道的半径为r2,第三通道的半径为r3,r1>r3>r2,第一通道内壁的后端设有一圈第一凸环,第二通道内壁的前端设有一圈第一凹槽,第二通道与第三通道内壁的连接处设有一圈第二凸环,第一凸环上设有一圈第一定位凸条,第一定位凸条的截面形状为直角三角形,第一定位凸条的高度为h1、其宽度为L1,L1=2*h1,第一凸环的前端设有一圈第二凹槽,第二凹槽的深度h2=0.2mm;
第二外壳通过螺纹配合固定在第一外壳的后端,第二外壳中设有第四通道,第四通道内壁的后端设有一圈第三凸环,第三凸环的前端设有导向槽;
绝缘子固定在第一外壳的第一凸环之间,插针的插入端插入式的固定在绝缘子中,插针的外壁上设有一圈第四凸环,第四凸环位于插针的插入端和接插端的连接处,第四凸环的前端面与绝缘子的后端面压合设置,插针的接插端设置在第一外壳的第二通道中;
衬套的后端轴向设有若干条形槽、使衬套的后端形成夹爪结构,衬套的前端设置在第一外壳的第三通道中、且与第二凸环压合设置,衬套的后端通过第二外壳的第三凸环压合夹爪结构锁紧;
螺套固定在第一外壳的前端,螺套和第一外壳之间设有卡环。
上述耐高压射频同轴连接器,其中,第一外壳和第二外壳之间设有第一密封圈;螺套和第一外壳之间设有第二密封圈。
上述耐高压射频同轴连接器,其中,插针的插入端的外壁上设有一圈截面为直接三角形的压接凸条。
上述耐高压射频同轴连接器,其中,插针的插入端包括插针主体和插接压块,插针主体上设有一个前端开口的承插槽,承插槽的底部设有一圈定位凸块,承插槽的内壁上设有一圈第一凹槽;插接压块上设有后端开口的注胶槽,注胶槽壁上轴向设有若干避让槽,避让槽的宽度h3为0.2-0.8mm,插接压块上设有与注胶槽相连通的注胶通道,插接压块与承插槽过渡配合,插接压块的外壁上设有一圈第二凹槽,第二凹槽与第一凹槽对应设置形成压接腔,压接腔内设有第三密封圈,插接压块插入式的设置在承压槽中,注胶槽中浇注混合胶,注胶通道中过盈配合的设有塞杆,插针主体和插接压块的端部通过焊接进行二次固定。
上述耐高压射频同轴连接器,其中,注胶通道的内壁上设有若干圈溢胶槽。
上述耐高压射频同轴连接器,其中,插针主体以纯铜为材料制成,插接压块以白铜为材料制成,混合胶按重量百分比计由0.5-1.2%的石墨烯浆料、3-6%的甲苯、0.2-0.8%的丙烯酸、1.5-3%的丙酮、0.1-0.3%的防老剂AW和余量的环氧树脂混合制备而成。
上述耐高压射频同轴连接器,其中,插针主体与插接压块之间还设有第四密封圈,第四密封圈位于注胶通道的外侧,第四密封圈的截面形状为等腰三角形结构。
上述耐高压射频同轴连接器,其中,插接压块的后端设有一圈定位压条,定位压条插入式的设置在定位凸块的定位凹槽中。
上述耐高压射频同轴连接器,其中,第一凹槽的深度为第二凹槽深度的两倍。
上述耐高压射频同轴连接器,其中,插针的插入端的制备方法如下:
(1)将第三密封圈压接固定在插针主体的第一凹槽中,将第四密封圈压接固定在预设在插针主体的第三凹槽中;
(2)将插接压块插入承压槽中,使定位压条插入式的固定在定位凸块的定位凹槽中;
(3)按重量百分比计将0.5-1.2%的石墨烯浆料、3-6%的甲苯、0.2-0.8%的丙烯酸、1.5-3%的丙酮、0.1-0.3%的防老剂AW和余量的环氧树脂在80-120℃下混合制备得到混合胶,通过注胶通道向注胶槽中注入混合胶;
(4)将塞杆插入注胶通道中,自然冷却30-60min后,对插针主体和插接压块的端部通过焊接进行二次固定。
本发明的有益效果为:本发明安装方便,稳定性好,将电缆线通过衬套的夹爪结构加以锁定,提高了效率,同时,插针的结构设置,提高了导电系数,使连接器能承受6000V以上的高压,稳定性好,安全性高。
附图说明
图1为本发明剖视图。
图2为第一外壳剖视图。
图3为图2中A部分放大图。
图4为图2中B部分放大图。
图5为插针剖视图。
图6为插接压块侧视图。
附图标记:
螺套1、第一外壳2、第二外壳3、插针4、衬套5、第一通道6、第二通道7、第三通道8、第一凸环9、第一凹槽10、第二凸环11、第一定位凸条12、第二凹槽13、第四通道14、第三凸环15、绝缘子16、插针的插入端17、第四凸环18、插针的接插端19、条形槽20、卡环21、第一密封圈22、第二密封圈23、压接凸条24、插针主体25、插接压块26、承插槽27、定位凸块28、第一凹槽29、注胶槽30、避让槽31、注胶通道32、第二凹槽33、第三密封圈34、混合胶35、塞杆36、溢胶槽37、第四密封圈38、定位压条39。
具体实施方式
为使本发明的技术方案更加清晰明确,下面对本发明进行进一步描述,任何对本发明技术方案的技术特征进行等价替换和常规推理得出的方案均落入本发明保护范围。
如图所示一种耐高压射频同轴连接器,包括螺套1、第一外壳2、第二外壳3、插针4和衬套5;
第一外壳中自前向后依次设置第一通道6、第二通道7和第三通道8,第一通道的半径为r1,第二通道的半径为r2,第三通道的半径为r3,r1>r3>r2,第一通道内壁的后端设有一圈第一凸环9,第二通道内壁的前端设有一圈第一凹槽10,第二通道与第三通道内壁的连接处设有一圈第二凸环11,第一凸环上设有一圈第一定位凸条12,第一定位凸条的截面形状为直角三角形,第一定位凸条的高度为h1、其宽度为L1,L1=2*h1,第一凸环的前端设有一圈第二凹槽13,第二凹槽的深度h2=0.2mm;
第二外壳通过螺纹配合固定在第一外壳的后端,第二外壳中设有第四通道14,第四通道内壁的后端设有一圈第三凸环15,第三凸环的前端设有导向槽;
绝缘子16固定在第一外壳的第一凸环之间,插针的插入端17插入式的固定在绝缘子中,插针的外壁上设有一圈第四凸环18,第四凸环位于插针的插入端和接插端19的连接处,第四凸环的前端面与绝缘子的后端面压合设置,插针的接插端设置在第一外壳的第二通道中;
衬套的后端轴向设有若干条形槽20、使衬套的后端形成夹爪结构,衬套的前端设置在第一外壳的第三通道中、且与第二凸环压合设置,衬套的后端通过第二外壳的第三凸环压合夹爪结构锁紧;
螺套固定在第一外壳的前端,螺套和第一外壳之间设有卡环21。
第一外壳和第二外壳之间设有第一密封圈22;螺套和第一外壳之间设有第二密封圈23。
插针的插入端的外壁上设有一圈截面为直接三角形的压接凸条24。
插针的插入端包括插针主体25和插接压块26,插针主体上设有一个前端开口的承插槽27,承插槽的底部设有一圈定位凸块28,承插槽的内壁上设有一圈第一凹槽29;插接压块上设有后端开口的注胶槽30,注胶槽壁上轴向设有若干避让槽31,避让槽的宽度h3为0.2-0.8mm,插接压块上设有与注胶槽相连通的注胶通道32,插接压块与承插槽过渡配合,插接压块的外壁上设有一圈第二凹槽33,第二凹槽与第一凹槽对应设置形成压接腔,压接腔内设有第三密封圈34,插接压块插入式的设置在承压槽中,注胶槽中浇注混合胶35,注胶通道中过盈配合的设有塞杆36,插针主体和插接压块的前端通过焊接进行二次固定。
注胶通道的内壁上设有若干圈溢胶槽37。
插针主体以纯铜为材料制成,插接压块以白铜为材料制成,混合胶按重量百分比计由0.5-1.2%的石墨烯浆料、3-6%的甲苯、0.2-0.8%的丙烯酸、1.5-3%的丙酮、0.1-0.3%的防老剂AW和余量的环氧树脂混合制备而成。
插针主体与插接压块之间还设有第四密封圈38,第四密封圈位于注胶通道的外侧,第四密封圈的截面形状为等腰三角形结构。
插接压块的后端设有一圈定位压条39,定位压条插入式的设置在定位凸块的定位凹槽中。
第一凹槽的深度为第二凹槽深度的两倍。
插针的插入端的制备方法如下:
(1)将第三密封圈压接固定在插针主体的第一凹槽中,将第四密封圈压接固定在预设在插针主体的第三凹槽中;
(2)将插接压块插入承压槽中,使定位压条插入式的固定在定位凸块的定位凹槽中;
(3)按重量百分比计将0.5-1.2%的石墨烯浆料、3-6%的甲苯、0.2-0.8%的丙烯酸、1.5-3%的丙酮、0.1-0.3%的防老剂AW和余量的环氧树脂在80-120℃下混合制备得到混合胶,通过注胶通道向注胶槽中注入混合胶;
(4)将塞杆插入注胶通道中,自然冷却30-60min后,对插针主体和插接压块的端部通过焊接进行二次固定。
Claims (10)
1.一种耐高压射频同轴连接器,其特征为,包括螺套、第一外壳、第二外壳、插针和衬套;
第一外壳中自前向后依次设置第一通道、第二通道和第三通道,第一通道的半径为r1,第二通道的半径为r2,第三通道的半径为r3,r1>r3>r2,第一通道内壁的后端设有一圈第一凸环,第二通道内壁的前端设有一圈第一凹槽,第二通道与第三通道内壁的连接处设有一圈第二凸环,第一凸环上设有一圈第一定位凸条,第一定位凸条的截面形状为直角三角形,第一定位凸条的高度为h1、其宽度为L1,L1=2*h1,第一凸环的前端设有一圈第二凹槽,第二凹槽的深度h2=0.2mm;
第二外壳通过螺纹配合固定在第一外壳的后端,第二外壳中设有第四通道,第四通道内壁的后端设有一圈第三凸环,第三凸环的前端设有导向槽;
绝缘子固定在第一外壳的第一凸环之间,插针的插入端插入式的固定在绝缘子中,插针的外壁上设有一圈第四凸环,第四凸环位于插针的插入端和接插端的连接处,第四凸环的前端面与绝缘子的后端面压合设置,插针的接插端设置在第一外壳的第二通道中;
衬套的后端轴向设有若干条形槽、使衬套的后端形成夹爪结构,衬套的前端设置在第一外壳的第三通道中、且与第二凸环压合设置,衬套的后端通过第二外壳的第三凸环压合夹爪结构锁紧;
螺套固定在第一外壳的前端,螺套和第一外壳之间设有卡环。
2.如权利要求1所述的耐高压射频同轴连接器,其特征为,第一外壳和第二外壳之间设有第一密封圈;螺套和第一外壳之间设有第二密封圈。
3.如权利要求1所述的耐高压射频同轴连接器,其特征为,插针的插入端的外壁上设有一圈截面为直接三角形的压接凸条。
4.如权利要求1所述的耐高压射频同轴连接器,其特征为,插针的插入端包括插针主体和插接压块,插针主体上设有一个前端开口的承插槽,承插槽的底部设有一圈定位凸块,承插槽的内壁上设有一圈第一凹槽;插接压块上设有后端开口的注胶槽,注胶槽壁上轴向设有若干避让槽,避让槽的宽度h3为0.2-0.8mm,插接压块上设有与注胶槽相连通的注胶通道,插接压块与承插槽过渡配合,插接压块的外壁上设有一圈第二凹槽,第二凹槽与第一凹槽对应设置形成压接腔,压接腔内设有第三密封圈,插接压块插入式的设置在承压槽中,注胶槽中浇注混合胶,注胶通道中过盈配合的设有塞杆,插针主体和插接压块的端部通过焊接进行二次固定。
5.如权利要求4所述的耐高压射频同轴连接器,其特征为,注胶通道的内壁上设有若干圈溢胶槽。
6.如权利要求4所述的耐高压射频同轴连接器,其特征为,插针主体以纯铜为材料制成,插接压块以白铜为材料制成,混合胶按重量百分比计由0.5-1.2%的石墨烯浆料、3-6%的甲苯、0.2-0.8%的丙烯酸、1.5-3%的丙酮、0.1-0.3%的防老剂AW和余量的环氧树脂混合制备而成。
7.如权利要求4所述的耐高压射频同轴连接器,其特征为,插针主体与插接压块之间还设有第四密封圈,第四密封圈位于注胶通道的外侧,第四密封圈的截面形状为等腰三角形结构。
8.如权利要求4所述的耐高压射频同轴连接器,其特征为,插接压块的后端设有一圈定位压条,定位压条插入式的设置在定位凸块的定位凹槽中。
9.如权利要求4所述的耐高压射频同轴连接器,其特征为,第一凹槽的深度为第二凹槽深度的两倍。
10.如权利要求6所述的耐高压射频同轴连接器,其特征为,插针的插入端的制备方法如下:
(1)将第三密封圈压接固定在插针主体的第一凹槽中,将第四密封圈压接固定在预设在插针主体的第三凹槽中;
(2)将插接压块插入承压槽中,使定位压条插入式的固定在定位凸块的定位凹槽中;
(3)按重量百分比计将0.5-1.2%的石墨烯浆料、3-6%的甲苯、0.2-0.8%的丙烯酸、1.5-3%的丙酮、0.1-0.3%的防老剂AW和余量的环氧树脂在80-120℃下混合制备得到混合胶,通过注胶通道向注胶槽中注入混合胶;
(4)将塞杆插入注胶通道中,自然冷却30-60min后,对插针主体和插接压块的端部通过焊接进行二次固定。
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TA01 | Transfer of patent application right | ||
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Effective date of registration: 20230821 Address after: 226000 Building 3, Liandong U Valley Industrial Park, No. 1, Changxing East Road, Nantong Development Zone, Jiangsu Province Applicant after: Jiangsu Xinxun Photoelectric Technology Co.,Ltd. Applicant after: SHANGHAI XIN XUN MICROWAVE TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 212000 Industrial Park, Dalu Town, New District, Zhenjiang City, Jiangsu Province Applicant before: JIANGSU HUAJI COMMUNICATION TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
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GR01 | Patent grant | ||
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